【課題】高品質なメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステム１は、データ保持可能な不揮発性の半導体記憶部２と、半導体記憶部２の温度を計測する温度計測部９a、９ｂと、半導体記憶部２の温度を変化させる温度可変部８と、ホスト機器１１から受信したデータを半導体記憶部２に転送する転送部、温度計測部９a、９ｂからの温度情報を記憶する温度記憶部、及び温度記憶部に記憶された温度情報に基づいて、温度可変部８を制御する温度制御部を具備する制御回路５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】よりセキュリティを向上しつつ、正常でないＢＩＯＳによる起動を抑止すること。
【解決手段】本発明にかかる情報処理装置９は、ＢＩＯＳ（Basic Input/Output System）９１０が予め格納されたＢＩＯＳ記憶部９１と、正常なＢＩＯＳ９１０のデータと予め任意の値に定められた付加データとを含む合成データの誤り検出符号９２０を予め格納する符号記憶部９２と、ＢＩＯＳ記憶部９１に格納されたＢＩＯＳ９１０を起動するときに、ＢＩＯＳ９１０のデータと付加データとを含む合成データの誤り検出符号を生成し、生成した誤り検出符号と符号記憶部９２に格納された誤り検出符号９２０とを比較して、それらの誤り検出符号が一致しなかった場合、ＢＩＯＳ９１０の起動を抑止する管理部９３とを備える。 （もっと読む）

【課題】プログラムの誤動作の発生を抑制する。
【解決手段】動作制御部は、プログラムを実行するＣＰＵと、プログラムを格納するとともにプログラムの実行に伴って発生するデータを格納するメインメモリ５１２とを有している。メインメモリ５１２は、読み書き可能であって、電源を供給しなくても、記憶している情報を保持することが可能なＭＲＡＭ６１と、電源を供給しないと、記憶している情報を保持することができないＤＲＡＭ６２とを備えており、ＭＲＡＭ６１の一部領域にはプログラム等が格納されるＲＯＭ領域Ａ１が設けられ、ＭＲＡＭ６１の残りの領域およびＤＲＡＭ６２のすべての領域にはデータ等が格納されるＲＡＭ領域Ａ２が設けられる。ＣＰＵがリセットされると、ＲＯＭ領域Ａ１の記憶内容をそのままとする一方でＲＡＭ領域Ａ２の記憶内容を消去し、ＲＯＭ領域Ａ１から読み出したプログラムを実行する。 （もっと読む）

【課題】 記憶容量が不足する事態を抑制しながら、メモリにおける情報保持性能の信頼性を高める。
【解決手段】 更生部２を備える。当該更生部２は、メモリから読み出された情報に含まれるビット誤りの数を誤りビット数として前記メモリにおける予め定められたメモリ領域毎に計数する機能を備えている。また、更生部２は、その誤りビット数が予め定められた閾値以上である前記メモリ領域には、当該メモリ領域とは別のメモリ領域に事前に書き込まれていたバックアップ情報を上書きする機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】複雑な処理を行わずに回路規模を低減することができるメモリコントローラを得ること。
【解決手段】メモリコントローラであって、メモリ部へ書き込むデータとデータに対する誤り検出符号とデータおよび誤り検出符号に対するｔ（ｔは２以上の整数）シンボル訂正可能な誤り訂正符号とをｎ個のチャネルごとにメモリ部へ書き込み、データと誤り検出符号と誤り訂正符号とを読み出しデータとしてチャネルごとにメモリ部から読み出すメモリインタフェースと、チャネルごとの読み出しデータに対してｓ（ｓ＜ｔ）シンボル訂正可能な第１の誤り訂正復号化処理を実施するｎ個の第１の誤り訂正復号化部と、第１の誤り訂正復号化処理の復号結果に基づいてチャネルごとに誤り検出処理を行うｎ個の誤り検出部と、誤りが検出されたチャネルの読み出しデータに対してｔシンボル訂正可能な誤り訂正復号化処理を実施する第２の誤り訂正復号化部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの論理−物理アドレス変換テーブルの更新量に影響されずに安定した性能でデータの書き込みができるアドレス変換テーブルの保存及び初期化の方法を提供する。
【解決手段】データ書き込みの度に、論理ページアドレス割り当て履歴１４４と呼ばれる領域に、物理、論理両方の書き込み先ページアドレスを追記し、一杯になると、論理ページアドレス割り当て履歴１４４と一緒に、等サイズに分割した論理−物理ページアドレス変換テーブル１４３の中から１つを、全領域を周回する形で不揮発性メモリに保存する。初期化時は、分割した論理−物理ページアドレス変換テーブル１４３を保存した順番通りに揮発性メモリに読み出し、読み出しの度に論理ページアドレス割り当て履歴１４４の内容を反映し、最後に前回の電源断直前に書き込んだデータの物理ページアドレスを反映することで、論理−物理ページアドレス変換テーブル１４３を復元する。 （もっと読む）

