【課題】 不揮発性メモリから揮発性メモリに転送が開始されてから揮発性メモリ内のデータがアクセス可能になるまでの時間を短縮する。
【解決手段】 揮発性メモリＳＤＲＡＭは、不揮発性メモリＦＬＡＳＨ用のエラー訂正コードを記憶する揮発付加領域Ｅ２を有する。不揮発性メモリＦＬＡＳＨに記憶されたデータをエラー訂正することなく、エラー訂正コードとともに揮発性メモリＳＤＲＡＭに転送することで、不揮発性メモリＦＬＡＳＨから揮発性メモリＳＤＲＡＭへのデータの転送時間を短くできる。この結果、不揮発性メモリＦＬＡＳＨから揮発性メモリＳＤＲＡＭに転送が開始されてからデータがアクセス可能になるまでの時間を短縮できる。 （もっと読む）

フラッシュメモリ装置の揮発性メモリ内に存在するメモリ管理データ構造を利用してフラッシュメモリを管理する。メモリ装置に電源を供給する度にメモリ管理データ構造を生成および更新する。フラッシュメモリへの書き込み動作中に、フラッシュメモリ内の特定位置を更新してフラッシュメモリの現在の状態を反映する。電源の遮断時は、電源を再度加えるとメモリ管理データ構造が再生成される。フラッシュメモリをスキャンし、フラッシュメモリの特定位置から取得した情報を利用してメモリ管理データ構造を構築する。不良ブロックデーブルは必要ではない。フラッシュメモリを管理して、比較的良好なランダム書き込み性能を供給し、電源の遮断に対応する。応用例には、（例えば、抜かれることにより）電源の障害が任意の時点で発生しうる汎用目的コンピューティング装置用のフラッシュメモリの使用が含まれる。
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【課題】 データ処理中に電源が消失してもデータの消失を確実に防止することが可能な制御装置を提供する。
【解決手段】 制御装置１００を制御するＣＰＵ１０と、制御装置１００において使用するデータを一時的に記憶しておくＤＲＡＭ１４と、ＤＲＡＭ１４の一部のデータを保持しておくＦｅＲＡＭ１６と、ＤＲＡＭ１４の所定のアドレス空間にデータの書き込みが行われるか否かを検出するアドレス検出部１８と、を備え、アドレス検出部１８においてＤＲＡＭ１４の所定のアドレス空間にデータの書き込みが行われることを検出した場合に、ＤＲＡＭ１４に書き込まれるデータと同一のデータをＦｅＲＡＭ１６にも書き込む。 （もっと読む）

【課題】 ＣａｍｅｒａＳｔｏｒａｇｅＳｕｂｕｎｉｔのメディア入れ替え時に、同一のメディアを挿入したことを検出してｍｅｄｉａ＿ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ＿ｃｏｕｎｔを更新しないことで、コントローラが不要なトランザクションを行うことを防ぐ。
【解決手段】 メディア上にカウント値と識別データが記録されているかを検出し、記録されていない場合または記録されているデータが内部メモリに保持しているデータと一致しなかった場合、ｍｅｄｉａ＿ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ＿ｃｏｕｎｔを更新して識別データを生成し、内部メモリ及び記録メディアに書き込む。一致していた場合はｍｅｄｉａ＿ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ＿ｃｏｕｎｔを更新せずに内部メモリと同じ値を使用する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、冗長置換方法、半導体記憶装置及び情報処理装置に関し、出荷後にシステムへ組み込まれた状態であっても、チャージロス若しくはチャージゲインの兆候を検出して読み出し誤判定となる前に冗長置換を可能とすることを目的とする。
【解決手段】 電気的に書き込み及び消去が可能な半導体記憶装置において、読み出し用リファレンスセルの閾値と読み出しリファレンスセルより高い閾値を有する書き込みベリファイ用リファレンスセルの閾値との間に閾値を設定したチャージロス検出用リファレンスセル、及び／又は、読み出し用リファレンスセルの閾値と読み出し用リファレンスセルより低い閾値を有する消去ベリファイ用リファレンスセルの閾値との間に閾値を設定したチャージゲイン検出用リファレンスセルを備えるように構成する。 （もっと読む）

