【課題】未チェックメモリのメモリチェック中にチェック済みメモリ領域に記憶されたデータの破壊を防ぐことが可能であるとともに、メモリ領域のメモリ容量が不足した際に、未チェックメモリのメモリチェック中にチェック済みメモリ領域に記憶されたデータが破壊されること無くメモリ領域を拡張することが可能な情報処理装置を提供する。
【解決手段】情報処理装置の起動に必要なプログラムおよびデータ等が割り付けられるＲＡＭ１８のメモリ領域に対して、ＣＰＵにより先にメモリチェックが行われ、装置の起動完了後に新たにデータが割り付けされるメモリ領域が必要になった際に、未チェックのメモリ領域にメモリチェックが行われるのに先立ち、そのメモリチェックによりデータが破壊される可能性の有る先に割り付けられたメモリ領域に格納されたデータが退避され、そのメモリチェック完了後に退避されたデータが元に戻されてメモリ領域の拡張が行われる。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリを使用したデータの書き込み、読み出し及び読み出したデータの処理において、従来は３個以上のデータを読み込んでいたのでデータの処理に時間がかかるという問題があった。本発明は高信頼性を確保しつつ高速でデータの読み出し及び処理を行い、コストを低減した不揮発性メモリの制御方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 不揮発性メモリに記憶されているデータのうち、２個のデータをデータ組１としてまず読み込む（Ｓ２１）。読み込んだ２個のデータを比較し、正常か異常か判定する（Ｓ２２）。データが正常であればデータを確定して出力して終了する（Ｓ２３）。データ異常であれば次の組の２個のデータを読み込み、比較判定する（Ｓ２４，Ｓ２５）。このように、正常データ確定まで順次２個のデータを読み込み、比較判定することでデータ処理の時間を短縮している。 （もっと読む）

【課題】 データ書込み中の電圧低下により、データが正常に記憶されなかったことを検知し、正常に記憶されなかったデータを本来の正常なデータに書換えることができる記憶装置を実現する。
【解決手段】 制御回路１０は、記憶領域１，２の順に同一のデータを書込み、電源電圧低下検出回路１２により電源電圧の低下が検出されると、記憶領域１，２からデータを読出すとともに、その読出したデータと、レジスタに記憶されているデータとを相互に比較し、相互に一致しない場合は、データ書込み前にレジスタに記憶したデータを、電源電圧の低下が検出されたときにデータ書込みを行っていた記憶領域に書込むことにより、誤書込みされたデータを正常なデータに補正する。 （もっと読む）

【課題】多値ＮＡＮＤフラッシュメモリは読み出しデータに誤りが発生するために複数ビットのエラーが訂正できるエラー訂正回路が必要だが、フラッシュメモリ内に格納した起動プログラムを実行するシステム起動の際にはＣＰＵが動作していないため、通常アクセス時とは異なり、全てハードウェアで処理を実行するエラー訂正回路を追加する必要があり、システム全体の規模が増大してしまうという問題が生じる。
【解決手段】起動プログラム実行時（システム起動時）のみ、多値ＮＡＮＤフラッシュメモリ３を２値ＮＡＮＤフラッシュメモリと同等の使い方にすることで、エラー訂正回路として２値ＮＡＮＤフラッシュメモリアクセス時に用いる小規模な１ビットエラー訂正回路４を使用することが可能となり、回路規模を削減することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 携帯端末のように小型で安価な装置にあって、初期化機能の実行進捗に合わせた画面表示を行う。また、プログラムを格納するＮＡＮＤフラッシュメモリに余分な冗長性を持たせることなく限られた容量でエラーの信頼性を向上する。
【解決手段】 ＮＡＮＤフラッシュメモリに、同じ内容の第１ブート層と第２ブート層を格納する。そして、エラーのない方をＲＡＭへコピーＣ２して（ステップＳ２１）、ＲＡＭ上でブート層プログラムを実行する（ステップＳ３０）。そして、簡単なロゴなどの文字表示（第１画面表示）を行う（ステップＳ３２）。次に、ＲＡＭ上でシステム層プログラムを実行する（ステップＳ４０）。そして、複数の画像の切り替えによる画面表示（第２画面表示）を行う（ステップＳ４４）。 （もっと読む）

