【課題】電源遮断時データ移動動作を予め検証できるようにする。
【解決手段】実施形態によれば、ストレージ装置は、揮発性記憶媒体、不揮発性記憶媒体、補助電源、電源遮断時データ移動部及び検証部を含む。揮発性記憶媒体は、ライト要求で指定されたライトデータを一時格納する。不揮発性記憶媒体は、揮発性記憶媒体に格納されているデータを主電源の遮断に応じて不揮発性記憶媒体に移動する。検証部は、揮発性記憶媒体にデータを書き込み、前記データの書き込み完了後に主電源を遮断させ、所定時間後に主電源を再投入させ、その後に不揮発性記憶媒体から前記データを読み出し、当該読み出されたデータに基づいて、電源遮断時データ移動部の動作を検証する。 （もっと読む）

【課題】識別情報が無いストレージデバイスでもストレージデバイスを制御することが可能となる。
【解決手段】
情報処理装置とストレージデバイスとに接続されるストレージデバイスアダプタは、
前記情報処理装置と前記ストレージデバイスとのデータの送受信の制御を行う制御手段と、
前記ストレージデバイスとの結合をロックするロック手段と、
前記情報処理装置に、自身の識別情報を送信する送信手段と
を備える。 （もっと読む）

【課題】第１および第２のストレージデバイスを併用する際に、データ転送速度を常に一定とする。
【解決手段】ＣＰＵ３０１はＨＤＤ３５１におけるデータ転送速度を検出転送速度として検出して、検出転送速度に応じてＳＳＤ３５２にデータを転送するか否かを判定する。そして、ＣＰＵはＳＳＤにデータを転送すると判定すると、検出転送速度よりもデータ転送速度が速くなるようにＨＤＤおよびＳＳＤにデータを転送する割合を転送割合として決定する。ディスクコントローラ３５０は転送割合に応じてＨＤＤおよびＳＳＤにデータを転送する。 （もっと読む）

【課題】 不特定多数のプリンタ装置で一つのＳＤメモリカードを使用する場合、そのメモリカードに格納されたデータによっては、従来使用していたプリンタ装置以外では印刷できない可能性がある。
【解決手段】 記憶装置を着脱可能なデータ処理装置及びその制御方法であって、記憶装置に、自機で使用するデータを格納する第１領域と、他機と共通で使用するデータを格納する第２領域とを確保し、自機で使用するデータを第１領域に格納し、他機と共通で使用するデータを、当該他機と共通で使用可能なフォーマットで第２領域に格納する。 （もっと読む）

【課題】バスの使用効率の低下を抑止する。
【解決手段】実施形態の記憶装置は、不揮発性メモリと、記憶手段と、通知手段と、転送手段と、制御手段と、を備える。記憶手段は、データを一時的に記憶する。通知手段は、ホストに対して、記憶手段にデータを書き込む量を指定してデータの転送許可を通知する。転送手段は、ホストから転送許可に従って転送されるデータを記憶手段に転送し、記憶手段に記憶されたデータを、不揮発性メモリに書き込むために転送する。制御手段は、不揮発性メモリに書き込むために必要なデータ量が記憶手段に記憶されてから、転送手段による不揮発性メモリへのデータの転送が終了するまで、通知手段による転送許可の通知を抑止させる。 （もっと読む）

【課題】記憶媒体へのデータ転送速度を改善する技術を提供する。
【解決手段】RAIDコントローラ２（記憶制御装置）は、複数のSSD制御ユニット４（記憶媒体制御ユニット）と、論理ドライブ制御部５（ユニット統括部）と、を備えている。SSD制御ユニット４は、サイズ記憶部６（データブロックサイズ記憶部）とデバイスアクセス処理部７（入出力実行部）、最適アクセス方法評価部８（データブロックサイズ設定部）を有している。最適アクセス方法評価部８は、異なる複数のデータブロックサイズにてSSD３に対して入出力を実行すると共にその際のデータ転送速度を計測し、その計測結果に基づいてサイズ記憶部６のデータブロックサイズを設定する。 （もっと読む）

【課題】処理性能を低下させずに複数の不揮発性メモリの同時不良の発生を抑制する。
【解決手段】実施形態によれば、ストレージ装置は、書き換え可能な第１の数の不揮発性メモリと、プール生成手段及び論理ディスク生成手段を含むストレージコントローラとを具備する。プール生成手段は、グループ化手段とブロック分割手段とチャンク生成手段とを具備する。グループ化手段は第１の数の不揮発性メモリのうちの第２の数の不揮発性メモリから構成されるプールを生成し、ブロック分割手段は第２の数の不揮発性メモリの記憶領域を一定サイズのブロックに分割する。チャンク生成手段は第２の数の不揮発性メモリを対象に、第２の数未満の第３の数のブロックであって、第２の数の不揮発性メモリのうちの異なる不揮発性メモリのブロックを単位に複数のチャンクを生成する。論理ディスク生成手段は、第２の数の不揮発性メモリのチャンクを用いて論理ディスクを生成する。 （もっと読む）

