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Fターム[4M118GC20]の内容

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Fターム[4M118GC20]に分類される特許

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【課題】撮像素子に入射する光の偏光状態及び入射角に依存して撮像素子から出力される信号の強度の変化が生じ、また、肉眼によって検知される明るさよりも撮像装置によって検知される明るさが低いといった問題を解決し得る撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置10は、複数の撮像素子41,42,43が2次元マトリクス状に配列されて成る撮像部30を有し、撮像部30は、周辺領域32、及び、周辺領域32に囲まれた中央領域31に区画され、周辺領域32における撮像素子42,43には偏光手段が備えられており、中央領域31における撮像素子41には偏光手段が備えられていない。 (もっと読む)


【課題】色ずれの抑制を図ることができる固体撮像素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像素子は、複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、特定の波長帯域の光を選択的に透過させるカラーフィルタと、を備えている。そして、前記カラーフィルタは、屈折率の異なる層が積層された積層構造部と、複数の要素が前記特定の波長帯域および光の入射角度に応じて異なる周期で設けられた周期構造部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】偽色の発生の抑圧及び高解像度化が可能な単板式のカラー撮像素子を提供する。
【解決手段】水平及び垂直方向に配列された光電変換素子からなる複数の画素上に、所定のカラーフィルタ配列のカラーフィルタが配設されてなる単板式のカラー撮像素子である。このカラー撮像素子のカラーフィルタ配列は、R、G、Bの全ての色のフィルタが、水平及び垂直方向の全ラインに配列された所定の基本配列パターンPを含み、この基本配列パターンPが水平方向及び垂直方向に繰り返して配置されている。特にGフィルタは、基本配列パターン内において、水平、垂直、及び斜め(NE,NW)方向の各方向(4方向)にそれぞれ2以上隣接する部分が含まれるように配置されており、これらの隣接するGフィルタに対応するG画素の画素値により、4方向の輝度の相関度を最小画素間隔で判断することができる。 (もっと読む)


【課題】色バランスと色再現性とがよく、薄い撮像素子を提供すること。
【解決手段】色成分を抽出するフィルタは、透明フィルタと、黄フィルタと、赤フィルタと、可視光波長域において透過抑制特性を有し、可視光波長域より長波長側において透過特性を有する補正フィルタとを含み、補正フィルタは、波長400nm〜550nmの光に対する透過率が5%以下、分光透過率特性における50%透過率の波長範囲が620nm〜690nm、波長700nmの光に対する透過率が70%以上。補正フィルタが、C.I.ピグメントバイオレット23、C.I.ピグメントイエロー139の各顔料を含む着色樹脂組成物で形成されたこと。 (もっと読む)


【課題】小型化可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、半導体基板10に位置するフォトダイオード用の不純物領域31、32と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の波長を制限するための光バンドパスフィルター61、62と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の入射角度を制限するための角度制限フィルター41、42と、を含む。光バンドパスフィルター61、62は、フォトダイオード用の不純物領域31、32と角度制限フィルター41、42の間に位置し、角度制限フィルター41、42は、半導体プロセスによって形成された遮光物質(光吸収物質または光反射物質)によって形成される。 (もっと読む)


【課題】画質の低下を回避する裏面照射型のCMOS型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子21は、受光した光を電気信号に変換するPD32が平面的に配置された半導体基板42と、半導体基板42に入射する光の透過を制御するシャッター層44とを備えて構成される。そして、半導体基板42とシャッター層44との間の間隔が、シャッター層44に形成されるシャッター素子33の間隔以下に設定される。また、シャッター層44は、PD32に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する。 (もっと読む)


