【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、ダミーウェハを使用することなく、ウェハが装着されない装着部の劣化を防止可能なイオン注入装置およびイオン注入方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、イオン注入装置が提供される。イオン注入装置は、イオン注入部と、複数の装着部と、傾斜機構とを備える。イオン注入部は、ウェハへイオンビームを照射して該ウェハへイオンを注入する。装着部は、ウェハをそれぞれ装着可能に構成され、前記イオンビームが照射される照射領域へ順次移動する。傾斜機構は、ウェハが装着されない前記装着部を前記イオンビームが照射されない位置まで傾斜させる。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の最低イオン注入量と最高イオン注入量の比が５倍以上になるような２次元イオン注入量面内分布を実現するイオン注入方法を提供する。
【解決手段】メカニカルにウエハを走査するウエハ走査領域長と、イオンビームのビーム走査速度を、同時に制御しながらウエハにイオン注入する注入方法を、イオンビームに対するウエハ回転角を変える毎に行い、これをウエハ１回転の間に複数回繰り返すことにより、ウエハ面内全面領域にイオン注入しながら、２次元イオン注入量面内分布を実現する。 （もっと読む）

【課題】ビーム照射効率を向上させるとともにドーズ量の面内均一性を維持できるイオンビームスキャン処理方法を提供する。
【解決手段】ビームチューニングにおいて、ビームスキャン幅最大（ＢＳＷ１）時のビーム電流のスキャン（Ｘ）方向分布特性を測定し、このときのスキャン電圧補正関数１５ｗを演算する。これに基づいて横（Ｘ）方向ドーズ量均一性を満たしながら予定された各ビームスキャン幅（ＢＳＷ１〜３等）に対応する各スキャン電圧補正関数１５ｗを複数個自動計算する。続いて、メカニカルＹスキャン位置に応じてスキャン電圧補正関数を切り替えてウエハの片側のビームスキャンエリアをＤ形状にしてビームスキャンエリアを削減する。別の片側は一定のスキャンエリアであり、こちら側のサイドカップ（Ｐ１側の７６）のビーム電流を測定し、その測定値に応じてメカニカルＹスキャン速度を変化させることにより、縦（Ｙ）方向ドーズ量均一性を確保する。 （もっと読む）

【課題】ダミーウエハを必要とせず、製造コストを低減して、ウエハ装着部を照射イオンビームから保護しかつウエハディスクの処理回転中に発生するウエハの割れ等の問題を回避すること。
【解決手段】ウエハ装着用の複数のディスクパッド22を有するウエハディスク20を備え、このディスク20を円周方向に回転させながら、イオンビームを照射してウエハにイオンを注入するバッチ式イオン注入装置１において、前記ディスク20の円周上に配置されかつウエハを保持するディスクパッド22が、ディスク20に対して反転可能に取り付けられており、ディスクパッド22は、ディスク20の径方向に対して垂直方向に回転軸27を有し、かつディスクパッド22の重心Ｇが、ディスク20の中心方向に偏位した位置にあることを特徴とする。これにより、ウエハが載置されていないディスクパッドを反転させて、照射イオンビームからディスクパッド22を保護し、かつディスク20の偏心による振動の発生をなくす。 （もっと読む）

【課題】 バッチ式イオン注入処理において、イオンビームのビーム電流に周期変動が存在する場合にもドーズ量の均一性を向上させ、それを用いて製造される半導体装置の特性を均一化する。
【解決手段】 複数のウェーハを装填したウェーハディスクを回転させながら、該複数のウェーハにイオンビームを照射するイオン注入工程において、イオンビームのビーム電流が測定され、ビーム電流に周期変動が存在するかが判定される。周期変動が存在すると判定されたとき、ウェーハディスクの回転速度が、ビーム電流の周期変動と同期しない回転数に更新される。 （もっと読む）

【課題】本発明はウエハーとイオンビームの間の相対運動と幾何学関係を変化させることにより、均一ウエハーに対する注入方法と装置を提供する。
【解決手段】はじめに、ウエハー上に第一軸の長さと第二軸の幅を持つ帯状のイオンビームを形成し、このイオンビームの長さはウエハーの直径より長く、イオンビームの幅はウエハーの直径より狭い。そして、イオンビームが通過するスキャン経路に沿って、ある移動速度でウエハーの中心を移動させ、同時に、ある回転速度でウエハーを回転させる。移動及び回転が同時になされている間、ウエハーがイオンビームを通過する時、このウエハーは第一軸に沿って、イオンビームによって完全に覆われ、一番速い回転速度は移動速度の数倍である。移動速度と回転速度は常数、あるいは、イオンビームのウエハーの位置の関数に相対する。 （もっと読む）

