【課題】欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず、一定の条件で行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなるという問題があった。また、パターン付きウェーハではマーキングに適さない方の膜上にマーキングしてしまうという問題があった。
【解決手段】マーキング予定位置を元素分析し、その結果に基づいて、圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。また、登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】 半導体検査装置で大きさの異なる試料を検査する場合に、試料外縁付近を検査するときに試料近傍の等電位面の分布が乱れるため一次電子線が曲がってしまい、いわゆる位置ずれが発生する。
【解決手段】 試料の外側で且つ試料下面よりも低い位置に電位補正電極を設け、そこに試料よりも低い電位を印加する。また、検査位置と試料外縁との距離、試料の厚さ、および一次電子線の照射条件に応じて電位補正電極に印加する電圧を制御する。 （もっと読む）

【課題】電子線を走査して試料を観察するにあたって、高い分解能を有するとともに、電子線の走査に要する時間を短くできる試料観察装置を提供する。
【解決手段】ステージに載置された試料ＳＭに電子線ＩＢを照射して、試料ＳＭからの電子線を検出することにより試料を観察する電子線検査装置に於いて、１つの電子筒体５０は、試料ＳＭに照射される複数の電子線ＩＢ及び試料ＳＭからの電子線が通る電子線路を形成する複数の電子線照射検出系により構成される。ここで、複数の電子線照射検出系を同時に用いることで、検査の高速化を実現する。 （もっと読む）

【課題】
一次電子による帯電を抑制し、観察標体から明瞭なエッジコントラストを得て、試料の表面形状を高精度に計測する。
【解決手段】
試料上のイオン液体を含む液状媒体が薄膜状または網膜状である観察標体を用いる。また、この観察標体を用いる電子顕微法において、試料上のイオン液体を含む液状媒体の膜厚を計測する工程と、前記イオン液体を含む液状媒体の膜厚に基づき一次電子の照射条件を制御する工程と、前記一次電子の照射条件で一次電子を照射し前記試料の形態を画像化する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、異なる帯電が混在するが故に、正確な検査，測定が困難になる可能性がある点に鑑み、異なる帯電現象が含まれていたとしても、高精度な検査，測定を可能ならしめる方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、帯電条件の変化を示すフィッティング関数に基づいて、荷電粒子線照射によって得られるパターン寸法を補正する方法、及び装置を提案する。このような構成によれば、特性の異なる帯電現象が混在するような場合であっても、走査荷電粒子線装置による正確な検査，測定を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記課題に鑑み、広い領域で高精細な加工ピッチを実現し、広い領域を高精度に観察を行うことができる荷電粒子線装置及び加工・観察方法を提供することを目的とする。
【解決手段】偏向量の緻密な高精細スキャンと偏向量の大きなイメージシフトという２種類以上のＦＩＢ偏向制御を同期させ、従来よりも広い領域を高密度でスキャンする。また、ＦＩＢのイメージシフトを用いて加工された位置にＳＥＭのイメージシフトを追従させる。作製した一つの断面に対し複数枚のＳＥＭ像を取得し、それをつなぎ合わせることによって高精細な画像を作成する。本発明により、従来よりも広い領域を高精細スキャンで加工し、高精細な三次元構築用データを取得することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、電子線の照射により半導体ウェハから発生するＸ線を検出する検出器３４，３５と、傾斜角度が可変のカラム１６とを備え、試料ステージ２４により、半導体ウェハのエッジの欠陥位置にカラム１６の撮像視野を移動し、カラム１６を傾斜させた状態で、半導体ウェハのエッジに電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】ステージ動特性はステージの移動可能範囲に対するステージの絶対位置によって変化する。このような特性が障害となってステージの高速かつ高精度な位置決めを実現することは困難であった。
【解決手段】試料が載置されるステージと、現在のステージ位置を計測する位置計測器と、前記位置計測器によって計測された現在のステージ位置と移動目標のステージ位置とを用いて演算することで前記ステージの駆動量を求めるステージ制御演算部と、前記ステージ制御演算部で求められた駆動量に基づいて前記ステージを駆動するステージ駆動部と、を備え、前記ステージ制御演算部は、前記ステージの移動可能な領域に対する前記ステージの位置に応じて前記演算に用いるパラメータを制御する。 （もっと読む）

【課題】 エミッタティップ先端の機械的振動振幅が小さく、超高分解能の試料観察像が得られ、かつ試料観察像にゆれなどをなくす荷電粒子線顕微鏡を提供する。
【解決手段】 イオンを生成するエミッタティップと、該エミッタティップを支持するエミッタベースマウントと、該エミッタティップを加熱する機構と、エミッタティップに対向して設けられた引き出し電極と、エミッタティップの近傍にガスを供給する機構と、を有するガス電界電離イオン源において、エミッタティップ加熱機構が、少なくとも２個の端子間を接続するフィラメントに通電して前記エミッタティップを加熱する機構であり、前記端子間がＶ字状のフィラメントで接続され、V字のなす角度が鈍角であり、前記フィラメントの略中央に前記エミッタティップが接続されたことを特徴とするガス電界電離イオン源を搭載する荷電粒子顕微鏡とする。 （もっと読む）