【課題】ICチップの発熱がデバイスチップに与える影響を低減することが可能な真空封止デバイスを提供する。
【解決手段】真空封止デバイスは、デバイスチップ100Aと、デバイスチップ100Aと協働するICチップ200Aと、デバイスチップ100AとICチップ200Aとが互いの厚み方向に離間して収納されたパッケージ300とを備える。パッケージ300は、パッケージ本体301の一面側に2段の凹部301a,301bが設けられ、ICチップ200Aが、下段の凹部301aの内底面に第2接合部312を介して接合され、デバイスチップ100Aが、上段の凹部301bの内底面における下段の凹部301aの周部の全周に亘って第3接合部313を介して気密的に接合されている。真空封止デバイスは、パッケージ本体301とデバイスチップ100Aと第3接合部313とパッケージ蓋302とで囲まれた第1気密空間321が真空雰囲気となっている。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置において、ゴーストなどの発生を抑制して、画像品質を向上させる。
【解決手段】入射光Hを受光する複数の画素PXが半導体基板101の上面に配列されているセンサ基板100と、前記センサ基板の上面に下面が対面しており、前記入射光が透過する透明基板300と、前記透明基板の上面と前記センサ基板の上面との間のいずれかの位置に設けられており、前記入射光が透過する回折格子601とを有し、前記回折格子は、前記半導体基板の上面にて前記複数の画素が配列された画素領域PAに前記入射光が入射し回折されることで生ずる反射回折光を回折するように形成する。 (もっと読む)


【課題】微小な傾斜構造体を製造する。
【解決手段】基板の上方に犠牲膜を形成する工程(a)と、犠牲膜の上方に第1の膜を形成する工程(b)と、第2の膜であって、基板に接続された第1の部分と、第1の膜に接続された第2の部分と、上記第1の部分及び上記第2の部分の間に位置する第3の部分と、を含む第2の膜を形成する工程(c)と、犠牲膜を除去する工程(d)と、工程(d)の後に第2の膜の上記第3の部分を曲げて、第1の膜を基板に対して傾斜させる工程(e)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】高感度かつ高い波長分解能を有する可視・近赤外線用の分光・撮像デバイスを実現することが可能で、空間解像度の高い2次元分光マッピングを可能にする固体撮像素子および撮像システムを提供する。
【解決手段】2次元画素アレイと、2次元画素アレイの画素領域に対向するように配置され、検出すべき波長よりも短い周期的な微細パターンを有する分光機能を備えた複数種類のフィルタと、を有し、各フィルタは、2次元画素アレイの各画素の光電変換素子よりも大きく、隣接する複数の光電変換素子群に対して1種類のフィルタが配置されたて一つのユニットを形成し、複数種類のフィルタは、隣接するユニット群に対して配置されてフィルタバンクを形成し、フィルタバンクが2次元画素アレイの画素領域に対向するように、NxMユニット(但し、N,Mは1以上の整数)配置されている。 (もっと読む)


【課題】ワイヤグリッド偏光子へのダストの付着を抑制することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子21と、光電変換素子21上に設けられたワイヤグリッド偏光子30と、光電変換素子21に設けられる導体層24とワイヤグリッド偏光子30とを電気的に接続する導体膜35とを備える固体撮像装置20を構成する。 (もっと読む)


【課題】1つの実施形態は、例えば、斜め入射光に対する隣接画素間の混色を抑えることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】1つの実施形態によれば、光電変換部を備えた固体撮像装置が提供される。光電変換部は、半導体領域と、第2導電型の半導体膜とを有する。半導体領域は、半導体基板内に設けられている。半導体領域は、第2の導電型の第1の領域と、第1の導電型の第2の領域とを有する。第2の領域は、第1の領域上に設けられている。第1の導電型は、第2導電型と異なる。半導体膜は、半導体領域上に設けられている。半導体膜の材料の可視光に対する吸収係数は、半導体基板の材料の可視光に対する吸収係数より高い。半導体膜の厚さは、半導体領域の厚さよりも小である。 (もっと読む)


【課題】分光感度のバラツキや色滲みのなく高感度・高解像性であるとともに、隣接する画素部への光の混入を防ぐことができる構成の固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板101の内部には、複数のフォトダイオード102が内部に形成されている。配線層103は、絶縁膜105と配線104との積層構造を有し、半導体基板101の上に形成されている。複数のカラーフィルタ106は、配線層103の上方において、複数のフォトダイオード102の各々に対応して形成されている。カラーフィルタ106の上には、平坦化膜107とマイクロレンズ108が順に積層されている。固体撮像装置1では、カラーフィルタ106の各々において、平坦化膜107よりも屈折率が高いとともに、Z軸方向の上面が凹形状である。 (もっと読む)


