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Fターム[5C024GX09]の内容

光信号から電気信号への変換 (72,976) | 撮像素子の細部(構造) (7,971) | セル構造 (7,384) | 受光素子 (4,937) | 蛍光体層(X線変換用等) (143)

Fターム[5C024GX09]に分類される特許

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【課題】放射線画像を取得できない状態が発生しないようにリセット処理を実行する。
【解決手段】放射線撮影装置(10A)は、放射線(16)の入射方向に沿って積層され、該放射線(16)を放射線画像に変換可能な2つの放射線変換パネル(28a、28b)と、2つの放射線変換パネル(28a、28b)に対して残像の発生を抑制するためのリセット処理を実行可能なリセット処理部(28c、30、32、40)と、2つの放射線変換パネル(28a、28b)に対するリセット処理を互いに異なる時間帯に実行するようにリセット処理部(28c、30、32、40)を制御するリセット制御部(45)とを有する。 (もっと読む)


【課題】放射線画像を取得できない状態が発生しないようにリセット処理を実行する。
【解決手段】放射線撮影装置(10)において、一方の放射線変換パネル(28a)は、静止画像又は動画像を取得可能な放射線変換パネルであり、他方の放射線変換パネル(28b)は、動画像を取得可能な放射線変換パネルである。この場合、他方の放射線変換パネル(28b)に対してリセット処理部(28c、30、32、40)がリセット処理を実行可能な時間帯にのみ、一方の放射線変換パネル(28a)は、放射線(16)を静止画像又は動画像に変換する。 (もっと読む)


【課題】連携方式でも非連携方式でも放射線画像撮影を行うことができる放射線画像撮影装置を備え、放射線にとって使い勝手の良い放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】放射線画像撮影システム50は、撮影方式を連携方式と非連携方式との間で切り替え可能とされた放射線画像撮影装置1を備え、放射線画像撮影装置1の制御手段22は、非連携方式で撮影を行う場合には、撮影前に読み出したリークデータdleakに基づいて放射線の照射開始を検出し、コンソール58は、撮影可能モードに切り替えられる等して放射線画像撮影装置1が撮影可能な状態になった後、放射線を照射させることが許容されるまでの待機時間WTを、連携方式の場合と非連携方式の場合とで同じ時間として処理し、画像処理装置58は、待機時間WTが同じ時間されることに伴って非連携方式で放射線画像撮影が行われる場合に画像データD中に生じる輝度の段差を補正する。 (もっと読む)


【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。駆動部は、読み出された信号電荷を電圧に変換するチャージアンプ回路を有し、リセット駆動を1フレーム期間内で間欠的に複数回行い、かつ1フレーム期間内の各リセット駆動を、チャージアンプ回路におけるチャージアンプの帰還または仮想短絡現象を利用して行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。読み出し後の信号電荷の残留に起因するノイズを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】センス回路の高速化や消費電力の増加を伴うことなく、低照度時と高照度時においてノイズの少ない高精度な撮像が可能な撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】光電変換素子と蓄積部と、蓄積電荷を電気信号として出力するアンプ素子とを有し、光子入射に応じて電気信号を出力信号線に出力する画素が、複数アレイ状に配置された画素アレイ部と、画素からの電気信号を受けて、所定期間における画素への光子入射の有無を判定するセンス回路を含むセンス回路部と、を有し、センス回路は、出力信号線に接続されたAD変換装置を含み、AD変換装置は、少なくともバイナリ判定である1ビット出力と多ビット解像度による階調出力の2モードで動作可能であり、少なくとも1ビット出力モードの選択時は、画素ごとに複数回の露光における出力結果が集積されて、各画素に入射した光の強度が算出される。 (もっと読む)


【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有する撮像部と、トランジスタのオン動作およびオフ動作を切り替えて画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。トランジスタは半導体層を間にして第1および第2のゲート電極を有し、駆動部は、トランジスタの第1のゲート電極に第1の電圧、第2のゲート電極に第2の電圧をそれぞれ印加し、かつリセット駆動の際には、第1および第2の電圧のそれぞれにおいて、オン電圧およびオフ電圧間の切り替え時期およびオン電圧値のうちの一方または両方が互いに異なるようにする。リセット駆動時に生じるチャージインジェクションを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置、およびそのような撮像装置を備えた撮像表示システムを提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子と電界効果型のトランジスタとを含む複数の画素を有する撮像部と、トランジスタのオン動作およびオフ動作を切り替えることにより、画素内に蓄積された信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動を行う駆動部とを備える。リセット駆動を1フレーム期間内で間欠的に複数回行い、トランジスタのゲートに対し、1フレーム期間の1回目のリセット駆動時には第1の電圧、他の回のリセット駆動時には、第1の電圧よりも低い第2の電圧を印加してトランジスタのオン動作を行う。各画素において光電変換がなされ、信号電荷の読み出し駆動およびリセット駆動がなされ、入射光に基づく撮像画像が得られる。リセット駆動時に生じるチャージインジェクションを低減する。 (もっと読む)