【課題】使い勝手良く試料を荷電粒子技術及び光学技術にて的確に検査又は観察することが可能な検査装置、観察装置が提供される。
【解決手段】荷電粒子照射部から放出された一次荷電粒子線が試料に到達する間の少なくとも一部の領域となる真空状態に維持可能な第一空間の少なくとも一部を形成する第一の筐体と、該第一筐体に具備され前記試料を格納可能な第二空間の少なくとも一部を形成する第二筐体と、前記荷電粒子照射部から照射された一次荷電粒子線が試料上に照射する際の前記荷電粒子照射部の同軸上に配置され、前記第一空間と前記第二空間とを隔てる隔壁部と、前記試料に対し光を照射し、前記荷電粒子照射部と同方向から前記試料からの光を検出する光学式観察部と、を備える検査又は観察装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】高密度の荷電粒子小ビームを用い、高精度で荷電粒子小ビームを操作することのできる粒子光学システムを提供する。
【解決手段】粒子光学装置であって、荷電粒子ビームを発生させる少なくとも１つの荷電粒子源３０１と、複数の開孔を有し、その下流側で荷電粒子ビーム３０９から複数の荷電粒子小ビーム３が形成され、その集束領域に荷電粒子小ビームのそれぞれが焦点３２３を有する少なくとも１つの多孔プレート３１３と、荷電粒子小ビームの焦点が形成される多孔プレートの集束領域で視野レンズの効果を有する焦点レンズ装置３０７と、粒子光学装置の物体面内に位置決め可能な物体上に多孔プレートの集束領域をおおむね結像させるための対物レンズ１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】偏向位置によって電子ビームのショット形状が歪むのを抑制できる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１００は、主偏向非点の補正とともに、ＸＹ差も補正して得られた偏向電圧を、主偏向器２０８と副偏向器２０９に印加し、試料２１６上に所望のパターンを描画する。このため、電子ビーム描画装置１００には、主偏向器２０８に印加する偏向信号の補正量を算出する主偏向補正量演算部１２２と、副偏向器２０９に印加する偏向信号の補正量を補正する第２の補正量を算出する副偏向補正量演算部１２３と、第１の補正量を用いて主偏向器２０８に印加する偏向信号を生成し、第２の補正量を用いて副偏向器２０９に印加する偏向信号を生成する偏向信号生成部１２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程におけるプロセスマージン評価において、人手による作業負担を軽減すること。
【解決手段】ウェーハ上の観察対象の画像から得られた情報に基づいて前記観察対象の良否を自動的に判定し、判定結果を画面に表示するステップ４０２、観察対象の良否をユーザの指示に基づき修正することが必要な観察対象を判定結果の中から抽出して表示するステップ４０３、抽出して表示された観察対象に対する判定結果をユーザの指示に基づき修正する処理するステップ４０４を実行する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷＦを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系１８〜２２と、当該電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、傾斜可能なカラム１６とを備え、半導体ウェハのエッジ上におけるレシピあるいは位置情報に従って定まる位置に、試料ステージ２４によってカラム８の撮像視野を移動し、半導体ウェハのエッジにカラム１６を傾斜させた状態で電子線を照射して走査電子顕微鏡画像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】大気圧空間と減圧空間とを分離するための薄膜周辺部の構成最適化することによって、試料６を大気雰囲気あるいはガス雰囲気で観察することが可能な荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】第一の筐体７を排気する真空排気ポンプ４と、第一の筐体７内で、照射により得られる荷電粒子線を検出する検出器３と、少なくとも第一の筐体７若しくは第二の筐体８のいずれかの一部か、若しくは別体として構成され、第一の筐体７内と第二の筐体８内との間の少なくとも一部を隔てる薄膜１３と、薄膜１３に設けられ、荷電粒子照射部側の開口面積が試料６側の開口面積よりも大きい開口部１０ａと、開口部１０ａの試料６側を覆い、一次荷電粒子線及び荷電粒子線を透過あるいは通過させる薄膜１３と、を備える荷電粒子線装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ鏡筒とＳＥＭ鏡筒を直角に構成した装置において、観察している試料の位置関係を作業者が把握しやすいＦＩＢ像とＳＥＭ像を表示すること。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＦＩＢ鏡筒１と略直角に配置されたＳＥＭ鏡筒２と、試料４を載置する試料ステージ３と、試料４から発生する二次粒子を検出する二次電子検出器５と、検出信号からＦＩＢ像とＳＥＭ像を形成する観察像形成部１５と、ＦＩＢ像内の試料の左右の向きとＳＥＭ像内の試料の左右の向きが同じであるＦＩＢ像とＳＥＭ像を表示する表示部９と、を有する複合荷電粒子ビーム装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】直交に配置された２つの荷電粒子ビーム鏡筒を有する装置において、試料ステージ移動の操作性向上を図る。
【解決手段】集束イオンビーム鏡筒４と、それと直交する電子ビーム鏡筒５と、試料１１を移動させる試料ステージ２と、試料１１を観察する光学顕微鏡１４と、集束イオンビーム像及び電子ビーム像並びに光学顕微鏡像を表示可能な表示部９，１０と、各像の座標系に合わせて試料ステージ２を移動させるステージ制御部３と、を有する複合荷電粒子ビーム装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】従来のガスイオン化室では、グロー放電を避けるためにはガス圧を下げるしかなく、ガス導入圧を高めることでイオン電流を増やすことができないという課題があった。本発明は、ガス導入圧を高めることでイオン電流を増やすとともに、イオン化ガスによるビーム散乱を防ぐことを目的とする。
【解決手段】ＧＮＤ電位の構造体からガスを供給することで、ガス圧力のより高いイオン化ガスの導入口近傍に高電圧が印加されないようにする。また、加速・集束レンズを構成するレンズ電極のレンズ開口部から差動排気することでイオンビームが通過する領域に存在するイオン化ガスを優先的に減らす。 （もっと読む）