【課題】固体撮像装置と共にＬＳＩチップに搭載されるＤＡＣの性能を低コストで測定可能なＤＡＣ測定方法を実現する。
【解決手段】本発明のＤＡＣ測定方法では、Ｃｏｌｕｍｎ−ＡＤＣ２１を有するイメージセンサ２０と共にＬＳＩチップに搭載されるＶＣＭドライバ１０内のＶＣＭ−ＤＡＣから出力されるアナログ信号を、Ｃｏｌｕｍｎ−ＡＤＣ２１によってデジタル信号にＡＤ変換し、当該デジタル信号とＶＣＭ−ＤＡＣに入力されるテスト用デジタル信号とに基づいてＶＣＭ−ＤＡＣの性能を測定する。 （もっと読む）

【課題】画素感度を維持したまま、画素領域の機械的強度を高め、従来よりも容易に製造可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】イメージセンサは、半導体基板と、半導体基板内に設けられた空洞部の上に配置され、入射光によって生じた熱エネルギーを電気信号に変換する第１の画素と、第１の画素と前記半導体基板との間に接続され、該第１の画素を前記空洞上に支持する支持部と、空洞部を介すことなく前記半導体基板上に固定設置された第２の画素とを備え、複数の前記第１の画素および複数の前記第２の画素が二次元配置されることによって画素領域を成し、第２の画素の各々は複数の前記第１の画素に隣接している。 （もっと読む）

【課題】電荷情報を自在に読み出すことができる撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】コントローラは、フレーム同期信号から、蓄積されたキャリアを読み出すまでの時間ｂを調整して設定変更する時間変更の機能を備え、その時間変更の機能は、画像単位を表わすフレームの出力のタイミングを同期させて制御するための同期信号であるフレーム同期信号から、蓄積されたキャリアを読み出すまでの時間ｂを調整して設定変更する。その結果、フレーム同期信号から、蓄積されたキャリアを読み出すまでの時間が従来では固定であったのに対して、キャリアの読み出しタイミングを自在に設定することができ、キャリア（電荷情報）を自在に読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】撮像装置１０は比較回路の構成が簡単でよく、画像信号の遅延を低減する。
【解決手段】撮像装置１０は、欠陥画素データを、予め記憶している欠陥情報記憶手段２２と、撮像手段１２から出力される画像信号の画素値を、欠陥値を除いた画素値に変換する信号変換手段２４と、欠陥画素設定部２０と、欠陥値をフレーム単位で時系列的かつアドレス順に記憶する画像信号記憶部４０と、第２比較手段４２とを備えている。第１比較手段３０は、欠陥情報記憶手段２２から欠陥画素データをフレーム単位で複数回に分けて取得して画像信号と比較し、全ての欠陥画素データを取得しかつ比較し終えたときに、画像信号データと欠陥画素データとの比較を停止し、第２比較手段４２によって比較処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】画素当りのトランジスタを削減するとともに、固定パターンノイズを抑制することにより高解像度および高画質な画像検出を実行することができる撮像装置を提供する。
【解決手段】画素部ＰＤ１において、第１のアクティブ領域において、フォトダイオード１および転送トランジスタ２が形成される。そして、第２のアクティブ領域において、リセットトランジスタ３が形成される。画素部ＰＤ２において、第１のアクティブ領域において、フォトダイオード４および転送トランジスタ５が形成される。そして、第２のアクティブ領域において、増幅トランジスタ６が形成される。第１および第２のアクティブ領域の形状は、画素部ＰＤ１およびＰＤ２で同一である。また、リセットトランジスタ３および増幅トランジスタ６は、各画素部ＰＤ１およびＰＤ２において共有される。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジの拡大に適した小型に構成可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】入射した光により電荷を発生する光電変換部であるフォトダイオード１０１と、フォトダイオード１０１と接続され、前記電荷を転送する第１の転送部であるＭＯＳトランジスタ１０２と、ＭＯＳトランジスタ１０２を介して前記電荷を蓄積する第１の蓄積部である浮遊拡散領域１０３と、浮遊拡散領域１０３と接続され、ＭＯＳトランジスタ１０２と直列に接続された第２の転送部であるＭＯＳトランジスタ１０４と、ＭＯＳトランジスタ１０４を介して前記電荷の量に応じた信号電圧を出力する出力部であるＭＯＳトランジスタ１０６、１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】前記イメージセンサは、読み出し回路を含む半導体基板と、前記読み出し回路と接続されるように、前記半導体基板上に形成された配線及び層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成され、第１ドーピング層及び第２ドーピング層が積層されたイメージ感知部と、前記イメージ感知部を貫通して前記配線を露出させる第１ビアホールと、前記配線と前記第１ドーピング層とが電気的に接続されるように、前記第１ビアホール内部に形成された第４メタルコンタクトと、前記第４メタルコンタクト上に形成されて、前記第４メタルコンタクトとは電気的に絶縁され前記第２ドーピング層とは電気的に接続される第５メタルコンタクトと、を含む。 （もっと読む）

