不揮発性半導体メモリドライブ
【課題】不揮発性半導体メモリとメモリコントローラとの間に位置する領域であって、基板の他の領域に比較して高温になる領域の温度を測定することができる不揮発性半導体メモリドライブを提供する。
【解決手段】不揮発性半導体メモリドライブ１０は、基板１００と、基板１００上に設けられた複数の不揮発性半導体メモリと、基板１００上に設けられて複数の不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラ１０３と、メモリコントローラ１０３と不揮発性半導体メモリとの間に設けられた温度センサ１０１とを備え、メモリコントローラ１０３は、温度センサ１０１により検出された温度が規定値を超えているとき、外部からの要求に対し、複数の不揮発性半導体メモリから読み出したデータを外部に転送する際の転送速度、又は自己と複数の不揮発性半導体メモリとの間でのデータの転送速度を低下させる。
【解決手段】不揮発性半導体メモリドライブ１０は、基板１００と、基板１００上に設けられた複数の不揮発性半導体メモリと、基板１００上に設けられて複数の不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラ１０３と、メモリコントローラ１０３と不揮発性半導体メモリとの間に設けられた温度センサ１０１とを備え、メモリコントローラ１０３は、温度センサ１０１により検出された温度が規定値を超えているとき、外部からの要求に対し、複数の不揮発性半導体メモリから読み出したデータを外部に転送する際の転送速度、又は自己と複数の不揮発性半導体メモリとの間でのデータの転送速度を低下させる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性半導体メモリドライブに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、メモリチップ、温度センサ及び温度検出回路を備えたメモリモジュールが知られ
ている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このメモリモジュールは、基板上に実装されたメモリチップと、メモリチップの温度を
測定する温度センサと、温度センサにより測定された温度と予め設定された設定温度とを
比較する温度検出回路とを備える。したがって、メモリモジュールは、温度センサにより
メモリチップの温度を測定し、その測定した温度が設定温度を超えているか否かを温度検
出回路により検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５７０６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明の目的は、不揮発性半導体メモリとメモリコントローラとの間に位置する領域であって、基板の他の領域に比較して高温になる領域の温度を測定することができる不揮発性半導体メモリドライブを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の不揮発性半導体メモリドライブは、基板と、前記基板上に設けられた複数の不揮発性半導体メモリと、前記基板上に設けられて前記複数の不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラと、前記メモリコントローラと前記複数の不揮発性半導体メモリのうち１つの前記不揮発性半導体メモリとの間に設けられた温度センサとを備え、前記メモリコントローラは、前記温度センサにより検出された温度が規定値を超えているとき、外部からの要求に対し、前記複数の不揮発性半導体メモリから読み出したデータを前記外部に転送する際の転送速度、又は自己と前記複数の不揮発性半導体メモリとの間でのデータの転送速度を低下させる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、不揮発性半導体メモリとメモリコントローラとの間に位置する領域であって、基板の他の領域に比較して高温になる領域の温度を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る情報処理装置の外観を示す概略図である。
【図２】情報処理装置の本体の内部を示す平面図である。
【図３】情報処理装置の本体の内部を示す底面図である。
【図４】情報処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図５】ＳＳＤの外観の一例を示す斜視図である。
【図６】ＳＳＤの概略構成を示すブロック図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る情報処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の第４の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の第５の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の情報処理装置の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
［第１の実施の形態］
（情報処理装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る情報処理装置の外観を示す概略図である。こ
の情報処理装置１は、本体２と、本体２に取り付けられた表示ユニット３とから構成され
ている。
【００１１】
本体２は、箱状の筐体４を有し、その筐体４は、上壁４ａ、周壁４ｂ及び下壁４ｃを備
える。筐体４の上壁４ａは、情報処理装置１を操作するユーザに近い側から順にフロント
部４０、中央部４１及びバック部４２を有する。下壁４ｃは、この情報処理装置１が置か
れる設置面に対向する。周壁４ｂは、前壁４ｂａ、後壁４ｂｂ及び左右の側壁４ｂｃ，４
ｂｄを有する。
【００１２】
フロント部４０は、ポインティングデバイスであるタッチパッド２０と、パームレスト
２１と、情報処理装置１の各部の動作に連動して点灯するＬＥＤ２２とを備える。
【００１３】
中央部４１は、文字情報等を入力可能なキーボード２３ａが取り付けられるキーボード
載置部２３を備える。
【００１４】
バック部４２は、着脱可能に取り付けられたバッテリパック２４と、バッテリパック２
４の右側に情報処理装置１の電源を投入するための電源スイッチ２５と、バッテリパック
２４の左右に表示ユニット３を回転可能に支持する一対のヒンジ部２６ａ，２６ｂとを備
える。
【００１５】
筐体４の左の側壁４ｂｃには、筐体４内から外部に対して風Ｗを排出する排出口２９が
設けられている。また、右の側壁４ｂｄには、例えば、ＤＶＤ等の光記憶媒体にデータを
読み書き可能なＯＤＤ（Optical Disc Drive）２７と、各種のカード２８０が出し入れさ
れるカードスロット２８とが配置されている。
【００１６】
筐体４は、周壁４ｂの一部及び上壁４ａを含む筐体カバーと、周壁４ｂの一部及び下壁
４ｃを含む筐体ベースとにより形成されている。筐体カバーは、筐体ベースに対して着脱
自在に組み合わされ、筐体ベースとの間に収容空間を形成する。この収容空間には、不揮
発性半導体メモリドライブとしてのＳＳＤ（Solid State Drive）１０等が収容される。
なお、ＳＳＤ１０の詳細は後述する。
【００１７】
表示ユニット３は、開口部３０ａを有するディスプレイハウジング３０と、表示画面３
１ａに画像を表示可能なＬＣＤ等からなる表示部３１とを備える。表示部３１はディスプ
レイハウジング３０に収容され、表示画面３１ａは開口部３０ａを通じてディスプレイハ
ウジング３０の外部に露出している。
【００１８】
図２は、本体２の平面図であり、図３は、本体２を下方から見た下面図である。筐体４
内のレイアウトを示すために、図２では筐体カバー５を省略し、図３では筐体ベース６を
省略している。筐体カバー５及び筐体ベース６には、複数のボス４３が設けられている。
【００１９】
筐体４内には、上述のＳＳＤ１０、バッテリパック２４、ＯＤＤ２７及びカードスロッ
ト２８の他に、メイン回路基板１１、拡張モジュール１２及びファン１３等が収容されて
いる。
【００２０】
メイン回路基板１１は、複数の電子部品が実装され、複数の電子部品が機能することに
より所定の動作を行うユニットである。また、メイン回路基板１１は、コネクタ１１０に
結合されたケーブル１１０ａを介してＳＳＤ１０に接続されるとともに、図示しないケー
ブルを介してバッテリパック２４、ＯＤＤ２７、カードスロット２８、拡張モジュール１
２及びファン１３等に接続されている。
【００２１】
ＯＤＤ２７は、筐体４内に収容されるケース２７０と、ケース２７０内に引き出し可能
に収容されるとともに光記憶媒体を載せるディスクトレイ２７１とを有する。
【００２２】
カードスロット２８は、例えば、ＰＣカードスロットやＥｘｐｒｅｓｓＣａｒｄ(登録
商標)スロット等の規格により形状が定められている。
【００２３】
