【課題】ＣＶＤ法によってＳｉＯ₂を主成分とする層を積層した基板上に、良好なカーボン膜を備えた電子放出素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】基体１上にＣＶＤ法によって、Ｎの元素比率が２％以下であるＳｉＯ₂を主成分とする層８を形成して基板１とし、その上に素子電極２，３、導電性膜４を形成し、さらに、活性化処理によってカーボン膜６を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率に優れ、大きな電子放出量を得ることができ、安定な電子放出特性を得ることのできる電子放出素子を提供する。
【解決手段】間隙５を介して配置する第１の導電性膜４ａ及び第２の導電性膜４ｂと、該第１の導電性膜４ａに接続された第１のカーボン膜６ａ１，６ａ２と、第２の導電性膜４ｂに接続され、第１のカーボン膜６ａ１，６ａ２とは間隙７ａ，７ｂを介して対向する第２のカーボン膜６ｂ１，６ｂ２と、を有し、間隙７ａ，７ｂに、連続する凹部９ａ，９ｂを有する素子とする。 （もっと読む）

【課題】電子放出源、ゲート電極、アノード電極を備え、電子放出源から放出された電子の広がりを抑制する磁石を備えた真空デバイスにおいて、磁石の厚さや材料等の制限を受けずに電子を集束できる構造の真空デバイスを提供すること。
【解決手段】永久磁石４２１，４２２の間に、ディスプレイのパネル１０Ｄ、ミラー４３を配置してあり、両永久磁石の対向領域の磁束ＭＦは、平行になる。カソード部２１の電子放出源２１２から放出された電子は、磁束ＭＦによりアノード部２２の蛍光体膜２２２に集束する。蛍光体膜２２２の発光により発生した光は、反射面４３１により光路ＬＦが曲げられて進む。永久磁石４２１，４２２は、光路ＬＦの外に位置する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面に設けた溝内に配線を配置した場合においても、配線上で気密な接合を実現する。
【解決手段】 配線が、溝の内部に配置された部分から連続し、溝の外部に配置された部分を有しており、第１基板と第２基板は、配線の溝の外部に設けられた部分の上に、配線と交差して設けられた接合部材を介して接合する。 （もっと読む）

【課題】長期に渡って変動の少ない安定した電子放出特性を有する電子放出素子を提供する。
【解決手段】導電性膜を複数の開口部によって部分的に複数に分割し、該開口部に対応する領域の基板１に凹部１ａを形成し、部分的に分割された領域において隣接する導電性膜４ａ，４ｂ間の距離を延長することによって、該導電性膜４ａと４ｂの近傍において活性化工程で堆積するカーボン膜５ａ，５ｂが隣接する導電性膜４ａ，４ｂに向かって延出する延出部が５ａ同士、５ｂ同士で連結するのを防止する。 （もっと読む）

【課題】長期に渡って変動の少ない安定した電子放出特性を有する電子放出素子を提供する。
【解決手段】基板１上に距離Ｌをおいて対向する素子電極２，３と、該素子電極２，３にそれぞれ接続された複数の導電性膜４ａ，４ｂと、該導電性膜４ａ，４ｂ間の間隙５近傍に堆積するカーボン膜６ａ，６ｂとからなり、導電性膜４ａ，４ｂのシート抵抗が１×１０²乃至１×１０⁷Ω／□であり、導電性膜４ａ，４ｂの幅Ｗ１と素子電極２，３間の距離Ｌ１との関係がＷ１／Ｌ１≦０．１８となるように形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作する電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面に配置されるカソード６のゲート５に対向する端部において、凹部７の縁よりゲート５に向かって突起する突起部分を設け、該突起部分の幅方向端部に電界を集中させて電子を放出させる。 （もっと読む）

【課題】エミッタ数を増やした場合においてもマトリックス動作時の線欠陥を防止できるマトリックス型冷陰極電子源装置を提供する。
【解決手段】エミッタアドレス電極上に形成された電子を放出するためのエミッタが複数配列されたエミッタアレイと前記エミッタアレイに対向するように配置されたゲート電極とから成るマトリックス型冷陰極電子源装置において、前記ゲート電極は、ゲート信号配線に接続するためのゲートアドレス電極と前記エミッタアレイに対向する位置に配置されたエミッタ領域ゲート電極を有し、前記ゲートアドレス電極と前記エミッタ領域ゲート電極との間に高抵抗領域を有するマトリックス型冷陰極電子源装置。 （もっと読む）