【課題】ファイル書き込み等の操作中に電源遮断が発生しても、ＦＡＴ及びディレクトリ情報を保護し、再起動時にファイル操作の実行直前の状態に復元することができるデータ記録装置及びそれを備える商品処理装置を提供する。
【解決手段】ＦＡＴファイルシステムにおけるファイルデータ、ＦＡＴ及びディレクトリ情報を記録媒体に記録するデータ記録装置において、ＦＡＴ及びディレクトリ情報の更新前に、不揮発性メモリに設けられるバックアップ領域に、更新されるＦＡＴ及びディレクトリ情報のバックアップを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 情報処理装置に補助記憶手段であるメモリカードの使用状況を管理させることで、メモリカードの使用状況に起因する不具合を回避し、プログラム更新や最新データの管理を行う。
【解決手段】 情報処理装置は、情報管理部１１０により、補助記憶手段であるＳＤカード１１１（メモリカード１０７）の使用制限値の算出、および、使用状況の管理を行い、ＳＤカード１１１の使用状況が使用制限値に近づいたときには、情報管理部１１０は、機器のコントロールパネル等にＳＤカード１１１の寿命が近いこと、ＳＤカード１１１を交換する必要があること等のアナウンスを行う。なお、ＳＤカード１１１の使用制限値の算出については、確保された領域に対する書き込み量、書き込み回数に基づいて常時、算出が行われる。 （もっと読む）

不揮発性メモリ（２）の記憶領域を第１および第２のブロック（２０Ａ），（２０Ｂ）に分け、各ブロック（２０Ａ），（２０Ｂ）にデータを連続して書き込む一方、上記記憶領域からデータを読み出すメモリコントローラ（１）であって、上記第１のブロック（２０Ａ）にデータを書き込む第１の書き込み部（１２Ａ）と、第１の書き込み部（１２Ａ）によるデータの書き込み動作が完了すると、少なくとも電源断によって電源電圧が上記記憶領域へのデータの書き込みができなくなる電圧値に低下するまでの時間と略同一の待ち時間が経過した後、上記第２のブロック（２０Ｂ）にデータを書き込む第２の書き込み部（１２Ｂ）とを備えたことを特徴とする。
（もっと読む）

【課題】二次記憶手段としてメモリ部及びコントローラ部と有する記憶手段ＣＦを用い、ＣＦのデータ書き換え動作中に電源遮断が生じてもデータ消失が発生せずデータ書き換え動作を正確に再実行可能なデータ記憶制御装置を実現する。
【解決手段】主記憶メモリ１３５のバックアップデータ１３０を二次記憶装置としてのＣＦ１４５の記憶ブロック単位と同一の記憶ブロック単位に分割し、ＣＦ１４５へのデータ書き込み時にはバックアップデータ１３０領域における、データ書き込みセクタを含むブロックにフラグをセットする。セクタ単位の書き込みデータがＣＦ１４５に転送されるが、ＣＦ１４５ではその書き込みデータを含むブロック全体の書き込みを実行する。ＣＦ１４５のデータ書き込み途中で電源遮断が発生した場合はバックアップデータ１３０領域におけるフラグがセットされた位置のブロック全体の書き込みをＣＦ１４５に対して行う。 （もっと読む）

【課題】論理アドレスの重複の発生に対して、より容易な方法にて適切な処理を行うことが可能な不揮発性メモリの制御方法を提供する。
【解決手段】記憶領域に第１ゾーンと第２ゾーンを割り付け、両ゾーンにデータを２重に記憶する。新たなデータを記憶する場合、対象ゾーン内において現在までのデータが記憶されているブロックからデータを読み出し、新たに記憶すべきデータを追加して対象ゾーン内の別のブロックに書き込むとともに冗長領域に論理アドレスを書き込み、その後、現在までのデータが記憶されていた対象ゾーン内のブロックを消去する一連の処理を第１ゾーンと第２ゾーンにて行う。一方のゾーンの冗長領域の論理アドレスに重複が発見され、且つ他方のゾーンの冗長領域の論理アドレスに重複が発見されなかったとき、重複が発見された側のゾーンを初期化し、重複が発見されなかった側のゾーンに記憶されているデータを初期化したゾーンに複写する。 （もっと読む）