イオン注入システム（１００）、および、これに関連する方法は、鉛筆状イオンビームを走査してリボン状イオンビーム（１１０）を形成するように構成された走査装置と、第１の方向を有する該リボン状イオンビームを受け、このリボン状イオンビームを曲げて第２の方向に進めるように構成されたビーム曲げ部材（１１２）とを備えている。本システムは、第２の方向に進む該リボン状イオンビームを受け、また、加工対象物（１０４）を該リボン状イオンビームを注入するために固定するように構成された、該ビーム曲げ部材の下流に位置するエンドステーション（１０２）をさらに備えている。さらに、本システムは、該ビーム曲げ部材の出射開口部においてリボン状イオンビームのビーム電流を測定するように構成された、該ビーム曲げ部材の出射開口部に配置されたビーム電流測定システム（１２２、１２４、１０６）を備えている。
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【課題】 安価で、注入量分布のパターンに多様性を持たせることができ、各注入領域間の注入分布が連続的でスムーズになるような不均一注入を行うことができる新規なイオン注入方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入において、基板ＷをイオンビームＩＢが照射される面に交差する回転軸ＲＡを中心として回転させながら、電界又は磁界によるイオンビームＩＢの走査又は前記基板Ｗの並進移動の少なくとも一方を同時に行わせる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハを振り子状に揺動させながらイオンを照射してイオン注入スキャンを行った際のウェーハの揺動方向のストライプの発生を低減する。
【解決手段】本発明のイオン注入は、回転駆動機構により回転される回転体の回転軸回りに同心円状に配置された複数の半導体ウェーハ２８を回転させ、かつ回転体を振り子状に揺動させる揺動機構により揺動させながらイオンを照射するものであり、回転駆動機構、揺動機構、及びイオンの照射タイミングを制御してイオンをウェーハの全面にわたってスキャンする。特に、（ｂ）に示すように、イオン注入プロセス全体を２回に分けて、１回目のイオンビーム４０のウェーハの揺動方向Ａのイオン注入スキャンピッチの間に、２回目のイオンビーム４２のイオン注入スキャンピッチを設定することにより、ウェーハ揺動方向のＳＯＩ膜厚及びＢＯＸ膜厚の周期的なムラを抑制し、ストライプの発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置におけるウェハの交換位置を制御するための基準位置の設定を正確に効率良く行う位置調整装置を提供する。
【解決手段】回転する円板（２０）の指定位置（２２）を検出する毎に出力される第１パルスと、円板（２０）の回転と連動する回転軸（３０ａ）が１回転する毎に一つ出力される第２パルスと、回転軸（３０ａ）が１回転する毎に複数出力される第３パルスとを取得し、第１パルスと第２パルスとの間隔を第３パルスのパルス数に基づき計測する計測部（２）を具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ等の保持対象物の往復運動方向の位置精度を高めることができる保持アームを提供する。
【解決手段】 第１の腕要素(20)が、第１の回転中心(10)を中心として、回転可能に支持され、先端に第２の回転中心(11)を画定する。第２の腕要素(60)が、第２の回転中心を中心として、第１の腕要素に対して回転可能に支持され、先端に第３の回転中心(12)を画定する。伸縮用駆動力発生機構(57)が、第１の腕要素に対して第２の腕要素を回転させる。伸縮用駆動力発生機構によって、第２の腕要素が第１の角度だけ回転したとき、第１の腕要素が、第２の腕要素の回転方向とは反対方向に、第１の角度の１／２の角度だけ回転する。保持部材(80)が、第３の回転中心を中心として、第２の腕要素に対して回転可能に支持される。第１及び第２の腕要素の姿勢を変化させたとき、保持部材が並進移動する。 （もっと読む）

エネルギー粒子ビーム（４２）で基板（４４）を処理するための方法及び装置である。基板（４４）上の特徴（６６）は、エネルギー粒子ビーム（４２）に対して配向され、基板（４４）はエネルギー粒子ビーム（４２）を通して走査される。ビーム（４２）の長寸法（４９）に対して特徴（６６）を再配向するために、基板（４４）は、エネルギー粒子ビーム（４２）への露光から遮蔽される間に、対称な方位軸（４５）の周りで周期的に割り出される。
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【課題】本発明は、イオンビームの状態が変化した場合でも、ウェーハ処理能力を低下させずにウェーハ面内の注入均一性を良い状態に保つことができ、かつパーティクル発生を極力低減できるイオン注入装置を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入装置において、装置パラメータをリアルタイムでモニタリングし、装置の各部をコントロールするシステム１２を設け、このシステム１２に、イオン注入処理中の累積ドーズ量分布を計算し、累積ドーズ量が均一になるようにウェーハ保持部１４のＹ方向メカニカルスキャンの速度を補正する機能と、質量分析部４の磁場を変化させることによりイオンビーム中心位置を制御する機能と、アパーチャー５のサプレッション電圧やビーム電流を変化させることによりイオンビーム径を制御する機能を持たせ、ウェーハ８の注入面内均一性の向上とパーティクルの低減を図る。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ等の保持対象物の往復運動方向の位置精度を高めることができる保持アームを提供する。
【解決手段】 第１の腕要素(20)が、第１の回転中心(10)を中心として、回転可能に支持され、先端に第２の回転中心(11)を画定する。第２の腕要素(60)が、第２の回転中心を中心として、第１の腕要素に対して回転可能に支持され、先端に第３の回転中心(12)を画定する。伸縮用駆動力発生機構(57)が、第１の腕要素に対して第２の腕要素を回転させる。伸縮用駆動力発生機構によって、第２の腕要素が第１の角度だけ回転したとき、第１の腕要素が、第２の腕要素の回転方向とは反対方向に、第１の角度の１／２の角度だけ回転する。保持部材(80)が、第３の回転中心を中心として、第２の腕要素に対して回転可能に支持される。第１及び第２の腕要素の姿勢を変化させたとき、保持部材が並進移動する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの走査方法によらず、ウェハ上に形成された半導体装置への正のチャージアップを抑制できるようにする。
【解決手段】半導体製造装置は、ウェハ５０の上に、絶縁膜を介在させて形成された被処理膜に、イオンビーム２を導入するイオン源１及びビームライン４と、被処理膜にイオンビーム２が持つ電荷を打ち消すための電子を供給するフラッドガン６と、被処理膜をイオンビーム２に対してｒ−θ方向の２方向に機械的に走査する回転ディスク５と、イオンビーム２により生じる電流密度を測定する後段ファラデー箱８と、被処理膜の走査速度を変更するディスク回転速度制御器１１及びディスクスキャン速度制御器１２と、電流密度により、被処理膜の走査速度を制御するビーム電流／電流密度計測器１０とを有している。 （もっと読む）