【課題】撮像画像の高画質化を実現することが可能な撮像装置等を提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、光電変換素子により得られた電荷を画素から信号として読み出す読み出し動作と、画素内の電荷をリセットするためのリセット動作とがそれぞれ行われるように、各画素を駆動する駆動部と、読み出し動作により得られた信号に基づいて所定の信号処理を行い、出力信号を生成する信号処理部とを備えている。駆動部は、読み出し動作とリセット動作とがそれぞれ所定の単位期間内で間欠的に複数回行われるように、各画素を駆動する。信号処理部は、単位期間内における1回目の読み出し動作により得られた第1の信号と、1回目のリセット動作が行われた後の2回目以降の読み出し動作により得られた第2の信号とに基づいて、信号処理として少なくとも加算処理を行うことにより、出力信号を生成する。 (もっと読む)


【課題】高品質のイメージが得られるイメージセンサーを提供する。
【解決手段】検出部で検出された電荷を増幅させ、入力端子、増幅端子、及び出力端子を含む電荷検出増幅部を備え、電荷検出増幅部は、入力端子と前記増幅端子との間に接続された第1キャパシタと、入力端子と前記増幅端子との間に接続された第1スイッチングユニットと、増幅端子と出力端子との間に接続された第2キャパシタと、出力端子と基準電圧端子との間に接続された第2スイッチングユニットと、を備えることを特徴とするイメージセンサー。 (もっと読む)


【課題】内部駆動タイミングと外部基準クロックとを整合させる。
【解決手段】X線発生装置が外部基準クロックに基づいて所定の時間間隔で発生したX線が被撮影物体を透過したX線画像を撮像する平面型X線センサの内部駆動信号を生成する内部駆動信号生成回路50に、PLL構成の基準クロック生成回路51を備える。基準クロック生成回路51は、電圧制御発振器62と分周回路63と位相比較回路61とを備える。電圧制御発振器62は、たとえば水晶発振器を用いて、内部基準クロックを生成する。分周回路63は、内部基準クロックをあらかじめ定められた分周比で分周して分周クロックを出力する。位相比較回路61は、外部基準クロックと前記分周クロックとの位相を比較してその位相差を電圧制御発振器62に入力する。 (もっと読む)


【課題】放射線画像の撮影の際にノイズの有無を適切に検出して報知することができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システム、放射線画像撮影装置の制御プログラム、及び放射線画像撮影の制御方法を提供する。
【解決手段】電気信号が第一閾値を越えた場合は、放射線の照射開始を検出する。照射が開始されると、放射線検知用画素20Bの電気信号の経時変化を取得し、微分処理して、第二閾値を越えた場合は、ノイズが発生したことを検出する。第三閾値を越えた場合は、ノイズの強度が強いことを検出し、第三閾値を越えた回数がn回以上である場合に、ノイズの発生期間が長いことを検出する。ノイズの強度が強く、かつ発生期間が長い場合は、報知部108により報知すると共に、放射線画像の生成及び表示を行わない。強度が弱いノイズ及び発生期間が短いノイズの少なくとも一方の場合は、報知部108により報知し、放射線画像を生成して表示させる。 (もっと読む)


【課題】 撮影対象自体が広いダイナミックレンジを有する場合でも、撮影領域全体において飽和や入出力特性が不良な出力を減らしつつ、コントラストを向上させる。
【解決手段】 X線検出器104は動画撮影可能なイメージセンサであり、蓄積容量を画素毎に変更することができる。制御装置103の特性算出部112は各線量モード毎に線量を変えて複数の白画像データを撮影するキャリブレーション撮影を行い、各画素の入出力特性を取得する。本撮影によりフレーム画像が制御装置103に入力されると、飽和判定部113は各画素が飽和しているか否かを入出力特性に基づき判定し、飽和していない場合にはモード決定部116が蓄積容量を大きくする決定をする。データ収集部105が次フレームの撮影に際して蓄積容量を大きく設定する。 (もっと読む)


【課題】画質の低下を抑制することができる、放射線画像撮影装置、放射線画像撮影システム、放射線画像撮影プログラム、及び放射線画像撮影方法を提供する。
【解決手段】画素20の列毎に、バイアス線25が備えられており、複数のバイアス線25のうち、10mm間隔で設けられたバイアス線25Aが電流検出器120を介してバイアス電源110に接続されている。また、残りのバイアス線25Bは、電流検出器120を介さずに直接バイアス電源110に接続されている。画素20では、照射された放射線量に応じて放射線検知素子103で電荷が発生すると、発生した電荷に応じて、バイアス線25に電流が流れる。電流検出器120は、バイアス線25Aに流れる電流を検出し、制御部106は、検出した電流(電流値)が閾値以上になった場合を、放射線の照射開始のタイミングとして検出し、放射線画像の撮影を開始させる。 (もっと読む)