【課題】電池駆動型の携帯端末等において突然の異常電源断が発生した場合にも、正常に復旧処理を行うことができるようにする。
【解決手段】マスタ記憶装置およびスレーブ記憶装置へデータを２重化する際には、まず、マスタ記憶装置への書き込みを行い、マスタ記憶装置への書き込みが完了してから、スレーブ記憶装置への書き込みを行う。このように、データを順次書き込むことで２重化を行うことにより、データの書き込み中のある瞬間に異常電源断が発生したとしても、その瞬間には一方の記憶装置に対して書き込みを行っているだけであり、他方の記憶装置に対しては書き込み中ではない。よって、書き込み中ではない他方の記憶装置には、信頼性の高いデータが保持されていることが保証されるため、次回の電源ＯＮ時には、他方の記憶装置に保持されているデータを用いて正常に復旧処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、マイクロコンピュータ内のフラッシュメモリに記憶させたプログラムに消滅等のデータ異常が発生した場合であっても、制御を可能にするためのフラッシュメモリマイクロコンピュータのデータ保全方法および保全装置に関するものである。
【解決手段】 マイクロコンピュータは、起動する際に、誤り訂正符号を基にして、フラッシュＲＯＭデータのサムチェックを行う。前記マイクロコンピュータは、前記サムチェックを行って一致しない場合、誤り制御プログラムを起動する。前記誤り制御プログラムは、前記フラッシュＲＯＭデータの異常箇所を割り出し、前記異常箇所を正常データに書き換える。前記フラッシュＲＯＭにおける全エリアのデータは、一旦、データが消滅または異常が発生しても、正常に書き換えられ、正しい制御が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 メモリコントローラとメモリモジュールとの間をシリアルインターフェースとした場合でも十分な信頼性を確保できる記憶デバイス制御装置を提案する。
【解決手段】 本発明の記憶デバイス制御装置は情報処理装置からのファイル単位でのデータ入出力要求に応答して記憶デバイスに対するＩ／Ｏ要求を出力するチャネル制御部を備える。チャネル制御部はファイル単位でのデータ入出力要求を受信するＣＰＵと、ＣＰＵの指令に応答してファイル単位でのデータ入出力要求に対応するＩ／Ｏ要求を出力するＩ／Ｏプロセッサと、ＣＰＵのファイルアクセス処理に要する情報を記憶するメモリシステムを備える。メモリシステムは複数のメモリモジュールと、メモリコントローラとを備えており、メモリモジュールとメモリコントローラとは二重化されたシリアルインターフェースで接続されている。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリへの書き込み中に電源の遮断が生じた場合であっても、記憶データの信頼性を確保しながら、必要な記憶領域を削減することができること。
【解決手段】ＣＰＵ４４と、記憶内容を電気的に書き換え可能なＥＥＰＲＯＭ４５とを備えるエアコンＥＣＵ４０において、制御データの更新時に、更新された制御データと、所定の規則に従って変化する数値データとを組として、ＥＥＰＲＯＭ４５に書き込む。ＥＥＰＲＯＭ４５には、最新から順に古くなる少なくとも３組の数値データ及び制御データを保持しておく。これにより、数値データの規則性を利用して、制御データが正常に書き込まれた否かを判別できるので、制御データの信頼性を確保しながら、必要な記憶容量を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】
データの整合性を一段と確実に維持し得るデータ記憶装置を実現する。
【解決手段】
ＩＣカード４のＣＰＵ３１は、データ領域Ａの１面Ａ１又は２面Ａ２に対して更新後のデータを供給した後、ウェイト時間待機してから、１面Ａ１又は２面Ａ２のどちらに更新後のデータを記憶させたのかを判定するための選択面フラグＡＦをステータス領域ＳＡに書き込むようにしたことにより、この選択面フラグＡＦの示す面に記憶されているデータが、正常に記憶されている更新後のデータであると保証し得るので、常に正常に記憶されている更新後のデータを用いることができ、かくしてデータの整合性を一段と確実に維持することができる。 （もっと読む）

