説明

Fターム[5B018HA11]の内容

記憶装置の信頼性向上技術 (13,264) | 手段 (2,627) | 冗長符号 (791)

Fターム[5B018HA11]の下位に属するFターム

Fターム[5B018HA11]に分類される特許

21 - 40 / 56


【課題】 サスペンド動作、および、レジューム動作に時間がかかる。
【解決手段】 サスペンド時には変更状態にある単位記憶部内のデータを第2の記憶装置に格納し、変更状態にある単位記憶部内のデータのチェックコードを生成し、第1の記憶装置へのアクセスを検出した場合に、有効状態にない単位記憶部内のデータのチェックコードを生成し、当該チェックコードとサスペンド時に生成したチェックコードとを比較し、一致しなかった場合に、第2の記憶装置に格納した単位記憶部内のデータを読み出して単位記憶部に書き込む。 (もっと読む)


【課題】
メモリーシステムにおいてジッターとタイミングの仕様に合致することは、ますます難しくなってきている。メモリーシステムの入出力周波数が増加し続けているからである。ジッターとタイミングのエラーの大部分は、電源雑音のせいである。
【解決手段】
本発明の実施例は一般にDDRメモリーシステムにおいてデータの攪拌を用いて電源雑音を低減するためのシステム、方法及び装置に向けられている。ある実施例では、集積回路は送信データ経路を含み、1つ以上のメモリー部品にデータを送信する。送信データ経路は攪拌論理を含んでもよい。攪拌論理は並列に互いに相関していないN個の疑似乱数出力を生成する。出力データと疑似乱数出力はXOR論理への入力となる。送信データ経路はXOR論理の出力を送信し、これは実質的に白色の周波数スペクトルを有する。他の実施例も記載し請求する。 (もっと読む)


読み取りレベル制御装置およびその方法を開示する。本発明の一実施形態に係る読み取りレベル制御装置は、格納手段から読み取ったデータをECC復号するECC復号部と、ECC復号されたデータおよび読み取ったデータに基づいてビットエラー率をモニタリングするモニタリング部と、モニタリングされたビットエラー率に基づいて読み取ったデータのエラー率を判断するエラー判断部と、エラー率に基づいて格納手段の読み取りレベルを制御するレベル制御部とを備えることを特徴とする。
(もっと読む)


【課題】誤り訂正確率を減らすエラー訂正回路、その方法及び前記回路を備える半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】本発明によるエラー訂正回路は、ECCエンコーダ及びECCデコーダを備える。ECCエンコーダは、情報データ及び生成多項式に基づいて、h(2以上の整数)ビットエラー訂正が可能なシンドロームデータを発生させる。ECCデコーダは、情報データとシンドロームデータを含む符号データとに基づいて、情報データから最大(h−j)ビットのエラー位置を算出する単一モードで動作できる。ECCデコーダは、情報データとシンドロームデータを含む符号データとに基づいて、情報データから最大hビットのエラー位置を算出する第1動作モードまたは情報データから最大(h−j)ビットのエラー位置を算出する第2動作モードで動作できる。 (もっと読む)


【課題】バッファから転送されたデータをシンボルデータに変換する変換回路を設けることなく、かつ、誤り訂正符号生成回路及び誤り訂正回路の回路規模を増大させることなく、リードソロモン符号方式の誤り訂正を行うことのできるフラッシュメモリの制御方法を提供する。
【解決手段】ホストシステムから与えられる1セクタ単位のユーザデータを、アドレスが連続したユーザデータを含む複数のグループに分割し、該グループに含まれるユーザデータ毎にシンボル長が8ビットの誤り訂正符号を生成する訂正符号生成手段と、前記誤り訂正符号に基づいて前記フラッシュメモリから読み出したユーザデータに含まれる誤りを、前記グループに含まれるユーザデータ毎に訂正する誤り訂正手段とを備え、前記グループに含まれるユーザデータと該グループに対応する誤り訂正符号を合わせたデータの容量は、255バイト以下になるように設定される。 (もっと読む)


