【課題】より高い特性を有する膜体を形成する。
【解決手段】被膜部材１０の製造方法は、スパッタリングターゲット部材を用い、スパッタリング処理によって被処理部材１１に膜体１２を形成する形成工程、を含むものである。この形成工程では、１又は複数のスパッタリングターゲット部材を用い、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの元素を含む膜体１２を被処理部材１１の表面に形成する処理を行う。ここで、スパッタリングターゲット部材は、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮの全てが含まれていれば、どのような形態でも構わず、スパッタリングターゲット部材を１種用いるものとしてもよいし、スパッタリングターゲット部材を複数種用いるものとしてもよい。被処理部材１１に形成された膜体１２には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｏ及びＮが含まれている。 （もっと読む）

【課題】十分に高い抵抗変化率および絶縁破壊電圧を確保しつつ、安定した製造に適した磁気トンネル接合素子を備えた磁気メモリ構造を提供する。
【解決手段】この磁気メモリ構造は、基体上に、第１シード層と導電層とを順に有する下部電極と、導線としての上部電極と、下部電極と上部電極との間に配置され、かつ、下部電極の側から順に、下部電極と接すると共に窒化タンタルを含む第２シード層と、反強磁性ピンニング層と、ピンド層と、トンネルバリア層と、磁化自由層と、上部電極と接するキャップ層とを有する磁気トンネル接合素子とを備える。窒化タンタルは、窒素プラズマをタンタルのターゲットに衝突させる反応性スパッタリング処理によって形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合素子のＭＲ比を向上させることが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた磁気メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯを主成分とし、厚さが３ｍｍ以下であるターゲット本体１０を備えることを特徴とするスパッタリングターゲット、及びそれを用いた、ＭＲ比を向上させることができる磁気メモリの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果の大きい新たな可変抵抗素子を提供する。
【解決手段】本発明による可変抵抗素子は、次の３つの特徴を備えた結晶性化合物を含む。第１の特徴は、トポロジカル誘電体特性を示すことにより、伝導帯と価電子帯がディラックコーンを形成する点である。第２の特徴は、ディラックコーンを構成する伝導帯の谷と価電子帯の山との間に、バンドギャップが形成される点である。第３の特徴は、異なるスピンが入る二つのバンドがΓポイントを中心に時間反転対称を持つことである。これら３つの特徴を全て備えることにより、著しい磁気抵抗効果が発現する。 （もっと読む）

【解決課題】 磁場書き込み方式ＭＲＡＭ、および、スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭにおいても、書き込みに必要な電流値を小さくすることが可能な強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 順に、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性自由層２と、絶縁層３と、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性固定層４とを積層した構造を有し、前記強磁性自由層２が、該強磁性自由層２の飽和磁化を下げる働きを有する添加元素を、前記絶縁層３と接しない側において前記絶縁層３と接する側よりも多く含む強磁性トンネル接合素子１である。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＰ−ＣＰＰ素子のＭＲ変化率を向上させる。
【解決手段】磁化が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層と対向するようにして形成され、磁化が外部磁界に対して変化する磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に位置し、絶縁層、及びこの絶縁層を層方向に電流を通過させる導電体とを有する電流狭窄層を含むスペーサ層と具える磁気抵抗効果素子において、前記磁化固着層の層中、前記磁化自由層の層中、前記磁化固着層及び前記スペーサ層の界面、並びに前記磁化自由層及び前記スペーサ層の界面の少なくとも一か所に、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、Ａｌを含む機能層を設ける。 （もっと読む）

【課題】安定した特性の磁気抵抗効果素子を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体記憶装置は、複数の磁気抵抗効果素子を有し、この各磁気抵抗効果素子は、半導体基板上に形成され、且つ、その膜面に対して垂直な磁化容易軸を有する第１の磁性層と、第１の磁性層上に形成された非磁性層と、非磁性層上に形成され、且つ、その膜面に対して垂直な磁化容易軸を有する第２の磁性層と、からなる積層構造を有し、保護膜を介して各磁気抵抗効果素子の側壁を覆うように設けられ、且つ、磁気抵抗効果素子に対して、磁化容易軸に沿った方向に引張応力を与える側壁膜を備え、側壁膜のうちの第１の磁性層を覆う部分は、側壁膜のうちの第２の磁性層を覆う部分と比べて厚い。 （もっと読む）

【課題】短時間で薄膜を積層させる場合であっても、スループットを損なうことなく効率的に上記積層を実現可能なスパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、回転可能な基板ホルダー１０３と、基板ホルダー１３０に対して斜めに配置されたターゲットホルダー１０７ａ〜１０７ｄと、ターゲットホルダーと基板ホルダーの間に設けられ、回転軸Ｘに対して２回対称に配置された２個の孔を有する第１シャッター１１５および第２シャッター１１６とを備える。ターゲットホルダー１０７ａ、１０７ｃは、回転軸Ｘに対して２回対称な位置に配置される第１群のターゲットホルダーであり、ターゲットホルダー１０７ｂ、１０７ｄは、第１群のターゲットホルダー同士の間に回転軸Ｘに対して２回対称に配置される第２群のターゲットホルダーである。 （もっと読む）