【課題】画像データをバックアップとして保存する際に不揮発性記憶手段に対する書き換え回数を低減し、不揮発性記憶手段の長寿命化を図る。
【解決手段】データ記憶制御装置２は、所定容量の記憶領域を有する１次メモリ１１と、１次メモリ１１よりも大容量であり、その記憶領域が複数のブロックに分割されると共に、ブロック単位でデータが消去され、データの消去されたブロックに対してデータの書き込みが可能な２次メモリ１２とを備える。制御部２３は、画像データ取得部２１によって取得される画像データのうち、２次メモリ１２における１ブロックの整数倍となるデータ部分を２次メモリに記憶すると共に、残余のデータ部分を１次メモリ１１に記憶し、バックアップデータ取得部２２によって取得されるバックアップデータを１次メモリ１１に記憶させた残余のデータ部分と組み合わせて２次メモリ１２の１つのブロックに記憶する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリへの書き込み途中で電源がオフとなったことで発生したＳＵＭ値不一致の現象と、ＥＥＰＲＯＭデバイスやハードウェアの異常によりＥＥＰＲＯＭのデータの信頼性が欠如した状態を明確に切り分けて判断することができるフィールド機器を実現する。
【解決手段】フィールド機器のＣＰＵがアクセスするデータを保存するための不揮発性メモリが、サブブロックで構成され、前記ＣＰＵが各サブブロックに前記データを保存した際にデータのＳＵＭ値を前記不揮発性メモリに保持させるフィールド機器において、
前記不揮発性メモリは、前記サブブロックに対応して２個のＳＵＭ値を保持する領域を有し、
前記ＣＰＵは、前記サブブロックに変更データを保存する際に、１つ目のＳＵＭ値を更新した後に前記変更データを前記サブブロックに書き込み、さらに２つ目のＳＵＭ値を更新する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリへのデータの書き込みは１または複数のページ単位で行われ、一方、書き込んだデータの消去はブロック単位で行われる。
【解決手段】複数のブロックから構成され、ブロックが複数のページから構成される書き換え可能なフラッシュメモリ１２と、書き込みデータ領域と、書き込みデータ領域に続く管理フラグ領域と、から構成される領域を１つの管理単位とし、第一の管理単位の管理フラグ領域に書き込み開始フラグを書き込んだ後、第一の管理単位の書き込みデータ領域にデータを書き込み、第一の管理単位の管理フラグ領域の書き込み開始フラグを書き込み完了フラグに書き換える書き込み動作を行い、第一の管理単位への書き込み動作完了後、第一の管理単位に続く第二の管理単位への書き込み動作を開始する制御部１１とからなるフラッシュメモリ制御装置１００。 （もっと読む）

【課題】 フラッシュメモリにデータを記録する技術において、記憶しているデータが消失する可能性をより低減させる。
【解決手段】ブロック１のデータ消去時に、データの最新値が保存されているブロック２のブロックＩＤを、管理ブロックに書き込み、その後、ブロック１のデータ消去を行う。制御装置がリセットから復帰した後、使用中である旨のブロックステータスとなっているブロックが２個あった場合、当該２個のブロックのうち、管理ブロック中の上記ブロックＩＤを有するブロック（ブロック２）とは異なるブロック（ブロック１）のデータ消去を行う。 （もっと読む）

