【課題】 記憶容量に制限がある場合であっても、保存するデータ及び削除するデータの管理を適切に行うことができる電子機器等を提供する。
【解決手段】 任意のデータ量のデータが記憶される記憶領域に、第１データを格納する第１データ記憶領域と当該第１データ記憶領域から移動された第２データを格納する第２データ記憶領域とが含まれる一次記憶ＲＡＭ５０と、一次記憶ＲＡＭ５０に対するデータの記憶処理を制御する制御部４２とを備え、制御部４２は、第１データ記憶領域に格納された第１データを第２データ記憶領域に移動させる場合に、所定の条件に従って第２データ記憶領域に格納された第２データを削除すると共に、データ圧縮部４７ａを制御して移動させる第１データのデータ量を減少させ、当該データ量が減少された第１データを第２データ記憶領域に格納する。 （もっと読む）

【課題】動的ページ再配置ストレージシステム管理の方法及び装置を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、階層化ストレージ環境におけるストレージ管理のためのストレージは、異なる階層レベルを有する複数の階層に分けられたプールの中の複数のストレージボリュームであって、各階層は階層構成ルールに従って組織されており、前記ストレージシステムの複数の物理ストレージデバイスによって提供される、複数のストレージボリュームと、前記複数の物理ストレージデバイスを制御するコントローラであって、プロセッサ及びメモリを含むコントローラとを備える。階層レベルを含む階層構成ルールが変更された場合に、コントローラは、ストレージボリュームの階層の階層構成を変更する。プールが、有効であった階層構成ルールを満たさない場合に生じる、物理ストレージデバイスに対する階層レベルの変化に基づいて、コントローラは、プールを複数の仮想ボリュームに割り当てる。 （もっと読む）

【課題】メモリチップが故障した場合であっても、データを復元することが可能なデータ蓄積装置及びデータ書込み／読出し方法を提供する。
【解決手段】誤り検出部１３−１〜１３−４は、ＲＡＩＤ制御部１２からの書込みデータに対して１ページ単位で誤り検出符号を付加する。そして、メモリユニットは、誤り検出符号が付加された書込みデータを１ページ単位で半導体メモリに書き込む。また、誤り検出部１３−１〜１３−４は、読出し時には、メモリユニット１４−１〜１４−４からの読出しデータにデータ誤りがあるか否かを、誤り検出符号に基づいて行う。ＲＡＩＤ制御部１２は、データ誤りが検出された場合、誤りが検出された読出しデータを、他の読出しデータに基づいて復元する。 （もっと読む）

【課題】管理情報の保存中における性能の低下を防止できるコントローラ、データ記憶装置、及び復元方法を提供する。
【解決手段】揮発性の管理メモリ３０は、フラッシュメモリ１１の使用状態を管理する管理情報を記憶する。管理情報保存部５３は、管理情報を複数の分割片に分割し、各分割片をフラッシュメモリに個別に保存する。主制御部３２は、複数の分割片の保存中にホスト装置２から命令を受け付け、各分割片が保存される合間に命令に従ってフラッシュメモリに対するデータ処理を行い、管理情報をデータ処理の内容に応じて更新し、管理情報の更新内容を示すログを作成する。ログ保存部５１はログをフラッシュメモリに保存する。復元部５４は、フラッシュメモリに保存された複数の分割片を管理情報として管理メモリに読み出し、フラッシュメモリに保存されたログに従って管理情報を更新し、更新後の管理情報を復元する。 （もっと読む）

【課題】改良された自律的サブシステムを提供する。
【解決手段】自律的サブシステムは、ホストコントローラからダウンロードされたデータベースを受け取る。コントローラは、バストラフィック及び／又はサブシステムの割り当てられたリソースを監視し、そして監視結果に基づいて、システム性能をダイナミックに改善するようにリソースを再割り当てする。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置において、処理性能の向上が可能な制御技術を提供する。
【解決手段】命令解釈部６０は、コマンドを解釈し、セクタアドレスを抽出する。アドレス変換テーブル記憶部７０は、セクタアドレスの集合とページアドレスと管理情報とを対応付けて記憶する。特殊セクタ記憶部８０は、特殊セクタアドレスを記憶する。アドレス変換テーブル管理部６１は、コマンドがデータのアクセスを要求する場合、セクタアドレスを用いてアドレス変換テーブル記憶部７０の管理情報を参照して、ページ内に特殊セクタがあるか否かを判定する。判定結果が否定的であれば、アクセス制御部６４は、フラッシュメモリ素子にアクセスし、判定結果が肯定的であれば、特殊セクタ管理部６２は、セクタアドレスが特殊セクタアドレスとして特殊セクタ記憶部８０に記憶されているか否かを判定し、判定結果に応じて、特殊応答データ作成部６３は、応答データを作成する。 （もっと読む）

