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Fターム[5B060CB01]の内容

メモリシステム (7,345) | ロード/ストア制御 (453) | ロードバッファ/ストアバッファ制御 (270)

Fターム[5B060CB01]に分類される特許

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【課題】 データを主記憶上やキャッシュメモリ上の所定の記憶領域へストアするためのストア命令を実行するにあたり、ストアデータを保持する演算レジスタの使用効率を向上できるようにする。
【解決手段】 命令処理部10が、演算結果が保持された演算レジスタ22が確定すると当該演算結果をストアデータとして演算レジスタ22からストアデータバッファ50−0〜50−nに対して発行させるように構成され、ストアポート30−0〜30−nにストア命令が保持されるよりも先に、ストアデータがストアデータバッファ50−0〜50−nに保持された場合に、ストア命令がストアポート30−0〜30−nに保持された時点でリセット部81がストアデータ保持フラグ30dをオフ状態に設定することを抑止して、ストアデータ保持フラグ30dのオン状態を維持する抑止部82をそなえる。 (もっと読む)


メモリ装置(301)の内部のプログラミング中に同時に外部の読出動作を実行するためのシステム(300)および方法が記載される。メモリ装置は、データをランダムに記憶するように構成されており、かつ、ソース場所(305)と、宛先場所(303)と、データレジスタ(307)と、キャッシュレジスタ(309)とを含む。データレジスタ(307)は、データを宛先(303)およびキャッシュレジスタ(309)に同時に書込むように構成される。システム(300)はさらに、メモリ装置との電気的な通信を介して受信したデータの的確さを検証するための処理装置(107)(たとえば、マイクロプロセッサまたはマイクロコントローラ)を含む。処理装置(107)はさらに、受信したデータが不正確であった場合、誤り訂正を行ない、必要に応じてそのデータにランダムデータを追加し、誤り訂正済みおよび/またはランダムデータ変更されたデータを宛先場所(303)に転送して戻すように構成される。
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【課題】 ICカード処理装置からのコマンドに応じてICカードが不揮発性メモリ上のデータ格納領域へのデータの書き込みを行う処理に要する時間を短縮することができる。
【解決手段】 外部装置から受信したコマンドに基づいてデータを不揮発性メモリ上のデータ格納領域に書き込む必要がある場合、不揮発性メモリ上のバッファ領域に当該データを書き込み、上記バッファ領域へのデータの書き込みが終了した際にバッファ領域への書き込み完了を示す応答データを外部装置へ出力し、当該データをデータ格納領域に書き込むようにしたものである。 (もっと読む)


メモリハブは、個々のデータバスに接続するための第1および第2のリンクインタフェース、第1および第2のリンクインタフェースに接続され、第1および第2のリンクインタフェースの間に転送されるデータが通るデータパスを含み、またデータパスに接続され、書込データをデータパスに接続し、かつ書込データを一時的に格納し書込データが一時的に格納されている間に読出データがデータパスを通り転送されることを可能とする、書込バイパス回路をさらに含む。メモリシステム中の読出データにアクセスすること、メモリシステムに書込データを提供すること、および一時的格納のためにレジスタに書込データを接続することを含む、メモリシステムのメモリ域にデータを書き込む方法が提供される。読出データが提供された後に、その書込データは、メモリバスに再接続され、メモリ域に書き込まれる。
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ポータブルデータ記憶デバイスは、USB制御装置2と、マスター制御ユニット7と、NANDフラッシュメモリデバイス9とを含む。マスター制御ユニット7は論理アドレスに書き込まれることになるデータと、論理アドレスからデータを読み出す命令を受け取る。マスター制御ユニット7はメモリアドレスマッピングテーブルを使用して、論理アドレスをメモリデバイス9中の物理アドレスに関係付け、論理アドレスに対応する物理アドレスにデータを書き込み、または物理アドレスからデータを読み出す。物理アドレス領域の異なるものが、異なる時間において論理アドレスに関係付けられるように、マッピングは間隔をあけて変更される。このことはデバイスの速度を増加させ、データが比較的頻繁に書き込まれる論理アドレスに永続的に関係付けられることによる物理アドレスの急速な劣化が起こらないことも意味する。 (もっと読む)