【課題】多画素のＣＭＯＳセンサ等の固体撮像素子であっても、カラム毎のＣＤＳ回路にて水平信号線への読み出しに発生するオフセットを、デバイス面積を殆ど増加させない構成にて改善する。
【解決手段】
Ｃ点に出力された信号は、スイッチＳＷ５がＯＮの期間にコンデンサＣ４に充電される。続いて、コンデンサＣ５がＳＷ８を介してＶＲＥＦでリセットされ、そのコンデンサＣ５の端子電圧がアンプ１２及びＳＷ９を通して水平信号線１３へ出力される。続いて、コンデンサＣ４の端子電圧がＳＷ６を介して、リセット後のコンデンサＣ５に転送されて充電された後、水平信号線１３へ出力される。回路部１５は、ｋＴＣノイズを抑圧した信号を水平信号線端のＣＤＳ回路部１４へ供給する。ＣＤＳ回路部１４は、所定の時間間隔の水平信号線１３の出力電圧同士を減算するＣＤＳ処理を行い、オフセット補正を実現する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置のカラーフィルタ層について、各カラーフィルタ部の厚さについての制限及び微細化に伴う解像度低下に起因した特性劣化を解消する。
【解決手段】固体撮像装置１０は、半導体基板１１上にマトリクス状に配列された複数の光電変換素子１３と、複数の光電変換素子１３同士に挟まれる領域の上方に設けられた壁部２１と、各光電変換素子１３上方において壁部２１に囲まれる各開口部を埋め込むように設けられたカラーフィルタ部２２Ｇ、２２Ｂ及び２２Ｒとを備えている （もっと読む）

【課題】画素欠陥やゴミの付着等による外乱の影響を抑制し、撮像素子の出力均一性の検査の精度を向上できる検査方法及び検査装置を提供する。
【解決手段】撮像素子から検査画像データを取得し、取得した検査画像データをフィルタリングし、検査画像データを複数のブロックに分割し、各ブロックの出力平均値を算出し、複数のブロックのうち最大の出力平均値と最小の出力平均値との差分に基づいて出力均一性を算出し、出力均一性と予め設定された判定値とを比較することで合否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】撮像装置１００は、色の変化の少ない模様におけるキズを低減するとともに、エッジなどを高精細の模様を鮮明に表示することができる。
【解決手段】撮像装置１００は、撮像素子１２から注目画素および周辺画素の画素データを取得する画素データ取得手段１４と、注目画素を中心とする周辺画素で形成するエッジなどの模様を形成しているかを判定するエッジ方向判定手段２８と、補正手段と、色補間手段とを備えている。補正手段は、欠陥画素判定部２２にて注目画素が欠陥画素であると判定され、さらに、エッジ方向判定手段２８エッジ方向でないと判定したときに、注目画素を中心に対称に配列された周辺画素の画素データから求めた補正値で補正する。補正されなかった注目画素は、色補間手段によりエッジ方向判定手段２８の判定結果を用いて、エッジの方向に対応した色補間を行なう。 （もっと読む）

【課題】ストリーキングの発生を効果的に抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、光信号を電気信号に変換し電圧信号として出力する行列状に配列された複数の画素１００を備える固体撮像装置であって、画素１００の列毎に設けられ、画素１００の電圧信号を垂直方向に伝達する垂直信号線１１０と、垂直信号線１１０毎に設けられ、垂直信号線１１０に接続された電流源１２０と、垂直信号線１１０毎に設けられ、垂直信号線１１０を介して伝達される電圧信号を増幅する列増幅回路１３０と、複数の電流源１２０に接地電位を供給する電流源用接地電位供給線１２２と、複数の列増幅回路１３０に接地電位を供給する列増幅回路用接地電位供給線１２４とを備え、電流源用接地電位供給線１２２と列増幅回路用接地電位供給線１２４とは、画素１００の列に対応した位置で接続される。 （もっと読む）

