【課題】電子ビームで結晶粒を測定して、自動的にポリシリコン膜の結晶状態の検査を行う結晶状態検査装置、これを用いたポリシリコン膜の結晶状態検査方法及び薄膜トランジスタの製造システムを提供する。
【解決手段】ポリシリコン膜の結晶状態検査装置８０は、電子ビーム通過経路及び該電子ビームを照射しようとする大気圧下に置かれた状態の被検査ポリシリコン膜２０の表面を局部的に高真空に維持できる照射ヘッド５０と前記電子ビームの照射によって被検査ポリシリコン膜２０の表面から発生する２次電子を検出できる電子線検出器４７を備えた走査型電子顕微鏡４０と、電子線検出器４７に接続され、前記電子ビームで撮像した被検査ポリシリコン膜２０の撮像画像から、その被検査ポリシリコン膜２０の結晶粒径サイズを測定し、その被検査ポリシリコン膜２０の良否を検査できる画像処理ユニット７０とを備えて構成されている。 （もっと読む）

【課題】
ＳＥＭ装置等において、撮像レシピを自動作成するための選択ルールを教示により最適化できるようにした撮像レシピ作成装置及びその方法を提供することにある。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて半導体パターンをＳＥＭ観察するための撮像レシピを作成する撮像レシピ作成装置であって、半導体パターンのレイアウト情報を低倍視野で入力して記憶したデータベース８０５と、該データベースに記憶した半導体パターンのレイアウト情報を基に、教示により最適化された撮像ポイントを選択する選択ルールを含む自動作成アルゴリズムに従って前記撮像レシピを自動作成する撮像レシピ作成部８０６、８０９とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 試料から微小サンプルを切り出す作業を迅速に且つ正確に行うことができ、また、微小サンプルを試料台に配置させる作業を迅速に且つ正確に行うことができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】 プローブに負の電圧を印加し、試料の輝度を計測する。プローブによって試料から微小サンプルを切り出す場合には、輝度が減少したときに、プローブが試料に接近したと判定し、輝度が更に減少した後に急激に増加したとき、プローブが試料に接触したと判定する。プローブに接続された微小サンプルを試料台に配置する場合には、輝度が減少したときに、プローブに接続された微小サンプルが試料台に接近したと判定し、輝度が更に減少した後に急激に増加したとき、プローブに接続された微小サンプルが試料台に接触したと判定する。 （もっと読む）

【課題】物体の表面電位分布を精度良く測定する。
【解決手段】試料表面を荷電粒子ビームで走査し、試料の表面における電位情報を取得する（ステップ５０１〜５２１）。そして、その取得結果に基づいて、適切な電荷又は電位の分布モデルを決定し、その決定された分布モデルに応じて荷電粒子ビームの軌道を計算し、該計算結果に基づいて試料の表面電位の分布状態を求める（ステップ５２３〜５３５）。これにより、これまでほとんど考慮されていなかったビームの曲がりなどを含む荷電粒子ビームの挙動が、正しく反映されることとなる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。
【解決手段】荷電粒子線を当該荷電粒子線の光軸に対し斜めになるように荷電粒子線を傾斜、或いは、試料ステージを傾斜して、試料上に走査し、検出信号の荷電粒子線の線走査方向への広がりを計測し、荷電粒子線を光軸に沿って走査したときの広がりと比較し、広がりの増減に基づいて前記走査個所の凹凸状態を判定する。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム装置で用いられる偏向校正を高精度で行う電子ビーム校正技術を提供する。
【解決手段】電子ビームの走査方向に対して格子の方向を水平方向になるように一次元回折格子を配置させ、かつ格子のピッチ寸法に一致するように電子ビーム走査を垂直方向に移動させながら水平に走査する。得られた二次電子信号像から、モアレ干渉縞の有無で電子ビームの走査に対する垂直方向の偏向校正が正しく行われているか判定できる。 （もっと読む）

【課題】
走査式電子顕微鏡を用いた観察において、観察試料に対して鉛直下向きに撮像する落射画像と、傾斜観察画像とを高速に収集すること。
【解決手段】
本発明は、観察試料上の欠陥に対してほぼ垂直方向から収束された電子ビームを走査して照射し、前記欠陥からの２次電子像又は反射電子像を第１の電子検出手段により検出して落射観察による欠陥画像信号を出力する第１の電子光学系２０ａと、前記観察試料上の欠陥に対して傾斜方向から収束された電子ビームを走査して照射し、前記観察試料上の欠陥からの２次電子像又は反射電子像を第２の電子検出手段により検出して傾斜観察による欠陥画像信号を出力する第２の電子光学系２０ｂとを備え、前記第１の電子光学系から落射観察による欠陥画像信号を収集し、前記第２の電子光学系から傾斜観察による欠陥画像信号を収集するように構成した電子線式観察装置である。 （もっと読む）

