【課題】少なくとも２種類以上の電気的欠陥を１回の検査で従来よりも高い確率で捕捉可能な検査条件で検査を実行可能な荷電粒子線装置ないし荷電粒子線による検査方法を実現する。
【解決手段】被検査試料上の同一箇所を複数回走査し、一次荷電粒子ビーム走査時の光学条件あるいは出力される画像信号から画像を形成する際の画像形成条件を上記２種類以上の電気的欠陥を捕捉可能な画像を可能な条件に調整する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィーの工程で必要とされるホットスポット検査において、広い観察面積を短時間で観察できる高解像度の検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】複数本の電子線１１８で試料１１９上を走査し、それぞれの電子線から放出される２次電子１２０を同一の検出器１１２で取り込むことで、ＳＥＭ画像は複数本の電子線間の相対距離に依存した、位置がずれた画像（ゴースト画像）となる。前記相対距離を調整し、画像処理部１０４で位置ずれを復元することで、画素サイズが大きくても高感度なホットスポット検査装置を実現することができ、広い面積を短時間で観察できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子顕微鏡の解像力を適正に評価する電子顕微鏡画像評価装置、及び電子顕微鏡の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、試料に電子ビームを走査することによって得られた画像の第１の領域について、前記電子ビームの中心部分を評価する評価手法に基づいて、第１の解像性能を求め、前記画像の前記第１の領域より大きな第２の領域について、前記電子ビームの中心部分の外側である周辺部分を評価する評価手法に基づいて、第２の解像性能を求める電子顕微鏡画像評価装置、及びコンピュータープログラムを提案する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の状態が変化しても、容易に光軸の調整を可能とする荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置の調整方法を提供する。
【解決手段】アライメント偏向器の偏向条件を第１の状態にしたときに、光学素子を少なくとも２つの状態に変化させたときの試料像間の第１のずれを検出し、アライメント偏向器の偏向条件を第２の状態にしたときの試料像間の第２のずれを検出し、当該２つのずれの情報に基づいて、前記アライメント偏向器の動作条件を決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は３次元画像取得方法及び装置に関し、分解能を向上させることができるトモグラフィー法を用いた試料の３次元画像取得方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】走査透過型電子顕微鏡において、試料の３次元画像を得る３次元画像取得手段を設け、該３次元画像取得手段を用いて試料の第１の３次元画像を得、次に、試料を裏返して該３次元画像取得手段を用いて試料の第２の３次元画像を得、得られた試料の第１の３次元画像と第２の３次元画像とから試料の３次元画像を得る、ように構成する。 （もっと読む）

【課題】測定対象領域のサイズを動的に設定し、半導体パターンのエッジ部分を精度良く検出する技術を提供する。
【解決手段】本発明に係るエッジ部分検出方法では、観察画像のうち半導体パターンのエッジ部分を含む大きめの画像領域を走査することにより、検出対象のエッジ部分と直交する第２エッジ部分を検出し、最終的な走査範囲を第２エッジ部分よりも内側に設定する。 （もっと読む）

【課題】二次元走査に要する時間を短縮することができ、Ｓ／Ｎ比の良い高分解能の画像を取得することができ、ビーム照射による試料の帯電の影響を低減できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】電子線を試料に照射し走査する手段と、電子線の照射により試料から放出される二次電子を検出する検出器と、検出器からの信号をサンプリングし、サンプリングデータ３６を生成するサンプリング手段３０と、サンプリングデータ３６を合成処理し、合成サンプリングデータ３９を生成する合成手段３３と、合成サンプリングデータ３９から試料の像の画素データ４０を生成する生成手段３４とを備える。サンプリング手段３０は複数備えられ、合成手段３３は、複数のサンプリング手段３０〜３２が生成した複数のサンプリングデータ３６〜３８を合成処理し、合成サンプリングデータ３９を生成する。 （もっと読む）

【課題】
チルト像には立体的なパターンの様々な輪郭線が存在し、またパターン表面のラフネス等により計測対象外の形状変化に伴うエッジも含まれるため形状認識は複雑になり画像処理による形状計測は容易でない。さらに，パターンの形状評価に適した観察方向を判断することが困難であった。
【解決手段】
評価対象となるパターンの撮像方向と撮像領域内に含まれる回路パターンの設計データから撮像画像上でのパターンの輪郭線の予想位置（予想輪郭線）を推定し，予想輪郭線と実際の輪郭線との位置ずれ予想範囲を設定し，前記位置ずれ予想範囲を基に画像処理範囲あるいは画像処理方法を設定してパターンの寸法，輪郭線，画像特徴量，三次元形状を算出するようにした。 （もっと読む）

