【課題】本発明は、発光時間の蓄積、または高輝度の発光に伴った発光輝度の低下を低減できる発光装置について提供することを課題とする。また、本発明は、発光時間の蓄積、または高輝度の発光に伴った発光輝度の低下を低減できる駆動方法に関する。
【解決手段】本発明の発光装置は、発光色がそれぞれ異なる複数の発光素子からの発光が視覚的に混合することによって明度や色度の異なる複数の表示色を得ることができる装置である。そして、視覚的に混合された表示色を形成するときに、白色の発光を呈することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 製造コストが低減し、製造工程が単純化するディスプレイパネル及びこれを含むディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る液晶層を含むディスプレイパネルは、相対向して配置される第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間のいずれか一面上に形成され、入射する光の第１偏光成分が、互いに異なるカラーの光として出射されるように、互いに異なるピッチで配列されている第１金属線形格子を含むカラーフィルタ偏光層と、前記第１基板及び前記第２基板との間の他面上に形成されている第２金属線形格子を含む偏光層と、を含み、前記第１金属線形格子に含まれている金属と前記第２金属線形格子に含まれている金属の特性は、互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】接触不良を低減し、コンタクト抵抗の増大を抑制し、開口率が高い液晶表示装置
を得ることを課題とする。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、ゲート配線と、ゲート絶縁膜と、島状半導
体膜と、ソース領域と、ドレイン領域を有する薄膜トランジスタと、前記基板上に設けら
れ、前記ソース領域に接続されたソース配線と、前記基板上に設けられ、前記ドレイン領
域に接続されたドレイン電極と、前記基板上に設けられた補助容量と、前記ドレイン電極
に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線上に形成された保護
膜を有し、前記保護膜は、前記ゲート配線および前記ソース配線とで囲まれた開口部を有
し、前記薄膜トランジスタ及び前記ソース配線は保護膜に覆われ、前記補助容量は保護膜
に覆われていない液晶表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】導電性が高く、透明性に優れ、更にコントラスト比が高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の液晶表示装置は、液晶層と、前記液晶層を介して互いに対向して配置された第１の透明基板及び第２の透明基板と、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側に配置された透明導電膜とを備え、前記透明導電膜は、前記第１の透明基板の前記液晶層とは反対側の主面上に塗布により形成され、前記透明導電膜は、導電性無機粒子と樹脂成分とを含み、前記導電性無機粒子の平均粒子径が、３０〜１８０ｎｍであり、前記導電性無機粒子の前記透明導電膜の全体に対する重量含有率が、７１％以上８５％未満であり、前記透明導電膜を配置した前記第１の透明基板のヘイズ値が、１．４％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】画素回路の制御ラインやトランジスタとの接続ライン配線による開口率の減少を抑制する。
【解決手段】容量セットラインＣＳを画素の上端部に配置し、発光セットラインＥＳを画素の下端部に配置し、ゲートラインＧＬを両者の真ん中に配置する。ゲートラインＧＬと容量セットラインＣＳの間には、選択トランジスタＴ１、電位制御トランジスタＴ２および容量Ｃｓを配置し、ゲートラインＧＬと発光セットラインＥＳの間には短絡トランジスタＴ３、駆動トランジスタＴ４および駆動制御トランジスタＴ５を配置する。このような配置によって、配線の引き回しおよびコンタクトの効率的な配置ができ、開口率を比較的高くできる。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を極力抑えるための構造を提供すると共に、各画素に必要とされる容量素子（コンデンサ）を十分に確保するための構造を提供する
【解決手段】トランジスタ上に、第１パッシベーション膜、第２の金属層、平坦化膜、バリア膜及び第３の金属層の順に積層され、平坦化膜に設けられた第１開口部の側面がバリア膜に覆われ、第１開口部の内側に第２開口部を有し、かつ、第３の金属層は前記第１開口部及び第２開口部を介して前記半導体に接続され、トランジスタの半導体、ゲート絶縁膜、ゲート電極、第１パッシベーション膜及び前記第２の金属層で積層形成された容量素子を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口率の低減を抑制することが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】各画素の中央を通り直線状に延在した信号配線と、前記信号配線を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記信号配線の直上に位置し且つ前記信号配線と略平行な直線状に延在した帯状の画素電極と、を備えた第１基板と、隣接する画素の間にそれぞれ配置され前記画素電極と略平行な直線状に延在した帯状の対向電極を備えた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備えたことを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、明るく高品質な画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、複数の画素からなる表示領域に入射する光を変調して出射する。