【課題】加算を行う場合に読み出しスピードを高速化し且つモアレ等の発生が抑制された高品質な撮像を可能とする固体撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ベイヤ配列の複数色のカラーフィルタと、前記カラーフィルタの各色に対応して設けられる複数の光電変換部（２−１〜２−４）と、垂直方向に異なる色の光電変換部を介して隣接した第１の色の２つの光電変換部の電荷を加算する共通の第１の増幅部（５−２）と、前記加算を行う２つの光電変換部のいずれかに隣接し、且つ、前記加算を行う２つの光電変換部の間には配されていない第２の色の光電変換部の電荷を加算せずに増幅する第２の増幅部（５−３）とを有することを特徴とする固体撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】イメージセンサは、互いに対向する第１面及び第２面を持つ半導体基板と、活性領域を定義し、第１面から第２面に向けて拡張されて形成される素子分離膜と、活性領域の内に、第１面から第２面に向けて拡張されて形成されるフォトダイオードと、第１面に隣接して配置され、フォトダイオードに対応して形成される反射部と、第２面に隣接して形成されるレンズ部と、を含む。イメージセンサは反射部により受信感度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、改善された性能、たとえば、改善された応答時間、改善された混合問題、改善されたダイナミックレンジ、改善された低光量の光学像の検出能力、改善された信号対雑音比のうちの少なくとも１つを有する２次元光センサーアレイを実現するために成される。
【解決手段】これらの目的を果たすために、新規の検出方法を用いる光センサーアレイが提案されている。アレイ内の各光センサーを検出するために、選択されたグループの複数接続手段の一つが選択され、第１電位から第２電位に駆動される一方、選択されたグループの複数接続手段の残りは第１電位に維持されており、その後、選択されていないグループの複数接続手段の各々一つを第３電位から第４電位に、その後、第４電位から第３電位に逐次駆動することによって、選択されたグループの複数接続手段の選択された一つを通して、おおよそ第２電位において、選択されたグループの複数接続手段の選択された一つに接続されている光センサーからの光電電流が逐次検出される。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素から漏れ込む光によるノイズを抑制することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】このＣＭＯＳイメージセンサ（撮像装置）は、電子を生成するＰＤ部１４と、ＰＤ部１４の外縁部のうち、少なくとも電子の転送方向に沿って延びるＰＤ部１４の短辺１４ａおよび１４ｂの近傍に形成された遮光膜５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】暗電流に起因するキズが密集して発生するような場合でも、このキズを正しく補正して画質向上を図ることが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】システム制御部１４は、撮影指示に応じて、固体撮像素子６を遮光した状態である遮光状態と非遮光状態とで固体撮像素子６により２回の撮像を行わせる（ステップＳ７）。ＶＧＡ８は、２回の撮像によって固体撮像素子６から得られる２つの撮像信号の各々に、固体撮像素子６に含まれる光電変換素子の飽和出力がＡＤ変換器９の入力レンジ内に収まるようにするための第一のゲインを乗じて該撮像信号を増幅する（ステップＳ７）。デジタル信号処理部１７は、第一のゲインを乗じて得られた２つの撮像信号のうち、非遮光状態での撮像によって得られた撮像信号から遮光状態での撮像によって得られた撮像信号を減算し（ステップＳ８）、減算処理によって得られた撮像信号に基づいて画像データを生成する（ステップＳ１０）。 （もっと読む）

【課題】
冷陰極アレイの不良電子放出画素、光電変換膜の残留電荷画素等の欠陥画素を正確に検出できる撮像装置を提供する。また、当該検出画素の情報に基づいて、電子放出制御及び撮像データ補間処理を正確に行うことが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】
電子放出源アレイと光電変換膜の中間に設けられた中間電極に電子放出源アレイの電位に対し正なる電位を印加するとともに、中間電極に流れる電流を検出する中間電極電流検出器を有している。中間電極電流検出器は、電子放出源の各々を点順次走査するクロック信号に同期して電子放出源の各々に対応する中間電極電流を検出する。
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【課題】デジタルズーム時には、ズーム倍率に応じた撮像範囲の画像を固体撮像素子から読み出すことによりメモリの記憶容量を低減し、これにより撮像装置のコストを低減することができる撮像装置および撮像方法を提供する。
【解決手段】デジタルズーム時には、デジタルズーム設定部２２によりズーム倍率に応じてＣＭＯＳイメージセンサ１３の垂直方向の撮像範囲を設定し、設定された撮像範囲の撮像をＣＭＯＳイメージセンサ１３により行う。そして、ズーム倍率が変更されたとき、変更後のシャッタ信号が変更前の読み出し信号に干渉しないように変更前後のズーム倍率に基づいてＣＭＯＳイメージセンサ１３の最大露光時間を演算し、演算された最大露光時間を超えないようにＣＭＯＳイメージセンサ１３の露光時間を設定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、裏面側のアキュミュレーション層に蓄積される信号電荷として用いない電荷によるポテンシャル勾配の変化を抑制した裏面照射型固体撮像素子及びこの裏面照射型固体撮像素子を備えた電子機器モジュール、カメラモジュールを提供するものである。
【解決手段】本発明に係る裏面照射型固体撮像素子１は、半導体基板の表面側に各画素の光電変換部における電荷蓄積領域及び信号電荷の読出し動作を行う素子が形成され、半導体基板の裏面側の光照射面に光電変換部と異なる導電型のアキュミュレーション層が形成され、光電変換部において発生した電子・正孔対のうち、信号電荷として用いない電荷を、アキュミュレーション層を通じて裏面側から表面側に導き、画素の光電変換部以外の領域より引き抜く電荷引き抜き領域３０を有する。 （もっと読む）