【課題】高精度かつ短時間で結晶格子像と相似のモアレパターンを得ることを可能にする。
【解決手段】走査型顕微鏡を用いて、結晶構造の結晶格子モアレパターンを取得する方法であって、前記結晶構造の走査面において、前記結晶構造と方位に対応して、複数の仮想格子点を周期的に配置する工程と、入射プローブを用いて複数の前記仮想格子点からの信号を検出する工程と、検出した前記信号に基づいて、前記結晶構造の結晶格子モアレパターンを生成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】
一次電子ビームの走査ずれに起因する擬似欠陥を低減する高感度高スループット電子ビーム式検査装置と検査方法を提供する。
【解決手段】
複数の一次電子ビームを有する半導体検査装置において、前記複数一次電子ビームが被検査試料を照射する位置を個別に設定調整手段を有する。前記複数一次電子ビームの試料上の照射位置を前記被検査試料の繰り返しパターン間隔に合わせて設定して、比較対象の繰り返しパターン画像を同時に取得する。同時に取得した複数の画像上に、比較する繰り返しパターンの処に一次電子ビームの走査ずれは同じである。そのため、差画像上に電子ビームの走査ずれに起因する擬似欠陥がなくなって、高感度高スループット電子ビーム式検査装置と検査方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】粒子ビームを用いて試料の構造に関する情報を得るための検査方法において、試料から放出された電子およびｘ線から試料に関する情報を得ることができる検出方法および検査装置を提案する。
【解決手段】検査方法は、試料に粒子ビームを集束するステップと、試料に隣接して配置した少なくとも１つの検出器を作動するステップと、少なくとも１つの検出器によって生成した検出信号を異なった強度間隔に割り当てるステップと、強度間隔に割り当てた検出信号に基づいて、検出器に入射した電子に関連した少なくとも１つの第１信号成分を決定するステップと、強度間隔に割り当てた検出信号に基づいて、検出器に入射したＸ線に関連した少なくとも１つの第２信号成分を決定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによる測長値の装置間におけるばらつきを防ぐこと。
【解決手段】ＳＥＭ制御装置は、所定の対象物について、第１の方向に並んだ複数のピクセルから成る画像を、第１の方向に直交する第２の方向の複数の位置において、ＳＥＭにより取得する画像取得部と、当該複数のピクセルのそれぞれの箇所において当該複数の画像の間でグレースケール値の最大値と最小値を求め、当該複数のピクセルにおける最大値の変動幅と最小値の変動幅を算出する変動幅算出部と、当該最大値の変動幅と当該最小値の変動幅との差が最小となるように、ＳＥＭのブライトネス及びコントラストを調整するブライトネス・コントラスト調整部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて分解能をより一層向上させることができる荷電粒子顕微鏡及び解析方法を提供する。
【解決手段】試料２０内で広がった電子線プローブをＣＣＤカメラ２３で撮影し、電子線プローブ（実効的プローブ）の形状、大きさ及び強度分布のデータを取得する。その後、ＣＣＤカメラ２３を電子線の通過域から退避させ、ＳＴＥＭ検出器２２により観察像を取得するとともに、ＥＥＬＳ検出器２４によりＥＥＬＳスペクトルを取得する。次いで、電子線プローブ（実効的プローブ）の形状、大きさ及び強度分布のデータを使用し、分析目的位置毎に分析目的位置に照射される電子線量（強度）とその周囲に照射される電子線量とを演算し、その結果に基づいてＳＴＥＭ検出器２２又はＥＥＬＳ検出器２４により得た測定値を演算処理して、周囲の影響を排除した真の測定値を得る。 （もっと読む）

