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Fターム[4M118GC08]の内容

固体撮像素子 (108,909) | フィルタ (6,179) | カラーフィルタ (3,690) | 3色 (1,503)

Fターム[4M118GC08]に分類される特許

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【課題】 隣接画素間でのクロストークを防止して、混色の発生を防止でき、再生画面上での色再現性の向上に対して有利な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板404に、光電変換部及び信号走査回路部を含み単位画素行列を配置して成る撮像領域を具備し、撮像領域は、隣接する単位画素との境界部分に対応して各単位画素を囲むように設けられる素子分離絶縁膜408を備え、素子分離絶縁膜は、信号走査回路部が形成される半導体基板の表面から半導体基板中にオフセットされて設けられ且つ半導体基板の裏面に達している。 (もっと読む)


【課題】固体撮像素子に設けるマイクロレンズを、隣接するマイクロレンズとのギャップを狭くして高い集光性能を与えるとともに、各マイクロレンズの形状が均一になるように形成する製造方法を提供すること。
【解決手段】固体撮像素子10におけるマイクロレンズ7の製造方法であって、マイクロレンズを構成する第一の層81を設けた後に、マイクロレンズを構成する第二の層85を、第一の層とは異なる形状で第一の層に積層して設け、その後両層を熱処理して一体化することにより、所望の形状のマイクロレンズを形成する工程を含み、第一の層の形状が、各画素の中央から画素境界に向かう放射状パターンを含み、第二の層の形状が、多角形状の各画素の形状に近く、画素境界を越えない凸図形パターンである。 (もっと読む)


【課題】感度を向上させ、出力画像に混色が発生することを抑制することができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置12は、複数のフォトダイオード19、カラーフィルタ層21、複数のマイクロレンズ16、および補助レンズ17を具備する。複数のフォトダイオード19は、半導体基板18に形成される。カラーフィルタ層21は、複数のフォトダイオード19が形成された半導体基板18上に形成される。複数のマイクロレンズ16は、カラーフィルタ層21上に形成される。補助レンズ17は、カラーフィルタ層21上に、複数のマイクロレンズ16より低い屈折率を有する材料によって、複数のマイクロレンズ16を覆うように形成される。補助レンズ17は表面に湾曲部17aを有し、湾曲部17aに入射された光を、実質的に垂直な方向から複数のマイクロレンズ16に入射させる方向に屈折させる。 (もっと読む)


【課題】改善されたカラークロストークを有する、小型ピクセルを有するイメージセンサ
を提供すること。
【解決手段】本発明のイメージセンサは、第1導電型の基板と、該第1導電型の基板にア
レイされた第1ピクセル及び第2ピクセルと、該第2ピクセルに該当する前記基板内には
配置されることなく、前記第1ピクセルに該当する前記基板内に配置されたポテンシャル
障壁とを備える。ここで、前記第2ピクセルは、前記第1ピクセルに対応するカラーより
も相対的に長波長を有するカラーに対応するものである。また、前記ポテンシャル障壁は
、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記P型エピタキシャル層のエピ
タキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 (もっと読む)


【課題】 オンチップレンズとフォトダイオードとの間で発生する混色を低減できるようにする。
【解決手段】 撮像素子は、光を受光するフォトダイオード部と、フォトダイオード部の少なくとも一部と対向する第1のカラーフィルタと、第1のカラーフィルタと対向する第2のカラーフィルタとを含む第1の単位画素を備え、第1のカラーフィルタと第2のカラーフィルタとは離間している。本技術は、撮像素子または撮像装置に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】読み出し部の構造の複雑化を抑制しながら、読み出し電圧の低減や読み出し時間の短縮を実現する撮像素子を提供する。
【解決手段】アレイ状に配置される各受光センサ部101が、読み出し用電極103側が長く、対向する側が短い非対称形状を有し、前記アレイ状の配置において、各行は、互いに同一の方向を向く前記受光センサ部101により構成され、前記受光センサ部101の向きが互いに逆の2種類の行が垂直方向に交互に配置される。 (もっと読む)


【課題】装置の信頼性や、製品の歩留まりなどを向上させる。
【解決手段】第1の開口と第2の開口との内部に金属材料を埋め込んで第1プラグと第2プラグとを設けると共に、第1プラグと第2プラグとの間を接続する接続配線を設けることで、接続導電層を形成する。そして、接続導電層において接続配線の上面を被覆するようにパッシベーション膜を形成する。このパッシベーション膜の形成工程では、高密度プラズマCVD法などのように埋め込み性に優れた成膜法で、SiOなどの絶縁膜を成膜することによって、パッシベーション膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】異なる屈折率を有するマイクロレンズが画素毎に精度良く形成された固体撮像装置を提供することを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】マイクロレンズの形成時において、まず始めに、無機材料からなる無機マイクロレンズ21を形成する。その後、有機材料からなる有機マイクロレンズ層22aを形成したのち、熱リフローすることで有機マイクロレンズ層22aを変形させ、半球状の有機マイクロレンズ22を形成する。これにより、始めに形成されるマイクロレンズが、無機材料で形成されるため、レンズ特性を維持した状態で、有機マイクロレンズ22を形成できる。これにより、屈折率の異なるマイクロレンズを精度良く形成できる。 (もっと読む)


【課題】ボンディングパッド構造を有する裏面照射型センサーとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は半導体構造を提供する。半導体構造は、正面と背面を有する装置基板;装置基板の正面上に設置される相互接続構造;および、相互接続構造に接続されるボンディングパッドを含む。ボンディングパッドは、誘電材料層中の凹部領域;凹部領域間に挿入される誘電材料層の誘電体メサ; および、凹部領域中と誘電体メサ上に設置される金属層を含む。 (もっと読む)