【課題】 試料を内蔵する容器およびこの容器内にあって試料が載置されるステージの間の相対位置変化を検出し、簡易にしかも確実に画像情報への振動による影響を除去できる走査型電子顕微鏡を実現する。
【解決手段】 画像処理部２６において、計測手段１８から、電子ビームを走査する際のステージおよび試料室の壁面の相対位置情報を取得し、この相対位置情報に基づいて、画素位置補正手段９７は、この走査で取得された画像情報に画素位置補正を行い、画像生成手段９８は、この画素位置補正で生じる画素抜けあるいは画素の重複を無くす画像生成を行い、画像切り出し手段９９は、表示画像の切り出しを行うこととしているので、電子ビームの走査中にステージが振動する際の画像情報への影響を、簡便にしかも確実に除去することを実現させる。 （もっと読む）

【課題】 走査電子顕微鏡において、再現テストを実施する手間を省力化して自動観察処理の実行で生じた問題の基本解析ができ、かつそのエラーにいたった経緯を確認することを容易にした。
【解決手段】 走査電子顕微鏡１００は、異常から検出すると、逐次上書きされながら記録装置４３に記憶されている試料像画像を、そのエラー発生のタイミングｔｅに対応して記憶されている試料像画像Ｉｍ（ｔｅ）から、入出力装置４２により予め設定登録された所定映像量分（例えば、記録延べ時間ｔ２）だけ遡った試料像画像Ｉｍ（ｔ２）を抽出し、記録装置４４に記憶する。 （もっと読む）

【課題】 基板１０２の表面に位置する被観察体１０５の観察面１０７をＳＥＭで観察すると、ＳＥＭでの観測に用いる電子線が蓄積され、観察面１０７がチャージアップしてしまい、観察面１０７に蓄積された電荷の影響により、観察面１０７上に入射された電子が反射されることにより、観察像が白く光り、ＳＥＭによる観察が困難であった。
【解決手段】 集束イオンビームを用いて、被観察体１０５の深さよりも深く、かつ被観察体１０５を囲うような溝状の接地された導電体１０３で被観察体１０５の外周の少なくとも一部を囲むようにした。被観察体１０５の観察面１０７をＳＥＭ観察する際の電子線の照射により蓄積された電荷を効率的に導電体１０３に逃がすことができるため、チャージアップによる断面像の乱れを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 荷電ビーム粒子装置の光学系内部に配置されている収差補正装置の軸合わせを、短時間で簡易に行うことを可能にする。
【解決手段】 収差補正装置Ｃの前方に荷電粒子線の偏向器Ｄを設け、収差補正装置Ｃの一段目の多極子に対する荷電粒子線の入射方向を変えることを可能とする。偏向器Ｄを設けたことにより、加速電圧を変更したり、照射電流を変えるために集束レンズの励磁を変更しても対物レンズ絞り33の位置を再調整する必要が無いので、収差補正装置Ｃの軸ずれ補正をやり直す必要が無くなる。 （もっと読む）

【課題】 試料上での微少領域を荷電粒子ビームで走査する際に、荷電粒子ビームの走査幅の校正を正確に行うこと。
【解決手段】 試料室内に配置された試料１５上に荷電粒子ビーム１を走査し、これにより試料表面のビーム走査像を取得するとともに、試料室内に設けられたプロービング機構２３のプローブ７を試料１５上で走査し、これにより試料表面のプローブ走査像を取得する顕微装置における荷電粒子ビームの走査幅校正方法において、プローブ７の走査移動量をビーム走査像に基づいて検出し、また当該プローブの走査移動量をプローブ走査像に基づいて検出し、検出された双方の走査移動量を比較し、その比較結果に基づいて荷電粒子ビームの走査幅の校正を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの測定、検査、欠陥レビュー用などの走査電子顕微鏡において、画像を撮像する時間の短縮と高画質撮像の両立を実現する。
【解決手段】大ビーム電流を用いて低倍画像を撮像し、小ビーム電流を用いて高倍画像を撮像し、ビーム電流の変化によって発生する撮像画像の輝度変化、焦点ずれ、アライメントずれ、視野ずれを補正する制御量を予め全体制御系１１８内のメモリに保存しておき、ビーム電流を切り替える都度これを補正することにより、電流を切り替えた後の調整作業なしで画像を撮像することを可能にする。また、電子ビームの照射経路中に絞り８０１を設けることにより、電流切り替え時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】電子線照射による形状・寸法変化が生じる試料において、最適な測定条件を迅速にかつ簡便に決定する。
【解決手段】測定条件を変えて寸法の測定を反復する。シュリンク量と測定再現性が予め設定された基準値を見たすまで、加速電圧等の測定条件を変化させて測定を実施し、最適な測定条件を探す。 （もっと読む）