【課題】二次電子又は反射電子の強度が時間的に変化しても適切な条件で検査を行う。
【解決手段】電子線を検査対象物に照射する照射光学系１，４と、この照射光学系の照射位置をＸ方向及びＹ方向に走査する走査部７と、電子線が照射されることにより検査対象物で発生した二次電子又は反射電子を制御する帯電制御電極５と、この帯電制御電極を介して二次電子又は反射電子を検出するセンサ１３と、このセンサで検出した信号を電子線の照射開始時刻からディジタル画像信号に逐次変換するＡ／Ｄ変換器１４とを備えた半導体ウェーハ検査装置であって、ディジタル画像信号を第１の設定時刻から第２の設定時刻まで画素毎に加算して検出画像を生成する加算回路１５と、検出画像と検査対象物に形成された回路パターンの参照画像とを比較して欠陥を判定する画像処理回路１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査の高速化を図ることができる電子ビームを用いた検査方法及び検査装置を提
供する。
【解決手段】電子銃１からの電子ビーム３６は対物レンズ９で収束され、試料１３に与え
られるリターディング電圧によって減速され、試料１３は移動しながら電子ビームで走査
され、試料１３から発生した２次電子３３はリターディング電圧により加速され、ほぼ平
行ビームとなって、対物レンズ９と試料１３との間に配置されたＥ×Ｂ偏向器１８により
偏向されて２次電子発生体１９を照射し、２次電子発生体１９から第２の２次電子２０が
発生して荷電粒子検出器２１によって検出される。検出されたその出力信号は画像信号と
して記憶され、記憶された画像は演算部２９及び欠陥判定部３０で比較され、欠陥が判定
される。 （もっと読む）

【課題】 試料に電子線を照射して線分析を行なうとき、同じ線分上で任意の間隔と任意の点数で分析点を簡易に設定する方法を提供する。
【解決手段】 マウス等のポインティングデバイスを用いてＨＡＡＤＦ像上の線分析位置を指定する。たとえば結晶粒界に直角となるように線分析の始点Ｐ１と終点Ｐ６を指定し、キーボード等により分析点数６を指定する。例えばＸ線検出器１３により粒界に直角な線分上に注目元素のＸ線強度を測定し分析結果をグラフに表す。Ｘ線強度の高い注目点を中心とした線上に、はじめに設定した間隔よりさらに細かく分割する分析点Ｓ１からＳ６を自動的に指定する。 （もっと読む）

【課題】従来のＳＥＭでは、帯電した試料においてフォーカスを合わせることができなかったり、倍率を正しく計算することができないために、正しいパターン寸法を計測することができなかった。
【解決手段】一次電子線が試料に到達しない状態のリターディング電圧と、一次電子が試料に到達する状態のリターディング電圧との間で、リターディング電圧を掃引させ、そのときの二次電子検出器の出力を検出し、リターディング電圧と二次電子検出器の出力の特性を取得し、リターディング電圧と二次電子検出器の出力の特性のシフトに基づいて試料表面の電位を求める。 （もっと読む）

【課題】
荷電粒子ビーム照射による影響(帯電等)のない、また影響が低減された荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】
荷電粒子ビーム１０１を被対象物１０６に照射し、被対象物からの検出信号１０４を画像データに変換し画面上に表示する荷電粒子ビーム装置であって、荷電粒子ビームを任意の方向に走査し、被対象物上の離散的な位置に照射する荷電粒子ビーム制御部３と、画像データを並び替える画像データ並び替え部５を含む画像処理システム１３とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は走査型電子顕微鏡に関し、１次ビーム電流が小さい場合や試料の２次電子放出効率が小さくてもコントラストの良い画像を得ることができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的としている。
【解決手段】少なくとも１チャンネルの検出信号を増幅してディジタルデータに変換し、ディジタルデータに変換した検出信号をフレーム間で無相関なノイズを低減させるためのフレーム積算器８に入力し、その出力を観察画像表示器１３に表示するようにした走査型電子顕微鏡において、前記フレーム積算器８の出力とある係数を乗算させる乗算手段を設け、該乗算手段の出力を前記観察画像表示器１３に表示させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】対物レンズと試料の接触を防止できる走査電子顕微鏡を提供することにある。
【解決手段】走査電子顕微鏡は、電子銃１から発生した電子ビーム２を対物レンズ４により試料台７の上に載置された試料５に照射して試料からの電子を検出する。複数の検出器１２Ａ，１２Ｂは、対物レンズ４の近傍に配置されている。演算制御手段２０は、複数の検出器１２Ａ，１２Ｂからそれぞれ検出された信号に基づく複数の画像データを用いて、対物レンズ４から試料台７に載置された試料５までの距離を算出する。複数の検出器１２Ａ，１２Ｂは、それぞれの検出器の中心から前記電子ビームの中心軸までの距離が等しくなるように配置されている。 （もっと読む）