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Fターム[4M118GC08]の内容

固体撮像素子 (108,909) | フィルタ (6,179) | カラーフィルタ (3,690) | 3色 (1,503)

Fターム[4M118GC08]に分類される特許

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【課題】経時保存性が良好で、微細な着色パターンを露光マスクのパターンサイズ通りに形成することができ、且つ、赤緑青のカラーフィルタを形成したときに高い解像力を有する固体撮像素子用のカラーフィルタを形成しうる着色感放射性組成物を提供する。
【解決手段】(A)顔料、(B)下記一般式(1)で表される化合物を共重合成分として含むバインダー、及び(C)重合性化合物を含有し、前記(A)顔料がC.I.Pigment Green 36と、C.I.Pigment Yellow 185と、C.I.Pigment Yellow 150とを含む着色感放射線性組成物。
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【課題】アルカリ現像によって、赤外領域における遮光性が高く、耐久性(冷熱衝撃耐性や、基板に対する密着性など)に優れるとともに、所望の矩形形状を有するパターンを高感度で形成可能な固体撮像素子用硬化性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 (A)赤外線遮蔽材、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
(C)酸の作用により架橋反応を示す化合物、及び、(D)バインダー樹脂を含有する固体撮像素子用硬化性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極11,13と、一対の電極11,13の間に配置された光電変換層12aとを含む光電変換部を有し、一対の電極11,13間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Aの光電変換層12aを、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する1種類の光電変換材料(例えばスズフタロシアニン)と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料(例えばTMM−1)とを、真空中で気化させた後に混合して形成する。 (もっと読む)


【課題】1つの実施形態は、例えば、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】1つの実施形態によれば、フォトダイオードを備えた固体撮像装置が提供される。フォトダイオードでは、第1導電型の領域と第2導電型の領域とが接合されている。第1導電型の領域は、第1の半導体領域と複数の第2の半導体領域とを有する。第1の半導体領域は、Siを主成分とする材料で形成されている。複数の第2の半導体領域のそれぞれは、Si1−xGe(0<x≦1)を主成分とする材料で形成されている。複数の第2の半導体領域のそれぞれは、第1の半導体領域の上に島状に配されている。 (もっと読む)


【課題】 撮影画質を低下させることなく、高速な焦点調節を行うこと。
【解決手段】 撮像素子の出力に応じた被写体像のコントラストに基づき、撮像光学系のフォーカシングレンズ群を光軸方向に移動させて焦点調節を行うフォーカシング手段を備えた撮像装置において、撮像素子は、各画素に対応する複数のマイクロレンズを有し、これらマイクロレンズの各位置をそれぞれ光軸方向に異ならせて設け、光軸方向の異なる各位置に複数の結像面を形成し、フォーカシング手段は、撮像素子の複数の結像面に対応する各電気信号に基づいてコントラスト値の高くなるフォーカシングレンズ群の移動方向を判定する。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の光感度の低下を抑制する。
【解決手段】入射光を電気信号に変換する光電変換部を有する画素2と、画素2に対応して形成されたカラーフィルタ15と、カラーフィルタ15を介して入射光を光電変換部PDに集光するマイクロレンズ16と、を含む複数の画素領域と、マイクロレンズ16側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、前記画素領域の辺部に形成された第1遮光部17と、マイクロレンズ16側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、画素2の表面から第1の端面までの距離が、第1遮光部17より短く、画素領域の角部に形成された第2遮光部18と、を備える固体撮像装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】暗電流を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、光電変換が行われるフォトダイオードが形成された有効領域と、遮光膜により遮光された光学的黒領域とが形成された半導体基板と、前記有効領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも1層以上積層された第1の膜と、前記遮光領域上であって、負の固定電荷を有する層が少なくとも1層以上積層された第2の膜と、を備え、前記第1の膜が有する層の数が前記第2の膜が有する層の数と異なる。 (もっと読む)