【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】基板1上に形成されたTFTスイッチ4及びセンサ部103の上面が平坦化層18により平坦化されており、当該平坦化層18の略全面に帯電防止機能を有する導電膜30が形成されている。導電膜30は、グランド配線32及びグランド接続端子34と一体的に形成されており、グランド接続端子34を介してグランドに接続可能に構成されている。また、光電変換基板60(導電膜30)の上には、シンチレータ70が形成されており、シンチレータ70は、光電変換基板60に近い方から非柱状部71及び柱状部72を備えている。導電膜30をグランド接続端子34を介してグランドに接続した状態で、光電変換基板60の表面に表面処理を施す。 (もっと読む)


【課題】撮像駆動の際の動作の自由度を向上させることが可能な撮像装置等を提供する。
【解決手段】撮像装置は、各々が光電変換素子を含む複数の画素を有する撮像部と、光電変換素子により得られた信号電荷を画素から読み出す読み出し動作を線順次で行うための線順次読み出し駆動と、画素内の信号電荷をリセットするためのリセット動作を線順次で行うための線順次リセット駆動とを行う駆動部とを備えている。駆動部は、線順次リセット駆動を、1フレーム期間内で間欠的に複数回行う。また、一の線順次リセット駆動の際の駆動期間と他の一の線順次リセット駆動の際の駆動期間とのオーバーラップ期間内におけるリセット動作の期間において、上記一の線順次リセット駆動による各リセット動作と上記他の一の線順次リセット駆動による各リセット動作とがいずれも重ならない非オーバーラップ期間が少なくとも一部に設けられるように、複数回の線順次リセット駆動を行う。 (もっと読む)


【課題】従来に比べて、検査が行い易く、かつ精度よく放射線を検知することができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素20は、センサ部103Aとセンサ部103Bとを備えている。画像取得用画素20Aでは、センサ部103Aとセンサ部103Bとが接続配線32により接続されており、センサ部103Aで発生した電荷及びセンサ部103Bで発生した電荷がTFTスイッチ4により読み出されて信号配線3に出力される。放射線検知用画素20Bでは、センサ部103Aで発生した電荷がTFTスイッチ4により読み出されて信号配線3に出力される。また、放射線検知用画素20Bでは、センサ部103Bと信号配線3とが直接、接続配線34により接続されており、センサ部103Bで発生した電荷はそのまま信号配線3に出力される。 (もっと読む)


【課題】 増幅用TFTと選択用TFTとを含む画素を有する検出装置において選択用TFTのオフリークが十分なされた検出装置を提供する。
【解決手段】 変換素子100と、ゲート114が変換素子100に接続された第1薄膜トランジスタ110と、ゲート124が駆動配線150に接続され、真性半導体領域であり第1領域122と第2領域123との間でゲート124の正投影が位置する第3領域121を有する多結晶半導体層を含み、第1領域122及び第2領域123の一方が第1薄膜トランジスタ110のソース及びドレインの一方113に接続された第2薄膜トランジスタ120と、を有し、多結晶半導体層は、第1領域122と第3領域121との間に、また、第2領域123と第3領域124との間に、それぞれ第1領域122及び第2領域123よりも不純物の濃度が低い第4領域125と第5領域126と、を含む検出装置。 (もっと読む)


【課題】X線を電荷キャリアに直接変換する少なくとも一つのX線センサーを有する、X線検出器を提供する。
【解決手段】本発明のX線検出器は、X線放射線を電荷キャリアに直接変換するX線センサー(第一のX線センサー)を有し、X線センサーに電気的に接続され好ましくは集積回路として形成される信号評価電子回路を有し、信号評価電子回路を防護するために形成されるX線吸収体を有し、及びX線吸収体に対してX線センサーを位置調整するために形成され配置されるセンサーキャリア(第一のセンサーキャリア)を有し、X線放射線の入射方向で見た場合に、信号評価電子回路がX線吸収体の後方でそのX線放射線の影の中に配置され、X線センサーが、X線吸収体と信号評価電子回路との間に好ましくは配置されるセンサーキャリアにより、少なくとも部分的にX線吸収体の後方で、そのX線放射線の影の外側に配置される。 (もっと読む)


【課題】一部のゲートのみを順次スキャンして光電変換素子の信号を読み出した後に残りのゲートのスキャン動作を短時間で行っても、オフセットレベルの差がない画像を得る。
【解決手段】X線平面検出器は、光電変換素子とスイッチング素子と含む画素を正方格子に配列したTFTアレーと、正方格子の行のそれぞれに対して設けられてスイッチング素子に接続されたゲート線31と、ゲート線31に接続されてスイッチング素子をスイッチするパルス状の制御信号を出力するゲート制御回路37とを有する。ゲート制御回路37は、全画素領域29のうち有効画素領域20内の画素に接続された複数のゲート線31にTFTをON状態にするパルス状信号を順次出力するスキャン動作と、無効画素領域21内の画素に接続された複数のゲート線31に複数のパルス状信号を順次出力するリフレッシュ動作とを行う。 (もっと読む)


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