拡張モジュール１２は、拡張回路基板１２０と、拡張回路基板１２０に設けられたカー
ドソケット１２１と、カードソケット１２１に挿入された拡張モジュール基板１２２とを
備える。カードソケット１２１は、例えば、Ｍｉｎｉ−ＰＣＩ等の規格に基づいており、
拡張モジュール基板１２２は、例えば、３Ｇ（3rd Generation）モジュール、テレビチュ
ーナー、ＧＰＳモジュール、及びＷｉｍａｘ(登録商標)モジュール等が挙げられる。
【００２４】
ファン１３は、筐体４内を送風に基づいて冷却する冷却部であり、筐体４内の空気を排
出口２９を介して風Ｗとして外部に排出する。
【００２５】
ＳＳＤ１０は、基板１００を備え、その基板１００が有する面１００ａには、温度セン
サ１０１、コネクタ１０２及び制御部（メモリコントローラ）１０３等が実装されている
。筐体４内において、ＳＳＤ１０は、ファン１３により筐体４内から外部にかけての風Ｗ
の上流側に制御部１０３が位置し、風Ｗの下流側に温度センサ１０１が位置するように収
容されている。
【００２６】
図４は、情報処理装置の概略構成を示すブロック図である。この情報処理装置１は、上
述のＳＳＤ１０、拡張モジュール１２、ファン１３、タッチパッド２０、キーボード２３
ａ、ＬＥＤ２２、電源スイッチ２５、ＯＤＤ２７、カードスロット２８及び表示部３１の
他に、各部を制御する組込システムであるＥＣ（Embedded Controller）１１１と、ＢＩ
ＯＳ（Basic Input Output System）１１２ａを格納するフラッシュメモリ１１２と、Ｌ
ＳＩ（Large Scale Integration）チップであり各種バス及びＩ／Ｏコントローラ（主制
御部）として機能するサウスブリッジ１１３と、ＬＳＩチップであり後述するＣＰＵ（Ce
ntral Processing Unit）１１５、ＧＰＵ（Graphic Processing Unit）１１６、メインメ
モリ１１７及び各種バスとの接続を制御するノースブリッジ１１４と、各種信号を演算処
理するＣＰＵ１１５と、映像信号を演算処理して表示制御するＧＰＵ１１６と、ＣＰＵ１
１５により読み書きされるメインメモリ１１７とを有する。
【００２７】
なお、ＥＣ１１１、フラッシュメモリ１１２、サウスブリッジ１１３、ノースブリッジ
１１４、ＣＰＵ１１５、ＧＰＵ１１６及びメインメモリ１１７は、メイン回路基板１１に
実装された電子部品である。
【００２８】
（ＳＳＤの構成）
図５は、ＳＳＤの外観の一例を示す斜視図である。このＳＳＤ１０は、面１００ａ〜１
００ｆを有する基板１００を備え、基板１００の面１００ａにそれぞれ実装された温度セ
ンサ１０１、コネクタ１０２、制御部１０３、８つのＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈ
及びＤＲＡＭ１０５を備える。このＳＳＤ１０は、データやプログラムを記憶し、電源を
供給しなくても記録が消えない外部記憶装置である。従来のハードディスクドライブのよ
うな磁気ディスクやヘッド等の駆動機構を持たないが、基板１００上に実装される８つの
ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈの記憶領域に、ＯＳ（Operating System）等のプログ
ラム、ユーザやソフトウエアの実行に基づいて作成されたデータ等を従来のハードディス
クドライブと同様に読み書き可能に長期的に保存でき、情報処理装置１の起動ドライブと
して動作することのできる不揮発性半導体メモリからなるドライブである。
【００２９】
図６は、ＳＳＤの概略構成を示すブロック図である。制御部１０３は、温度センサ１０
１、コネクタ１０２、８つのＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈ、ＤＲＡＭ１０５、及び
電源回路１０６にそれぞれ接続されている。また、制御部１０３は、コネクタ１０２を介
してホスト装置８に接続され、必要に応じて外部装置９に接続される。
【００３０】
電源７は、バッテリパック２４又は図示しないＡＣアダプタであり、例えば、ＤＣ３．
３Ｖがコネクタ１０２を介して電源回路１０６に供給される。また、電源７は、情報処理
装置１全体に対して電力を供給する。
【００３１】
ホスト装置８は、本実施の形態ではメイン回路基板１１であり、メイン回路基板１１に
実装されたサウスブリッジ１１３と制御部１０３との間が接続されている。サウスブリッ
ジ１１３と制御部１０３との間は、例えば、シリアルＡＴＡ等の規格に基づいてデータの
送受信が行われる。
【００３２】
外部装置９は、情報処理装置１とは異なる他の情報処理装置である。外部装置９は、情
報処理装置１から取り外されたＳＳＤ１０に対して、例えば、ＲＳ−２３２Ｃ等の規格に
基づいて制御部１０３に接続され、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに記憶されたデー
タを読み出す機能を有する。
【００３３】
（ＳＳＤの各部の構成）
基板１００は、例えば、１．８インチタイプ又は２．５インチタイプのＨＤＤ（Hard d
isk drive）と同等の外形サイズを有する。なお、本実施の形態では、１．８インチタイ
プと同等である。また、基板１００を筐体４に固定するための複数の貫通穴１００ｇを有
する。
【００３４】
温度センサ１０１は、基板１００上において、ともに熱源となる制御部１０３とＮＡＮ
Ｄメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈとの間に設けられている。図５の例では、温度センサ１０１
は、制御部１０３とＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈによって囲まれるように基板の中
央付近に設けられ、その位置における温度を測定する。温度センサ１０１により測定され
た測定温度は、温度情報として制御部１０３に送られる。なお、本実施の形態では、半導
体のＰＮ接合部の電圧が温度により変化する特性を利用した半導体温度センサを用いたが
、例えば、サーミスタ等の他の方式による温度センサを用いてもよい。
【００３５】
上記の位置に設けられた温度センサ１０１による測定温度は、ＳＳＤ１０が動作中の場
合は、例えば、５０℃〜６０℃であり、基板１００の他の領域に比較して１０℃程度高い
。
【００３６】
制御部１０３は、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに対する動作を制御する。具体的
には、制御部１０３は、ホスト装置８からの要求に応じて、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１
０４Ｈに対するデータの読み書きを制御する。データの転送速度は、例えば、データ読み
出し時で１００ＭＢ／Ｓｅｃ、書き込み時で４０ＭＢ／Ｓｅｃである。
【００３７】
制御部１０３は、温度センサ１０１から温度情報を一定の周期で取得し、温度情報が示
す測定温度が予め設定された規定値を超えているとき、ホスト装置に対するレスポンスを
低下させる。レスポンスを低下させる動作は、ＳＳＤ１０が有する処理能力の一部を制限
する動作として、例えば、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈから読み出したデータをホ
スト装置８に転送する際の転送速度の低下や、制御部１０３とＮＡＮＤメモリメモリ１０
４Ａ〜１０４Ｈとの間の転送速度の低下等が挙げられる。
【００３８】
また、制御部１０３は、測定温度が規定値を超えているとき、その旨を示す情報として
警告信号をホスト装置８に出力する。なお、制御部１０３は、警告信号の代わりに温度情
報自体をホスト装置８に出力してもよい。
【００３９】
また、制御部１０３は、その取得した温度情報をその取得した取得日時とともにＮＡＮ
Ｄメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈの所定のアドレスに書き込む。
【００４０】
ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、長辺と短辺からなる外形を有し、例えば、その
厚みは３ｍｍである。ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、基板１００上で非対称な配
置に実装されている。すなわち、図５の例では、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈのう
ち４つのＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｄは、長辺が略平行になるように揃えた状態で
配置され、他の４つのＮＡＮＤメモリ１０４Ｅ〜１０４Ｈは、短辺と長辺とが対向するよ
うに組み合わされた状態で配置されている。なお、ＮＡＮＤメモリは、基板１００の面１
００ｂにも実装されていてもよい。
【００４１】
ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、１つの記憶容量が、例えば、１６ＧＢの不揮発
性の半導体メモリであって、例えば、１つのメモリセルに２ビットを記録可能なＭＬＣ（
Multi Level Cell）−ＮＡＮＤメモリ（多値ＮＡＮＤメモリ）である。ＭＬＣ−ＮＡＮＤ
メモリは、ＳＬＣ（Single Level Cell）−ＮＡＮＤメモリに比較して、一般に書き換え
可能回数は劣るが、記憶容量の大容量化は容易である。また、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜
１０４Ｈは、設置された環境温度によりデータを保持可能な期間が変動する特性を有する
。
【００４２】
ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、制御部１０３の制御により書き込まれたデータ
を記憶するとともに、温度情報及び取得日時を温度履歴として記憶する。
【００４３】
ＤＲＡＭ１０５は、制御部１０３の制御によりＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに対
するデータの読み書きが行われる際に一時的にデータが格納されるバッファである。
【００４４】
コネクタ１０２は、シリアルＡＴＡ等の規格に基づいた形状を有する。なお、制御部１
０３及び電源回路１０６は、別々のコネクタによりホスト装置８及び電源７にそれぞれ接
続されていてもよい。
【００４５】
電源回路１０６は、電源７から供給されたＤＣ３．３Ｖを、例えば、ＤＣ１．８Ｖ、１
．２Ｖ等に変換するとともに、それら３種類の電圧をＳＳＤ１０の各部の駆動電圧に合わ
せて各部に供給する。
【００４６】
（第１の実施の形態の動作）
以下に、第１の実施の形態に係る情報処理装置の動作について図７のフローチャートを
参照して説明する。
【００４７】
まず、ユーザが電源スイッチ２５を押下すると、その電源スイッチ２５の押下を検出し
たＥＣ１１１は、電源７から情報処理装置１の各部に電力の供給を開始する。そして、Ｅ
Ｃ１１１は、ＢＩＯＳ１１２ａに基づいて情報処理装置１の起動を行う。
【００４８】
次に、情報処理装置１の起動が完了すると、ユーザは表示部３１の表示画面３１ａを視
認しながら、タッチパッド２０及びキーボード２３ａを用いて情報処理装置１に対する操
作を行う。
【００４９】
次に、情報処理装置１は、ユーザによる操作を受け付けると、その操作に応じて所定の
動作を行う。例えば、情報処理装置１のＣＰＵ１５が、ＳＳＤ１０に記憶されたデータを
表示部３１に表示する操作を受け付けた場合には、ＣＰＵ１１５は、ＳＳＤ１０に対して
データの読み出しを命令する。次に、ＳＳＤ１０の制御部１０３は、ＮＡＮＤメモリ１０
４Ａ〜１０４Ｈからデータを読み出し、そのデータをサウスブリッジ１１３及びノースブ
リッジ１１４を介して、ＧＰＵ１１６に送る。そして、ＧＰＵ１１６は、そのデータを表
示部３１に画像として表示する。
【００５０】
情報処理装置１が上記のような動作を行っている間、ＳＳＤ１０の温度センサ１０１は
、温度センサ１０１が設けられた位置における温度を測定する。
【００５１】
そして、制御部１０３は、温度センサ１０１による測定温度を一定の周期で温度情報と
して取得する温度監視を行う（Ｓ１０）。また、制御部１０３は、その取得した温度情報
を取得日時とともに、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈの所定のアドレスに温度履歴と
して記憶する。
【００５２】
次に、制御部１０３は、その取得した温度情報に基づいて、その測定された温度である
測定温度が規定値以上であるか否かを判定する（Ｓ１１）。
【００５３】
そして、制御部１０３が、測定温度が規定値以上でないと判定した場合には（Ｓ１１：
Ｎｏ）、ステップＳ１０に戻り、温度センサ１０１による温度の監視を継続する。一方、
制御部１０３が、測定温度が規定値以上であると判定した場合には（Ｓ１１：Ｙｅｓ）、
ホスト装置８に対して警告信号を出力する（Ｓ１２）。その警告信号を受けたホスト装置
８は、例えば、ＬＥＤ２２の点灯状態の変更や、表示部３１への警告メッセージの表示等
により、ユーザにＳＳＤ１０において測定温度が規定値以上である旨を通知する。
【００５４】
そして、制御部１０３は、ホスト装置８に対する自らのレスポンスを低下させる（Ｓ２
０）。
【００５５】
次に、制御部１０３は、測定温度が規定値以下であるか否かを判定する（Ｓ３０）。そ
して、制御部１０３は、測定温度が規定値以下でないと判定した場合には（Ｓ３０：Ｎｏ
）、ステップＳ２０に戻り、レスポンスを低下させた状態を維持する。
【００５６】
一方、制御部１０３は、測定温度が規定値以下であると判定した場合には（Ｓ３０：Ｙ
ｅｓ）、ホスト装置８に対して警告解除信号を出力する（Ｓ３１）。その警告解除信号を
受けたホスト装置８は、ＬＥＤ２２及び表示部３１等を介してユーザに警告が解除された
旨を通知する。
【００５７】
そして、制御部１０３は、ホスト装置８に対する自らのレスポンスを低下前の通常の状
態に戻す（Ｓ４０）。
【００５８】
上記した本発明の第１の実施の形態によると、温度センサ１０１を制御部１０３とＮＡ
ＮＤメモリ１０４Ｈとの間に設けたため、基板１００の他の領域に比較して高温になる領
域の温度を測定することができる。
【００５９】
また、ＳＳＤ１０の制御部１０３が、測定温度が規定値を超えているとき、ホスト装置
８に対する自らのレスポンスを低下させることにより、測定温度を規定値以下に抑制し、
ＳＳＤ１０のデータ保持期間の変動を抑制することができる。
【００６０】
また、ＳＳＤ１０の制御部１０３が、測定温度が規定値を超えているとき、警告信号を
ホスト装置８に出力するため、ホスト装置８がＳＳＤ１０において測定温度が規定値を超
えていることを認識し、その警告信号に対応した処理を行うことができる。
【００６１】
また、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに温度履歴を記憶することにより、ＳＳＤ１
０が使用された状況での環境温度を時系列的に確認することができる。なお、温度履歴は
、制御部１０３による読み出しだけでなく、例えば、ＳＳＤ１０の温度を低下させる処理
を行うにあたってサウスブリッジ１１３による読み出しも可能である。
【００６２】
［第２の実施の形態］
図８は、本発明の第２の実施の形態に係る情報処理装置の概略構成を示すブロック図で
ある。第１の実施の形態では、ＳＳＤ１０自らが測定温度を規定値以下に抑える動作を行
ったのに対し、本実施の形態では、ＳＳＤ１０に接続されたホスト装置８が、ＳＳＤ１０
から出力される温度情報に基づいて、ＳＳＤ１０を冷却する冷却動作を行うものである。
【００６３】
すなわち、この情報処理装置１は、第１の実施の形態に係る情報処理装置１と比較して
、ＣＰＵ１１５が冷却動作を制御する制御回路１１５ａを有する点において異なり、その
他の構成及び機能は同様である。
【００６４】
制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０から出力される温度情報に基づいて、冷却動作として
ファン１３の送風量を通常動作時の通常レベルよりも大きな大レベルにする。本実施の形
態では、ＳＳＤ１０から出力される温度情報は、第１の実施の形態と同様の警告信号及び
警告解除信号とするため、制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０から警告信号を受けたとき、
ファン１３の送風量を大レベルに変更し、警告解除信号を受けたとき、ファン１３の送風
量を通常レベルに変更する。なお、制御回路１１５ａは、ファン１３のオンオフを切り替
えるようにしてもよい。
【００６５】
以下に、第２の実施の形態に係る情報処理装置の動作について図９のフローチャートを
参照して説明する。
【００６６】
まず、ＳＳＤ１０の制御部１０３は、情報処理装置１が所定の動作を行っている間、温
度センサ１０１による温度監視を行う（Ｓ１０）。一方、ホスト装置８は、ユーザの要求
に応じた所定の動作を行うとともに、ファン１３の送風量を通常レベルで送風を開始する
（Ｓ１００）。
【００６７】
次に、制御部１０３は、温度センサ１０１による測定温度が規定値以上であるか否かを
判定し（Ｓ１１）、規定値以上でないと判定した場合には（Ｓ１１：Ｎｏ）、ステップＳ
１０に戻る。一方、制御部１０３が、測定温度が規定値以上であると判定した場合には（
Ｓ１１：Ｙｅｓ）、ホスト装置８に警告信号を出力する（Ｓ１２）。
【００６８】
次に、ＣＰＵ１１５の制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０からの警告信号を受けると、Ｅ
Ｃ１１１を介してファン１３の送風量を大レベルに変更する（Ｓ１０１）。
【００６９】
次に、制御部１０３は、測定温度が規定値以下であるか否かを判定し（Ｓ３０）、規定
値以下でないと判定した場合には（Ｓ３０：Ｎｏ）、ステップＳ２０に戻る。一方、制御