【課題】マイクロレンズアレイの下面から受光部までの厚さを小さくして、クロストーク発生や感度低下を防止した固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】平坦化層上に緑色フィルタ用の感光性材料を塗布し、角部を切り欠いた矩形のパターンを有する緑色フィルタ用フォトマスクを用いて露光、現像して、非孤立的な矩形の緑色フィルタを形成する工程と、赤色フィルタ用の感光性材料を塗布し、角部にサブパターンをもつ矩形のパターンを有する赤色フィルタ用フォトマスクを用いて露光、現像して、孤立的な矩形の赤色フィルタを形成する工程と、角部にサブパターンをもつ矩形のパターンを有する青色フィルタ用の感光性材料を塗布し、青色フィルタ用フォトマスクを用いて露光、現像して、孤立的な矩形の青色フィルタを形成する工程と、によりカラーフィルタを形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、固体撮像装置とその製造方法に関する。
【解決手段】第1受光部及び第2受光部が形成された半導体基板と、半導体基板上に積層され、第1受光部上の領域に第1開口部を有し、第2受光部上の領域に第2開口部を有する平坦化膜と、第1開口部に一部が埋め込まれると共に第1開口部から残りの一部が突出し、突出部上面がレンズ状であり、平坦化膜よりも高い屈折率の第1カラーフィルターと、第2開口部に一部が埋め込まれると共に第2開口部から残りの一部が突出し、突出部上面がレンズ状であり、平坦化膜よりも高い屈折率の第2カラーフィルターとを備え、第1カラーフィルターの突出部と第2カラーフィルターの突出部とは離間しており、カラーフィルターの離間領域には、第1カラーフィルターと第2カラーフィルターとのどちらとも異なる屈折率の物質が存在することを特徴とする固体撮像装置。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子において、動画モード時の出力ライン数を変えることなく、垂直転送部の取り扱い電荷量を増加させ、暗電流や暗時白線等の特性を容易に向上させる。
【解決手段】半導体基板上の撮像領域にて行列状に配列され、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積する複数の受光部と、複数の受光部の配列における列毎に設けられ、各受光部に蓄積された信号電荷を読み出して垂直方向に転送する複数の垂直転送部22と、垂直転送部22により転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送部とを備え、複数の垂直転送部22は、互いに異なるタイミングで受光部に蓄積された信号電荷を交互に読み出す第1の垂直転送部23および第2の垂直転送部24を、受光部の配列における2列毎に交互に配置させ、第1の垂直転送部23および第2の垂直転送部24は、受光部の配列における互いに異なる行に位置する受光部の信号電荷を順次読み出す。 (もっと読む)


【課題】 フォトダイオードと絶縁膜との界面における光の反射率を最小化し、イメージ
感度を向上させたCMOSイメージセンサーを提供すること。
【解決手段】 Siのフォトダイオード12が形成された基板10と、基板10の上に形
成されるSiOの絶縁膜14と、基板10及び絶縁膜14の間に介在する半反射膜13
と、絶縁膜14の上に形成され、単位画素を構成する複数の金属配線M1〜M4と、カラ
ーフィルター19と、マイクロレンズ21とを備えているCMOSイメージセンサーであ
って、半反射膜13の屈折率が、Siのフォトダイオード12の屈折率とSiOの絶縁
膜14の屈折率との間の値である。 (もっと読む)


【課題】色純度が高く、透過率に優れる着色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】有機溶剤に可溶で、且つ、クロロホルム溶媒中での主吸収が680nm〜800nmの範囲に入り、同一ベンゼン核に、塩素原子および臭素原子の少なくとも1つと下記一般式(1)で表される置換を1つ以上有する部分構造を有するフタロシアニン化合物を含有する着色硬化性組成物。


(一般式(1)中X1は酸素原子、硫黄原子、SO2基またはNH基を表し、R1は、アルキル基またはアリール基を表す。) (もっと読む)


【課題】撮像素子における位相差検出画素の特性を向上させる。
【解決手段】マイクロレンズ314は、被写体からの光を集光する。受光素子313は、マイクロレンズ314により集光された被写体光を受光することにより位相差検出による合焦判定を行うための信号を生成する。遮光層312は、マイクロレンズ314と受光素子313との間に配置されて、被写体光の一部を遮光して被写体光を瞳分割する。また、遮光層312は、マイクロレンズ314の結像点の位置と遮光層312の入射口側の端部の位置とが、像高の変化に応じて離れるように設定される。 (もっと読む)