【課題】高速読み書きが容易に行なえる不揮発性メモリMRAMを用いた電子制御装置の安全性を向上する。
【解決手段】外部ツール108から制御プログラムが書込まれるMRAM120Aは、訂正符号付き書込回路122と復号化読出回路123と、エラー発生アドレス番号がエラーデータとして書込まれるエラーレジスタ125a・125bとを備え、エラー発生アドレスを指定して確認読出しを行なったときに依然としてエラーが発生していると重複異常判定を行なって異常報知される。MRAM120Aのプログラムメモリ領域は通常は書込禁止状態にあり、外部ツール108が接続されると禁止状態が解除される。エラーレジスタ125a・125bは書込禁止対象とならないデータメモリ領域に設けられている。 (もっと読む)


【課題】リロケーション機能を有するOSを車載システムに適用する場合に、リロケーションによるシステム起動時間の遅延を軽減させることができる技術を提供する。
【解決手段】メインメモリをバッテリーによってバックアップされるように構成し、装置への電力供給が絶たれた場合でも、メインメモリ内の情報が保持されるようにする。そして、初回のプログラムロード時にカーネル情報をカーネル情報テーブルに記憶させるようにし(S140)、当該プログラムを再度起動させる際には、そのカーネル情報をカーネルに渡すようにする(S180)。このようにすることにより、プログラム記憶媒体からプログラムを再度読み出すことなく、また、カーネル情報を再生成することもなく、プログラムの実行を開始することができる。したがって、システムの起動時間を短縮することができる。 (もっと読む)


メモリシステムは、それぞれが1つ以上のメモリデバイスおよびパラレル相互接続を備えた1つ以上のメモリユニットを備える。前記システムは、前記メモリコントローラと前記メモリユニットとの間のデータ転送を制御しうるメモリコントローラも備える。前記メモリシステムは、前記パラレル相互接続を介して前記メモリユニットに接続された1つ以上のバッファユニットを更に備える。前記バッファユニットのそれぞれは、各々のシリアル相互接続を介して前記メモリコントローラに接続されている。各バッファユニットは、前記メモリコントローラからコマンド情報を受信すると、前記各々のシリアル相互接続を介して前記メモリコントローラからデータを受信し、かつ前記パラレル相互接続を介して前記メモリユニットに前記データを送信しうる。前記メモリコントローラは、更に、前記1つ以上のバッファユニットから受信された情報に基づいて、送信するデータの信号特性を調整することによって、前記メモリコントローラと前記バッファユニット間のデータ転送を非対称的に制御しうる。
(もっと読む)


【課題】 データバックアップを目的として、不揮発性メモリの複数箇所にそれぞれデータを保存する構成において、それぞれの記憶領域にて同時期に故障が生じ難い車両用制御装置を提供する。
【解決手段】 制御主体1のプログラムが参照する制御データを単独で記憶する専用データエリア52と、該制御データを異なる他の制御データと組み合わせた集合データの形で記憶する集合データエリア51とで二重化した形で記憶されるとともに、専用データエリア52では更新対象となる制御データのみが更新され、集合データエリア51では、更新対象となる制御データの更新を、全ての更新非対象の制御データの同一内容によるリライトとともに実施する。 (もっと読む)


【課題】例えばRAID−6を構成する複数のディスク装置の中の1台のディスク装置が故障状態にあっても、整合性確認で不整合が検出された場合には、データ不正箇所を特定すること等を可能とするディスクアレイ装置を提供する。
【解決手段】セクタ冗長領域確保部23は、HDD3のセクタあたりの記憶容量を、実際に有効なデータを格納する容量に対して大きくなるように設定し、セクタ冗長領域を確保する。アクセス履歴記録部24は、セクタ冗長領域確保部23によって確保されたセクタ冗長領域に、アクセス履歴情報を記録する。そして、データ不正箇所特定部25は、セクタ冗長領域に記録されたアクセス履歴情報に基づいて、HDDが1台故障の縮減状態時に不整合を検出した場合のデータ不正箇所の特定を実行する。 (もっと読む)


