【課題】高精度に試料の不純物濃度分布を測定する方法を提供する。
【解決手段】本発明の試料の不純物濃度分布を測定する方法は、走査工程、フィルタ工程、二次電子の強度を測定する強度測定工程、ハイパスフィルタ１７のカットオフエネルギー値Ｅｃを段階的にＮ−１回上昇させる工程、及び、二次電子の強度のエネルギー分布曲線ＲＬ、ＲＨを評価する工程とを備える。カットオフエネルギー値Ｅｃの各段階において、走査工程、フィルタ工程、及び、強度測定工程が行われる。ｍを１以上Ｎ以下の任意の整数、ｐを１以上Ｎ−１以下の任意の整数、ｍ段階目のカットオフエネルギー値ＥｃをＥ_ｍ、カットオフエネルギー値ＥｃがＥ_ｍである際に測定された二次電子の強度をＩ_ｍとしたとき、Ｉ_ｐ＋１−Ｉ_ｐの値を、Ｅ_ｐ以上Ｅ_ｐ＋１以下のエネルギーを有する二次電子の強度とみなす。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭにおいて、同心円状パターンの異常、欠損等を自動で検出することができる。
【解決手段】同心円状のパターンを有する試料のＳＥＭ画像を撮像する画像撮像部と、前記画像からドット状パターンの重心点または線状パターンの中心線を求め、求めた重心点または中心線から所定の値を算出し、該所定の値と理論値との差分値を求め、該差分値と所定の閾値とを比較する位置測定部と、前記比較結果を表示装置に出力する出力部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所定パターンが繰り返し配列された試料の検査に適用される検査装置において、電子線のドリフト等の理由により、電子線を照射すべき位置と実際に照射された位置とに誤差が生じる。前記検査装置においてはこの誤差を小さくする必要がある。本発明の目的は、電子線の走査位置をリアルタイムに正確に制御することができる検査装置を提供することにある。
【解決手段】所定パターンが所定周期で配列された試料の検査に適用される検査装置において、検出信号から得られるパターンの位置と、既知の前記パターンの位置を含む前記パターンの位置情報とから、一次電子線が照射された位置と当該照射の目標位置とのずれ量を求めることを特徴とする。さらに、前記ずれ量を用いて前記一次電子線の照射位置の補正値を出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はＸ線分析方法及び装置に関し、ステージ走査でも良好なドリフト補正を行うことができるＸ線分析方法及び装置を提供する。
【解決手段】試料上の面分析領域の内部を複数のブロックに分けて、ブロック内での各ラインのステージ走査に基づく特性Ｘ線の測定が第１ブロックから各ブロック毎に順次行うようにされており、各ブロックにおいて最初に走査が行われるラインについてのステージ走査の開始前に、試料の電子線走査画像を取得し、第２ブロック以降における特性Ｘ線の測定開始時においては、当該ブロックにおいて取得された電子線走査画像と、その直前のブロックにおいて取得された電子線走査画像との照合を行って、ステージのドリフト量を求め、該ドリフト量に基づいて電子線のビームシフトを行うことにより、試料上での電子線の照射位置を補正してから当該ブロック内での特性Ｘ線測定を開始するように構成する。 （もっと読む）

【課題】検査対象の電気特性を測定する場合に、検査対象の電気特性に影響を与えることなく、ＳＥＭ画像の高倍率化、高分解能化及びリアルタイム性を実現する。
【解決手段】試料上の検査対象における目標位置の像を含む高画質且つ高倍率の第１の画像を取得する。次に、試料上の検査対象における目標位置の像とプローブの像を含む低画質且つ低倍率の第２の画像を取得する。次に、第２の画像に第１の画像データを組み込むことによって、第２の画像の倍率と同一の倍率の粗寄せ観察用の画像を生成する。プローブが検査対象における目標位置に近接するまで、粗寄せ観察用画像の生成を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工の基準となる基準マークを自動的に正確に検出できる荷電粒子ビーム応用装置、および荷電粒子ビーム応用装置における基準マークの検出方法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭカラムの光軸とＦＩＢカラムの光軸の間を分割した複数の角度に試料を傾斜させたときの基準マークのＳＥＭ画像からテンプレートを作成登録し、位置の補正量を試料の傾斜角度毎に算出し、ＦＩＢ加工中には試料の角度を固定したまま傾斜した基準マークのＳＥＭ画像を取得し、登録されたテンプレートを用いて基準マークを検出する。 （もっと読む）

