説明

Fターム[5C094AA10]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 目的 (21,550) | 見易さ向上 (5,812) | 高輝度化 (815)

Fターム[5C094AA10]に分類される特許

21 - 40 / 815


【課題】EL表示パネルは自己発光による光により、また、カソード電極を光透過電極とすることにより、画素トランジスタが内外光を受けて特性等が変化し、良好な画像表示を実現できない。
【解決手段】トランジスタ11aとトランジスタ11bを同一極性のトランジスタとし、トランジスタ11bをマルチゲートとする。画素に映像信号を書き込むときは、トランジスタ11bをオンさせて、トランジスタ11dをオフさせてコンデンサ19に安定に信号を書込み、EL素子15を発光させる時は、トランジスタ11bをオフし、トランジスタ11dをオンさせて安定にEL素子15に電流が流れるように制御する。 (もっと読む)


【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な
容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜
上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、
前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、
容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第1の絶縁層と、前記第1の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】発光部が発光した光のうちのより多くの光を、基板の法線方向に放射させることができる自発光ディスプレイを提供する。
【解決手段】複数の柱状の発光部104を基板101上に互いに間隔をおいた状態で配置する。各発光部104が、第1導電型の半導体107と、第2導電型の半導体108とを有するようにする。発光部104の屈折率よりも低い屈折率を有する低屈折率体106を、各発光部104の側壁に接触するように配置する。 (もっと読む)


【課題】1画素に複数の副画素を設けることにより視野角特性を向上させた表示装置を提
供することを課題とする。又は、複数の副画素を設けた場合であっても開口率の低下を抑
制する表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】第1の副画素、第2の副画素及び第3の副画素を有する画素と、走査線と、
信号線と、第1の容量配線と、第2の容量配線と、第3の容量配線とを設け、第1の副画
素〜第3の副画素にそれぞれ、第1の容量素子〜第3の容量素子の一方の電極及び第1の
容量配線〜第3の容量配線に電気的に接続する画素電極とを設け、第1の容量配線及び第
2の容量配線の電位を変化させ、第3の容量配線の電位を概略一定に保持する構成とする
(もっと読む)


【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部(画素部ともいう)とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物半導体によって構成された駆動回路用チャネルエッチ型薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体によって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ボトムコンタクト型薄膜トランジスタと、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する半導体装置である。多階調マスクを用いたフォトリソグラフィ工程を用いることで、作製工程を簡略化できる。 (もっと読む)


【課題】改良された画像品質、低消費電力および低電圧駆動可能な直視型ディスプレイを提供する。
【解決手段】直視型ディスプレイ700はMEMS光変調器のアレイ702と制御マトリクスとアレイ内の各光変調器の状態を制御するためのコントローラ704とを含み、制御マトリクス710、708はデータおよび作動電圧をアレイに伝え、コントローラはプロセッサとメモリと出力とを含み、表示のために画像フレームを符号化した画像データを受信する。プロセッサは画像データから複数のサブフレームデータセットを導き出し各サブフレームデータセットはアレイの複数行および複数列内の光変調器の所望の状態を示し、メモリは複数のサブフレームデータセットを記憶し、出力は光変調器をサブフレームデータセット内で示された状態にするために出力シーケンスに従って複数のサブフレームデータセットを出力する。 (もっと読む)


【課題】高速、かつ低電圧で駆動されることが可能な、透明基板上に構築された直視型ディスプレイを提供する。
【解決手段】少なくとも二つの位置を有する遮光素子のアレイと、少なくとも一つの光源と、遮光素子の位置を制御するとともに、少なくとも一つの光源の照明を制御し、画像フレームに対応する複数のサブフレームデータセットをメモリから取得し、サブフレームデータセットに示されている位置に遮光素子を移動させるために、出力シーケンスに従ってサブフレームデータセットを処理し、サブフレームデータセットに従って画像を形成するために、少なくとも一つの光源を駆動するコントローラと、画像を変えるために出力シーケンスの変更を決定するためのシーケンスパラメータ計算モジュールと、を備えるように構成する。 (もっと読む)


【課題】位相差が低くかつ輝度が高いカラーフィルタが得られる着色樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)色材、(B)溶剤及び(C)バインダー樹脂を含有する着色樹脂組成物であって、(C)バインダー樹脂が、二重結合当量が550以上である重合体を含有し、更に、該重合体が多価チオール化合物の存在下、ガラス転移温度が20℃以下の化合物を単量体成分として重合してなり、且つ、該化合物の仕込みモノマー比が30重量%以上の重合体である着色樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】開口率の向上された発光装置である。
【解決手段】薄膜トランジスタと、容量と、発光素子と、発光素子へ電流を供給することができる機能を有する配線とを、プラスチック基板上に有する発光装置であって、配線は、容量の上に設けられ、容量は、配線の少なくとも一部と重なる領域を有する。発光素子は、陰極と、陽極と、陰極と陽極との間に設けられたEL材料とを有し、容量は、第2の領域と、第2の領域上に第1の絶縁膜を介して設けられる第3の領域とを有する。第1の絶縁膜は、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜となり、さらに容量の絶縁膜となることができる。 (もっと読む)


【課題】外光反射を抑え、かつ発光層から出射された光の取り出し効率の低下を抑えることの可能な表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】発光層と、前記発光層側から入射した光を表示面側に反射する反射部と、
前記表示面に設けられた吸収型偏光板と、前記発光層と前記吸収型偏光板との間の位相差板と、前記位相差板と前記吸収型偏光板との間に設けられ、前記位相差板の透過光のうち、所定の光軸方向の光を反射する反射型偏光板と、前記発光層と前記反射型偏光板との間に設けられると共に、外光の一部を吸収する外光反射抑制層とを備えた表示装置。 (もっと読む)