電子ビームを照射して、所望のパターンが形成された試料の表面を観察する試料観察装置であって、電子ビームを試料の表面に照射する電子銃と、電子ビームが試料の表面に照射されることにより、試料から生じる電子を検出する電子検出部と、電子検出部が検出した電子に基づいて、試料の表面上の位置と、当該位置に対応して電子検出部が検出した電子量との関係を示す信号プロファイルを生成する状態取得部と、試料の表面上のそれぞれの位置における、信号プロファイルの２階微分値を算出する微分器と、信号プロファイルの２階微分値に基づいて、試料の表面に設けられたパターンのエッジの位置を算出するエッジ位置算出部とを備える試料観察装置を提供する。
（もっと読む）

【課題】 低加速電圧を用いた高精度な三次元解析を行える走査型電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 二次電子検出器１２よりも電子源側に、４分割された変換電極２１ａ〜２１ｄが配置されている。変換電極２１ａは対物レンズの下面（試料側）より上方に配置されており、その変換電極２１ａに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、変換電極２１ａの近傍の二次電子検出器１２ａに捕集される。同様にして、変換電極２１ｂに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｂにより捕獲され、変換電極２１ｃに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換されて二次電子検出器１２ｃにより捕獲され、変換電極２１ｄに衝突した反射電子２３ａは二次電子２３ｂに変換され、二次電子検出器１２ｄに捕集される。 （もっと読む）

【課題】
電子線を照射し、その二次電子などを検出する検出系では高速で検出するには検出器の面積が重要なファクタである。現在の電子光学系、検出器の技術では一定以上の面積の検出器が必要で、面積に逆比例する周波数で制約を受け、２００Msps以上の検出は実質的に困難である。
【解決手段】
例えば必要面積４mm角、４mm角時の速度を１５０Mspsとして４００Mspsで検出するには、単体の高速な２mm角の検出器を４個並べ、それらを増幅後、加算してA/D変換する。又は、二次電子偏向器で順次８mm角の検出器に二次電子を入射させ、１００Mspsで検出、A/D変換後並べる。いずれも、４mm角の面積と４００Mspsの速度を達成可能である。
（もっと読む）

【課題】
計測パターン形状ごとに，計測寸法差の評価，すなわち合わせ込みに必要なパラメータの算出と，該算出パラメータを用いた計測寸法差の合わせ込みを行う必要があった。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いてパターンの寸法を計測する方法において、表面にパターンが形成された試料に収束させた電子線を照射して走査し、収束させた電子線の照射により試料から発生する2次電子を検出して試料表面に形成されたパターンの画像を取得し、予め記憶手段に記憶しておいた装置間での画像プロファイルの特徴量を合わせこむためのフィルタパラメータ（関数）を読み出し、読み出したフィルタパラメータを用いて取得したパターンの画像から画像プロファイルを作成し、作成した画像プロファイルから前記パターンの寸法を計測するようにした。 （もっと読む）

【課題】走査型電子顕微鏡の撮像画像の画質を向上させる。
【解決手段】１次電子ビーム１０８を試料ウェハ１０６に照射する電子源１０１、加速電極１０２、集束レンズ１０３、偏向器１０４、対物レンズ１０５等と、試料ウェハ１０６から発生する放出電子信号１０９をサンプリングしてデジタル画像を取得する検出器１１０、デジタル化手段１１１等と、取得した前記デジタル画像の記憶、表示もしくは処理を行う画像メモリ１１６、入出力部１１８、画像生成部１１５、画像処理部１１４等とを備えた走査型電子顕微鏡に、前記記憶、表示もしくは処理されるデジタル画像の画素サイズよりも細かい間隔で放出電子信号１０９をサンプリングするサンプリング手段と、サンプリングされた放出電子信号１０９を元に画素サイズを大きくしてデジタル画像を生成する画像生成処理手段とを設ける。 （もっと読む）

電子ビーム（１２）を試料（２４）の表面に照射する電子銃（１４）と、試料の表面の帯電量に基づいた電圧を試料に印加することにより、試料の表面の電位を予め定められた電位に制御する電位制御部（５０）と、電子ビームが試料の表面に照射されることにより生じる電子を検出する電子検出部（１６）と、電子検出部が検出した電子に基づいて、試料の表面の状態を取得する状態取得部（３２）とを備える試料観察装置を提供する。
（もっと読む）