【課題】フラッシュＲＯＭに対し、効率的にデータを書込可能な技術を提供する。
【解決手段】電子制御装置のＭＰＵは、フラッシュＲＯＭ１３への書込対象データを、１バイト単位のデータ（バイトデータ）に分割し（Ｓ１３０）、この書込対象データを構成するバイトデータの夫々を、順に処理対象データに選択する（Ｓ１４０）。そして、処理対象データと、フラッシュＲＯＭが記憶する当該処理対象データに対応するバイトデータとを比較し（Ｓ１５０）、処理対象データが、フラッシュＲＯＭが記憶するものから内容変更されたものである場合には（Ｓ１５０でＹｅｓ）、これをフラッシュＲＯＭに追記する形式で書き込む（Ｓ１６０）。一方、処理対象データがフラッシュＲＯＭが記憶するものから内容変更されたものでなければ（Ｓ１５０でＮｏ）、この処理対象データのフラッシュＲＯＭへの書込については行わないようにする。 （もっと読む）

【課題】誤り訂正チャネルを適用していながら、データ読み出しの並列度を向上できるようにする。
【解決手段】実施形態によれば、誤り訂正チャネル決定手段は、論理ブロックを構成する複数の論理ページがページ単位に複数のチャネルを介してメモリに書き込まれる際に、複数のチャネルのそれぞれに誤り訂正チャネルが割り当てられる論理ページの数が均等になるように、ページ単位に誤り訂正チャネルが割り当てられるチャネルを決定する。コマンドリスト生成手段は、誤り訂正チャネルが割り当てられるチャネルの決定に基づいて、複数のチャネルのうちの誤り訂正チャネルを除くチャネル群を介して、対応する論理ページを並列に書き込むためのライトコマンド群のリストを生成する。コマンドリスト投入手段は、ライトコマンド群のリストをメモリインタフェースに投入する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリにおける記憶ブロック間のデータ消去回数のばらつきを抑える。
【解決手段】電子制御装置は、フラッシュＲＯＭを備える。フラッシュＲＯＭは、複数の記憶ブロックを備え、記憶ブロック単位でのデータ消去が可能な周知のメモリである。電子制御装置のＭＰＵは、フラッシュＲＯＭの記憶ブロック群を、書込頻度が低いデータ記憶用の低頻度ブロック群と、書込頻度が高いデータ記憶用の高頻度ブロック群とにグループ化する。そして、高頻度ブロックのデータ消去回数に基づき、データ消去回数が１００の倍数となる度、低頻度ブロックを、記憶ブロック一つ分ずらすようにして、高頻度ブロックと入れ替える。この動作によって、フラッシュＲＯＭ内の記憶ブロック群を再グループ化する。一般的に高頻度ブロックのデータ消去回数のほうが低頻度ブロックよりも多くなるが、再グループ化により記憶ブロック間のデータ消去回数のばらつきは抑えられる。 （もっと読む）