【課題】 積層構造の側方に生成された付着物の影響を受けにくい磁気トンネル接合素子が求められている。
【解決手段】 基板上に形成された下部電極の一部の領域の上に、下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層が配置されている。バッファ層の上に、アモルファスの強磁性材料で形成された第１磁化自由層が配置されている。第１磁化自由層の上に、結晶化した強磁性材料で形成された第２磁化自由層が配置されている。第２磁化自由層の上にトンネルバリア層が配置されている。トンネルバリア層の上に、磁化方向が固定された磁化固定層が配置されている。磁化固定層の上に上部電極層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】複数のトンネル接合素子の間隔を短縮すること。
【解決手段】上面に凹部２６が形成された下地層２４と、前記凹部の内面と前記凹部の両側の下地層上とに形成された下部電極２８と、前記凹部の両側の前記下部電極上に形成され、トンネルバリア層と前記トンネルバリア層を上下に挟む磁化固定層および磁化自由層とを含む磁気トンネル接合層３０と、前記磁気トンネル接合層上に形成され、前記凹部の上方において電気的に分離された複数の上部電極４０と、を具備する磁気デバイス。 （もっと読む）

【課題】従来よりも高いＭＲ比を持った磁気抵抗素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、磁気ディスク駆動装置の磁気再生ヘッド、磁気ランダムアクセスメモリの記憶素子及び磁気センサーに用いられる磁気抵抗素子、好ましくは、トンネル磁気抵抗素子（さらに好ましくは、スピンバルブ型トンネル磁気抵抗素子）に関し、基板、トンネルバリア層、Ｃｏ（コバルト）Ｆｅ（鉄）合金からなる強磁性層及びＢ（ボロン）を含有した非磁性金属層を有する磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子
、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層
、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ
，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 （もっと読む）

【課題】書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。さらに記憶層１７の断面形状が台形であって、絶縁層１６との界面に接する面が、絶縁層１６とは反対側の層（キャップ層１８）に接する面の面積よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】新規な構造の磁気多層膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＣｏ、ＦｅおよびＢを含む磁性合金からなる強磁性体層５０１，５０５と、強磁性体層上に（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯ５０３と、を有することを特徴とする磁気多層膜。前記磁性合金は、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＢＳｉおよび又はＦｅＣｏＢＰのいずれかである。また、その製造方法は、基板を準備する工程と、基板上にＣｏ、ＦｅおよびＢを含むアモルファス磁性合金からなる層を形成する工程と、アモルファス磁性合金からなる層上にアモルファスＭｇＯ層を形成する工程と、アニール処理を行う工程を有する磁気多層膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善できる記憶素子の実現。
【解決手段】
記憶素子は、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層１６とを有する。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層は、Ｆｅ、Ｃｏの少なくとも一方を含有する合金領域を含む。さらに記憶層は、その磁化反転過程で受ける実効的な反磁界の大きさが、上記記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。 （もっと読む）

【課題】従来のＴＭＲ素子に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくすることを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成されたＣｏ，Ｆｅ，Ｂを含む磁性合金からなる強磁性体層と、前記強磁性体層上にトンネル障壁層として（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯとを有することに特徴がある。 （もっと読む）

【課題】記録層における磁化容易軸が垂直方向を向いている垂直磁化型の不揮発性磁気メモリ装置において、記録層の磁化容易軸をより確実に垂直方向に向かせることを目的とする。
【解決手段】不揮発性磁気メモリ装置は、磁化容易軸が垂直方向を向いている記録層を有する積層構造体５０、第１の配線４１、及び、第２の配線４２から成る磁気抵抗効果素子を備えており、積層構造体５０の上、又は、積層構造体５０の下、又は、積層構造体５０の上及び下には、記録層５３を構成する材料のヤング率よりも低い値のヤング率を有する低ヤング率領域４８１が配置されており、積層構造体５０は磁化参照層５１を更に有し、低ヤング率領域４８１を配置することによって記録層５３及び磁化参照層５１において内部応力が発生し、記録層５３及び磁化参照層５１の垂直磁気異方性が増大される。 （もっと読む）

【課題】従来のＴＭＲ素子に比べて磁気抵抗を大きくし、出力電圧を大きくすることを目的とする。
【解決手段】磁気抵抗素子は、ＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金であって（００１）結晶面が優先配向した単結晶または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなる第１の強磁性体層と、ＢＣＣ構造を有するＦｅ系合金であって（００１）結晶面が優先配向した単結晶または（００１）結晶面が優先配向した多結晶からなる第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に位置するトンネル障壁層とを有し、前記トンネル障壁層が、（００１）結晶面が優先配向した単結晶ＭｇＯあるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯを含み、前記（００１）結晶面が優先配向した単結晶ＭｇＯあるいは（００１）結晶面が優先配向した多結晶ＭｇＯのトンネル障壁の高さφが０．２〜０．５ｅＶであることに特徴がある。 （もっと読む）

【課題】媒体を製造するシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】媒体を製造する方法は、基板上に記録媒体を形成するステップを含む。記録媒体上の、基板と反対側に保護膜が成膜される。保護膜は第一の表面仕上げ層を有する。保護膜はエッチングされ、材料が取り除かれ、保護膜に、第一の表面仕上げより平滑な第二の表面仕上げ層が設けられる。成膜とエッチングは、ｉｎ−ｓｉｔｕドライ真空工程で逐次的に行われてもよい。第二の表面仕上げ層には、エッチング後に、保護膜をさらに平坦化するための機械加工を行わなくてもよい。 （もっと読む）

【課題】消費電力化が可能な記憶素子を提供する。
【解決手段】積層方向に電流を流して、スピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１６の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１６に対して情報の記憶が行われる記憶素子３を構成する。この記憶素子３は、情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１６と、記憶層１６に対してトンネルバリア層１５を介して設けられている磁化固定層１４とを備える。そして、トンネルバリア層１５は、厚さが０．１ｎｍ以上０．６ｎｍ以下であり、且つ、界面ラフネスが０．５ｎｍ未満である。 （もっと読む）