記憶装置構成は、書き込み可能なデータ記憶装置（１０２）、およびデータ記憶装置（１０２）から読み出されたデータワードにおけるエラーを検出（１０３）し、エラーを訂正（１０１）し、訂正されたデータワードを前記データ記憶装置（１０２）の空き領域内の新アドレスに格納する（１０１）ための手段を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＰＣ等の情報処理装置におけるシステムの障害時において、システムの復元の可能性を向上させる。
【解決手段】第１ＯＳ３１を格納している第１ＯＳ用区画の内容の複製を行う情報処理装置であって、第１ＯＳ３１上で動作し、情報処理装置の次回の起動時に第１ＯＳ用区画とは異なる区画である第２ＯＳ用区画に格納された第２ＯＳ４１の起動を指示する起動情報を不揮発性メモリに設定し、第１ＯＳ用区画の内容の複製を指示する複製識別ファイル５６を設定し、情報処理装置の再起動を行う複製設定部３２と、情報処理装置の起動時に動作し、起動情報に基づいて第２ＯＳ４１を起動するＢＩＯＳ２１と、第２ＯＳ上で動作し、複製識別ファイル５６に基づいて、第１ＯＳ用区画の内容の複製であるイメージファイル５５を第１ＯＳ用区画とは異なる区画に作成する複製実行部４２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】特に高並列化された高速なフラッシュメモリシステムを構築するにあたってオーバーヘッドを見かけ上消滅させ、常時高速なアクセスを可能とする新しいストレージ構成を実現可能な記憶装置、コンピュータシステム、および記憶システムを提供する。
【解決手段】記憶装置７０は、主記憶としてフラッシュメモリ７５，７６を有し、フラッシュメモリ７５，７６における少なくとも一部領域の書き換えは、更新データを空き領域に追記し、元のデータを無効化することで実施され、外部からアクセスの無い装置の待機時に、上記無効化領域を自動的に空き領域に回復する回復処理を行う機能を有する。 （もっと読む）

【課題】簡単な回路構成で記憶装置上のデータを失わせることなく、記憶装置のセルフリフレッシュ状態の解除を好適なタイミングで行うことができる制御装置を提供する。
【解決手段】記憶保持にリフレッシュ動作が必要であり且つセルフリフレッシュ状態にあるときに単体で自動的にリフレッシュ動作を行うＳＤＲＡＭ１２と、メインコントロールユニット（ＭＣＵ）１０との間に、論理積回路２０を設け、ＭＣＵ１０の省電力モードから非省電力モードへの移行時には、ＲＥＳＥＴ＿ＩＣ１８から出力されたＭＣＵ１０を初期化させるためのLowレベルのMCU_Reset信号と、MCU_CKE信号とを論理積した論理積信号(CKE信号）を出力することによって、LowレベルのMCU_Reset信号が出力されている期間は、MCU_CKE信号の出力レベルに拘わらずＳＤＲＡＭ１２のセルフリフレッシュ状態を維持する。 （もっと読む）

【課題】 起動プログラムが実行できないことにより装置を起動できなくなる事態を回避可能なフラッシュメモリの制御方法、メモリコントローラ及び当該メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステムを提供することを目的とする。
【解決手段】 ホストシステムの起動時に、前記ホストシステムの起動プログラムとそのバックアッププログラムとを記憶すべきフラッシュメモリに、起動プログラムが格納されているか否かを判定する。起動プログラムが格納されている場合には起動プログラムを、格納されていない場合には、バックアッププログラムを読み出す。そして、読み出された起動プログラム又はバックアッププログラムを、ホストシステムに供給する。 （もっと読む）

【課題】 同じサイズながらバンク構成などの仕様が異なるメモリモジュールに交換したり、同一メモリモジュールを装着し直したりする際にもメモリテストを実施できる情報処理装置を提供する。
【解決手段】 起動時に、装着されるＲＡＭモジュールのメモリテストを実施する情報処理装置において、起動時にＲＡＭモジュールに前回起動時と比べて変化があるか否かが判断され、当該判断結果に基づいてＲＡＭモジュールのメモリテストの実行が制御される。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＵによるメモリチェックに要する時間を短縮するとともに、アドレスバスやデータバスにおける不良、メモリ取付けによる不良等も確実に検出できるメモリチェック装置を提供する。
【解決手段】データ書き換え可能なメモリにチェックデータを書き込んだ後、チェックデータを読み出してメモリをチェックする。メモリチェック装置４は、ランダムな数値を発生させるランダム数値発生手段５と、ランダム数値発生手段５から発生した数値を所定ビット取得するランダム数値取得手段６と、ランダム数値取得手段６で取得した数値をメモリ２にチェックデータとして書き込む書込手段７と、メモリへの書き込み終了後にランダム数値発生手段５をリセットするセット・リセット手段８と、リセットの後に再度ランダム数値発生手段で発生させた数値とメモリから読み出した数値を比較する比較手段１０を備えている。 （もっと読む）

【課題】ROMをRAMにロードしてからプログラムを実行する複合機において、機能が増えても、起動時にユーザに待たせる時間を増加させないようにする。
【解決手段】起動時に初期画面起動に必要なプログラム部分のみDMA転送によりROMからRAMにロードする。DMA転送中にDMA転送完了サイズから転送済みデータのチェックサムを転送処理と平行して計算し、ROMに格納されているチェックサム値と比較する。チェックサムが等しいときのみプログラムを起動する。また、ロード処理を各処理ブロック単位にする事で、ロードに失敗した処理ブロックの機能を無効とし、ロードに失敗した機能以外の動作を可能とする。 （もっと読む）

【課題】ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのような低信頼性記憶装置に存在する不良ブロックを回避し、不良のない初期プログラムをＲＡＭに転送する。
【解決手段】管理情報記憶部２９には、第１の記憶装置３１の不良ブロックの位置を示す管理情報３０が記憶されている。情報処理装置１の電源投入時には、転送判定部２０は、管理情報３０に基づいて第１の記憶装置３１の正常ブロックからＢＳＰ２６を読み込み、これを第２の記憶装置３２へと転送するよう制御する。 （もっと読む）