【課題】外光を反射して白色の拡散層のような状態を呈することの無い蛍光体領域を構成し得る蛍光体粒子を提供する。
【解決手段】蛍光体粒子は、（Ａ）蛍光体粒子本体、及び、（Ｂ）蛍光体粒子本体の表面に形成された、窒化クロム、窒化チタン、窒化タングステン及び窒化ホウ素から成る群から選択されたいずれか１種類の窒化物から成る薄膜から構成されている。 （もっと読む）

【課題】望ましい電界放出特性、最適な分布間隔及び／又は単独性を有するマイクロサイズの磁性ワイヤの起立型アセンブリを提供する。
【解決手段】電界効果型電子放出装置が提供される。当該電界効果型電子放出装置は、基板と、当該基板に埋め込まれ、少なくとも一部が当該基板から露出しており、当該基板から垂直に延びる、磁性材料を含む複数のワイヤとを具備する。当該複数のワイヤの平均間隔は３０μｍ未満であり、間隔／高さ比の平均は１〜３であり、平均アスペクト比は３よりも大きい。また、電子放出装置の製造方法、このような電界効果型電子放出装置を有する電界効果型ディスプレイ、このような電界効果型電子放出装置を有する照明装置、及びこのような電界効果型電子放出装置を有する、液晶ディスプレイ用バックライト装置も提供される。 （もっと読む）

【課題】集束電極を設けることなく、電子の集束発散を制御するとともに、電子の放出角度を制御でき、効率良く固体中から電子を放出できるようにすることを目的とする。
【解決手段】ナノ結晶粒４０１と、ナノ結晶粒４０１を覆う絶縁物４０２とからなる電子ドリフト層１０４を挟んで、カソード電極１０６とアノード電極１０７とが形成される弾道電子放出源において、カソード電極１０６及びアノード電極１０７のうち少なくとも一方を複数配置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のＰ２２型の蛍光体を用いたＦＥＤパネルを用いた画像表示装置を用いてＨＤＴＶの画像を表示させると、ＣＲＴ型の画像表示装置に比べて、動画の視認性が劣る場合があった。
【解決手段】本発明は、複数の電子放出素子を備えるリアプレートと、電子放出素子から放出された電子を受けて蛍光を発する蛍光体が形成された複数の画素を有するフェイスプレートと、電子放出素子を駆動する駆動回路と、を有する画像表示装置であって、蛍光体が、ＣａＡｌＳｉＮ₃：Ｅｕ²⁺であって、１走査あたり蛍光体に電流を供給する電子放出素子から、画素に２μｓ以上７０μｓ以下の間電子が供給されることを特徴とする画像表示装置である。 （もっと読む）

