電子ビーム（１２）を試料（２４）の表面に照射する電子銃（１４）と、試料の表面の帯電量に基づいた電圧を試料に印加することにより、試料の表面の電位を予め定められた電位に制御する電位制御部（５０）と、電子ビームが試料の表面に照射されることにより生じる電子を検出する電子検出部（１６）と、電子検出部が検出した電子に基づいて、試料の表面の状態を取得する状態取得部（３２）とを備える試料観察装置を提供する。
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【課題】本発明は低加速電圧領域で空間分解能の高い走査像を得ることの出来る走査形電子顕微鏡を提供することを目的としている。
【解決手段】対物レンズ８の電子ビーム通路に加速円筒９を配置し、一次電子ビームの後段加速電圧１０を印加する。また、試料１２に重畳電圧１３を印加して加速円筒９と試料１２の間に一次電子ビームに対する減速電界を形成する。試料１２から発生された二次電子や反射電子等の二次信号２３は、試料直前の電界（減速電界）で加速円筒９内に吸引され、加速円筒９より上方に配置された二次電子検出器により検出される。 （もっと読む）

【課題】大気と異なる環境内において、試料にビームを照射して発生した電子を検出することによって該試料に関する表面の微細形状を、精度良く取得する装置の提供。
【解決手段】センサー３２は、ＥＢ−ＴＤＩセンサーであり、真空中にて電子を直接センサー面に入射できる。該センサー３２は、パッケージに設置され、このパッケージがフィードスルー２２を構成する。従って、従来の検出系のような、光変換損失、光伝達時の収差・歪み、及びそれによる画像分解能劣化、検出不良、高コスト、大型になるといった欠点を解決する。 （もっと読む）

【課題】顕微鏡画像への着色を容易に行うことのできる試料表示装置等を提供する。
【解決手段】試料表示装置は、観察対象の画像を濃淡で表示する顕微鏡画像を取得するための顕微鏡画像撮像部と、顕微鏡画像撮像部で顕微鏡画像を撮像する際の像観察条件を設定するための観察条件設定部と、顕微鏡画像撮像部で撮像された顕微鏡画像を表示するための表示部と、同一の観察対象について色情報を有する可視光画像を取得するための可視光画像取得部と、可視光画像から、顕微鏡画像に着色する所望の色を選択するための色選択部と、色選択部で選択された色に、顕微鏡画像に着色する着色部とを備える。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡で撮影した半導体デバイスの画像と、前記半導体デバイスの設計データ間のパターンマッチング処理を行い、パターン形状の評価や、検査位置の検出などを行う場合、複雑な画像処理パラメータの設定が必要であるという問題があった。
【解決手段】
本発明のパターンマッチング装置は、例えば走査型電子顕微鏡システムに搭載することができ、ＳＥＭ画像から直感的に得られるホワイトバンドの幅に関連する画像処理パラメータを利用してフィルタパラメータを変更することにより、ＳＥＭ画像に含まれたパターンを高精度に抽出し、設計データとパターンのマッチング処理を行うものであり、ＳＥＭで撮影した半導体デバイスのパターン形状と設計データの一致度計算や、設計データ内からＳＥＭ画像のパターンと一致する位置検出，ＳＥＭ画像内から設計データのパターンと一致する位置検出に利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 バックグランド，検出系及び走査信号の影響や、Ｓ／Ｎ比の低下による波形歪みの無い検出信号を得る。
【解決手段】 電子銃１、集束レンズ２、対物レンズ３、偏向器５Ｘ，５Ｙ、二次電子検出器７、二次電子検出器７の出力信号の内、任意のレベル域にある信号を切り出す振幅制限器１３、及び振幅制限器１３の出力信号の振幅を調整する信号レベル調整回路１４を備えた。 （もっと読む）

【課題】複数の重要領域を含むウエハやレチクルを、複数のビームを使用して走査して検査するための効果的なシステム及び方法の提供。
【解決手段】検査システム１０は、（ｉ）ビームアレイ軸により特徴付けられるビームアレイ２０２を生成するように適合されたビームアレイ発生装置２０と；（ｉｉ）ウエハ１００の少なくとも２つの選択された領域を、ビームアレイ軸に沿って位置決めされる少なくとも２本のビームが実質的に同時に走査するようにビームアレイ２０２の下のウエハ１００を位置決めするように適合されたＸステージ３０，Ｙステージ３１およびθステージ３２と；を含んで構成する。 （もっと読む）