【課題】 パワーオンリセットの途中でデータ処理部が暴走してもデッドロック状態に陥ることのない半導体装置を提供する。
【解決手段】 命令を実行可能なデータ処理部（８）と外部インタフェース部（７）とを有する第１の半導体デバイス（３）と、前記第１の半導体デバイスによる制御を受ける第２の半導体デバイス（４）とを含む。外部インタフェース部は、前記半導体装置の外部から供給される動作電源電圧が所定電圧以上になったということを検出したとき、外部から供給される初期化コマンドに応答してデータ処理部にリセット例外処理を開始させ、リセット例外処理を完了した後では前記初期化コマンドに応答せず、リセット例外処理において所定の状態に達したときは初期化コマンドに再度応答してリセット例外処理を開始させる。前記所定の状態とは、例えばリセット例外処理中にデータ処理部が暴走した状態又は暴走すると予想される状態である。 （もっと読む）

【課題】 電源遮断をあらかじめ検知しておくことで、ＮＶＲＡＭへの正常なアクセスをすることができる情報処理装置を提供すること。
【解決手段】 次回、電源を投入したとき制御部１は、データ保存デバイス内の「電源ＯＦＦフラグ１」を参照し（Ｓ１１）、これが「電源ＯＦＦされた（電源ＯＦＦフラグ１がＯＮ）」となっていた場合は（Ｓ１１；ＯＮ）、「電源ＯＦＦフラグ１」をリセットし、ＮＶＲＡＭ２に対してデータ保存デバイス３内にあらかじめ書き込んでおいたＮＶＲＡＭ２情報の書き込みを行い（Ｓ１４）、システムの起動を行う（Ｓ１２、Ｓ１３）。これによって、ＮＶＲＡＭ２には、電源遮断前に書き込もうとしていた最新のデータが反映されることになる。 （もっと読む）

【課題】車載バッテリでバックアップされた揮発性のバックアップメモリに関する異常検出において、マイクロプロセッサの制御負担を軽減しながら多様な異常検出が可能な車載電子制御装置を得る。
【解決手段】電源スイッチ１０２が閉路したときに主電源回路１１４ａから給電される制御用ＣＰＵ１１１ａと、不揮発制御用メモリ１１２ａおよびバックアップメモリ１１３ｃとを備えている。ＲＡＭメモリ１１３ａの一部領域であるバックアップメモリ１１３ｃは、電源スイッチ１０２が開路しても車載バッテリ１０１に直接接続された補助電源回路１１４ｂを介して給電される。車載バッテリ１０１が取替え接続されると、電源遮断監視メモリ１２８がリセットされ、制御用ＣＰＵ１１１ａの運転開始に際しては、リセット情報に基づいてバックアップメモリ１１３ｃを初期化するとともに、電源監視メモリ１２８をセット状態に書換える。 （もっと読む）

【課題】瞬時停電発生時等において不揮発性メモリから記憶媒体へのデータ等の書き込みを減らし、記憶媒体から不揮発性メモリにデータを保存中に装置電源がオンした場合にも不定値が発生するのを防止する。
【解決手段】装置電源の停電又は電源オフ操作時の割り込みで、ＲＡＭ１₂等の記憶媒体のデータを短時間仕様のバックアップ電源を付属したバックアップＲＡＭ１₄およびＥＥＰＲＯＭ１₃に保存しておき、装置電源の復電時又は電源オン操作時にバックアップＲＡＭに正規のキーワードが書き込まれていないときにＥＥＰＲＯＭに保存されるデータおよびキーワードを該バックアップＲＡＭに書き込み、装置電源の停電またはオフ操作時に、バックアップＲＡＭに正規のキーワードが書き込まれているときのみ該バックアップＲＡＭのデータを不揮発性メモリに保存する。 （もっと読む）

【課題】初期化時間を短縮可能なカードを提供する。
【解決手段】ホスト機器２は、不揮発性半導体メモリ１１を有するカード１を挿入され、ホスト機器からの電源供給の停止を受け付け可能な状態に移行する終了処理をカードがサポートするか否かを示す情報を返送することを命ずる確認コマンドを発行する。 （もっと読む）

【課題】
開発過程において検出が困難なメモリ初期化漏れ（未初期化）の発生を防止する。
【解決手段】
メモリ装置の各ワードに配設される付加ビット（パリティビットを含む）を備えるメモリ１０９において、パワーオン（電源オン）により付加ビット２１５をリセットし、初期化を行ったワードの付加ビット２１５を１回限り反転させる制御を行うメモリ初期化状態管理回路を備え、メモリの初期化漏れの検出機能を備えたメモリ装置が提供される。このメモリの初期化漏れを検出機能は、前記メモリ初期化状態管理回路が、読み出したワードの付加ビット２１５が未反転状態であれば割り込みを発生させ、該読み出しアドレスを出力することによって具現される。 （もっと読む）