【課題】複数の波長に対して共通の構造で、波長ごとに異なる機能を有する光学素子および撮像素子を提供する。
【解決手段】互いに屈折率が異なる複数の媒質により形成された屈折率パターンが周期的に形成されている光学素子であって、光学素子に入射する第1の波長領域の光束に対する最大回折次数は、第1の波長領域よりも長い第2の波長領域の光束に対する最大回折次数よりも大きく、第1の波長領域および第2の波長領域の光束がそれぞれ周期的に局在するように第1の波長領域および第2の波長領域の光束を出射させる。 (もっと読む)


【課題】偏光画像データを出力する従来のカメラでは、偏光画像データと共に同一被写体を捉える通常のカラー画像データを出力することができなかった。
【解決手段】上記課題を解決すべく、撮像素子は、入射光を電気信号に光電変換する、二次元的に配列された光電変換素子と、少なくとも一部の前記光電変換素子のそれぞれに一対一に対応して設けられたカラーフィルタと、少なくとも一部の前記光電変換素子のそれぞれに一対一に対応して設けられたフォトニック結晶偏光子とを備える。 (もっと読む)


【課題】入射光の入射制限角度を高精度に制御可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、受光素子(例えばフォトダイオード30)と、受光素子の受光領域に対する入射光の入射角度を制限する角度制限フィルター40と、を含む。入射光の波長をλとし、角度制限フィルターの高さをRとし、角度制限フィルターの開口の幅をdとする場合に、d/λR≧2を満たす。 (もっと読む)


【課題】リーク電流が低減された高効率及び高速な光電変換を実現しつつ、製造工程も簡素化すること。
【解決手段】このフォトダイオード1は、半導体又は金属から成る基板2と、基板2上に形成された埋め込み絶縁層3と、埋め込み絶縁層3上の所定領域に沿って並んで形成されたp型半導体層6及びn型半導体層7を含む半導体層5,6,7と、半導体層5,6,7上に形成されたゲート絶縁層8と、ゲート絶縁層8上に配置され、平面状の金属膜9aに直線状の貫通溝9bが等間隔に形成された回折格子部9と、を備える。 (もっと読む)


【課題】フレア光の発生を抑制でき、明るい光源が視野内に入った場合であってもフレア光が目立つことのない良質の画像を得ることが可能な撮像装置およびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】被写体像を結像可能な受光部112を含む光学センサ110と、光学センサの受光部112側を保護するためのシール材120と、少なくとも受光部112とシール材120の受光部112との対向面121間に形成され、光に対して透明な中間層130と、中間層130とシール材120の対向面121との間に配置された制御膜140と、を有し、制御膜140は、膜に斜めに入射する光の入射角度に応じてカットオフ波長が短波側にシフトする。 (もっと読む)


【課題】カバーガラスとイメージセンサチップの接着力が強い狭ギャップの固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光素子104及びこの受光素子104から出力される信号を外部に出力するための電極109を備えたイメージセンサチップ102と、受光素子104上に形成されたマイクロレンズ103と、受光素子104の外周に形成される保護層107と、イメージセンサチップ102の上方に配置され、光学素子105が形成されたカバーガラス101と、このカバーガラス101に形成され、カバーガラス101と受光素子104とのギャップを制御するスペーサ106と、スペーサ106と保護層107とを接合するための接着層108と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 熱型光検出器の検出感度を向上させること。
【解決手段】 熱型光検出器は、基板10と、基板に対して空洞部102を介して支持される支持部材215と、記支持部材上に形成されている熱検出素子220と、熱検出素子220および支持部材215上において、熱検出素子220に接して形成されている第1光吸収層270と、第1光吸収層上において第1光吸収層に接して形成され、かつ、第1光吸収層よりも高い屈折率を有する第2光吸収層272と、支持部材215の表面と第2光吸収層272の上面との間で第1波長が共振し、第1光吸収層270と第2光吸収層272とが接する界面RLと第2光吸収層272の上面との間で前記第1波長とは異なる第2波長が共振する。 (もっと読む)


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