【課題】 フラッシュコマンド前後のデータを区別可能とし、フラッシュコマンド後他のコマンドを受け付け可能としたメモリシステムを提供する。
【解決手段】 不揮発性メモリ１７は、データを記憶する。バッファ１５は、不揮発性メモリに書き込むべき少なくとも１つのデータを一時的に保持する。インターフェース部１３は、ホストデバイス１２からの要求を受ける。バッファ制御部１４は、バッファに保持された少なくとも１つのデータを不揮発性メモリに一括して書き込むフラッシュ要求を受ける毎にインクリメントされるカウンタ２１を有し、このカウンタ２１のカウント値に基づきバッファ１５に保持された少なくとも１つのデータを不揮発性メモリ１７に転送する。インターフェース部１３は、バッファ制御部１４がフラッシュ要求を受け付けた場合、次の要求を受け付け可能である。 （もっと読む）

【課題】増加されたデータ転送レートで、ホストコンピュータ及びハイブリッドディスクドライブ間でデータストリームを転送するための方法及びシステムを提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記憶デバイス及びフラッシュメモリデバイスを含んでいるハイブリッドデータストレージ機器にデータを格納するための方法であって、ハイブリッドデータストレージ機器をホストデバイスに接続するバスを通じてデータを受信するためのステップと、磁気記憶デバイスに関するデータをバッファする第１のバッファ及びフラッシュメモリデバイスに関するデータをバッファする第２のバッファの間で受信データを交互にバッファするためのステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】 外部に読み出されるパラメータが示すユーザー領域の総容量に含まれない拡張ユーザー領域を準備することにより、ファイルシステムのフォーマット等により、特定のデータの消去を防止可能なメモリ装置を提供する。
【解決手段】 不揮性半導体メモリ18は、第１の記憶領域18cと、第２の記憶領域18eを有する。制御部11aは、ホスト20からの第１のコマンドを受け、第１のコマンドに基づき前記第２の記憶領域の使用を許可する。制御部11aは、ホスト20からの第２のコマンドを受け、第２のコマンドに基づき第１の記憶領域の容量を示すパラメータをホストに送信し、制御部は、ホストからの第３のコマンドを受け、第３のコマンドに基づき第１の記憶領域にアクセスし、制御部は、前記第２の記憶領域の使用が許可されたとき、ホストから前記第３のコマンドを受け、第３のコマンドに基づき前記第２の領域にアクセスする。 （もっと読む）

【課題】 書き換え回数に制限のある記憶装置と制限のない他の記憶装置とを併用するような画像処理装置において、耐用年数を重ねてもできるだけ画像データを他の記憶装置へ書き込める。
【解決手段】
画像処理装置において、画像処理装置の耐用年数及び使用時間とＳＳＤに設定される書き込み回数の上限値とから画像処理装置に設定すべき書き込み回数のしきい値を算出する（Ｓ１０２）。そして、ＳＳＤに前記画像データを書き込む際に前記算出手段が算出した書き込み回数のしきい値と管理される書き込み回数とを比較してＳＳＤに対する書き込み回数が制限される状態であるかどうかを判断する（Ｓ１０５）。そして、書き込み回数が制限される状態であると判断した場合、画像データをＨＤＤに書き込むように制御する。 （もっと読む）

【課題】記憶されているユーザデータを不正な読出しから保護することができる記憶装置を得ること。
【解決手段】不揮発性半導体メモリを有する記憶装置であり、任意のホスト装置のうち、接続権限をもつ正規のホスト装置を機器認証するための第１機器認証情報及び正規のユーザを認証する第１ユーザ認証情報を予め記憶する認証情報記憶部、を備え、新たに接続された現在のホスト装置から受けた第２機器認証情報と認証情報記憶部内の第１機器認証情報とに基づいて機器認証を実行し、機器認証が失敗した場合、不揮発性半導体メモリに記憶されているユーザデータを読み出せない状態にする無効化処理を実施する。 （もっと読む）