【課題】フレーム間演算の積分比率を積分比率の設定テーブルから自動的に設定する事で、オペレーティング時の手動設定が大幅に簡略化し、思考錯誤的なオペレーション時の操作性を改善する。観察箇所を決定する際には、フィルタ係数設定・検出器設定を試料に合わせて手動で切替ながらオペレーションする必要があるという課題があった。
【解決手段】装置による検出器の設置位置、検出系の違い、観察試料の組成に起因する信号の違いをヒストグラムから判定し、フレーム間演算の積分比率を積分比率の設定テーブルから自動的に設定する事で、オペレーティングに最適な観察像を表示する事が可能となり、オペレータによる積分比率の手動設定が大幅に簡略化でき、思考錯誤的なオペレーション時の操作性が改善される。 （もっと読む）

【課題】カラーの合成画像に基づいた計測精度を向上させる。
【解決手段】電子線撮像手段１１で取得した電子顕微鏡画像の位置情報を記憶するための第一記憶手段１３１と、光学系撮像手段１２で取得した光学画像の色情報を記憶するための第二記憶手段１３２と、第一及び第二記憶手段１３２に各々記憶された電子顕微鏡画像の位置情報と光学画像の色情報に基づいて合成した合成画像を生成するための画像合成手段１１６と、画像合成手段１１６で生成された合成画像を表示するための表示手段と、表示手段上に表示される合成画像に対して、表示手段の画面上にて計測点を指定する計測点指定手段１３０と、計測点指定手段１３０にて指定された合成画像上の計測点を、第一記憶手段１３１に記憶される位置情報に対して対応させて特定し、指定された計測を行う計測手段１３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査，測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査，測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、荷電粒子線走査個所の表面電位の電位計測結果から、当該走査個所より広い領域の電位分布に基づいて得られる電位を減算する装置、及び方法を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査，測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料に対するビームの照射量を抑制しつつ、適正なコントラスト或いはブライトネスの調整を行うコントラスト・ブライトネス調整方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、本発明では、荷電粒子線装置等によって得られた信号からフォーカスずれ量を示す指標値を求め、当該指標値に基づいて、画像のコントラスト及び／又はブライトネスを調整する方法、及び荷電粒子線装置を提案する。このような構成によれば、フォーカスがずれた状態にて、コントラストとブライトネスを調整するに必要な情報を得ることができるため、試料へのビーム照射を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成により転送路の異常を即時に検出できる荷電粒子線応用装置を提供することにある。
【解決手段】荷電粒子線応用装置は、荷電粒子線装置と画像処理装置を接続する転送路と、を有する。転送路は、画像データを荷電粒子線装置から画像処理装置に転送するための第１の信号伝送線と、同期信号を荷電粒子線装置から画像処理装置に転送するための第２の信号伝送線と、を有する。画像処理装置は、第１の信号伝送線を経由して送信された同期信号を監視することによって、転送路の状態を監視する転送路監視部を有する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線が照射される位置の安定性を容易に評価することができる変位検出回路を提供する。
【解決手段】ヘテロダイン干渉計と、該ヘテロダイン干渉計の基準信号と測定信号のそれぞれの光ビート回数をカウントするデジタルカウンタと、前記基準信号と前記測定信号との差分をとる減算器と、前記基準信号の波形の位相をシフトさせる位相シフト回路と、該位相シフト回路で位相シフトされた位相シフト信号の波形から特定の１つの信号波形を選択するスイッチ回路と、前記基準信号と前記測定信号との位相差を検出するゲートと、該ゲートの出力からヘテロダイン周波数の信号を取り除くローパスフィルタと、を構成とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥を高精度に検出すること。
【解決手段】半導体基板から第１の仰角で放出される第１の二次電子の量と前記第１の仰角と異なる第２の仰角で放出される第２の二次電子の量とを個別に検出する。そして、前記検出した第１および第２の二次電子の量から夫々電位コントラスト画像を作成する。そして、前記作成した夫々の電位コントラスト画像の合成比率を決定し、前記第１および第２の二次電子の量から夫々作成した電位コントラスト画像を前記決定した合成比率で合成する。そして、前記合成された電位コントラスト画像を参照画像と比較することによって欠陥を抽出する。合成比率を決定する際、配線間の底部の輝度を求め前記求めた輝度が所定の基準値を越えるか否かを判定する。前記求めた輝度が所定の基準値を越えなかった場合、合成比率を変更する。 （もっと読む）