開示されたデータ処理システムは、メモリ手段(SDRAM)と、上記メモリ手段(SDRAM)にアクセスするため設けられた複数のデータ処理手段(IP)と、上記メモリ手段(SDRAM)と上記複数のデータ処理手段(IP)との間に接続された通信インターフェイス手段を備え、上記通信インターフェイス手段がノードのネットワーク(H11,H12,H2)を含み、各ノードがデータ処理手段(IP)または前のノードからメモリアクセス要求を受信する少なくとも1個のスレーブポート(s)と上記スレーブポート(s)で受信されたメモリアクセス要求に従って次のノードまたは上記メモリ手段(SDRAM)へメモリアクセス要求を発行する少なくとも1個のマスターポート(m)を備え、上記少なくとも1個のスレーブポート(s)が前のノードのマスターポート(m)または上記データ処理手段(IP)のうちの1台に接続され、上記少なくとも1個のマスターポート(m)が次のノードのスレーブポート(s)または上記メモリ手段(SDRAM)に接続される。
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メモリ装置16との間のデータ流に選択的に影響を与えるシステム10である。システム10は、メモリ装置16に出入りするデータを受取る第1のメカニズム24、26を備えている。第2のメカニズム18は、第1のメカニズム24、26に関連したデータレベルをしきい値と比較し、応答して信号を供給する。第3のメカニズム18、24、26はその信号に応答してデータを第1のメカニズム24、26からまたはメモリ装置16に選択的に放出する。特定の実施形態では、第1のメカニズムはデータレベル情報を提供するレベルインジケータを有するFIFOメモリバッファ24、26を備えている。第3のメカニズム18、24、26はメモリ管理装置18を備え、このメモリ管理装置18はデータレベル情報に基づいて信号を1以上のFIFOバッファ24、26にまたはメモリ装置16に供給し、これらの1以上のFIFOバッファ24、26がデータを放出し、あるいはデータをメモリ装置16から受取る。 (もっと読む)


異なるバーストをサポートする複数のバス・マスタ(12,14,16)と、異なる特性を有する複数のメモリとの間でインタフェース接続するために、動的にプリフェッチ・バッファ(30)を構成するメモリ制御装置(32)およびその方法。プリフェッチ・バッファ(30)の少なくとも一部のライン・サイズが、バス・マスタ(12,14,16)のうちの1つからの読出し要求を受信するメモリ制御装置に基づいて修正される。プリフェッチ・バッファ・ラインを最適に置換するための適応方法は、どのバッファ・ラインを置換するべきかを決定するために、優先順位順の状態(状態)フィールド情報を使用する。
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【課題】AND/NAND型フラッシュメモリにおけるデータのランダムアクセスを可能とし、データの転送効率を大幅に向上する。
【解決手段】フラッシュメモリ10へデータを書き込む際、フラッシュメモリコントローラ1は、メインバス側からのデータの読み出し要求の際、その読み出し要求にかかるデータが第1バッファ7に格納されているか否かに応じて、第1バッファ7にデータが格納されている場合は、その格納されているデータをメインバス側に出力し、該第1バッファ7にデータが格納されていない場合は、フラッシュメモリ10に対してデータ読み出しを行い、メインバス側に出力する。 (もっと読む)


【課題】ストリーミングデータのRAMへの書き込み、及びRAMからの読み出しを工夫して、RAMのコスト及びサイズ面の負担を増やさずに、ストリーミングデータの処理を効率よくするRAMの制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】RAM(ランダムアクセスメモリ)を論理的に二面分割し、読み出し及び書き込み処理をそれそれ独立させ、次ページが空いた場合、論理的分割RAMが所有するモジュールの空きを通知することにより、その内の一面にデータを書き込み、別の一面からデータを読み出しと交互に面を使用する。 (もっと読む)


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