部１０３が、測定温度が規定値以下であると判定した場合には（Ｓ３０：Ｙｅｓ）、ホス
ト装置８に警告解除信号を出力する（Ｓ３１）。
【００７０】
そして、制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０からの警告解除信号を受けると、ＥＣ１１１
を介してファン１３の送風量を通常レベルに変更する（Ｓ１０２）。
【００７１】
上記した本発明の第２の実施の形態によると、ホスト装置８が、ＳＳＤ１０からの温度
情報に基づいてファンの送風量を制御することにより、測定温度を規定値以下に抑制し、
ＳＳＤ１０のデータ保持期間の変動を抑制することができる。
【００７２】
［第３の実施の形態］
図１０は、本発明の第３の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャート
である。本実施の形態の制御回路１１５ａは、第２の実施の形態と比較して、冷却動作と
してホスト装置８の処理能力、すなわち、クロック数を低下させる点が異なり、その他は
同様の構成及び機能を有する。
【００７３】
制御回路１１５ａは、ＣＰＵ１０５のクロック数を通常の状態にして、ホスト装置８の
動作を開始する（Ｓ１１０）。次に、制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０から警告信号を受
けると、ＣＰＵ１０５のクロック数を通常の状態より低下させる（Ｓ１１１）。そして、
制御回路１１５ａは、警告解除信号を受けると、ＣＰＵ１０５のクロック数を通常の状態
に戻す（Ｓ１１２）。
【００７４】
なお、制御回路１１５ａによるクロック数の制御は、ＣＰＵ１０５だけでなくＧＰＵ１
１６も対象にしてもよいし、ＧＰＵ１１６だけを対象にしてもよい。
【００７５】
上記した本発明の第３の実施の形態によると、ホスト装置８が、ＳＳＤ１０からの温度
情報に基づいてクロック数を制御することにより、測定温度を規定値以下に抑制し、ＳＳ
Ｄ１０のデータ保持期間の変動を抑制することができる。
【００７６】
［第４の実施の形態］
図１１は、本発明の第４の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャート
である。本実施の形態の制御回路１１５ａは、第２の実施の形態と比較して、冷却動作と
してホスト装置８をスタンバイ状態又はハイバネーション状態に移行させて、その冷却動
作によりＳＳＤ１０の冷却性が改善しないとき、シャットダウン処理を行う点が異なり、
その他は同様の構成及び機能を有する。
【００７７】
制御回路１１５ａは、ホスト装置８のシステムを通常の状態で起動し、動作を開始する
（Ｓ１２０）。次に、制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０から警告信号を受けると、ホスト
装置８をスタンバイ状態又はハイバネーション状態に移行させ、システムの動作を一旦停
止する（Ｓ１２１）。そして、制御回路１１５ａは、移行後の一定期間内に警告解除信号
を受けなかった場合には（Ｓ１２２：Ｎｏ）、ホスト装置８のシャットダウン処理を行い
、システムを終了する（Ｓ１２３）。
【００７８】
一方、制御回路１１５ａが、一定期間内に警告解除信号を受けた場合には（Ｓ１２２：
Ｎｏ）、スタンバイ状態又はハイバネーション状態から通常の状態に移行し、システムの
動作を再開する（Ｓ１２４）。
【００７９】
上記した本発明の第４の実施の形態によると、ホスト装置８が、ＳＳＤ１０からの温度
情報に基づいてシステムの状態を制御することにより、測定温度を規定値以下に抑制し、
ＳＳＤ１０のデータ保持期間の変動を抑制することができる。
【００８０】
また、ホスト装置８が、ＳＳＤ１０の冷却性が改善しないとき、シャットダウン処理を
行うため、環境温度によるＳＳＤ１０の故障を防止することができる。
【００８１】
［第５の実施の形態］
図１２は、本発明の第５の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャート
である。本実施の形態の情報処理装置は、ＳＳＤ１０が第１の実施の形態と同様に自らの
レスポンスを低下させる動作を行うとともに、ホスト装置８も第２の実施の形態と同様の
ファン１３による冷却動作を行うものである。
【００８２】
なお、制御回路１１５ａは、冷却動作としてファン１３の送風量を制御する他に、第３
及び第４の実施の形態で説明したように、クロック数及びシステムの状態を制御してもよ
いし、これら３つのうちから２つを任意に組み合わせてもよいし、３つ全てを行ってもよ
い。
【００８３】
ＳＳＤ１０の制御部１０３が、温度監視（Ｓ１０）により、測定温度が規定値以上であ
ると判定した場合には（Ｓ１１：Ｙｅｓ）、ホスト装置８に警告信号を送信する（Ｓ１２
）。また、制御部１０３は、ホスト装置８に対する自らのレスポンスを低下する（Ｓ２０
）。
【００８４】
そして、制御回路１１５ａは、警告信号を受けると、ファン１３の送風量を大レベルに
変更する（Ｓ１０１）。
【００８５】
次に、制御部１０３は、測定温度が規定値以下であるか否かを判定し（Ｓ３０）、規定
値以下であると判定した場合には（Ｓ３０：Ｙｅｓ）、ホスト装置８に警告解除信号を出
力する（Ｓ３１）。また、制御部１０３は、ホスト装置８に対して低下していた自らのレ
スポンスを低下前の通常の状態に戻す（Ｓ４０）。
【００８６】
そして、制御回路１１５ａは、警告解除信号を受けると、ファン１３の送風量を通常レ
ベルに変更する（Ｓ１０２）。
【００８７】
上記した本発明の第５の実施の形態によると、ＳＳＤ１０とホスト装置８がともに冷却
動作を行うため、より効率的にＳＳＤ１０を冷却することができる。
【００８８】
［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変
更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、第２〜第５の実施の形態に係るＣＰ
Ｕ１１５の制御回路１１５ａは、フラッシュメモリ１１２又はＳＳＤ１０に記憶されたプ
ログラムであって、ＣＰＵ１１５がそのプログラムに従って動作することにより実現する
ものでもよい。
【００８９】
また、第２〜第５の実施の形態では、ＳＳＤ１０の制御部１０３が温度監視を行ってい
たが、例えば、ＣＰＵ１１５の制御回路１１５ａが、定期的に温度センサ１０１から温度
情報を取得することにより温度監視を行うようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１…情報処理装置、２…本体、３…表示ユニット、４…筐体、４ａ…上壁、４ｂ…周壁、４ｂａ…前壁、４ｂｂ…後壁、４ｂｃ，４ｂｄ…側壁、４ｃ…下壁、５…カバー、６…筐体ベース、７…電源、８…ホスト装置、９…外部装置、１０…ＳＳＤ、１１…メイン回路基板、１２…拡張モジュール、１３…ファン、２０…タッチパッド、２１…パームレスト、２２…ＬＥＤ、２３…キーボード載置部、２３ａ…キーボード、２４…バッテリパック、２５…電源スイッチ、２６ａ，２６ｂ…ヒンジ部、２７…ＯＤＤ、２８…カードスロット、２９…排出口、３０…ディスプレイハウジング、３０ａ…開口部、３１…表示部、３１ａ…表示画面、４０…フロント部、４１…中央部、４２…バック部、４３…ボス、１００…基板、１００ａ〜１００ｆ…面、１００ｇ…貫通穴、１０１…温度センサ、１０２…コネクタ、１０３…制御部、１０４Ａ〜１０４Ｐ…ＮＡＮＤメモリ、１０４ａ…長辺、１０４ｂ…短辺、１０５，１０５Ａ，１０５Ｂ…ＤＲＡＭ、１０６…電源回路、１１０…コネクタ、１１０ａ…ケーブル、１１１…ＥＣ、１１２…フラッシュメモリ、１１２ａ…ＢＩＯＳ、１１３…サウスブリッジ、１１４…ノースブリッジ、１１５…ＣＰＵ、１１６…ＧＰＵ、１１７…メインメモリ、１２０…拡張回路基板、１２１…カードソケット、１２２…拡張モジュール基板、１３０…ヒートパイプ、２７０…ケース、２７１…ディスクトレイ、２８０…カード
【技術分野】
【０００１】
本発明は、不揮発性半導体メモリドライブに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、メモリチップ、温度センサ及び温度検出回路を備えたメモリモジュールが知られ
ている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
このメモリモジュールは、基板上に実装されたメモリチップと、メモリチップの温度を
測定する温度センサと、温度センサにより測定された温度と予め設定された設定温度とを
比較する温度検出回路とを備える。したがって、メモリモジュールは、温度センサにより
メモリチップの温度を測定し、その測定した温度が設定温度を超えているか否かを温度検
