【課題】フリンジ電場切換（Fringe Field Switching=FFS）液晶ディスプレイパネルの表示輝度を向上させる画素アレイ基板と画素アレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】画素アレイ基板であり、基板１０２と、多数本の走査線ＳＬと、多数本のデータ線ＤＬと、多数個の能動素子Ｔと、保護層１０４と、共通電極１０６と、誘電層１０８と、多数個の画素電極ＰＥとを含む。基板が表示領域Ｒ１および周辺領域を有する。走査線とデータ線とが互いに交差し、能動素子と走査線とデータ線とが電気接続される。保護層が能動素子を被覆する。共通電極が保護層上に配置され、表示領域中に位置する。誘電層が共通電極を被覆する。多数個の画素電極が誘電層上に位置し、かつ各画素電極と１つの能動素子が電気接続され、各画素電極が多数個のスリットｇを有し、共通電極が前記多数のスリット箇所で各画素電極により遮蔽されないようにする。 （もっと読む）

【課題】薄くて軽く、薄厚化および狭額縁化などによる小型化や軽量化、さらには高堅牢性（高信頼性）を実現することのできる半導体装置および電気装置を提供する。
半導体装置および電気装置を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置１００は、フレキシブル性を有する第１基板３０と、第１基板３０上に形成される複数の画素電極３５と、第１基板３０内に埋め込まれた少なくとも１つのドライバＩＣ８９と、ドライバＩＣ８９と画素電極３５とが接続配線２２を介して接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】映像品質が向の上された表示装置とその製造方法が提供される。
【解決手段】本発明による表示装置は複数の画素を有し、各画素は第１絶縁基板の上に具備されたゲート電極と、ゲート電極をカバーし、第１絶縁基板の上に具備されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上にゲート電極とオーバーラップして配置された半導体パターンと、半導体パターンの上に互に離隔されて具備されたソース電極とドレイン電極と、ゲート絶縁膜の上に配置され、その一部がドレイン電極と接触する透明画素電極、透明画素電極の上に形成された保護層、及び第１絶縁基板と第１絶縁基板に対向する第２絶縁基板の中でいずれか１つに具備され画素電極と電界を形成する共通電極を含む。 （もっと読む）

【課題】 表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 各画素ＰＸに配置された画素電極ＥＰと、半導体層１２の一部を含み画素電極ＥＰへの映像信号Ｖｓの書き込みを切替えるスイッチＷと、半導体層１２と対向して補助容量Ｃｓを形成する補助容量線ＣｓＬと、を備えた第１基板ＡＲと、アクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤの少なくとも一部のエリアにわたって延在する対向電極ＥＴと、を備えた第２基板ＣＴと、第１基板ＡＲと第２基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、アクティブエリアＤＳＰの両端部に配置された端部画素ＰＸ（Ｅ）の画素電極ＥＰは、他の画素電極ＥＰよりも大きくなるようにアクティブエリアＤＳＰから遮光エリアＳＬＤ側へ延びて配置され、前記端部画素において形成される前記補助容量は他の前記画素において形成される前記補助容量よりも大きい液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】薄型でコンパクトな駆動装置を用いて情報を表示できる情報表示器等を提供する。
【解決手段】情報表示システムは、２枚の基板１１，１２の間において電界で駆動する表示媒体１６と表示媒体が配置された表示区画２７と備える情報表示器１Ａと、画素電極３４が配置されたＴＦＴ基板３６を有する駆動装置３０と、を備える。駆動装置３０は、情報表示器１Ａと駆動装置３０とが対面対向した状態における情報表示器１Ａの位置情報を検出する検出手段と、検出手段によって検出した位置情報に基づいて画素電極を駆動制御する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光硬化性結合部材を用いた共通電極表示板との結合が容易である薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】ゲート線、データ線、画素電極及び薄膜トランジスタが設けられている基板、及び前記基板上に設けられ、外部からの信号を受信する配線部と前記配線部からの信号に応答してゲート信号を前記ゲート線に出力する回路部とを備えるゲート駆動部、を含み、前記配線部は、前記配線部に重畳する光硬化性の結合部材に光を透過させるための開口部が設けられている信号線を含み、前記配線部は開口部が設けられていない信号線をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】薄型でコンパクトな駆動装置と、薄型の情報表示器を用いて情報を表示できる情報表示システムを提供する。
【解決手段】 情報表示器１Ａは、第１基板１１及び第２基板１２の間において電界で駆動する表示媒体を備え、画素電極３４が配置されたＴＦＴ基板３１を備える駆動装置３０を用いて第１基板１１と画素電極３４との間に形成させた電界によって、表示媒体が駆動されて情報表示画面領域に情報を表示するように構成されており、情報表示システムは、第１基板１１側の外側に、弾性変形する弾性体層６１が配置される。 （もっと読む）

