【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】試料の表面に生じている電荷分布をミクロンオーダーの高分解能で測定することを可能とする。
【解決手段】表面電荷分布を有する試料を荷電粒子ビームで走査し、試料の表面電荷分布を測定する表面電荷分布測定方法。装置の構成に基づいて試料の表面電荷分布モデルを設定するモデル設定工程と、起点の時点から次点の時点までの時間間隔を設定して荷電粒子ビームの軌道を算出する軌道計算工程と、試料の表面電荷分布の実測値を求める実測工程と、軌道計算工程において算出された電子軌道計算データを、実測工程における実測値と照合する照合工程と、照合工程において電子軌道計算データと実測値との誤差が所定の範囲内であれば表面電荷分布モデルを実際の表面電荷分布として採用する判定工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
多層レイヤにおける下層領域やホールパターンの穴底など，試料から十分な信号量が得られにくい領域に対しても高画質である画像を撮像する。
【解決手段】
荷電粒子顕微鏡装置を用いた試料の画像撮像方法であって，前記荷電粒子顕微鏡装置の検出器のゲインを第一のゲイン値に設定して前記試料に対して荷電粒子ビームの走査を行い，第一の画像を取得する第一画像取得ステップと，前記検出器のゲインを前記第一のゲイン値とは異なる第二のゲイン値に設定して前記試料に対して荷電粒子ビームの走査を行い，第二の画像を取得する第二画像取得ステップと，前記第一のゲイン値と前記第二のゲイン値を用いて，前記第一の画像と前記第二の画像を合成する画像合成ステップと、を有することを特徴とする画像撮像方法である。 （もっと読む）

【課題】走査画像上において検査対象領域の端部の座標位置を正確に求め、ピクセルの位置精度およびアレイ検査の検査精度を向上させる。
【解決手段】走査画像上において検査対象領域（パネル領域）の外周の端部を検出し、この端部を基準として検査対象領域を特定し、検査対象領域のアレイ検査を行う。検査対象領域（パネル領域）の外周の端部を基準として検査対象領域を特定することによって、検査対象領域のコーナー部分の形状を基にして検査対象領域の基準位置を定める場合よりも、画像の画像歪みや画像斑による位置ずれの影響を低減することができる。アレイ検査装置の態様では、走査画像から基板上の検査対象領域の外周部分の少なくとも一つの端部を検出する端部検出部を備え、端部検出部で検出した端部の座標位置に基づいて、走査画像上における検査対象領域内の検査位置を特定する。 （もっと読む）

【目的】本発明は、定データの判定方法および測定データの判定プログラムに関し、複合的に判定する機能を実現することを目的とする。
【構成】取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上の測定対象のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準をそれぞれ作成して判定基準テーブルに登録するステップと、取得した画像および必要に応じて取得した画像情報をもとに、サンプル上のパターンの、デルタ、フォーカス、ＳＮ，ショルダ、スロープ値／テーパ幅を含むうちから複数の判定基準に対応する測定データをそれぞれ算出するステップと、算出した複数の測定データについて、前記判定基準テーブルから取り出した複数の判定基準をもとにそれぞれ良否を判定するステップと、判定した判定結果を出力するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】エネルギーの異なる信号荷電粒子の合成機能を自動化する。
【解決手段】一次荷電粒子線を試料に照射する荷電粒子源と、試料から発生した信号荷電粒子のうち第１のエネルギーを有する第１の信号電子を検出する第１の検出器と、試料から発生した信号荷電粒子のうち第２のエネルギーを有する第２の信号電子を検出する第２の検出器と、第１の信号電子の信号強度と第２の信号電子の信号強度の合成比を変化させ、各合成比に対応する検出画像を生成する第１の演算部と、各合成比について生成された検出画像の所定の２つのエリアに対応する信号強度の比を算出する第２の演算部と、信号強度の比の変化に基づいて、検出画像の取得に使用する混合比を決定する第３の演算部とを荷電粒子線装置に搭載する。 （もっと読む）