【課題】画像表示領域外での放電による電子放出素子及び駆動回路の破壊を抑制する。
【解決手段】画像表示装置１０００は、複数の電子放出素子を備えるリアプレート１００１と、複数のアノード電極１０１３と、複数のアノード電極１０１３に電気的に接続された共通電極１０１２と、を備え、リアプレート１００１と対向するフェースプレート１００２と、を有している。リアプレート１００１は、共通電極１０１２と対向する位置に第１の導電性部材１０１０を備え、第１の導電性部材１０１０は、抵抗素子１０１５を介して、アノード電極に印加される電位より低い電位が印加される第２の導電性部材１００６と電気的に接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スペーサ配置部分における、スペーサ当接部材と配線の電気ショートを抑制する。
【解決手段】リアプレート１１上の信号線５の真上ではない領域にスペーサ電極３が配置されている。そして、信号線５と直交する方向に設けられた矩形のスペーサ４が、スペーサ電極３の上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】冷陰極電界電子放出素子を製造するときの絶縁層における開口部を出来る限り均一に形成し得る方法を含む冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、支持体１０上にカソード電極１１、絶縁層１２を形成し、次いで、コア部４１及びシェル部４２を有する多数の球状部材４０を絶縁層１２上に配置した後、シェル部４２を除去し、次に、コア部４１を含む絶縁層１２上にゲート電極を形成した後、コア部４１を除去して絶縁層１２の一部を露出させ、次いで、露出した絶縁層１２の部分を除去して開口部を形成して、開口部の底部にカソード電極を露出させた後、開口部の底部に露出したカソード電極の部分に電子放出部を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造であるにも拘わらず、カソード電極及びゲート電極の延びる方向と平行な方向の両方向に、互いに独立して、フォーカス作用を及ぼすことができるフォーカス電極を備えた冷陰極電界電子放出表示装置を提供する。
【解決手段】冷陰極電界電子放出表示装置は、支持体１０上に形成されたカソード電極１１、支持体１０及びカソード電極１１上に設けられた絶縁層１２、絶縁層１２上に形成されたゲート電極１３、ゲート電極１３及び絶縁層１２の部分に設けられた開口部１４、並びに、電子放出部１５から構成された電子放出領域ＥＡを備え、更に、電子放出領域ＥＡと電子放出領域ＥＡとの間には、支持体１０上に形成された第１フォーカス電極４１、及び、絶縁層１２上に形成された第２フォーカス電極４２が備えられている。 （もっと読む）

【課題】精巧な傾き検出、測定装置を用いることなく、グリッド電極の傾き検出および調整することでアライメントできる電界放出型電子源装置を提供する。
【解決手段】電子源アレイが形成された半導体基板と、前記電子源アレイの上部に前記前記電子源アレイに対応するように配置された貫通孔アレイが形成されたグリッド電極と、前記貫通孔アレイの周囲に前記グリッド電極を貫通する表面と内壁との光反射率が異なる傾き検出用貫通孔とを備えた電界放出型電子源装置。 （もっと読む）

【課題】基板の一表面に垂直な方向へ成長させる多数の柱状結晶のサイズや形成位置のばらつきを抑制可能な多結晶薄膜の製造方法および複合ナノ結晶層の製造方法、並びに、電子放出効率の向上が可能な電界放射型電子源、発光効率の向上が可能な発光デバイスを提供する。
【解決手段】基板１１の一表面側に、アモルファスシリコン膜中に多数の微結晶シリコンを含んでいる微結晶シリコン薄膜２１を形成する微結晶シリコン薄膜形成工程（核形成工程）を行い（図１（ａ））、その後、微結晶シリコン薄膜２１中の微結晶シリコンを核として柱状シリコン結晶（柱状結晶）３１ａを成長させることにより多数の柱状シリコン結晶３１ａの集合体からなる多結晶シリコン薄膜（多結晶薄膜）３１を形成する多結晶シリコン薄膜形成工程（結晶成長工程）を行う（図１（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】画像表示装置において、基板同士の位置ずれ防止と基板に生じる歪の抑制の双方を実現する。
【解決手段】画像表示装置１は、画像表示部５を備えた第１の基板２と、第１の基板２と対向して位置する第２の基板３と、第１の基板２と第２の基板３とを、間に空間を設けて気密に接合する接合部材と、を含む外囲器７を有している。画像表示装置１はさらに、外囲器７の外周の一部に沿って位置し、第１の基板２と第２の基板３の双方に接して設けられ、第１の基板２と第２の基板３との位置ずれを抑制する位置ずれ抑制部材６を有している。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の大型化を招くことなく大きな放出電流が得られ、且つ、容易に製造可能な電子放出素子、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は、第１のカソード電極、第２のカソード電極、第３のカソード電極、絶縁層、ゲート電極、及び、電子放出材を備える。ゲート電極、絶縁層、及び、第２のカソード電極のそれぞれには、互いに連通する開口が設けられている。電子放出材は、第１のカソード電極上に設けられており、上記開口内に少なくとも一部が露出している。第３のカソード電極は、第２のカソード電極の開口内に、電子放出材の露出領域の輪郭の長さを増やすように設けられており、第１のカソード電極と電気的に接続されている。 （もっと読む）