【課題】微小ピクセルによる高感度検査を、ステージをスキャン移動させながら効率的に行える電子線検査装置、方法及び記憶媒体を提供する。
【解決手段】本発明による電子線検査装置では、検査対象物がステージ移動方向と垂直な方向に分割された非連続な２つ以上の検査領域を有する場合、電子線走査制御手段は、電子線走査手段が検査領域に挟まれた非検査領域に照射電子線を照射しないように、照射電子線の走査幅を制御する。 （もっと読む）

【課題】未知の組成/幾何学形状を有する試料に関する用途に適応できるSEM画像化法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭを用いた試料の調査方法に関し、複数(N)回の測定で探針電子ビームを試料の表面に照射する手順であって、各測定はビームパラメータ(P)の値を有し、該ビームパラメータの値は、ある範囲の値から選ばれ、かつ測定毎に異なる、各測定間に前記試料によって放出される誘導放射線を検出し、該誘導放射線と測定量(M)とを関連づけ、記録することで、複数のデータ対(P_i,M_i)（1≦i≦N）からなるデータの組をまとめることを可能にする手順、を有する。統計的ブラインド信号源分離法を用いて、データの組(D)を自動的に処理し、複数の画像化対(Q_k,L_k)からなる結果として得られた組(R)に分解することを特徴とし、Q_kの値を有する画像化量(Q)は、表面Sを基準とした離散的な深さレベルL_kに関連づけられる。 （もっと読む）

【課題】欠陥箇所のフレームが特定可能な、又は保存画像の圧縮率が高い、或いはシステマティックな欠陥を抽出可能な高精度で低ダメージの走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡において、パターンの検査・測長のための合成画像を構成する個々のフレーム画像やサブフレーム画像に対してパターンの有無を判定するパターン有無判定部１０１２や倍率補正部１０１４、歪曲補正部１０１８、画像合成部１０１５及びそれら画像を動画形式で圧縮保存する記憶部１１１１を備える。 （もっと読む）

【課題】
複数本の二次電子ビーム調整を、効率良く実施することのできる半導体検査装置および欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
被検査対象物に複数の照射光を照射する照射光学系と、前記照射光学系により照射され、該被検査対象物から放出される複数の光を検出する検出光学系と、前記検出光学系で検出した複数の光に基づく信号の強度を比較する比較部と、前記比較部で比較された結果に基づき該複数の光の位置と前記検出光学系における該複数の光の検出位置とのずれ量を算出する補正量算出部と、該複数の光に基づく信号を処理して該被検査対象物の検査を行う処理部とを備える演算処理部と、を備え、前記検出光学系は、さらに、前記補正量算出部で算出されたずれ量に基づき前記照射光学系を調整する制御部を有することを特徴とする検査装置である。 （もっと読む）

【課題】高感度にＲＯＩ領域の欠陥発生頻度や特性尤度の効率的なモニタリングをする。
【解決手段】ステージの連続移動に同期して、マトリクス状に配置した複数の電子線をステージ移動方向に間引いて回路パターンに照射し、発生する二次電子等を取得し、同一領域で取得した画像を加算平均することで高速にしかも高ＳＮの画像を取得し、取得画像より回路パターンの欠陥を判定する。ステージ移動と垂直方向への移動時に隣接領域ではなく、間引いて画像取得することで、ＲＯＩ領域のみ、又は回路パターン全体の欠陥発生頻度や特性尤度を効率的にモニタリングする。 （もっと読む）

【課題】周期構造を有する試料でも観察対象の構造の断面を観察可能な断面加工観察を図ること。
【解決手段】試料５に集束イオンビーム３を照射する集束イオンビーム照射系１と、試料５上の集束イオンビーム照射領域に荷電粒子ビーム４を照射する荷電粒子ビーム照射系２と、試料５から発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器７ａと、異なる断面間隔の断面を作成する集束イオンビーム３の照射信号を集束イオンビーム照射系１に送信する処理を行う処理機構１１と、を有する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動に依らず、高精度な測定，検査条件の設定を可能とする測定，検査条件設定方法、及びコンピュータプログラムの提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、異なる製造条件にて形成された複数のパターンについて、荷電粒子線装置を用いた測定を行い、当該複数のパターンの基準寸法と、当該測定結果との差異、或いはばらつきが相対的に小さくなる測定条件を選択する測定条件設定方法、及びコンピュータプログラムを提案する。複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。 （もっと読む）