出回路により検出することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５７０６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従って、本発明の目的は、不揮発性半導体メモリとメモリコントローラとの間に位置する領域であって、基板の他の領域に比較して高温になる領域の温度を測定することができる不揮発性半導体メモリドライブを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の不揮発性半導体メモリドライブは、基板と、前記基板上に設けられた複数の不揮発性半導体メモリと、前記基板上に設けられて前記複数の不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラと、前記メモリコントローラと前記複数の不揮発性半導体メモリのうち１つの前記不揮発性半導体メモリとの間に設けられた温度センサとを備え、前記メモリコントローラは、前記温度センサにより検出された温度が規定値を超えているとき、外部からの要求に対し、前記複数の不揮発性半導体メモリから読み出したデータを前記外部に転送する際の転送速度、又は自己と前記複数の不揮発性半導体メモリとの間でのデータの転送速度を低下させる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、不揮発性半導体メモリとメモリコントローラとの間に位置する領域であって、基板の他の領域に比較して高温になる領域の温度を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る情報処理装置の外観を示す概略図である。
【図２】情報処理装置の本体の内部を示す平面図である。
【図３】情報処理装置の本体の内部を示す底面図である。
【図４】情報処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図５】ＳＳＤの外観の一例を示す斜視図である。
【図６】ＳＳＤの概略構成を示すブロック図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る情報処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の第４の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
【図１２】本発明の第５の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明の情報処理装置の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
［第１の実施の形態］
（情報処理装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る情報処理装置の外観を示す概略図である。こ
の情報処理装置１は、本体２と、本体２に取り付けられた表示ユニット３とから構成され
ている。
【００１１】
本体２は、箱状の筐体４を有し、その筐体４は、上壁４ａ、周壁４ｂ及び下壁４ｃを備
える。筐体４の上壁４ａは、情報処理装置１を操作するユーザに近い側から順にフロント
部４０、中央部４１及びバック部４２を有する。下壁４ｃは、この情報処理装置１が置か
れる設置面に対向する。周壁４ｂは、前壁４ｂａ、後壁４ｂｂ及び左右の側壁４ｂｃ，４
ｂｄを有する。
【００１２】
フロント部４０は、ポインティングデバイスであるタッチパッド２０と、パームレスト
２１と、情報処理装置１の各部の動作に連動して点灯するＬＥＤ２２とを備える。
【００１３】
中央部４１は、文字情報等を入力可能なキーボード２３ａが取り付けられるキーボード
載置部２３を備える。
【００１４】
バック部４２は、着脱可能に取り付けられたバッテリパック２４と、バッテリパック２
４の右側に情報処理装置１の電源を投入するための電源スイッチ２５と、バッテリパック
２４の左右に表示ユニット３を回転可能に支持する一対のヒンジ部２６ａ，２６ｂとを備
える。
【００１５】
筐体４の左の側壁４ｂｃには、筐体４内から外部に対して風Ｗを排出する排出口２９が
設けられている。また、右の側壁４ｂｄには、例えば、ＤＶＤ等の光記憶媒体にデータを
読み書き可能なＯＤＤ（Optical Disc Drive）２７と、各種のカード２８０が出し入れさ
れるカードスロット２８とが配置されている。
【００１６】
筐体４は、周壁４ｂの一部及び上壁４ａを含む筐体カバーと、周壁４ｂの一部及び下壁
４ｃを含む筐体ベースとにより形成されている。筐体カバーは、筐体ベースに対して着脱
自在に組み合わされ、筐体ベースとの間に収容空間を形成する。この収容空間には、不揮
発性半導体メモリドライブとしてのＳＳＤ（Solid State Drive）１０等が収容される。
なお、ＳＳＤ１０の詳細は後述する。
【００１７】
表示ユニット３は、開口部３０ａを有するディスプレイハウジング３０と、表示画面３
１ａに画像を表示可能なＬＣＤ等からなる表示部３１とを備える。表示部３１はディスプ
レイハウジング３０に収容され、表示画面３１ａは開口部３０ａを通じてディスプレイハ
ウジング３０の外部に露出している。
【００１８】
図２は、本体２の平面図であり、図３は、本体２を下方から見た下面図である。筐体４
内のレイアウトを示すために、図２では筐体カバー５を省略し、図３では筐体ベース６を
省略している。筐体カバー５及び筐体ベース６には、複数のボス４３が設けられている。
【００１９】
筐体４内には、上述のＳＳＤ１０、バッテリパック２４、ＯＤＤ２７及びカードスロッ
ト２８の他に、メイン回路基板１１、拡張モジュール１２及びファン１３等が収容されて
いる。
【００２０】
メイン回路基板１１は、複数の電子部品が実装され、複数の電子部品が機能することに
より所定の動作を行うユニットである。また、メイン回路基板１１は、コネクタ１１０に
結合されたケーブル１１０ａを介してＳＳＤ１０に接続されるとともに、図示しないケー
ブルを介してバッテリパック２４、ＯＤＤ２７、カードスロット２８、拡張モジュール１
２及びファン１３等に接続されている。
【００２１】
ＯＤＤ２７は、筐体４内に収容されるケース２７０と、ケース２７０内に引き出し可能
に収容されるとともに光記憶媒体を載せるディスクトレイ２７１とを有する。
【００２２】
カードスロット２８は、例えば、ＰＣカードスロットやＥｘｐｒｅｓｓＣａｒｄ(登録
商標)スロット等の規格により形状が定められている。
【００２３】
拡張モジュール１２は、拡張回路基板１２０と、拡張回路基板１２０に設けられたカー
ドソケット１２１と、カードソケット１２１に挿入された拡張モジュール基板１２２とを
備える。カードソケット１２１は、例えば、Ｍｉｎｉ−ＰＣＩ等の規格に基づいており、
拡張モジュール基板１２２は、例えば、３Ｇ（3rd Generation）モジュール、テレビチュ
ーナー、ＧＰＳモジュール、及びＷｉｍａｘ(登録商標)モジュール等が挙げられる。
【００２４】
ファン１３は、筐体４内を送風に基づいて冷却する冷却部であり、筐体４内の空気を排
出口２９を介して風Ｗとして外部に排出する。
【００２５】
ＳＳＤ１０は、基板１００を備え、その基板１００が有する面１００ａには、温度セン
サ１０１、コネクタ１０２及び制御部（メモリコントローラ）１０３等が実装されている
。筐体４内において、ＳＳＤ１０は、ファン１３により筐体４内から外部にかけての風Ｗ
の上流側に制御部１０３が位置し、風Ｗの下流側に温度センサ１０１が位置するように収
容されている。
【００２６】
図４は、情報処理装置の概略構成を示すブロック図である。この情報処理装置１は、上
述のＳＳＤ１０、拡張モジュール１２、ファン１３、タッチパッド２０、キーボード２３
ａ、ＬＥＤ２２、電源スイッチ２５、ＯＤＤ２７、カードスロット２８及び表示部３１の
他に、各部を制御する組込システムであるＥＣ（Embedded Controller）１１１と、ＢＩ
ＯＳ（Basic Input Output System）１１２ａを格納するフラッシュメモリ１１２と、Ｌ
ＳＩ（Large Scale Integration）チップであり各種バス及びＩ／Ｏコントローラ（主制
御部）として機能するサウスブリッジ１１３と、ＬＳＩチップであり後述するＣＰＵ（Ce
ntral Processing Unit）１１５、ＧＰＵ（Graphic Processing Unit）１１６、メインメ
モリ１１７及び各種バスとの接続を制御するノースブリッジ１１４と、各種信号を演算処
理するＣＰＵ１１５と、映像信号を演算処理して表示制御するＧＰＵ１１６と、ＣＰＵ１
１５により読み書きされるメインメモリ１１７とを有する。
【００２７】
なお、ＥＣ１１１、フラッシュメモリ１１２、サウスブリッジ１１３、ノースブリッジ
１１４、ＣＰＵ１１５、ＧＰＵ１１６及びメインメモリ１１７は、メイン回路基板１１に
実装された電子部品である。
【００２８】
（ＳＳＤの構成）
図５は、ＳＳＤの外観の一例を示す斜視図である。このＳＳＤ１０は、面１００ａ〜１
００ｆを有する基板１００を備え、基板１００の面１００ａにそれぞれ実装された温度セ
ンサ１０１、コネクタ１０２、制御部１０３、８つのＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈ
及びＤＲＡＭ１０５を備える。このＳＳＤ１０は、データやプログラムを記憶し、電源を
供給しなくても記録が消えない外部記憶装置である。従来のハードディスクドライブのよ
うな磁気ディスクやヘッド等の駆動機構を持たないが、基板１００上に実装される８つの
ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈの記憶領域に、ＯＳ（Operating System）等のプログ
ラム、ユーザやソフトウエアの実行に基づいて作成されたデータ等を従来のハードディス
クドライブと同様に読み書き可能に長期的に保存でき、情報処理装置１の起動ドライブと
して動作することのできる不揮発性半導体メモリからなるドライブである。
【００２９】
図６は、ＳＳＤの概略構成を示すブロック図である。制御部１０３は、温度センサ１０
１、コネクタ１０２、８つのＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈ、ＤＲＡＭ１０５、及び
電源回路１０６にそれぞれ接続されている。また、制御部１０３は、コネクタ１０２を介
してホスト装置８に接続され、必要に応じて外部装置９に接続される。
【００３０】
電源７は、バッテリパック２４又は図示しないＡＣアダプタであり、例えば、ＤＣ３．
３Ｖがコネクタ１０２を介して電源回路１０６に供給される。また、電源７は、情報処理
装置１全体に対して電力を供給する。
【００３１】
ホスト装置８は、本実施の形態ではメイン回路基板１１であり、メイン回路基板１１に
実装されたサウスブリッジ１１３と制御部１０３との間が接続されている。サウスブリッ
ジ１１３と制御部１０３との間は、例えば、シリアルＡＴＡ等の規格に基づいてデータの
送受信が行われる。
【００３２】
外部装置９は、情報処理装置１とは異なる他の情報処理装置である。外部装置９は、情
報処理装置１から取り外されたＳＳＤ１０に対して、例えば、ＲＳ−２３２Ｃ等の規格に
基づいて制御部１０３に接続され、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに記憶されたデー
タを読み出す機能を有する。
【００３３】
（ＳＳＤの各部の構成）
基板１００は、例えば、１．８インチタイプ又は２．５インチタイプのＨＤＤ（Hard d
isk drive）と同等の外形サイズを有する。なお、本実施の形態では、１．８インチタイ
プと同等である。また、基板１００を筐体４に固定するための複数の貫通穴１００ｇを有
する。
【００３４】
温度センサ１０１は、基板１００上において、ともに熱源となる制御部１０３とＮＡＮ
Ｄメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈとの間に設けられている。図５の例では、温度センサ１０１
は、制御部１０３とＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈによって囲まれるように基板の中
央付近に設けられ、その位置における温度を測定する。温度センサ１０１により測定され
た測定温度は、温度情報として制御部１０３に送られる。なお、本実施の形態では、半導
体のＰＮ接合部の電圧が温度により変化する特性を利用した半導体温度センサを用いたが
、例えば、サーミスタ等の他の方式による温度センサを用いてもよい。
【００３５】
上記の位置に設けられた温度センサ１０１による測定温度は、ＳＳＤ１０が動作中の場
合は、例えば、５０℃〜６０℃であり、基板１００の他の領域に比較して１０℃程度高い
。
【００３６】
制御部１０３は、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに対する動作を制御する。具体的
には、制御部１０３は、ホスト装置８からの要求に応じて、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１
０４Ｈに対するデータの読み書きを制御する。データの転送速度は、例えば、データ読み
出し時で１００ＭＢ／Ｓｅｃ、書き込み時で４０ＭＢ／Ｓｅｃである。
【００３７】
制御部１０３は、温度センサ１０１から温度情報を一定の周期で取得し、温度情報が示
す測定温度が予め設定された規定値を超えているとき、ホスト装置に対するレスポンスを
低下させる。レスポンスを低下させる動作は、ＳＳＤ１０が有する処理能力の一部を制限
する動作として、例えば、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈから読み出したデータをホ
スト装置８に転送する際の転送速度の低下や、制御部１０３とＮＡＮＤメモリメモリ１０
４Ａ〜１０４Ｈとの間の転送速度の低下等が挙げられる。
【００３８】
また、制御部１０３は、測定温度が規定値を超えているとき、その旨を示す情報として
警告信号をホスト装置８に出力する。なお、制御部１０３は、警告信号の代わりに温度情
報自体をホスト装置８に出力してもよい。
【００３９】
また、制御部１０３は、その取得した温度情報をその取得した取得日時とともにＮＡＮ
Ｄメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈの所定のアドレスに書き込む。
【００４０】
ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、長辺と短辺からなる外形を有し、例えば、その
厚みは３ｍｍである。ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、基板１００上で非対称な配
置に実装されている。すなわち、図５の例では、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈのう
ち４つのＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｄは、長辺が略平行になるように揃えた状態で
配置され、他の４つのＮＡＮＤメモリ１０４Ｅ〜１０４Ｈは、短辺と長辺とが対向するよ
うに組み合わされた状態で配置されている。なお、ＮＡＮＤメモリは、基板１００の面１
００ｂにも実装されていてもよい。
【００４１】
ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、１つの記憶容量が、例えば、１６ＧＢの不揮発
性の半導体メモリであって、例えば、１つのメモリセルに２ビットを記録可能なＭＬＣ（
Multi Level Cell）−ＮＡＮＤメモリ（多値ＮＡＮＤメモリ）である。ＭＬＣ−ＮＡＮＤ
メモリは、ＳＬＣ（Single Level Cell）−ＮＡＮＤメモリに比較して、一般に書き換え
可能回数は劣るが、記憶容量の大容量化は容易である。また、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜
１０４Ｈは、設置された環境温度によりデータを保持可能な期間が変動する特性を有する
。
【００４２】
ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈは、制御部１０３の制御により書き込まれたデータ
を記憶するとともに、温度情報及び取得日時を温度履歴として記憶する。
【００４３】
ＤＲＡＭ１０５は、制御部１０３の制御によりＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに対
するデータの読み書きが行われる際に一時的にデータが格納されるバッファである。
【００４４】
コネクタ１０２は、シリアルＡＴＡ等の規格に基づいた形状を有する。なお、制御部１
０３及び電源回路１０６は、別々のコネクタによりホスト装置８及び電源７にそれぞれ接
続されていてもよい。
【００４５】
電源回路１０６は、電源７から供給されたＤＣ３．３Ｖを、例えば、ＤＣ１．８Ｖ、１
．２Ｖ等に変換するとともに、それら３種類の電圧をＳＳＤ１０の各部の駆動電圧に合わ
せて各部に供給する。
【００４６】
（第１の実施の形態の動作）
以下に、第１の実施の形態に係る情報処理装置の動作について図７のフローチャートを
参照して説明する。
【００４７】
まず、ユーザが電源スイッチ２５を押下すると、その電源スイッチ２５の押下を検出し
たＥＣ１１１は、電源７から情報処理装置１の各部に電力の供給を開始する。そして、Ｅ
Ｃ１１１は、ＢＩＯＳ１１２ａに基づいて情報処理装置１の起動を行う。
【００４８】
次に、情報処理装置１の起動が完了すると、ユーザは表示部３１の表示画面３１ａを視
認しながら、タッチパッド２０及びキーボード２３ａを用いて情報処理装置１に対する操
作を行う。
【００４９】
次に、情報処理装置１は、ユーザによる操作を受け付けると、その操作に応じて所定の
動作を行う。例えば、情報処理装置１のＣＰＵ１５が、ＳＳＤ１０に記憶されたデータを
表示部３１に表示する操作を受け付けた場合には、ＣＰＵ１１５は、ＳＳＤ１０に対して
データの読み出しを命令する。次に、ＳＳＤ１０の制御部１０３は、ＮＡＮＤメモリ１０
４Ａ〜１０４Ｈからデータを読み出し、そのデータをサウスブリッジ１１３及びノースブ