【課題】データ処理の負荷を低減するととともにスナップショットを高速に出力する。
【解決手段】ストレージ装置は、第１の速度でデータにアクセス可能な第１の記憶部と、前記第１の速度より速い第２の速度でデータにアクセス可能な第２の記憶部とを備える。また、前記最新データ及び差分データの記憶先に関するルールを定めた割当ポリシに従って第１の記憶部又は第２の記憶部にこれらデータを記憶する。情報処理装置からスナップショットデータを作成する指示を受信した場合、ストレージ装置は、記憶されている最新のデータ及び記憶されている差分データに基づいて、スナップショットデータを生成し、情報処理装置へ出力する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリを活用して磁気ディスクを停止することにより省電力制御を行うストレージ装置において、不揮発性メモリの長寿命化及び信頼性の向上を図る。
【解決手段】マスタ磁気ディスクと、マスタ磁気ディスクとミラーリング構成されたミラー磁気ディスクと、不揮発性メモリとを備え、ミラー磁気ディスクを停止させ、ミラー磁気ディスクに書き込むデータを不揮発性メモリに書き込むように制御する停止制御を行う磁気ディスク制御手段１と、不揮発性メモリにデータを書き込む際に重複排除を行う重複排除手段２と、不揮発性メモリに書き込まれたデータ量が閾値を超えた場合に、不揮発性メモリに書き込まれたデータを抽出し、抽出したデータをミラー磁気ディスクに書き込むように制御するとともに、不揮発性メモリにおけるデータの抽出元の領域を書き込み可能にするデータ制御手段３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が劣化した不揮発性メモリをリード動作のみ可能なデバイスとして正常にホストに認識させることを可能とする。
【解決手段】外部記憶装置は、不揮発性メモリにリード動作のみを行わせるリードオンリーモードに移行させる移行条件が成立するか否かを判定し、移行条件が成立したとき、不揮発性メモリのリード動作のみをサポートするインタフェースコントローラに切り替える。ホスト装置は、外部記憶装置から取得した情報に基づき不揮発性メモリをリード動作のみ可能なリードオンリーメモリとして認識すべきか否かを判定し、リードオンリーメモリとして認識すべきと判断したとき、不揮発性メモリのリード動作のみをサポートするインタフェースドライバに切り替える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクセス性能を向上させ得るディスクアレイ装置を提案する。
【解決手段】ホスト計算機から受信したデータを格納するための複数の半導体メモリと、前記データを格納するための複数のディスク装置と、前記半導体メモリと前記ディスク装置とをＲＡＩＤ１により冗長構成し、前記半導体メモリ又は前記ディスク装置からのデータの読み出しを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記半導体メモリ及び前記ディスク装置の状態が正常状態である場合に、又は前記半導体メモリの状態が異常状態である場合であって、前記データが格納されている前記半導体メモリのデータ領域が復旧完了している場合に、前記半導体メモリから前記データを読み出し、前記半導体メモリから読み出した前記データを前記ホスト計算機に送信することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】情報漏洩を防ぐと共に、万一ウィルスデータが混入してもウィルスデータの拡散を防いだ形で、情報処理装置間のデータの受け渡しを実現する。
【解決手段】情報処理装置に接続する記憶装置において、複数の情報処理装置とデータのやりとりをするための複数の接続インタフェースと、該各接続インタフェースに対する情報処理装置の接続検知手段を備え、該接続インタフェースのいずれにも情報処理装置が接続されていない状態から、いずれかの接続インタフェースに情報処理装置が接続された際、該記憶装置の記憶領域を情報処理装置からの受け渡しデータが格納されていない空の状態に初期化する記憶領域初期化手段を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクセス性能を向上させ得るディスクアレイ装置を提案する。
【解決手段】書き込み対象のデータを書き込み対象の仮想ディスクに書き込んだときに、当該書き込み対象の仮想ディスクに割り当てられている半導体メモリの総容量を越える場合に、当該半導体メモリに書き込み対象のデータを書き込むと共に、ディスク装置に超過分の書き込み対象のデータを書き込み、半導体メモリの空き領域が形成され、ディスク装置に格納されている使用頻度が所定値以上のデータ及び／又は優先度が所定値以上のデータを半導体メモリの空き領域に移行したときに、半導体メモリの空き容量を越える場合に、当該半導体メモリに使用頻度が所定値以上のデータ及び／又は優先度が所定値以上のデータを書き込むと共に、ディスク装置に超過分の使用頻度が所定値以上のデータ及び／又は優先度が所定値以上のデータを書き込むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アクセス性能を向上させ得るディスクアレイ装置を提案する。
【解決手段】ホスト装置から受信した書き込み対象のデータを格納するための第１の半導体メモリ及び第２の半導体メモリと、前記書き込み対象のデータを格納するためのディスク装置と、前記第１の半導体メモリと前記ディスク装置とをＲＡＩＤ１により冗長構成し、前記第１の半導体メモリ又は前記ディスク装置への前記書き込み対象のデータの書き込みを制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記書き込み対象のデータを前記第１の半導体メモリ及び前記第２の半導体メモリに書き込み、前記第１の半導体メモリ及び前記第２の半導体メモリへの前記書き込み対象のデータの書き込みが完了すると、前記書き込み対象のデータの書き込みが完了した旨を前記ホスト装置に送信することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エラー訂正不能と判定された場合に、ＥＣＣ処理の再実行を効率的に行なうことを実現し、リード処理効率を向上できるデータ記憶装置を提供することにある。
【解決手段】実施形態によれば、データ記憶装置は、リードモジュールと、誤り検出訂正モジュールと、コントローラとを具備する。リードモジュールは、不揮発性メモリからアクセス対象のデータ及び当該データを特定する指定データを読み出す。誤り検出訂正モジュールは、前記リードモジュールにより読み出されたデータ及び前記指定データに対する誤り検出訂正処理を実行する。コントローラは、前記誤り検出訂正モジュールによる誤り訂正が不能である場合に、前記指定データの修正処理を実行し、修正処理後の指定データに基づいた再度の誤り検出処理を実行する。 （もっと読む）