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Fターム[5B018QA11]の内容

記憶装置の信頼性向上技術 (13,264) | 時期 (2,030) | 電源投入時 (199)

Fターム[5B018QA11]に分類される特許

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【課題】外部システムによるライトプロテクトのための特別な信号配線及び制御を不要とする。
【解決手段】半導体記憶装置は、データを記憶すると共にライトプロテクト端子を有し、このライトプロテクト端子への制御信号がアクティブになったときにデータの書き込みを禁止するメモリ部と、このメモリ部に対するアクセスを制御するメモリコントローラとを有し、外部からメモリコントローラを介してメモリ部をアクセスする。メモリコントローラは、メモリ部のライトプロテクト端子への制御信号を生成し出力する。 (もっと読む)


【課題】特定ページを反復して読む場合に読み出しディスターバンスによって発生するビットエラーを防ぐメモリシステム及びその読み出し方法を提供する。
【解決手段】本発明によるメモリシステムの読み出し方法は、フラッシュメモリを含むメモリシステムの読み出し方法であって、前記フラッシュメモリのメインページを読み出し、前記メインページの読み出し回数を増加させ、前記読み出し回数が基準値より大きい場合、前記メインページを含むブロックのデータを他のブロックにコピーバックする。 (もっと読む)


【課題】 制御要素であるメモリに異常が生じた場合でも、その後の迅速かつ確実な再起動が可能なデータ処理装置及びその制御方法を提供。
【解決手段】 少なくとも1つが制御要素として使用される複数のメモリを搭載する。起動時に、制御要素として使用されるメモリの異常を検出すると、各メモリのうち、異常が検出されたメモリを除く他のメモリを新たな制御要素として設定し、起動を継続する。 (もっと読む)


【課題】信頼性及びパフォーマンスを確保しつつ、記憶容量の増大を図る。
【解決手段】異なる特性のメモリ領域を必要とする複数種類のデータを記憶可能なメモリセルからなるメモリ部と、外部から供給された論理アドレスを前記メモリ部の物理アドレスに変換する機能を有し、メモリ部の読み出し及び書き込みを制御するメモリコントローラとを備えメモリコントローラは、メモリ部に複数種類のデータをそれぞれ記憶する複数のデータ記憶領域を設定し、外部から供給された論理アドレスを複数のデータ記憶領域の設定状態に基づいて物理アドレスに変換する。 (もっと読む)


【課題】論理アドレスの指定を間違えた場合でも、アドレス領域を超えてメモリがアクセスされることがない半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】データを記憶するメモリ部と、外部から供給された論理アドレスをメモリ部の物理アドレスに変換する機能を有し、メモリ部の読み出し及び書き込みを制御するメモリコントローラと、を備え、 メモリコントローラは、外部から供給された論理アドレスがメモリ部のアドレス領域を超えたときにアドレス領域エラーを外部に通知するものである。 (もっと読む)


【課題】メモリのエラー検知において、放射線によるビット反転であるのか、あるいはメモリの故障によるビット反転であるのかを識別可能とする。
【解決手段】内部動作の制御を行うプロセッサ部1と、外部から入力されるデータを記録するメモリ部7と、メモリ部7にデータを書き込むデータ記録部2と、メモリ部7に記録されたデータを再生して出力するデータ再生部3と、データ記録部2によりメモリ部7へ記録されるデータを符号化する符号化部5と、データ再生部3によって再生されるデータを復号化する復号化部6と、符号化部5及び復号化部6による符号化・復号化回数を管理するとともに、メモリ部7のエラーを検知して、エラー検知内容を識別する符号化・復号化管理部4とを備えている。 (もっと読む)


【課題】装置の電源投入時に記憶されたデータが正常であることを確認でき、かつ、装置が備えられた機器が使用可能になるまでの時間を短縮できる記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶部42と、記憶部42のデータを更新する書込部46と、データが正常であるか否かを確認のためチェックサムを行うCPU41を備えた記憶装置であって、記憶部42は、データ記憶領域T1と、あらかじめ計算されたチェックサム値が書き込まれるチェックサム記憶領域T2と、CPU41によるデータ更新後のデータのチェックサム値とチェックサム記憶領域T2に記憶された値とが一致する場合、正常更新データが書き込まれる更新結果記憶領域T3とを有し、CPU41は、装置の電源投入時に正常更新データを確認し、データの更新が正常になされたことが確認されれば、チェックサムの演算を行わない。 (もっと読む)