【課題】 光を光電変換部に精度よく入射させる。
【解決手段】 複合部材300は、絶縁膜310と、各々が別々の光電変換部3に対応して設けられ、絶縁層310に囲まれた、絶縁膜310の屈折率よりも高い屈折率を有する複数の高屈折率部材320と、複数の高屈折率部材320同士を連結するように絶縁膜310上に設けられた、絶縁膜310の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率膜330とを、少なくとも有しており、複数のレンズ部110のうちの、互いに隣り合うレンズ部同士が接している。 (もっと読む)


【課題】「混色」の発生などを防止して、撮像画像の画像品質を向上させる。
【解決手段】第1トレンチTR1と、半導体基板101において第1トレンチよりも浅い部分において、第1トレンチTR1よりも幅が広い第2トレンチTR2とを、トレンチTRとして形成する。そして、第1トレンチTR1の内部を埋め込むと共に、第2トレンチTR2の内側の面を被覆するようにピニング層311を形成する。そして、少なくともピニング層311を介して第2トレンチTR2の内部を埋め込むように、遮光層313を形成する。 (もっと読む)


【課題】 垂直転送レジスタの取扱い電荷量を増やすことで動画撮影モードでもスミア信号の発生を抑制し、撮影画像を正常に撮影する。
【解決手段】 本開示の固体撮像装置は、基板10上に行列状に配列され光電変換を行うセンサ部11と、センサ部11で光電変換された信号電荷を読み出す読み出し部13と、第1の動作モードでは第1の垂直転送クロックVφ1に応じて、第2の動作モードでは第2の垂直転送クロックVφ2に応じて信号電荷を垂直転送する垂直転送部12と、垂直転送部12から垂直転送された信号電荷を水平転送する水平転送部15とを備え、第1の垂直転送クロックVφ1は、第1のHighレベルH1と第1のLowレベルL1とを有し、第2の垂直転送クロックVφ2は、第1のHighレベルH1よりプラス側にシフトした第2のHighレベルH2と、第1のLowレベルL1よりプラス側にシフトした第2のLowレベルL2とを有する。 (もっと読む)


【課題】より確実に画素間クロストークを抑制することが可能な、固体撮像素子を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】主表面を有する半導体基板SUBと、半導体基板SUBの主表面上に配置された第1導電型の不純物層DPWと、不純物層DPW上に、第1導電型の不純物領域と第2導電型の不純物領域とが互いに接合する構成を含む光電変換素子と、光電変換素子を含む単位画素を構成し、光電変換素子と電気的に接続されるトランジスタM1〜M4とを備えている。平面視において光電変換素子の外周部の少なくとも一部には、内部に空隙AGが含まれ、光電変換素子と、光電変換素子に隣接する光電変換素子とを、互いに電気的に絶縁する分離絶縁層SIが配置されている。上記分離絶縁層SIは、第1導電型の不純物層DPWの最上面に接する。 (もっと読む)


【課題】遮光領域への光漏れを防止し、光漏れによる画質の劣化を低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板24内に形成され、光を電気信号に変換する光電変換素子25と、半導体基板24上に光電変換素子25に対応するように配置され、入射光を光電変換素子25上に集光するマイクロレンズ13と、半導体基板24上に形成され、光を遮光する遮光膜30と、遮光膜30上に形成され、入射光を遮光層30上に集光するマイクロレンズ14とを備える。 (もっと読む)


【課題】多色の膜形成をする場合において、残渣混色、拡散混色を抑制することができる着色硬化膜を形成しうる着色感放射性組成物を提供する。
【解決手段】(A)ハロゲン化亜鉛フタロシアニン顔料、(B)下記一般式(1)で表される化合物を共重合成分として5.0〜15.0モル%含むバインダー、及び(C)ヒドロキシル基を含む重合性化合物およびオキシエチレン基を有する重合性化合物から選ばれる1種以上の重合性化合物を含む着色感放射線性組成物。 (もっと読む)


【課題】フレア光の発生を抑制でき、明るい光源が視野内に入った場合であってもフレア光が目立つことのない良質の画像を得ることが可能な撮像装置およびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】被写体像を結像可能な受光部112を含む光学センサ110と、光学センサの受光部112側を保護するためのシール材120と、少なくとも受光部112とシール材120の受光部112との対向面121間に形成され、光に対して透明な中間層130と、中間層130とシール材120の対向面121との間に配置された制御膜140と、を有し、制御膜140は、膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする。 (もっと読む)


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