【課題】画素構造の開口率を増やすことのできる画素アレイおよびそれを有するディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】複数の画素構造を含む画素アレイを提供する。画素構造のうち少なくとも１つは、スキャンラインと、データラインと、能動素子と、画素電極と、読み出しラインと、ＥＭＩ遮蔽層と、検出装置とを有する。スキャンラインおよびデータラインは、基板の上に配置される。能動素子は、スキャンラインおよびデータラインに電気接続される。画素電極は、能動素子に電気接続される。読み出しラインは、データラインの上方または下方に配置される。ＥＭＩ遮蔽層は、データラインを覆い、読み出しラインとデータラインの間に位置する。検出装置は、スキャンラインおよび読み出しラインに電気接続される。 （もっと読む）

【課題】表示ムラ、コントラスト等の画像表示品質の面で優れ、さらに高速駆動が可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】第２導電膜４００上に積層され、開口領域に第２のコンタクトホール８６が形成された第２絶縁層４４と、第２のコンタクトホール８６を介して延在部に電気的に接続され、少なくとも前記一方の画素の開口領域に形成された画素電極９ａと、を少なくとも備え、第２のコンタクトホール８６の内部は、画素電極９ａよりも比抵抗が低い透明導電性材料によって充填されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】熱応力に起因するヒロック等の欠陥が画素電極の表面に発生することを防止することができる電気光学装置、および該電気光学装置を用いた投射型表示装置提供する。
【解決手段】電気光学装置１００の素子基板１０において、ノンドープシリコン酸化膜からなる第３層間絶縁膜４４と、アルミニウム膜等からなる画素電極９ａとの間にはドープトシリコン酸化膜からなる応力緩和膜４６が形成されている。応力緩和膜４６は、ドープトシリコン酸化膜からなり、第３層間絶縁膜４４と異なる熱膨張係数をもって第３層間絶縁膜４４に接するとともに、画素電極９ａと異なる熱膨張係数をもって画素電極９ａに接している。また、各層の熱膨張係数は以下の関係第３層間絶縁膜４４＜応力緩和膜４６＜画素電極９ａにある。このため、応力緩和膜４６は、第３層間絶縁膜４４と画素電極９ａとの間において熱膨張係数の差を緩和する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと重なる領域に柱状スペーサを配置すると、一対の基板の貼り合わせ時に
圧力がかかり、ＴＦＴに影響を与える恐れ、クラックが発生する恐れなどがある。
【解決手段】ＴＦＴと重なる位置に形成される柱状スペーサの下方に無機材料からなるダ
ミー層を形成する。このダミー層をＴＦＴと重なる位置に配置することによって、一対の
基板の貼り合わせ工程時にＴＦＴにかかる圧力を分散し、緩和する。このダミー層は、工
程数を増やすことなく形成するため、画素電極と同じ材料で形成することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、データ線に電気的に接続された付加容量の破損を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、対向配置され、シール材（５２）で囲まれた領域に電気光学物質（５０）を挟持する第１基板（１０）及び第２基板（２０）と、第１基板上の画素領域（１０ａ）に走査線（１１）とデータ線（６）との交差に対応して設けられた画素電極（９）と、画素電極と、走査線及びデータ線との間に、画素電極に容量絶縁膜（７２）を介して対向するように設けられた蓄積容量電極（７１）と、画素電極と同一層からなる第１容量電極（６１０）と、蓄積容量電極と同一層からなる第２容量電極（６２０）とを有し、データ線と電気的に接続された付加容量（６００）とを備える。付加容量は、画素領域と、シール材で囲まれた領域の外周よりも内側との間の領域に配置されている。 （もっと読む）