【課題】 不揮発性半導体メモリへのデータ転送に要する時間を短縮できるメモリコントローラを提供する。
【解決手段】 メモリに転送すべきデータが入力されるバッファと、メモリに転送すべきデータから、所定データ長毎にECCパリティを生成するECCパリティ生成部と、生成したECCパリティを所定データ長毎に付加してメモリに送るメモリインターフェースと、を備え、ECCパリティ生成部は、メモリに転送すべきデータが所定データ長未満であるとき、所定データ長に満たない部分のデータを“0”とみなし、所定データ長未満のデータからECCパリティを生成する。 (もっと読む)


【課題】初期値のままシステム運用が継続されるのを防いで、信頼性の高いシステムを実現しうる不揮発性メモリの更新方法を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリ(EEPROM112)の更新方法で、不揮発性メモリから更新対象となるパラメータデータを含むブロックをRAM113に読み込み、このパラメータデータの正誤を検出し、エラーが検出されたら仮更新データを生成する一方、エラーが検出されなかったら正更新データを生成し、仮更新データ又は正更新データを不揮発性メモリに書き込み、上位装置に対し、パラメータ更新が完了した旨の通知を行う。 (もっと読む)


【課題】記録データの安全性、及び信頼性を保障することが可能なデータ記憶装置、メモリ管理方法、及びプログラムを提供すること。
【解決手段】有効なデータ領域を示すアドレス情報が記録される第1及び第2の管理領域と、第1又は第2の管理領域と同一の情報が記録される保障領域と、を有するメモリ110と、第1又は第2の管理領域に記録されたアドレス情報が更新された後、保障領域に対して、更新後のアドレス情報を記録する記録制御部116と、保障領域に記録された情報に基づいて、第1又は第2の管理領域のいずれかを有効な管理領域として設定する管理領域設定部118と、を備えることを特徴とする、データ記憶装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】バッファメモリにデータをためることなく、不揮発性メモリに直接データを書き込み、また不揮発性メモリから直接データを読み出すことにより、データの転送性能を向上させると共に、誤ったデータが書き込まれたりホストに転送されたりすることによる不都合を解消する。
【解決手段】ホスト102から転送されたデータを不揮発性メモリ103に直接書き込む際、CRCコードがエラーであると判定された場合には、アドレス管理テーブル108の情報を更新せず、不揮発性メモリ103から誤ったデータが読み出されるのを防止する。一方、不揮発性メモリからデータを読み出してホスト102にデータを転送する際、読み出したデータに誤りがある場合には、ホストインターフェース105でCRCコードをエラーに設定するように制御し、転送中のデータに誤りがあることをホスト102に通知する。 (もっと読む)


集積回路メモリまたはバッファ装置などの集積回路、方法およびシステムが、実施形態の中でも特に、制御情報、書き込みデータおよび読み出しデータトランザクションにそれぞれ対応する、CRC符号などの複数のエラー符号を生成する。複数の別個に生成されたCRC符号は、循環バッファなどのそれぞれの記憶回路にログまたは記憶される。次に、各トランザクションに対応する、記憶された複数のCRC符号を用いて、エラーが特定のトランザクション中に発生したかどうか、ひいては、特定のトランザクションの再試行が行われるかどうかを判定する。集積回路には、集積回路によって生成されたCRC符号を、コントローラ装置によって提供されたCRC符号と比較する比較回路が含まれる。読み出しデータに対応するCRC符号は、読み出しトランザクション中に用いられていないデータマスク信号線を用いて、コントローラ装置に転送される。次に、集積回路によって生成されたCRC符号を、コントローラ装置によって生成されたCRC符号と比較して、エラーが発生したかどうかを判定してもよい。コントローラ装置は、制御情報、書き込みデータおよび読み出しデータに対応する複数のCRC符号を生成および記憶する。次に、コントローラ装置は、コントローラ装置によって生成されたCRC符号を、集積回路において生成および記憶されたCRC符号と比較して、エラーが、特定のトランザクション中に発生したかどうかを判定する。
(もっと読む)