リッジ１１４を介して、ＧＰＵ１１６に送る。そして、ＧＰＵ１１６は、そのデータを表
示部３１に画像として表示する。
【００５０】
情報処理装置１が上記のような動作を行っている間、ＳＳＤ１０の温度センサ１０１は
、温度センサ１０１が設けられた位置における温度を測定する。
【００５１】
そして、制御部１０３は、温度センサ１０１による測定温度を一定の周期で温度情報と
して取得する温度監視を行う（Ｓ１０）。また、制御部１０３は、その取得した温度情報
を取得日時とともに、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈの所定のアドレスに温度履歴と
して記憶する。
【００５２】
次に、制御部１０３は、その取得した温度情報に基づいて、その測定された温度である
測定温度が規定値以上であるか否かを判定する（Ｓ１１）。
【００５３】
そして、制御部１０３が、測定温度が規定値以上でないと判定した場合には（Ｓ１１：
Ｎｏ）、ステップＳ１０に戻り、温度センサ１０１による温度の監視を継続する。一方、
制御部１０３が、測定温度が規定値以上であると判定した場合には（Ｓ１１：Ｙｅｓ）、
ホスト装置８に対して警告信号を出力する（Ｓ１２）。その警告信号を受けたホスト装置
８は、例えば、ＬＥＤ２２の点灯状態の変更や、表示部３１への警告メッセージの表示等
により、ユーザにＳＳＤ１０において測定温度が規定値以上である旨を通知する。
【００５４】
そして、制御部１０３は、ホスト装置８に対する自らのレスポンスを低下させる（Ｓ２
０）。
【００５５】
次に、制御部１０３は、測定温度が規定値以下であるか否かを判定する（Ｓ３０）。そ
して、制御部１０３は、測定温度が規定値以下でないと判定した場合には（Ｓ３０：Ｎｏ
）、ステップＳ２０に戻り、レスポンスを低下させた状態を維持する。
【００５６】
一方、制御部１０３は、測定温度が規定値以下であると判定した場合には（Ｓ３０：Ｙ
ｅｓ）、ホスト装置８に対して警告解除信号を出力する（Ｓ３１）。その警告解除信号を
受けたホスト装置８は、ＬＥＤ２２及び表示部３１等を介してユーザに警告が解除された
旨を通知する。
【００５７】
そして、制御部１０３は、ホスト装置８に対する自らのレスポンスを低下前の通常の状
態に戻す（Ｓ４０）。
【００５８】
上記した本発明の第１の実施の形態によると、温度センサ１０１を制御部１０３とＮＡ
ＮＤメモリ１０４Ｈとの間に設けたため、基板１００の他の領域に比較して高温になる領
域の温度を測定することができる。
【００５９】
また、ＳＳＤ１０の制御部１０３が、測定温度が規定値を超えているとき、ホスト装置
８に対する自らのレスポンスを低下させることにより、測定温度を規定値以下に抑制し、
ＳＳＤ１０のデータ保持期間の変動を抑制することができる。
【００６０】
また、ＳＳＤ１０の制御部１０３が、測定温度が規定値を超えているとき、警告信号を
ホスト装置８に出力するため、ホスト装置８がＳＳＤ１０において測定温度が規定値を超
えていることを認識し、その警告信号に対応した処理を行うことができる。
【００６１】
また、ＮＡＮＤメモリ１０４Ａ〜１０４Ｈに温度履歴を記憶することにより、ＳＳＤ１
０が使用された状況での環境温度を時系列的に確認することができる。なお、温度履歴は
、制御部１０３による読み出しだけでなく、例えば、ＳＳＤ１０の温度を低下させる処理
を行うにあたってサウスブリッジ１１３による読み出しも可能である。
【００６２】
［第２の実施の形態］
図８は、本発明の第２の実施の形態に係る情報処理装置の概略構成を示すブロック図で
ある。第１の実施の形態では、ＳＳＤ１０自らが測定温度を規定値以下に抑える動作を行
ったのに対し、本実施の形態では、ＳＳＤ１０に接続されたホスト装置８が、ＳＳＤ１０
から出力される温度情報に基づいて、ＳＳＤ１０を冷却する冷却動作を行うものである。
【００６３】
すなわち、この情報処理装置１は、第１の実施の形態に係る情報処理装置１と比較して
、ＣＰＵ１１５が冷却動作を制御する制御回路１１５ａを有する点において異なり、その
他の構成及び機能は同様である。
【００６４】
制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０から出力される温度情報に基づいて、冷却動作として
ファン１３の送風量を通常動作時の通常レベルよりも大きな大レベルにする。本実施の形
態では、ＳＳＤ１０から出力される温度情報は、第１の実施の形態と同様の警告信号及び
警告解除信号とするため、制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０から警告信号を受けたとき、
ファン１３の送風量を大レベルに変更し、警告解除信号を受けたとき、ファン１３の送風
量を通常レベルに変更する。なお、制御回路１１５ａは、ファン１３のオンオフを切り替
えるようにしてもよい。
【００６５】
以下に、第２の実施の形態に係る情報処理装置の動作について図９のフローチャートを
参照して説明する。
【００６６】
まず、ＳＳＤ１０の制御部１０３は、情報処理装置１が所定の動作を行っている間、温
度センサ１０１による温度監視を行う（Ｓ１０）。一方、ホスト装置８は、ユーザの要求
に応じた所定の動作を行うとともに、ファン１３の送風量を通常レベルで送風を開始する
（Ｓ１００）。
【００６７】
次に、制御部１０３は、温度センサ１０１による測定温度が規定値以上であるか否かを
判定し（Ｓ１１）、規定値以上でないと判定した場合には（Ｓ１１：Ｎｏ）、ステップＳ
１０に戻る。一方、制御部１０３が、測定温度が規定値以上であると判定した場合には（
Ｓ１１：Ｙｅｓ）、ホスト装置８に警告信号を出力する（Ｓ１２）。
【００６８】
次に、ＣＰＵ１１５の制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０からの警告信号を受けると、Ｅ
Ｃ１１１を介してファン１３の送風量を大レベルに変更する（Ｓ１０１）。
【００６９】
次に、制御部１０３は、測定温度が規定値以下であるか否かを判定し（Ｓ３０）、規定
値以下でないと判定した場合には（Ｓ３０：Ｎｏ）、ステップＳ２０に戻る。一方、制御
部１０３が、測定温度が規定値以下であると判定した場合には（Ｓ３０：Ｙｅｓ）、ホス
ト装置８に警告解除信号を出力する（Ｓ３１）。
【００７０】
そして、制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０からの警告解除信号を受けると、ＥＣ１１１
を介してファン１３の送風量を通常レベルに変更する（Ｓ１０２）。
【００７１】
上記した本発明の第２の実施の形態によると、ホスト装置８が、ＳＳＤ１０からの温度
情報に基づいてファンの送風量を制御することにより、測定温度を規定値以下に抑制し、
ＳＳＤ１０のデータ保持期間の変動を抑制することができる。
【００７２】
［第３の実施の形態］
図１０は、本発明の第３の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャート
である。本実施の形態の制御回路１１５ａは、第２の実施の形態と比較して、冷却動作と
してホスト装置８の処理能力、すなわち、クロック数を低下させる点が異なり、その他は
同様の構成及び機能を有する。
【００７３】
制御回路１１５ａは、ＣＰＵ１０５のクロック数を通常の状態にして、ホスト装置８の
動作を開始する（Ｓ１１０）。次に、制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０から警告信号を受
けると、ＣＰＵ１０５のクロック数を通常の状態より低下させる（Ｓ１１１）。そして、
制御回路１１５ａは、警告解除信号を受けると、ＣＰＵ１０５のクロック数を通常の状態
に戻す（Ｓ１１２）。
【００７４】
なお、制御回路１１５ａによるクロック数の制御は、ＣＰＵ１０５だけでなくＧＰＵ１
１６も対象にしてもよいし、ＧＰＵ１１６だけを対象にしてもよい。
【００７５】
上記した本発明の第３の実施の形態によると、ホスト装置８が、ＳＳＤ１０からの温度
情報に基づいてクロック数を制御することにより、測定温度を規定値以下に抑制し、ＳＳ
Ｄ１０のデータ保持期間の変動を抑制することができる。
【００７６】
［第４の実施の形態］
図１１は、本発明の第４の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャート
である。本実施の形態の制御回路１１５ａは、第２の実施の形態と比較して、冷却動作と
してホスト装置８をスタンバイ状態又はハイバネーション状態に移行させて、その冷却動
作によりＳＳＤ１０の冷却性が改善しないとき、シャットダウン処理を行う点が異なり、
その他は同様の構成及び機能を有する。
【００７７】
制御回路１１５ａは、ホスト装置８のシステムを通常の状態で起動し、動作を開始する
（Ｓ１２０）。次に、制御回路１１５ａは、ＳＳＤ１０から警告信号を受けると、ホスト
装置８をスタンバイ状態又はハイバネーション状態に移行させ、システムの動作を一旦停