【課題】ＪＦＦＳ２（Journaling Flash File System2）の規格に基づいて一つの不揮発性メモリを共有する複数のファイルシステムを構築する際に、その構築時間の短縮を図る。
【解決手段】不揮発性メモリ１５０からデータを読み出すにあたり、第１ＣＰＵ１１０がフラッシュメモリ制御部１４０に、ＪＦＦＳ２における管理単位分のデータの読み出しを要求する。フラッシュメモリ制御部１４０は、管理単位分のデータを不揮発性メモリ１５０から読み出してマウント処理用メモリ１３０に書き込む。第１ＣＰＵ１１０及び第２ＣＰＵ１２０は、マウント処理用メモリ１３０から管理単位分のデータを読み出してファイアクセス用の管理情報の生成に必要なデータを対応するファイルシステム用メモリに書き込む。これを不揮発性メモリの先頭から最後まで全データを読み出し終えるまで繰り返す。 （もっと読む）

【課題】設定値をコピーした後の動作不具合を防止することができるＡＶ機器を提供する。
【解決手段】本発明に係るＡＶ機器は、本体電源釦（９の一部）と、前記ＡＶ機器の設定の設定値を不揮発的に記憶する記憶部（１４）と、外部（１７）から供給される前記ＡＶ機器の設定の設定値に基づいて、前記記憶部に記憶内容を更新させる制御部（１３）とを備え、外部から供給される前記ＡＶ機器の設定の設定値に基づいて前記記憶部が記憶内容を更新する際に、前記記憶部の記憶内容にかかわらない前記本体電源釦のロック解除を開始し、その後、前記本体電源釦の操作により本体電源がオフになり、更にその後、前記本体電源釦の操作により本体電源がオンになれば、前記記憶部の記憶内容にかかわらない前記本体電源釦のロック解除を終了する。 （もっと読む）

ストレージシステムが、一以上のＲＡＩＤグループを構成する複数のフラッシュパッケージと、複数のフラッシュパッケージに接続されたコントローラとを備える。各フラッシュパッケージは、複数の物理ブロックで構成された複数のフラッシュチップを有する。コントローラは、不要領域に関わる対象領域を特定し、その対象領域に属する論理ブロックに割り当てられている物理ブロックをその論理ブロックから解放し、解放された物理ブロックを空きブロックとして管理する。

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【課題】本発明の課題は、論理的に複数の分割領域に分割されたハードディスクの特定の分割領域に対するデータ処理速度を高速化することができるようにすることにある。
【解決手段】本発明に係る複合記憶装置１０は、第１記憶媒体１４１、第２記憶媒体１４２および記憶領域対応付け部１２を備える。第１記憶媒体は、記憶領域１４１ｂが論理的に複数の分割領域ＳＲ１，ＳＲ２，ＳＲ３，ＳＲ４に分割されている。第２記憶媒体は、複数の分割領域のうち少なくとも１つの分割領域の記憶容量以上の記憶容量を有している。また、この第２記憶媒体は、データ処理速度が第１記憶媒体のデータ処理速度よりも高速である。記憶領域対応付け部は、第２記憶媒体の記憶容量以下の記憶容量を有する第１記憶媒体の分割領域のうち少なくとも１つの分割領域に第２記憶媒体の記憶領域１４２ｂを対応付ける。 （もっと読む）

【課題】データを分散して記憶させる半導体メモリに対して、想定される機械的負荷及び電気的負荷を平準化させる半導体記憶装置を用いたＲＡＩＤシステムを提供する。
【解決手段】ホスト機器２００との間でデータ転送を行うＲＡＩＤシステム１００であって、複数の半導体メモリを搭載して成る複数の半導体記憶装置１０と、複数の半導体記憶装置１０間でデータを分散して記憶する際に、半導体メモリの組み合わせを選択する半導体メモリ選択部２０と、半導体メモリ選択部２０が選択した半導体メモリに対して、ホスト機器２００の要求に応じたアクセスを行うメモリ制御部３０とを具備し、半導体メモリ選択部２０は、半導体メモリの受ける機械的負荷が平均化するように、半導体メモリの組み合わせを選択する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、複数のデバイスを有する記録再生装置において、消費電力を低減することに関する。
【解決手段】
第一のデバイスは、ホスト装置との接続部を有し、ホスト装置とデータ転送を行う。また、第二のデバイスは、第一のデバイスと一時記録領域を共有し、その記録領域を介すことで、第一のデバイスと第二のデバイス間のデータ転送を行う。第二のデバイスがホスト装置とデータの転送をする場合、第一のデバイスと共有している一時記録領域と、第一のデバイスの接続部を利用することでデータ転送を行う。 （もっと読む）

【課題】キャッシュデータのバックアップ処理に要する処理時間を短縮すること。
【解決手段】記憶部１０１に記憶されているキャッシュデータの中で、予備記憶部１０２に退避させるキャッシュデータと、退避させないキャッシュデータを管理する判定テーブル１０３を設け、ＲＡＩＤ装置に停電が発生した場合に、停電処理部１０４が、判定テーブル１０３に基づいて、退避させるキャッシュデータを記憶部１０１から予備記憶部１０２に退避させる。 （もっと読む）