【課題】簡単な回路構成で、起動時に要する所定の制御時間が短縮できる信号処理装置および信号処理方法を提供する。
【解決手段】電源投入時またはリセット時に、経路切替スイッチ(3)を接続してバス1とバス2を共通にし、CPU1をマスタとして、スレーブ側のCPU2をリセット状態(スイッチ(4)を未接続)にする。揮発性メモリ1にチップセレクト信号CS1を割り当て、もう1つの揮発性メモリ2にチップセレクト信号CS1を割り当てる。CPU1は、FLASHメモリからデータを読み出して、揮発性メモリ1と揮発性メモリ2に同時に書き込みを行う。書き込み後は、各々のCPUにつき、1個の揮発性メモリの構成で、データ処理を行う。 (もっと読む)


【課題】プログラムの信頼性を維持しつつ起動を短時間で行える「データ処理装置及びプログラム起動方法」を提供する。
【解決手段】今回のデータ処理装置の起動が、エラー発生による起動であるか、前回のデータ処理装置の稼働停止後にフラッシュメモリ9のアップデートが行われたかを調べ(1.チェック)、いずれでもない場合には、フラッシュメモリ9からプログラムをSDRAM6にロードし(2.ロード)、SDRAM6にロードしたプログラムの実行を開始する。一方、他の場合には、フラッシュメモリ9のプログラムのサムチェックを行い(11.チェック)、サムチェックに成功したならば、フラッシュメモリ9からプログラムをSDRAM6にロードし(12.ロード)、その実行を開始する(13.プログラム実行開始)。サムチェックに失敗した場合には所定の異常処理を起動する。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリの書換回数を考慮することなくメモリシステムを使用可能とする。
【解決手段】S100:複数の不揮発メモリを内蔵した交換レンズがカメラに装着されると、カメラから電源が供給されレンズマイコンは動作を開始する。
S101:フラッシュROMに記憶されたファームウエアがスタートする。
S102:外付けEEPROMが取り付けられているか判別する。
S103:EEPROMが取り付けられていると、EEPROM内のデータを全てRAMに転送する。
S104:EEPROMが取り付けられていないと、フラッシュROMデータをRAMに転送する。
S105:RAMに転送された書換回数データを読み出し、書換制限回数との比較を行う。
S106:書換回数データが制限に近い又は書換制限を超えていると判断した場合は、警告処理を実行する。
S107:通常の交換レンズの処理に移行する。 (もっと読む)


【課題】アクセス速度を低下させることなく、論理アドレスと物理アドレスとの変換に用いられる予備的な記憶領域の必要容量を抑制する。
【解決手段】論理アドレスを昇順に、メモリの欠陥ブロックの物理アドレスをスキップさせながら、物理アドレスの昇順に対応づけるように、論理アドレスと物理アドレスとの相関関係を定める。そして、欠陥ブロックの物理アドレスを、当該物理アドレスの昇順に、第2ブロック56の物理アドレスの昇順に、連続して個々に格納する。論理アドレスから物理アドレスを求める場合は、論理アドレスに基づいて、複数の第2ブロック56からターゲットブロックを検索し、ターゲットブロックの物理アドレスを論理アドレスに加算することにより物理アドレスを求める。 (もっと読む)


【課題】二重化したNVRAMの情報が不一致状態でもどちらのNVRAMの情報を採用すべきか判断できるようにする。
【解決手段】各BMC21,31に含まれないNVRAM11,12を設け、BMC21内部にバックアップNVRAM211を、BMC31内部にバックアップNVRAM311を設け、BMC21(31)がNVRAM11,12にデータを書き込む際、バックアップNVRAM211(311)にもデータから算出したハッシュ値(またはチェックサム)を書き込む。BMC21(31)初期化時はNVRAM11,12のデータを比較し、一致ならそのデータをそのまま使用、一致しない場合、バックアップNVRAM211(311)とハッシュ値(またはチェックサム)の比較を行い、NVRAM11,12のうち一致する方のデータを使用する。どちらとも一致しない場合、NVRAM11,12を規定の値で初期化する。 (もっと読む)


【課題】フラッシュメモリにおいて発生するビットエラーを効果的に修復する。
【解決手段】フラッシュメモリ4から読み出される一時記憶データのエラーをチェックするエラー訂正機能を備える。エラーが発見されると、そのエラー情報は、レジスタ9に一時記憶された後、適切なタイミングで不揮発性メモリ6に記憶される。電源投入時などの適切なタイミングで、不揮発性メモリ6に記憶されたエラー情報に基づき、エラーが発見された一時記憶データを再度読み出してエラー訂正を行ってフラッシュメモリ4に書き戻す。リードディスターブなどの回復可能なビットエラーを修復することができる。通常の読み出し処理が支障なく実行でき、ユーザに不快感を与えなくて済む。 (もっと読む)