【課題】 回転ディスクの回転速度が低くても被処理物に対するビーム照射の均一性を低下させることの無いビーム処理装置及びビーム処理方法を提供する。
【解決手段】 ビーム処理装置は、複数のウェハ１１０を回転ディスク１００上に装着してディスク軸を中心に回転ディスクを回転させるよう構成するとともに、回転ディスクをディスク軸と直交する方向に往復運動させるよう構成し、ウェハに対し、回転ディスクの回転と往復運動とを同時に行わせることにより、ビームを照射する。回転ディスクは、内側オーバースキャン位置と外側オーバースキャン位置との間で往復スキャンするよう構成されている。ビーム処理装置は制御手段を備え、この制御手段は、回転ディスクの単位時間当たりの回転数と、往復スキャンのスキャン速度及び往復スキャン回数と、ビームの計測ビーム幅の測定値もしくはビームのビーム幅の既定値とに基づいて、ビームサイズにかかわらず、ウェハに対し必ずビームが重ね照射されるように制御する機能を持つ。 （もっと読む）

【課題】基板へ不純物イオンを注入する際に不純物濃度の均一性を向上させることができるオン注入装置を提供する。
【解決手段】チャンバー内に設け主面にイオンを注入すべき基板１０を搭載した円板と、この円板を主面に平行な方向に移動させる移動手段と、円板に取り付けてある基板１０にイオンを注入するイオンビーム発生部２とを備えたイオン注入装置１であって、イオンビーム発生部２から出射するイオンビームが基板１０に到達するまでの間の進行路上に設置し、イオンビーム径の形状を少なくとも一方向に拡大させるビーム成形手段５を備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ等の基板及び基板上に形成されたパターンに発生する欠陥を減少させる。
【解決手段】 本発明の基板処理方法は、パーティクルを含む真空雰囲気である容器２１０の内部に基板２０１を設置する工程と、容器２１０の内部において、基板２０１を容器２１０に対して所定の相対速度をもって移動させながら基板２０１の処理を行なう工程とを備え、処理を行なう際にパーティクルに起因して基板２０１に生じる欠陥の数又は密度について、許容される上限値を決定し、所定の相対速度を、欠陥の数又は密度が上限値となる時の相対速度以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの異なる領域に異なるドーズで不純物イオンが注入されるようにする不均一イオン注入装置及び不均一イオン注入方法を提供する。
【解決手段】本発明の不均一イオン注入装置は、ウエハの全体領域のうち少なくとも２箇所以上の複数の領域にそれぞれ重なる複数のワイドイオンビームからなるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、ワイドイオンビーム生成器により形成されたワイドイオンビームが照射される間に、ウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、を備える。複数のワイドイオンビームのうち少なくとも一つのワイドイオンビームは、少なくともいずれか他のワイドイオンビームと異なるドーズを有する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入において、基板の異なる部分が、注入プロセス中に異なるレシピに従って異なる線量を受けることを可能にする、イオンビームを使用して基板に注入する方法を提供する。
【解決手段】注入方法に関し、第１の方向に延びる一連の走査線に沿って基板に対してイオンビームを走査するステップと、該基板と該イオンビーム間の相対的な回転をもたらすステップと、異なる方向に一連の第２の走査線に沿って該イオンビームを走査するステップとを備えている。注入レシピは、異なる領域が各走査ステップ中に生成されるように、各方向の走査中に変化される。該２つの走査ステップ中にこのように形成された領域は、該基板の異なる部分が、注入プロセス中に異なるレシピに従って異なる線量を受け取るように重複する。該異なるレシピは、異なるドーパント濃度、ドーピング深さ、または異なるドーパント種をも生じることがある。 （もっと読む）