【課題】
被観察対象物の凹凸形状を観察するに十分な画像を正確に精度よく立体観察可能とする走査型電子顕微鏡装置およびこれを用いた三次元画像表示方法を提供する。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡装置による三次元画像表示方法が、ＳＥＭ画像データからＳＥＭ画像の輪郭線データを抽出して三次元形状生成する処理と、ビームチルトして取得したＳＥＭ画像データから三次元形状パターン生成する処理と、三次元形状と三次元形状パターンとを双方の傾斜情報を対応情報として抽出する処理と、前記三次元形状と前記三次元形状パターンとを対応関係においてテクスチャマッピングして三次元立体画像を合成する処理と、および合成した三次元立体画像をディスプレイ装置に表示する処理とをビームチルトの角度を変えて複数繰り返して複数の三次元立体画像をディスプレイ装置に表示することを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、試料の内部Ｘ線画像を取得するとともに、電子顕微鏡の機能も実現できるようにする。
【解決手段】
電子鏡筒１の電子線を可動式のターゲット９により遮蔽し、Ｘ線を発生させることで、Ｘ線発生器を電子線発生器と共用させる。これにより試料への照射Ｘ線と照射電子線が同軸上に落射されるため、同一視野で試料内部情報、表面情報の両方を観察することができる。また、試料全体の内部形態情報を示すＸ線画像に目的部位１５の元素分布像を重ねがきして表示することも可能となる。機械的切断手段１０を備えているため、試料内部の電子線画像などを表示することも可能である。 （もっと読む）

【課題】短時間で容易に高精度の条件設定を行うことのできる荷電粒子線装置を提供すること。
【解決手段】試料から発生する二次電子を含む発生信号を検出して画像を得る荷電粒子線装置において、荷電粒子線が流れる荷電粒子光学系に印加される電流値と電圧値を入力する入力手段と、荷電粒子光学系の形状と位置と物性及び印加される電流ないし電圧の精度とを記憶する記憶手段と、荷電粒子線経路付近の電磁場計算を行う電磁場計算手段と、計算された電磁場中での荷電粒子線の軌道を計算する荷電粒子軌道計算手段と、軌道計算の結果を記憶する記憶手段と、計算結果に基づき前記荷電粒子光学系を制御する制御部とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置や液晶等の基板欠陥検査において、基板全面の電気抵抗および電気容量の分布や傾向を短時間に求めることが可能な検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ等の被検査基板９に荷電粒子ビーム１９を照射して、発生した二次電子や後方散乱電子を検出器２０に取り込み、取り込んだ電子数に比例した信号を発生させ、その信号をもとに検査画像を形成させる。一方で、荷電粒子ビームの電流値および照射エネルギー、被検査基板表面での電場、二次電子および後方散乱電子の放出効率等を考慮し、検査画像と一致させるように電気抵抗や電気容量を決定する。電子ビーム照射による帯電を利用し、正常部と欠陥部の電気抵抗値の差を十分増大させた状態で電位コントラスト像を取得して検査を行い欠陥を検出する。このようにして電気抵抗や電気容量を見積もり、基板製造過程の早期に異常対策処理を講じることで基板不良率を低減して生産性を高められる。 （もっと読む）

方法が、走査ビーム画像において観測することができる物体のサンプリングされた表現を複数のフィルタでフィルタリングすることであって、それによって、複数の中間画像を生成する、フィルタリングすることを含む。中間画像は合成されて、走査ビームにおいて観測されるものを予測するシミュレートされた画像が生成される。
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【課題】
本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】
上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）

【課題】 試料の傾斜角や高さに依存することなく、精度のよい試料の画像計測が行なえる電子線装置と電子線装置用基準試料を提供する。
【解決手段】 上記目的を達成する本発明の電子線システムは、例えば図１に示すように、電子線を射出する電子線源１と、電子線源１から射出された電子線７を収束し、試料９に照射する電子光学系２と、電子線７が照射された試料９からの電子７ｄを受け取る検出部４と、試料９を支持する試料支持部３と、試料支持部３で支持された試料９に照射される電子線７と試料３とを相対的に傾斜させる試料傾斜部５（５ａ，５ｂ）と、前記相対的な傾斜が自在であるように試料支持部３で支持された少なくとも傾斜した２面を有する基準試料９ａから電子を受け取った検出部４からの検出信号を、傾斜毎に受け取り、前記傾斜した２面の画像と基準試料９ａの基準寸法とから、基準試料９ａの傾斜角度を求めるデータ処理部２０等とを備える。 （もっと読む）

第１横断区分と第２横断区分との間に置かれた中間区分により画成されるサブミクロン断面を有する被測定構造素子の断面特徴を決定するためのシステム及び方法。この方法は、基準構造素子の第１部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第１横断区分とを第１の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第１横断区分との間の第１関係を決定する第１ステップで開始する。この第１ステップの後に、基準構造素子の第２部分と、上記被測定構造素子の少なくとも第２横断区分とを第２の傾斜状態で走査して、上記基準構造素子と上記第２横断区分との間の第２関係を決定する第２ステップが続く。この方法は、上記第１関係及び第２関係に応答して上記被測定構造素子の断面特徴を決定する第３ステップで終了となる。 （もっと読む）