【課題】リペア可能な半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】半導体メモリ装置は、第1システムデータを保存する第1ブロックと第1システムデータと同一の第2システムデータを保存する第2ブロックとを有するメモリセルアレイを含む。コントローラは、ホストから出力されたリセット信号に応答して第1システムデータをメモリユニットに出力し、ECC検出ブロックによって発生したフェイル検出信号に基づいて第2システムデータをメモリユニットに伝送する。ECC検出ブロックは、第1システムデータが欠陥データであるか否かを判断する。半導体メモリ装置をリセットする間に第1システムデータで欠陷が発生する時、第1システムデータは、第2システムデータの提供によってリペアされる。 (もっと読む)


【課題】フラッシュメモリに対して読み出し処理が多数発生した場合に、意図せずデータが書き換えられることを回避する。
【解決手段】メモリ4に対するデータアクセスをコントロールするメモリコントローラ3は、リフレッシュ制御部33を備える。リフレッシュ制御部33が備える読み出し回数記憶部331は、メモリ4の各ページに対する読み出し回数をカウントして記憶している。リフレッシュ制御部33は、読み出し回数が所定回数を超えるページが発生した場合、当該ページに格納されているデータのメモリ4に対する再書き込み処理を実行する。 (もっと読む)


【課題】管理情報の再構築の時間を短縮するでき、また、領域ごとの管理情報の有効/無効の判断を素早く行える不揮発性半導体記憶装置およびその管理方法を提供する。
【解決手段】電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ2と、不揮発性メモリ2の管理に関する情報に基づいて不揮発性メモリ2のアクセス領域を制御するコントローラ3と、を有し、コントローラ3は、不揮発性メモリ2の領域を分割して管理し、領域ごとにデータを管理する管理情報と、管理情報を束ねるマップに対して、統一した番号をつけて不揮発性メモリ2に書くことで、その番号を元に各管理情報およびマップがそれぞれ正常であるかどうかを判断する。 (もっと読む)


【課題】ホストから供給される電源電圧が不安定な場合であっても、メモリカードのパワーオンリセット処理を確実に行い、信頼性を大幅に向上する。
【解決手段】メモリカード1の初期設定において、フラッシュメモリ2に格納されているフラッシュ確認データFDを読み出し、そのデータFDと予めROMに格納されている動作確認用データFD11 とを比較し、異常がなければROM4aに格納された書き込み確認データFD12 をフラッシュメモリ2に書き込み、そのデータを再び読み出してROM4aの書き込み確認データFD12 と比較する。これらのデータ比較に異常がなければ、CPU4cはフラッシュメモリ2が正常と判断する。また、データ比較が異常の場合、CPU4cはレジスタ5aにリセット処理異常データを設定し、該コントローラ3をスリープモードにする。この期間にコマンドCMDを受けると再びデータ比較を実行する。 (もっと読む)


【課題】電源瞬断に対して僅かな時間でアドレス変換テーブルの再構築が可能な記憶装置およびコンピュータシステム、並びに記憶装置の管理方法を提供する。
【解決手段】制御部22は、コマンドに応じてユーザーデータの書き込みが実施される際、ユーザーデータをフラッシュメモリデバイス29内の適当な空き領域に、ページ単位で格納しその際入力アドレスに基づく論理ページアドレスとフラッシュメモリデバイス上の格納先ページアドレスとの対応を、アドレス変換テーブル32に記録し、各ページの予備領域に対応する論理ページアドレスを特定するための情報を格納し、記憶装置を起動する際、少なくとも直近のテーブル保存以降にユーザーデータの書き込みが行われたページ群を検出し、このページ群の予備領域を検査し、テーブル保存以降のテーブル更新状態を再生することでテーブルを再構築する。 (もっと読む)


【課題】初期プログラムの更新に異常があっても、適切に起動される情報処理装置を提供すること。
【解決手段】ナビゲーション装置において、システムリセットにより最初に起動される初期プログラムをブートデバイス22に2重化して格納し、システムリセットにより、CPUが出力する初期プログラムへの先頭アクセスアドレスを、フリップフロップ25を使用した回路により、2重化した初期プログラムのいずれかが選択されるようにした。 (もっと読む)


【課題】リードオンリーファイルに対してもフラッシュメモリの書換回数の平準化を行うことにより、フラッシュメモリの製品寿命を延長する。
【解決手段】フラッシュメモリ群中の一部の未使用領域を利用し、該未使用領域に「再書き込み処理」をプログラム記述しておくことで、ブートする際にこの処理が実施されることにより、リードオンリーファイルに対してもフラッシュメモリの書き換え回数の平準化を行う。また、平準化処理をOSがブートする以前に実行することにより、OSやアプリケーションソフトウェアに拘束されることなく円滑な処理を可能とする。 (もっと読む)


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