電気光学装置は、電気光学物質５０と、光の入射側に配置されており、複数の画素の各々に対応して設けられた第１の集光レンズ２１０と、光の出射側に配置されており、複数の画素の各々に対応して設けられた第２の集光レンズ２２０とを備える。第１の集光レンズの集光度は、第２の集光レンズの集光度よりも大きく、第１の集光レンズと電気光学物質との距離は、第２の集光レンズと電気光学物質との距離よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素中の発光素子の輝度が同輝度の場合、画素中の発光領域の面積が大きくなれば一画素から高い光度を得ることができる。つまり、一画素中の光を通さない領域（ブラックマトリクスともいう）を除いた光を通す領域の面積と、一画素の面積の割合で示される開口率が高ければ、高精細化により一画素の面積が小さくなっても一画素から所望の光度を得ることができる。ここで、画素を構成するトランジスタや配線の数が多いと画素の開口率が低くなってしまう。そこで、画素を構成するトランジスタや配線の数を減らし、開口率を高める。
【解決手段】ある電位が設定されている電源線の代わりに、電位を信号により制御する電位供給線を設ける。つまり、発光素子への印加電圧の供給を、スイッチを設けずに電位供給線の信号により制御することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光輝度が高く、外部取り出し量子効率が高く、且つ長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置を提供する。
【解決手段】この有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極間に、少なくとも燐光性発光層を含む構成層を有し、前記構成層のうち少なくとも一層が、下記一般式（１）で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
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【課題】 環境によらずコントラスト変動の影響を抑制することが可能となる画像表示装置を提供する。
【解決手段】 前面板上に光散乱性の発光部を有する画像表示装置であって
該前面板と平行な面内で、且つ該発光部の周囲領域に、発光部よりも散乱強度の低い低散乱領域を有し
該低散乱領域と該前面板の間に屈折率分布構造を配置する （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板の開口率を向上させる。
【解決手段】複数のトランジスタ素子を備えたアクティブマトリクス基板１０１Ａであって、可視光を透過させることが可能な基板１０と、基板上に形成され、亜鉛錫酸化物から構成される導電体材料よりなり、可視光を透過させることが可能な配線（Ｌ_Ｇ、Ｌ_Ｄ、Ｌ_Ｐ、Ｌ１、Ｌ２等）であってトランジスタ素子における電極として機能している、配線と、基板の垂直方向からみて配線の少なくとも一部と重なり、配線よりもキャリア濃度が低く、亜鉛錫酸化物から構成される半導体材料よりなり、かつ可視光を透過させることが可能な半導体層４４と、配線および半導体層の少なくとも一部を覆い、可視光を透過させることが可能な絶縁膜（４０、５０）と、を備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板と、横方向のゲートラインと、ネット状のＶｃｏｍ線と、縦方向のデータラインと、を備えるＴＦＴ基板であって、前記ネット状のＶｃｏｍ線の各行におけるＶｃｏｍ線は電気的に接続され、Ｖｃｏｍ線はＶｃｏｍ線ＩＣ接続部を介してＩＣ素子と電気的に接続される。また、データラインの数をＮとする場合、前記Ｖｃｏｍ線ＩＣ接続部の数は０より大きく、且つＮ＋１より小さくなり、隣接する両行Ｖｃｏｍ線との間に少なくとも一組の対応するＶｃｏｍ線縦方向電気接続段がある。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬ素子を備える素子基板とレンズアレイ基板を備える表示装置において、素子基板とレンズアレイ基板との距離を一定に保つために、互いに隣接するレンズの間にスペーサーを設けると、アスペクト比の高いスペーサーを形成しなければならず、プロセスの難易度が高くなってしまう。
【解決手段】 スペーサーをそれぞれ前記発光素子の外側に設け、スペーサーの一端がレンズの凸面に接するように、素子基板とレンズアレイ基板とを固定する。 （もっと読む）

【課題】 画像を表示でき、精細度を低下させること無しに画素の開口率の低下を抑制することができ、かつ入力手段にて接触される個所の位置情報を精度良く抽出することができる電子機器を提供する。
【解決手段】 電子機器は、表示パネルと、表示パネルに設けられたセンサモジュールＭとを備える。センサモジュールＭは、複数のセンサ回路ＳＮと、複数の容量カップリング線ｃｕｐと、複数のプリチャージ線ｐｒｅと、複数のプリチャージ制御線ｐｒｅｇと、複数の出力線ｏｕｔと、複数の出力制御線ｏｕｔｇとを有している。センサ回路ＳＮは、それぞれ隣合う複数の画素ＰＸが設けられた領域内に１つの割合で配置され、行方向Ｘに延在し、入力手段による入力動作に応じて静電容量結合の強弱が生じる検知電極Ｃｆを具備している。 （もっと読む）