不揮発性メモリおよび少なくとも１つのアドレス変換ユニットを含むメモリ構造を駆動するための方法。不揮発性メモリはメモリページおよび少なくとも１つの増設メモリページを有し、メモリページおよび該増設メモリページは物理アドレスを有し、アドレス変換ユニット内において、論理アドレスが、メモリページおよび該アドレス変換ユニットの増設メモリページの該物理アドレスに変換される。不揮発性メモリのメモリページおよび増設メモリページにあるアドレス不可能な領域内に、アドレス変換を可能にするデータを格納され、メモリページのプログラミングのために、処理のためのさらなるメモリに、データのコピーおよびアドレス不可能な領域のデータのコピーが格納され、アドレス不可能な領域のデータが変更される。プログラミングの終了の後に、データの処理されたコピーおよび該アドレス不可能な領域のデータが増設メモリページに格納される。
（もっと読む）

メモリ装置（３０１）の内部のプログラミング中に同時に外部の読出動作を実行するためのシステム（３００）および方法が記載される。メモリ装置は、データをランダムに記憶するように構成されており、かつ、ソース場所（３０５）と、宛先場所（３０３）と、データレジスタ（３０７）と、キャッシュレジスタ（３０９）とを含む。データレジスタ（３０７）は、データを宛先（３０３）およびキャッシュレジスタ（３０９）に同時に書込むように構成される。システム（３００）はさらに、メモリ装置との電気的な通信を介して受信したデータの的確さを検証するための処理装置（１０７）（たとえば、マイクロプロセッサまたはマイクロコントローラ）を含む。処理装置（１０７）はさらに、受信したデータが不正確であった場合、誤り訂正を行ない、必要に応じてそのデータにランダムデータを追加し、誤り訂正済みおよび／またはランダムデータ変更されたデータを宛先場所（３０３）に転送して戻すように構成される。
（もっと読む）

【課題】書き換え可能な外部記憶装置に記憶されたデータの正誤を正確に判定する。
【解決手段】メモリ６に３つのエリア１〜３を設け、各エリアに、互いに同一となるデータを格納するデータ格納エリア６ａとエリア毎に算出されたチェックサムを格納するチェックサム格納エリア６ｂとを設ける。ＣＰＵ３では、各チェックサムを多数決したものを入れる基準チェックサム格納エリア３ａと、各データを多数決したものを入れる制御定数格納エリア３ｂと、制御定数格納エリアのチェックサムを入れる制御定数チェックサム格納エリア３ｃと、基準チェックサムと制御定数チェックサムとを比較する比較部３ｄとを設け、両チェックサムが一致したら制御定数を正しいとする。データを異なる方法で二重にチェックすることになり、多数決されたデータや基準チェックサムのエリアを正しいと判断することによるデータの誤判定を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 初期設定データの消失を防止してその書き換えを短時間で行うことを可能とした不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列され、同じ初期設定データが第１及び第２の少なくとも二つの領域に記憶されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行うセンスアンプ回路と、前記メモリセルアレイから前記センスアンプ回路に読み出された初期設定データが転送保持されて、メモリ動作条件を規定する働きをする初期設定データレジスタと、一つのコマンド入力に従って前記メモリセルアレイの第１及び第２の領域に記憶された初期設定データを順次書き換えるシーケンス制御を行うコントローラとを有する。
（もっと読む）

不揮発メモリシステムの動作を制御するためのファームウエアコードの複数のコピーがメモリシステムのフラッシュメモリの適宜異なる位置に記憶される。これらの位置のアドレスマップもフラッシュメモリに記憶される。メモリシステムが初期化されると、アドレスマップを参照し、ファームウエアの１つのコピーをフラッシュメモリからコントローラメモリにロードするために、メモリコントローラに記憶されているブートコードがそのマイクロプロセッサによって実行され、その後、ユーザデータを記憶し、検索するためにメモリシステムを動作させるようにコピーがコントローラメモリからマイクロプロセッサによって実行されてもよい。データをチェックするために誤り訂正符号（ＥＣＣ）が使用されるが、ＥＣＣを使用する必要性を少なくするため、フラッシュメモリに記憶されている２つ以上のファームウエアコピーの最良部分が使用される。ユーザデータが同じメモリに２つ以上の状態で記憶される場合には、ファームウエアコードが２つの状態でフラッシュメモリに記憶されてもよい。
（もっと読む）