【課題】従来の電子顕微鏡においては、直交度は電子顕微鏡毎に電子顕微鏡とは独立にあらかじめ直交と想定して製作された格子状サンプルを該当の顕微鏡で像観察し、該サンプルが画面上で直交として観察されるように該電子顕微鏡制御回路に補正をかけることで定義していた。また補正は画面上での目視による判断であり、補正も人による手動で実施していた。しかし、この方法においては格子状サンプルの製作上のばらつきにより、装置毎の直交度にばらつきが生じる可能性があった。また補正を手動で実施することで補正精度にばらつきが生じるといった問題があった。
【解決手段】上記目的を達成するために、直交度規定用に格子状サンプルではなく粒子状サンプルを使用し、円であるべき像を円として観察されるような調整を実施することで、直交度を規定することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、設計データ、或いはシミュレーション画像に基づいて、実画像に近いパターンを形成する画像処理装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、半導体素子の設計データに基づいて、荷電粒子線装置の動作条件を設定する画像処理部を備えた画像処理装置であって、荷電粒子線装置の装置条件情報，パターンの種類、及びパターンの部位毎のパターン情報の複数の組み合わせを記憶するライブラリにアクセスし、装置条件、及びパターンの種類の選択に基づいて、パターンの部位毎のパターン情報を用いた各部位の合成画像を形成する画像処理装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】電子線照射によって表面が帯電した場合でも、パターン寸法を高精度で計測することができる。
【解決手段】電子線源およびビーム偏向機構と、被測定基板上の規定の位置に規定量の電子を走査して照射し、基板表面から放出された二次電子を検出器で検出する機構と、検出器に入った電子の個数から二次電子画像を構成する機構とを有する装置であって、連続的に取得した画像の差分情報をもとに帯電の影響による計測値の変動を補正する手段を備えることを特徴とするパターン計測装置。 （もっと読む）

【課題】 収差係数の絶対値を高速に求めることができ、高精度の調整が高速にできる、
収差補正器を備えた収束荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】 物点に対して偏向コイル3により入射ビームを傾斜させ，1枚の画像からビ
ーム傾斜時のデフォーカス量と非点量を高速に測定し，得られた結果を最小二乗フィッテ
ィングすることで，ビーム傾斜前の収差係数の絶対値を求め、収差補正器の調整をする。 （もっと読む）

【課題】走査画像のコントラストやブライトネスをより適切に調整することができる走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】試料上に電子ビームを走査する走査部と、電子ビームの照射によって試料から生じる電子を検出する検出器１２と、走査制御部からの走査情報と検出器１２からの検出信号とを対応させて画像データを生成する画像処理部と、検出器１２から画像処理部に送られる検出信号を調整し、画像処理部で生成される画像データの画質を調整する制御演算部とを備え、基準光出力部１２６から入力される基準光１２６ａにより検出器１２で得られた検出信号から画像処理部で生成される画像データに基づいて画質を調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学条件の調整を容易に行うことを目的とする半導体検査装置等の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線装置を備えた半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置であって、異なる複数の光学条件にて得られた画像データと、設計データに基づいて形成される画像データとの間でマッチングを行い、当該マッチングに基づいて、前記光学条件、或いは画像の選択を行う半導体検査装置、或いは荷電粒子線装置の画像，光学条件選択装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】走査電子顕微鏡において、装置内及び装置外からの磁場や振動などの影響により、ＳＥＭ画像に障害が発生した場合、そのＳＥＭ画像を用いて簡単に精度よく原因を特定することを目的とする。また、ＳＥＭ画像のパターンのラフネスに計測精度が影響されない測定手法を目的とする。
【解決手段】ＳＥＭ画像取得時にＹ方向の走査ゲインをゼロにすることで、走査線方向（Ｘ方向）に一次元走査を行うと共に、当該走査によって得られる画像情報を、Ｙ方向に時系列的に配列することで、二次元画像を作成する。相関関数により、当該二次元画像のずれ量データを取得し、当該データを周波数解析することで画像中に含まれる磁場や振動などを測定する。 （もっと読む）

【課題】電気信号経路における伝達関数が経年劣化した場合でも最適な画像復元を実現できるようにする。
【解決手段】荷電粒子線の走査速度が異なる複数の二次信号を取得し、当該複数の二次信号間の劣化関数を算出し、その逆関数を補正フィルタとする信号処理機能を有する荷電粒子線装置において、長期間に亘り、最適な画像復元機能を提供できるように、随時又は任意のタイミングで補正フィルタのパラメータを最適な値に更新する機能を追加する。 （もっと読む）

【課題】階調領域の設定にユーザーの積極的な関与が必要であり、作業効率が悪い。
【解決手段】元画像について、一方の軸を表示階調、他の軸を頻度とするヒストグラムを生成する。次に、当該ヒストグラムに現れる全ての谷を対象に、１つの谷から隣の谷までの区間を１つの選択領域に設定し、表示階調範囲の全域を複数の選択領域に分割する。次に、優先度に従って、複数の選択領域の中から少なくとも一つを候補領域に選択し、当該候補領域の階調情報を強調するように元画像を階調変換した画像を画面上に表示する。 （もっと読む）