【課題】高感度画素と低感度画素の各画素情報を適用したワイドダイナミックレンジ画像を効率的に生成可能とした装置、方法を実現する。
【解決手段】異なる感度の画素からの出力画素信号として、複数の高感度画素の画素値を加算した高感度画素情報と、複数の低感度画素の画素値を加算した低感度画素情報を画素部から出力し、これらの画素情報を画素情報合成部において合成して出力画素値を決定してダイナミックレンジの広い出力画像を出力する。画素情報合成部では、例えば被写体の輝度に応じて高感度画素情報または低感度画素情報に対する重みを変更して、高感度画素情報と低感度画素情報との重み付き加算を行い、出力画像の画素値を決定して出力する。 (もっと読む)


【課題】 小型化、薄型化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、画素に表示部とセンサ部とを有し、表示部とセンサ部の各々の制御を、同一の走査線駆動回路で行う。第1の期間においては、前記走査線駆動回路は、表示部が有する第1の選択信号線の走査を行い、第2の期間においては、前記走査線駆動回路は、センサ部が有する第2の選択信号線の走査を行う。表示部にビデオ信号を入力するための第1の信号線と、センサ部から、対象物の画像情報を有する信号を出力するための第2の信号線とは、別々に設けられることで、相互の信号へのスイッチングノイズ等の影響を最小限とする。 (もっと読む)


【課題】画素部面内でのスミア比の差が抑制され、出力画像の画質が高い固体撮像素子を提供する。
【解決手段】マイクロレンズ16と、赤色、緑色、青色の波長を選択するカラーフィルター17とを有し、カラーフィルター17透過後の入射光を、屈折率が周辺部よりも大きな材料を用いて画素開口部へ伝搬させる光導波路構造(光導波路13、・・)を備える。そして、光導波路13の開口径が、画素中心部から周辺部に行くに従って小さくなっている。具体的には、画素中心部における開口径dG1が、外周における開口径dG2よりも大きくなっている。なお、R画素およびB画素においても、同様の関係を以って光導波路の開口径が設定されている。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の画質の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板10内に設けられ、光が照射される複数の第1の光電変換部を有する第1の領域2と、半導体基板10内に設けられ、第1の領域2に隣接する第2の領域3と、受光面に対して垂直方向において第1の領域2と重なる位置に配置され、第1の光電変換部にそれぞれ対応する複数の第1のレンズ9と、記第1の領域2と第1のレンズ9との間において2つの領域2,3との境界部の段差に隣接し、第1の領域2に対応する第2のレンズ7Aと、を含む。 (もっと読む)


【課題】画素分離部の幅を縮小することや光電変換部の面積の拡大することを可能にする固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第1導電型の電荷蓄積領域23を含む光電変換部及び画素トランジスタTrから成る画素38と、画素38が複数配列された画素領域と、この画素領域内の隣接する画素38間の半導体層22に設けられたトレンチ42の内壁部に形成された、エピタキシャル成長による第1導電型の半導体層43と、この第1導電型の半導体層43の内部に形成され、隣接する画素38の電荷蓄積領域23を分離する、画素分離部41とを含んで、固体撮像装置21を構成する。 (もっと読む)


【課題】各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 ウェルコンタクトが配される画素の補正を容易にする。また、線状のノイズを低減する。
【解決手段】 複数の画素毎にウェルコンタクトを配した増幅型の撮像装置において、第1の配線によって電圧が供給されるウェルコンタクトを有する第1の画素に近接した、ウェルコンタクトが配されていない第2の画素に、第2の配線を配する。 (もっと読む)


【課題】暗電流の発生を抑制しながらも、転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】光電変換部(PD)を構成する第1暗電流抑制領域21を、転送ゲート電極26と一部重なるように形成する。また、その下層に、第1暗電流抑制領域21と同導電型で構成され、第1暗電流抑制領域21よりも低濃度の不純物領域からなる転送補助領域22を形成する。また、この第1暗電流抑制領域21と転送補助領域22との転送ゲート電極26下の端部は同一位置となるように位置あわせして形成されている。第1暗電流抑制領域21により暗電流の抑制が図られ、また、転送補助領域22により、転送効率の向上が図られる。 (もっと読む)


【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、素子分離特性を向上可能な固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置の製造方法が提供される。固体撮像装置の製造方法は、素子分離領域形成工程と、電荷蓄積領域形成工程とを含む。素子分離領域形成工程では、第1導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて光電変換素子間を分離する素子分離領域を形成する。電荷蓄積領域形成工程では、第2導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて前記光電変換素子における電荷蓄積領域を形成する。 (もっと読む)


【課題】隣接する画素間でのブルーミングを防ぐ。
【解決手段】 複数のフォトダイオード101a、101bと、複数のフォトダイオードに各々対応して設けられた複数の転送MOSFET102a、102bと、複数のフォトダイオードから読み出された信号を増幅して出力する共通の増幅MOSFET104と、を有する単位セルを2次元状に配し、フォトダイオード101bの周囲に複数のフォトダイオードが隣接して配され、フォトダイオード101bと複数のフォトダイオードとの間にフォトダイオード101bからの過剰電荷を捕獲する捕獲領域130,134,135,132を設けた。 (もっと読む)


【課題】接続部に不具合が生じた場合に同時に欠陥画素となる画素数を低減する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の画素を備え、当該画素を構成する回路要素が配置された第1の基板と第2の基板とが複数の接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記画素は、前記第1の基板に含まれる光電変換素子と、前記光電変換素子で発生し、前記接続部を経由した信号を前記画素から出力する、前記第2の基板に含まれる出力回路と、を有し、前記第1の基板において、前記複数の画素が配列された領域は、前記画素を複数含み形状が十字形である複数の部分領域を含み、前記部分領域に対応して前記接続部が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


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