【課題】複数のアイテムを保存するための記憶装置および方法を提供する。
【解決手段】記憶装置は、同一のクロックサイクルで、各アイテムにアクセスするための第１アクセス要求および第２アクセス要求を受信するように構成される。前記記憶装置は、複数のアイテムのサブセットをそれぞれ保存する２つのストアを具備し、第１アクセス要求は第１ストアに送信されるとともに、第２アクセス要求は第２ストアに送信され、前記記憶装置は、要求されたアイテムがアクセスされたストアに保存されていないというミスを検出するミス検出回路３０と、アクセスがミスを起こしたアイテムを別のストアから読み出すアイテム読み出し回路と、個々のストアのアクセス履歴に従って２つのストアの各々に上書きするアイテムを選択するアップデート回路２６とを具備する。 （もっと読む）

【課題】二重化処理を低負荷かつ高速に実現することができる二重化処理装置および二重化処理制御方法を提供する。
【解決手段】二重化処理装置２０は、ホストコンピュータ１０から転送されるデータを記憶するＳＳＤ０及びＳＳＤ１を備え、コントローラ２２によって、ＳＳＤ０にデータの記憶を行った場合、コントローラ２２は、ＳＳＤ０及びＳＳＤ１の双方にデータの記憶を行った旨の通知をホストコンピュータ１０に送信する。コントローラ２２によって通知がホストコンピュータ１０に送信された後、コントローラ２２は、データをＳＳＤ０から読み出してＳＳＤ１に記憶する制御を行う。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリを記憶領域として利用するストレージシステムの管理を容易にする。
【解決手段】フラッシュメモリチップを備えるストレージシステムのコントローラは、フラッシュメモリチップの余剰容量値を管理し、パリティグループの定義または内部ＬＵの定義または論理ユニットの定義の少なくとも一つの定義に基いて、管理サーバに余剰容量値に基づく値を送信する。管理サーバは受信した余剰容量値に基く値を用いてストレージシステムの状態を表示する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性半導体メモリとメモリコントローラとの間に位置する領域であって、基板の他の領域に比較して高温になる領域の温度を測定することができる不揮発性半導体メモリドライブを提供する。
【解決手段】不揮発性半導体メモリドライブ１０は、基板１００と、基板１００上に設けられた複数の不揮発性半導体メモリと、基板１００上に設けられて複数の不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラ１０３と、メモリコントローラ１０３と不揮発性半導体メモリとの間に設けられた温度センサ１０１とを備え、メモリコントローラ１０３は、温度センサ１０１により検出された温度が規定値を超えているとき、外部からの要求に対し、複数の不揮発性半導体メモリから読み出したデータを外部に転送する際の転送速度、又は自己と複数の不揮発性半導体メモリとの間でのデータの転送速度を低下させる。 （もっと読む）

【課題】階層メモリ・アーキテクチャのためのメモリ・デバイスを提供すること。
【解決手段】異なるメモリ形式を備えた多数のインターフェースを有する階層メモリ・デバイスは、相変化メモリ（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ Ｍｅｍｏｒｙ：ＰＣＭ）を含む。入力ポート及び出力ポートが、デイジー・チェーン階層又はツリー構造において階層メモリ・デバイスを他のメモリと接続する。標準的な非階層メモリ・デバイスは、階層メモリ・デバイスの出力ポートに取り付けることもできる。 （もっと読む）

【課題】全体の信頼性を確保しつつチップ単体に許容される不良率を緩和したメモリシステムを提供すること。
【解決手段】夫々所定サイズの単位領域毎に分割管理されるｎ個の不揮発性半導体メモリのチップを有し、前記ｎ個のチップのうちの一つのチップの単位領域は前記単位領域に夫々対応付けられている他のｎ−１個のチップにおける単位領域を含む群に対する誤り訂正符号を記憶し、かつ前記誤り訂正符号を格納するチップが単位領域の位置毎に異なるメモリチップ群と、単位領域のデータを書き換えるとき、前記データの誤り訂正符号を格納している単位領域を書き換えデータの書き込み先に指定し、書き換え前のデータが格納されていた単位領域を新たな誤り訂正符号の格納先に指定するアクセス先算出部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 データの更新に伴う処理を、キャッシュメモリを制御対象とする制御部と不揮発性半導体メモリを制御対象とするメモリコントローラに分散して行うこと。
【解決手段】 フラッシュメモリ４４のデータを更新するときに、主プロセッサ１８は、XORライトコマンド１００を生成してフラッシュメモリコントローラ４２に転送し、フラッシュメモリコントローラ４２のマイクロプロセッサ４８は、XORライトコマンド１００を解析して、フラッシュメモリ４４のユーザ領域７４のページ７２から旧パリティ９６を読み出し、読み出した旧パリティ９６と、旧データである「b」のデータ７８および新データである「d」のデータ７８を用いて排他的論理和演算を行って新パリティ９８を生成し、生成した新パリティ９８をパリティ格納用フラッシュメモリ４４の更新領域７６のページ７２に格納する。 （もっと読む）