【課題】容易に荷電粒子ビームの軸合わせができる荷電粒子ビームの軸合わせ方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームの軸合わせ方法は、試料上における荷電粒子ビームの入射方向での焦点位置、第１アライメントコイルの励磁電流、および第２アライメントコイルの励磁電流を制御して、少なくとも第１〜第６画像データを取得する画像データ取得工程（Ｓ１０）と、少なくとも前記第１〜第６画像データから、荷電粒子ビームの軸合わせのための第１アライメントコイルの励磁電流値および第２アライメントコイルの励磁電流値を算出する演算工程（Ｓ１１〜Ｓ１３）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭ装置での検査速度高速化技術の提供。
【解決手段】ウェーハ下方の第１サーチダイの左下隅がカメラ中央付近に位置するようにステージを移動し、パターンマッチ用テンプレート画像を取得する。第１サーチダイの右隣のダイを第２サーチダイとし、第２サーチダイの上隣のダイを第３サーチダイとし、ステージを移動し、上記テンプレート画像を用いて自動でパターンマッチを実行することで、第２サーチダイ及び第３サーチダイのパターンの厳密な座標値を取得する。第２サーチダイのパターンマッチ座標と第３サーチダイのパターンマッチ座標の関係より、上隣ダイのパターンへの移動量を算出した、第１サーチダイの上隣のダイのパターンが存在すると予想される座標へステージを移動。テンプレート画像を用いてパターンマッチを実行することで、観察中のパターンの厳密な座標値を更新取得することを繰り返して精度を高めてゆく。 （もっと読む）

【課題】低高両倍率の観察画像を短い更新時間で安定して高い自由度で表示できるものとし、良好な操作性で高倍率とする所望の観察位置を素早く探査可能とする。
【解決手段】入力装置３０で指定された試料上の走査領域を電子線で２次元走査し、走査領域からの荷電粒子を検出して電子線の走査信号と同期させて画像表示装置４０に観察画像を表示する走査電子顕微鏡において、制御装置１００は、試料の第１走査領域における所定倍率の第１観察画像を取得し、画像表示装置の第１ウインドウに前記第１観察画像を表示し、入力装置３０で、第１観察画像中における位置及び領域を指定して第２走査領域を設定し、第２走査領域の前記第１倍率より大きな倍率の第２観察像を取得し、画像表示装置４０に第２観察画像を描画する第２ウインドウを、第１ウインドウの表示と合成して表示する。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子利用型欠陥検査装置によるパターン形成ずみの半導体基板の欠陥の検出に、画像の均一性およびコントラストの質を改善する方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板２２上の一部の領域を画像化する前に、その画像形成領域の周囲の領域を検査装置１０で帯電させてその周囲領域の非対称帯電の悪影響を消去または軽減する。この検査装置１０は周囲領域の帯電と画像形成領域からの画像形成とを交互に行って、画像化領域の複数の画像を形成し、それら画像を平均化処理する。これによって、高度に均一でコントラストの改善された画像が得られ、欠陥検出の精度を上げることができる。 （もっと読む）

【課題】高精度に試料の不純物濃度分布を測定する方法を提供する。
【解決手段】本発明の試料の不純物濃度分布を測定する方法は、走査工程、フィルタ工程、二次電子の強度を測定する強度測定工程、ハイパスフィルタ１７のカットオフエネルギー値Ｅｃを段階的にＮ−１回上昇させる工程、及び、二次電子の強度のエネルギー分布曲線ＲＬ、ＲＨを評価する工程とを備える。カットオフエネルギー値Ｅｃの各段階において、走査工程、フィルタ工程、及び、強度測定工程が行われる。ｍを１以上Ｎ以下の任意の整数、ｐを１以上Ｎ−１以下の任意の整数、ｍ段階目のカットオフエネルギー値ＥｃをＥ_ｍ、カットオフエネルギー値ＥｃがＥ_ｍである際に測定された二次電子の強度をＩ_ｍとしたとき、Ｉ_ｐ＋１−Ｉ_ｐの値を、Ｅ_ｐ以上Ｅ_ｐ＋１以下のエネルギーを有する二次電子の強度とみなす。 （もっと読む）