止する（Ｓ１２１）。そして、制御回路１１５ａは、移行後の一定期間内に警告解除信号
を受けなかった場合には（Ｓ１２２：Ｎｏ）、ホスト装置８のシャットダウン処理を行い
、システムを終了する（Ｓ１２３）。
【００７８】
一方、制御回路１１５ａが、一定期間内に警告解除信号を受けた場合には（Ｓ１２２：
Ｎｏ）、スタンバイ状態又はハイバネーション状態から通常の状態に移行し、システムの
動作を再開する（Ｓ１２４）。
【００７９】
上記した本発明の第４の実施の形態によると、ホスト装置８が、ＳＳＤ１０からの温度
情報に基づいてシステムの状態を制御することにより、測定温度を規定値以下に抑制し、
ＳＳＤ１０のデータ保持期間の変動を抑制することができる。
【００８０】
また、ホスト装置８が、ＳＳＤ１０の冷却性が改善しないとき、シャットダウン処理を
行うため、環境温度によるＳＳＤ１０の故障を防止することができる。
【００８１】
［第５の実施の形態］
図１２は、本発明の第５の実施の形態に係る情報処理装置の動作を示すフローチャート
である。本実施の形態の情報処理装置は、ＳＳＤ１０が第１の実施の形態と同様に自らの
レスポンスを低下させる動作を行うとともに、ホスト装置８も第２の実施の形態と同様の
ファン１３による冷却動作を行うものである。
【００８２】
なお、制御回路１１５ａは、冷却動作としてファン１３の送風量を制御する他に、第３
及び第４の実施の形態で説明したように、クロック数及びシステムの状態を制御してもよ
いし、これら３つのうちから２つを任意に組み合わせてもよいし、３つ全てを行ってもよ
い。
【００８３】
ＳＳＤ１０の制御部１０３が、温度監視（Ｓ１０）により、測定温度が規定値以上であ
ると判定した場合には（Ｓ１１：Ｙｅｓ）、ホスト装置８に警告信号を送信する（Ｓ１２
）。また、制御部１０３は、ホスト装置８に対する自らのレスポンスを低下する（Ｓ２０
）。
【００８４】
そして、制御回路１１５ａは、警告信号を受けると、ファン１３の送風量を大レベルに
変更する（Ｓ１０１）。
【００８５】
次に、制御部１０３は、測定温度が規定値以下であるか否かを判定し（Ｓ３０）、規定
値以下であると判定した場合には（Ｓ３０：Ｙｅｓ）、ホスト装置８に警告解除信号を出
力する（Ｓ３１）。また、制御部１０３は、ホスト装置８に対して低下していた自らのレ
スポンスを低下前の通常の状態に戻す（Ｓ４０）。
【００８６】
そして、制御回路１１５ａは、警告解除信号を受けると、ファン１３の送風量を通常レ
ベルに変更する（Ｓ１０２）。
【００８７】
上記した本発明の第５の実施の形態によると、ＳＳＤ１０とホスト装置８がともに冷却
動作を行うため、より効率的にＳＳＤ１０を冷却することができる。
【００８８】
［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変
更しない範囲内で種々な変形が可能である。例えば、第２〜第５の実施の形態に係るＣＰ
Ｕ１１５の制御回路１１５ａは、フラッシュメモリ１１２又はＳＳＤ１０に記憶されたプ
ログラムであって、ＣＰＵ１１５がそのプログラムに従って動作することにより実現する
ものでもよい。
【００８９】
また、第２〜第５の実施の形態では、ＳＳＤ１０の制御部１０３が温度監視を行ってい
たが、例えば、ＣＰＵ１１５の制御回路１１５ａが、定期的に温度センサ１０１から温度
情報を取得することにより温度監視を行うようにしてもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１…情報処理装置、２…本体、３…表示ユニット、４…筐体、４ａ…上壁、４ｂ…周壁、４ｂａ…前壁、４ｂｂ…後壁、４ｂｃ，４ｂｄ…側壁、４ｃ…下壁、５…カバー、６…筐体ベース、７…電源、８…ホスト装置、９…外部装置、１０…ＳＳＤ、１１…メイン回路基板、１２…拡張モジュール、１３…ファン、２０…タッチパッド、２１…パームレスト、２２…ＬＥＤ、２３…キーボード載置部、２３ａ…キーボード、２４…バッテリパック、２５…電源スイッチ、２６ａ，２６ｂ…ヒンジ部、２７…ＯＤＤ、２８…カードスロット、２９…排出口、３０…ディスプレイハウジング、３０ａ…開口部、３１…表示部、３１ａ…表示画面、４０…フロント部、４１…中央部、４２…バック部、４３…ボス、１００…基板、１００ａ〜１００ｆ…面、１００ｇ…貫通穴、１０１…温度センサ、１０２…コネクタ、１０３…制御部、１０４Ａ〜１０４Ｐ…ＮＡＮＤメモリ、１０４ａ…長辺、１０４ｂ…短辺、１０５，１０５Ａ，１０５Ｂ…ＤＲＡＭ、１０６…電源回路、１１０…コネクタ、１１０ａ…ケーブル、１１１…ＥＣ、１１２…フラッシュメモリ、１１２ａ…ＢＩＯＳ、１１３…サウスブリッジ、１１４…ノースブリッジ、１１５…ＣＰＵ、１１６…ＧＰＵ、１１７…メインメモリ、１２０…拡張回路基板、１２１…カードソケット、１２２…拡張モジュール基板、１３０…ヒートパイプ、２７０…ケース、２７１…ディスクトレイ、２８０…カード
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた複数の不揮発性半導体メモリと、
前記基板上に設けられて前記複数の不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラと、
前記メモリコントローラと前記複数の不揮発性半導体メモリのうち１つの前記不揮発性半導体メモリとの間に設けられた温度センサとを備え、
前記メモリコントローラは、前記温度センサにより検出された温度が規定値を超えているとき、外部からの要求に対し、前記複数の不揮発性半導体メモリから読み出したデータを前記外部に転送する際の転送速度、又は自己と前記複数の不揮発性半導体メモリとの間でのデータの転送速度を低下させることを特徴とする不揮発性半導体メモリドライブ
【請求項２】
前記複数の不揮発性半導体メモリは、それぞれ多値ＮＡＮＤメモリである請求項１に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
【請求項３】
前記メモリコントローラは、前記温度センサにより検出された前記温度を前記外部に出力する請求項２又は３に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
【請求項４】
前記メモリコントローラは、前記温度センサにより検出された前記温度を温度履歴として前記不揮発性半導体メモリに記憶させる請求項１から３のいずれか１項に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた複数の不揮発性半導体メモリと、
前記基板上に設けられて前記複数の不揮発性半導体メモリの動作を制御するメモリコントローラと、
前記メモリコントローラと前記複数の不揮発性半導体メモリのうち１つの前記不揮発性半導体メモリとの間に設けられた温度センサとを備え、
前記メモリコントローラは、前記温度センサにより検出された温度が規定値を超えているとき、外部からの要求に対し、前記複数の不揮発性半導体メモリから読み出したデータを前記外部に転送する際の転送速度、又は自己と前記複数の不揮発性半導体メモリとの間でのデータの転送速度を低下させることを特徴とする不揮発性半導体メモリドライブ
【請求項２】
前記複数の不揮発性半導体メモリは、それぞれ多値ＮＡＮＤメモリである請求項１に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
【請求項３】
前記メモリコントローラは、前記温度センサにより検出された前記温度を前記外部に出力する請求項２又は３に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
【請求項４】
前記メモリコントローラは、前記温度センサにより検出された前記温度を温度履歴として前記不揮発性半導体メモリに記憶させる請求項１から３のいずれか１項に記載の不揮発性半導体メモリドライブ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１０−２８７２４２（Ｐ２０１０−２８７２４２Ａ）
【公開日】平成２２年１２月２４日（２０１０．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１４８８５３（Ｐ２０１０−１４８８５３）
【出願日】平成２２年６月３０日（２０１０．６．３０）
【分割の表示】特願２００７−３３８０８３（Ｐ２００７−３３８０８３）の分割
【原出願日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月２４日（２０１０．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月３０日（２０１０．６．３０）
【分割の表示】特願２００７−３３８０８３（Ｐ２００７−３３８０８３）の分割
【原出願日】平成１９年１２月２７日（２００７．１２．２７）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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