【課題】組み込み系コンピューティングシステムを構築するための、より改良されたNAND型フラッシュメモリデバイスの提供。及び該デバイスを用いたコンピューティングシステムの起動方法の提供。
【解決手段】NAND型フラッシュメモリからのブートローダの読み出しを、NAND型フラッシュメモリデバイスの内部機能により自律的に実行し、読み出したブートローダを、ホストCPUの内部メモリバスと直結するデバイス内のSRAMにロードする。ホストは、SRAMにロードされたブートローダの情報に基づきNANDインターフェースからOSをシステムメモリにロードし、システムを起動する。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリの記憶情報更新回数を増大させつつ、記憶情報の信頼性と、有効な情報の読み出し可能性を向上させることが可能な電子制御装置の情報記憶方法を提供する。
【解決手段】複数の記憶領域を設けた電気的に消去可能な不揮発性メモリを備える電子制御装置において、各記憶領域内にデータ格納部8と、各領域の情報の新旧を相対的に判定可能なカウンタ7と、有効性検証用のチェックデータを格納するチェックデータ部9とを設ける。電源投入時にはチェックデータ部9に基づく情報の有効性検証結果とカウンタ7の値に基づいて、前記複数の記憶領域のうち一つを選択し、当該記憶領域の情報を読み出して使用する。電源遮断時にはカウンタ7を増加させた上でチェックデータの値を算出し、データ領域全体を一括して更新する。 (もっと読む)


本発明の実施形態は、LDPCおよびインターリーブによるマルチレベル信号メモリを提供する。したがって、本発明のさまざまな実施形態は、複数のメモリセルを有するメモリブロックを備えるメモリ装置を提供する。各メモリセルは、マルチレベル信号により動作する。このようなメモリ装置は、メモリセルに書き込まれるデータ値をLDPC符号化する低密度パリティチェック(LDPC)コーダと、ビットインターリーブ符号化変調(BICM)をLDPC符号化データ値に適用することにより、BICM符号化データ値を生成するインターリーバとをさらに備える。他の実施形態も記載されかつ請求される。 (もっと読む)


【課題】設定データを誤り無く書き込むことができる車両の電子制御装置用データの検証方法及び検証システムを提供する。
【解決手段】第1CRCデータを有する第1照合データ、第2CRCデータを有する第2照合データを、データ生成サーバに予め生成しておき、データ生成サーバから端末へ、第1照合データと第2照合データをダウンロードした際、第1照合データと第2照合データとを照合し(S2)、照合結果が一致する場合(S3)、更に、ダウンロードした第1照合データの第1設定データから第3CRCデータを、第2照合データの第2設定データから第4CRCデータを各々演算して、照合し(S5)、第1CRCデータと第3CRCデータ、第2CRCデータと第4CRCデータが一致するか確認する(S6、S7)。 (もっと読む)


【課題】ストレージシステムがディスクドライブに格納するデータの信頼性を高める。
【解決手段】情報処理装置において、前記情報処理装置は、プロセッサと、メモリと、インタフェース制御部と、前記プロセッサ、前記メモリ及び前記インタフェース制御部の間の通信を制御するシステム制御部と、を備え、前記システム制御部は、前記メモリと前記システム制御部との間で転送されるデータに、前記データを保護するための誤り検出符号を付加するか否かを、前記転送対象のデータが読み書きされるメモリのアドレスに基づいて判定する。 (もっと読む)


21 - 40 / 56