【課題】AM−OLED等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにLCDやPDPよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板2の上にTFT配線部3、パッシベーション膜4、第一蛍光体層6a、第一平坦化層7aを積層し、その上に透明アノード電極100、発光層101、透明カソード電極102を順次積層した発光体10を配設する。発光層101はZnO系またはGaN系等材料で構成し、発光面(上面)の面積に対する側面の総面積の割合を1/10以上に設定する。これにより表示装置1を得る。 (もっと読む)


【課題】AM−OLED等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにLCDやPDPよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板2の上にTFT配線部3、パッシベーション膜4、第一蛍光体層6a、第一平坦化層7aを積層し、その上に透明アノード電極100、発光層101、透明カソード電極102を順次積層した発光体10を配設する。発光層101はZnO系またはGaN系等材料で構成し、発光面(上面)の面積に対する側面の総面積の割合を1/10以上に設定する。これにより表示装置1を得る。 (もっと読む)


【課題】表示ムラが少なく、良好な色味の明るい表示の表示素子の実現。
【解決手段】透明基材11で形成された2枚の基板と、基板間に挟持され、電圧によって反射率、透過率または偏光状態が変化する光媒体3を有する光媒体層と、を有し、各基板は、光媒体層に面する側の表面上に形成された屈折率が1.8以上の透明平板電極12と、透明平板電極上に載置された直径が300nm以下の複数のワイヤ状電極20と、を有する表示素子。 (もっと読む)


【課題】 波形なまりや画素の透過率の低下を抑制でき、かつ表示ムラを抑制できる表示装置を提供する。
【解決手段】 デルタ配置の画素を有する表示装置において、画素はソース電極104、ドレイン電極105及びゲート電極101を備えたTFTと、コモン108と画素電極110とを備えた画素部とを含み、有機パッシベーション膜120は、ソース電極104のコンタクト部上方に、非対称な開口部を有し、互いに隣接する画素の有機パッシベーション膜120の非対称な開口部の向きが同じである。 (もっと読む)


【課題】基板に成膜した封止用の膜によって、反射部を構成するための溝の開口部を確実に塞ぐことができるとともに、溝の側面が封止用の膜で覆われることを最小限に抑えることのできる電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100において、溝260を中空に封止するにあたって、第1封止膜27を形成する前、溝260内に犠牲膜24を形成しておき、第1封止膜27を形成した後、第1封止膜27の貫通部275を介して犠牲膜を除去する。そして、第1封止膜27上に第2封止膜28を形成し、第1封止膜27の貫通部275を第2封止膜28で塞ぐ。このため、第1封止膜27を溝260の開口部265を塞ぐように形成することができるとともに、第1封止膜27が溝260の奥まで形成されることを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】光利用効率が高く生産性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、主基板と、光制御層と、を含む表示装置が提供される。光制御層は、主基板と積層される。主基板は、主基体上に設けられた波長選択透過層と、回路層と、を有する。波長選択透過層は、下側反射層と、下側反射層の上に設けられた上側反射層と、下側反射層と上側反射層との間に設けられた第1スペーサ層及び第2スペーサ層を含む。第2スペーサ層の厚さは第1スペーサ層とは異なる。回路層は、主基体の主面に対して垂直な第1方向に沿って見たときに第1、第2スペーサ層と重なる部分を有する第1、第2画素電極を含む。 (もっと読む)


【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、第1基板としての素子基板が、複数の画素電極を有し、第2基板としての対向基板20が、第1透光性導電層23aと、第1透光性導電層23aの複数の画素電極と対向する第1領域E1に配置された第2透光性導電層23cと、第1透光性導電層23aと第2透光性導電層23cとの間に配置された第1絶縁膜23bと、を有し、対向基板20の第1領域E1を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、第1透光性導電層23a、第1絶縁膜23b、第2透光性導電層23cの膜厚がそれぞれ設定されている。素子基板と対向基板20とを接着するシール材40が設けられる対向基板20の第2領域E2には、第1透光性導電層23aが配置されている。 (もっと読む)


【課題】反射部を構成する溝の構造を改良して、入射した光をより効率よく画素電極に向かわせることのできる電気光学装置、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100において、第2基板20の基板本体20w(透光性基板)には、隣り合う画素電極9aの間(画素間領域10f)に向けて開口する第1溝260が形成されている。また、基板本体20wの一方面20sおよび第1溝260の側面261、262には透光膜25が形成されており、かかる透光膜25によって、第1溝260と平面視で重なる領域には、第1溝260より深くて第1溝260より幅が狭い第2溝265が形成されている。このため、第2溝265の側面266、267を反射面として利用し、画素間領域10fに向かおうとする光を画素電極9aに向かわせる。 (もっと読む)


【課題】基板に成膜した封止用の膜によって、反射部を構成するための溝の開口部を確実に塞ぐことのできる電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100において、第2基板20に溝260を形成した後、第2基板20に封止膜として金属膜27を形成する。この時点では、金属膜27において溝260の開口部265と重なる領域に開口部275が形成されているが、金属膜27を加熱して溶融させると、金属膜27の開口部275が塞がれ、その結果、溝260の開口部265が金属膜27によって塞がれ、溝260の内部は中空となる。しかる後には、金属膜27のうち、溝260の外部に形成されている部分を除去する一方、溝260の内部で開口部265を塞ぐ部分を残す。従って、溝260の側面261、262を反射面として利用することができる。 (もっと読む)


21 - 40 / 815