【課題】製造コストの削減が可能な薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 チャネル領域、前記チャネル領域を挟んだ両側にソース領域及びドレイン領域を有する酸化物半導体薄膜と、前記酸化物半導体薄膜と同一材料によって形成され、第１低抵抗部及び第２低抵抗部を有する第１容量形成部と、前記酸化物半導体薄膜の前記チャネル領域上及び前記第１容量形成部の前記第１低抵抗部上に形成されるとともに、前記酸化物半導体薄膜の前記ソース領域及び前記ドレイン領域及び前記第１容量形成部の前記第２低抵抗部を露出するゲート絶縁膜と、を備え、前記酸化物半導体薄膜のうち、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記チャネル領域の長さＬ１は、前記第１容量形成部のうち、前記ゲート絶縁膜が積層された端部から前記第２低抵抗部に至るまでの長さＬ２よりも短い。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】本願発明で開示する発明は、従来と比較して、さらに結晶成長に要する熱処理時間を短縮してプロセス簡略化を図る。
【解決手段】
一つの活性層２０４を挟んで二つの触媒元素導入領域２０１、２０２を配置して結晶化を行い、触媒元素導入領域２０１からの結晶成長と、触媒元素導入領域２０２からの結晶成長とがぶつかる境界部２０５をソース領域またはドレイン領域となる領域２０４ｂに形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輝度を低下させずに高精細化を図ることを目的とする。
【解決手段】複数の画素電極２４を有する回路基板１０に、複数の貫通穴４０を有する蒸着マスク３８を使用した蒸着によって、有機材料からなる複数の発光層３０を形成する蒸着工程を含む。複数の画素電極２４は、複数の列をなすように配列されている。複数の貫通穴４０は、複数の列をなすように配列され、列に沿った方向に長くなる形状を有し、各列で２つ以上の貫通穴４０が並んでいる。各列に並ぶ画素電極２４の数は、少なくとも、各列に並ぶ貫通穴４０の数の２倍以上ある。蒸着工程で、それぞれの貫通穴４０の内側に、いずれかの列に並ぶ２つ以上の画素電極２４を配置して、複数の画素電極２４上に複数の発光層３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気泳動表示装置において、高品位な表示を行う。
【解決手段】電気泳動表示装置は、互いに対向するように配置された第１基板（１０）及び第２基板（２０）と、第１基板上の表示領域（１０ａ）に、互いに隙間（９０）を隔てて設けられた複数の土台部（１１）と、複数の土台部の上面に設けられた複数の反射板（１３）と、第１基板上で平面的に見て、複数の反射板に重なるように設けられた複数の第１電極（１２）と、第１基板上の隙間に、複数の第１電極に対応して設けられた複数の第２電極（１９）と、第１及び第２基板間に表示領域を囲むように設けられた封止部材（７０）と、第１及び第２基板間の表示領域に設けられ、反射板とは異なる色を有する電気泳動粒子（６１）が分散媒（６２）に分散してなる分散液（６０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示領域の配線とＩＣドライバの端子を接続する引き出し線において、ＩＣドライバの中央部の端子を接続する引き出し線とＩＣドライバの端部の端子を接続する引き出し線における長さが異なることによる引き出し線抵抗に差が生ずることを防止する。
【解決手段】映像信号線とＩＣドライバの端子を接続するドレイン層引出し線５０を途中で分断し、分断した部分を画素ＩＴＯと同時に形成される橋絡ＩＴＯ５０によって橋絡する。ＩＣドライバの中央部分の端子を接続する引き出し線における橋絡ＩＴＯ５０の長さをＩＣドライバの端部の端子を接続する引き出し線における橋絡ＩＴＯ５０の長さより大きくすることによって、引き出し線の配線抵抗の差を小さくする。 （もっと読む）

【課題】構造及び製造工程を簡素化しながら、開口率を向上させた、ディスプレイ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態に係るディスプレイ装置１０１は、基板１１１、前記基板１１１上に形成された前記第１透明導電膜１３０１及び前記第１透明導電膜１３０１上に形成された第１金属膜１３０２を含む多重膜構造と前記第１透明導電膜１３０１で形成された単一膜構造とを含むゲート配線、前記ゲート配線の一部の領域上に形成された半導体層１５３、そして前記半導体層上に形成された第２透明導電膜１７０１及び前記第２透明導電膜１７０１上に形成された第２金属膜１７０２を含む多重膜構造と前記第２透明導電膜１７０１で形成された単一膜構造とを含むデータ配線を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ基板、反射膜、反射アノード電極、タッチパネルセンサーなどの製造工程において、塩化ナトリウム溶液の浸漬下におけるＡｌ合金表面の腐食やピンホール腐食（黒点）などの腐食を有効に防止できて耐食性に優れており、しかもヒロックの生成も防止できて耐熱性にも優れたＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】本発明のＡｌ合金薄膜は、基板上に配線膜または反射膜に用いられるＡｌ合金膜であって、Ｔａおよび／またはＴｉ：０．０１〜０．５原子％と、希土類元素：０．０５〜２．０原子％と、を含有するものである。 （もっと読む）