【課題】不揮発メモリへ書き込み中に電源等が断たれた場合であっても、より最新のデータ情報を利用可能な記録媒体を提供する。
【解決手段】データ保存方法は、書込み要求されたデータと揮発性ユーザデータ領域のアドレスのデータとを比較し、データの変更があるか否かを判定するデータ変更判定ステップ（Ｓ１１）と、データ変更判定ステップにおいて肯定的な判定の場合に、揮発性ユーザデータ領域の対応するアドレスに書込みを行う揮発性領域書込みステップ（Ｓ１２）と、パリティビットを生成し、変更の内容を第１不揮発性バッファ領域にデータ毎に保存すると共に、保存先を示すアドレスを逐次変更する第１変更内容保存ステップ（Ｓ１３，Ｓ１４）と、第１不揮発性バッファ領域へ保存量が所定量に達した場合に、揮発性ユーザデータ領域のデータを第２不揮発性ユーザデータ領域にデータ毎に複製保存する第１複製保存ステップ（Ｓ１６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】経年変化に起因して生じず誤りの誤り訂正を行う。
【解決手段】本発明の情報処理装置は、データを格納する複数のブロックからなり、前記複数のブロックの各々に対するデータの再書込みが可能な記憶部と、前記複数のブロックの各々について、該ブロックに格納されているデータの誤り検出を定期的に行い、誤りを検出すると、該検出した誤りの誤り訂正を行い、誤り訂正後のデータの前記ブロックに対する再書込みを行う処理部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ装置において、メンテナンス中にリセットが発生した場合であっても、より確実に真の最新値を読み出すことにある。
【解決手段】第２のブロックＢ２への最新値のコピーが完了した後に、第１のブロックＢ１におけるブロック管理値を未使用状態とするとともに、第１のブロックＢ１のデータを消去するメンテナンスが実行される。このように、メンテナンス実行時には、第１のブロックＢ１のブロック管理値は、「＄ＦＦＦ０」から「＄ＦＦＦＦ」とされる。メンテナンス中に電源がオフ状態となるリセットが発生した場合には、ブロック管理値における「＄０」の桁が、１６進法における「１」〜「Ｅ」となる可能性がある。このように、ブロック管理値が１桁の「１」〜「Ｅ」と、３桁の「Ｆ」とで構成される場合には、その値を有するブロックからの最新値の読み出しが規制される。 （もっと読む）

【課題】印刷データのリード速度が低下することを抑制すると共に、リードエラーを回復可能な半導体不揮発性記憶素子を搭載した印刷装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】装置全般の制御を司る制御部２１０は、高い処理スピードが要求される処理動作を実行することを検知する。制御部２１０は、データを記憶すると共にデータのリード時にリフレッシュする機能を持つ記憶部制御部２２１を備えた記憶部２２０からデータをリードする時にリフレッシュ動作を停止させるためのリフレッシュ停止手段を備える。制御部２１０は、高い処理スピードが要求される処理動作の際にリフレッシュ動作を停止させた場合に、高い処理スピードが要求される処理動作の終了後にリフレッシュ動作を許可するためのリフレッシュ許可手段を備える。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ装置において、ブロック間で最新値をコピーしている間にリセットが発生した場合であっても、真の最新値を認識することにある。
【解決手段】ブロック管理値をアクティブ状態とする際に、ブロック管理値がブロック毎に異なるとともに順に大きくなるように設定される。例えば、ブロック管理値として第１のブロックＢ１には「＄１１１１」が、第２のブロックＢ２には「＄１１１２」が記憶される。このため、たとえ、アクティブ状態であるブロックが複数存在する場合であっても、ブロック管理値が大きいブロックの最新値を読み出すことで、真の最新値を読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】画像処理装置に設けられた不揮発性メモリに対して、比較的に簡素な構成で適切にリフレッシュを行うことができるようにする。
【解決手段】画像処理装置は、自装置で用いられるデータを保存する不揮発性メモリと、自装置の動作状況を認識する認識手段１０１と、認識手段１０１が認識した動作状況をと、記憶部に予め記憶された自装置の動作状況ごとの温度変化を示す動作温度情報とを用いて、不揮発性メモリのリフレッシュの要否を判定する判定手段１０２と、リフレッシュが必要であると判定手段１０２が判定した場合、不揮発性メモリをリフレッシュするリフレッシュ手段１０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリなどのＥＥＰＲＯＭにおいて、データ変化を防止する専用の記憶容量を設けなくても、データ変化及びデータ消失の抑制を可能とし、かつ、それに必要な処理能力を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】監視記録装置５６は、ＣＰＵ１と、フラッシュメモリ２と、ＲＡＭ３と、ＣＰＵ１の使用率を計数する使用率計数部１６とを備える。ＣＰＵ１は、フラッシュメモリ２から記憶データを読み出してＲＡＭ３に記憶した後、再びＲＡＭ３からフラッシュメモリ２の元アドレスに書き戻す上書き処理を行う。ＣＰＵ１は、この上書き処理を、使用率計数部１６で計数された使用率が所定のしきい値よりも低い場合に実行する。上書き処理は他の処理によるフラッシュメモリ２への読み書きが禁止される排他処理とともに実行され、ＣＰＵ１は、上書き処理を他の処理と時分割で実行する。 （もっと読む）