【課題】薄膜トランジスタ（背面基板）とカラーフィルタの画素とを位置合わせを、より容易にする。
【解決手段】実質的に透明な第１の基板１と、上記第１の基板１上に設けられた実質的に透明なゲート電極２と、上記ゲート電極と同一層に離間して設けられた実質的に透明なキャパシタ電極３と、上記ゲート電極および上記キャパシタ電極を覆うように設けられた実質的に透明なゲート絶縁膜４と、上記ゲート絶縁膜上に設けられた半導体層５と、上記半導体層と接続した実質的に透明なソース電極６と、上記半導体層に接続すると共に上記ソース電極と離間して形成された実質的に透明なドレイン電極７と、少なくとも上記ドレイン電極上を覆うように形成された着色層１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率が向上し、もって、高輝度化且つ低消費電力化が実現可能な有機ＥＬ素子、およびそれを用いた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】透明電極であるカソード電極２５と、光を透過する金属層である透明金属層２４３および光を反射する金属層である反射性金属層２４１で少なくとも構成され、透明金属層２４３および反射性金属層２４１が積層された第１領域と、光を透過する絶縁層である透明絶縁層２４２が透明金属層２４３および反射性金属層２４１の間に形成された第２領域とを有するアノード電極２４と、カソード電極２５およびアノード電極２４の間に形成され、カソード電極２５を介して出射される光を発光する有機ＥＬ層２３と、を備え、有機ＥＬ層２３は、前記第２領域における透明金属層２４３と接して形成され、反射性金属層２４１は、前記第２領域において、有機ＥＬ層２３からの発光を反射する。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ簡易なプロセスで製造することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。この後、有機ＥＬ層を含む機能層２０と共通電極２１とをこの順に形成する。積層膜２４のうちの少なくとも一部において２層以上を一括してパターニングすることにより、各層毎にパターニングする場合に比べ、使用するフォトマスクの枚数が減る。フォトレジストなどの使用材料が少なくなり、工程数も削減される。 （もっと読む）

【課題】有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】対向配置された第１基板と第２基板；第１基板と第２基板との間に配され、画素ごとに分離形成された画素電極、画素電極に対向配置された共通電極、及び画素電極と共通電極との間に配された有機発光層；を備え、第１基板と画素電極との間に配され、画素電極に発光信号を伝達する少なくとも一つの薄膜トランジスタ、少なくとも一つのキャパシタ、及び少なくとも一つの配線部；を備え、薄膜トランジスタ及びキャパシタを構成する電極部及び配線部のうち少なくとも一つの表面には、電極部及び配線部の光学特性が変形された光特性変形層が形成された有機発光表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】３次元映像および２次元映像を切り替え可能に表示しつつ、ユーザによる情報入力が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置１は、複数の画素を含む画素部１０と、画素部１０から発せられた光に基づく画像を表示すると共に、その画像の３次元表示および２次元表示を切り替え可能な液晶レンズ部２０と、物体の接触または近接の有無を検出するセンサ部３０とを備えたものである。液晶レンズ部２０が、画素部１０から発せられた光に基づく画像を、３次元映像または２次元映像として切り替え可能に表示する。また、センサ部３０を備えることにより、そのような映像を表示しながら、物体の接触または近接の有無が検出される。 （もっと読む）

【課題】上部遮光膜を備えなくともチャネル形成領域を遮光することができる表示層装置。
【解決手段】チャネル形成領域上にシリコンを含むゲート絶縁膜１０３を有し、ゲート絶縁膜を介して、チャネル形成領域上にゲート電極１０４と、容量配線とを有し、その上にシリコンを含む第２絶縁膜１０６を有し、第２絶縁膜上に、Ａｌを含む第２配線を有し、その上に酸化シリコンを有する第３絶縁膜を有し、第３絶縁膜上に、Ａｌを含む第３配線を有する表示装置であって、第２配線及び第３配線はチャネル形成領域を遮光することができる。 （もっと読む）

【課題】小型で２Ｄあるいは３Ｄの表示が可能な有機ＥＬ装置、およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】有機ＥＬ装置１００Ａは、素子基板１０上に規則的に配置され、素子基板１０側から順に積層された第１電極としての画素電極２１と、発光機能層２５と、透明導電性を有する第２電極としての陰極２７とを備えた有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０を封止するガスバリア層とを有し、ガスバリア層の上層に設けられ、有機ＥＬ素子３０の発光面に対する法線方向からの平面視で互いに対向する一対の傾斜面と、一対の傾斜面のそれぞれに設けられ、有機ＥＬ素子３０からの出射光を、第１の方向と、第１の方向と異なる第２の方向とに反射する反射層５１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】メモリー特性を改善し、信頼性に優れる反射型エレクトロクロミック表示素子を提供する。
【解決手段】透明支持基板(21)と、前記透明支持基板上に形成された透明導電層からなる表示電極(22)と、前記透明表示電極と対向して配置された支持基板(26)と、前記支持基板上に形成された導電層からなる対向電極(27)と、前記表示電極の対向電極側面に接して設けられたエレクトロクロミック層(25)と、前記表示電極と対向電極との間に収容された電解質層(28)とを備え、前記対向電極はその表面形状が、平均粒径15nm以上25nm以下の微粒子および該微粒子の凝集体組織構造により形成された凹凸形状を有する表示素子とする。 （もっと読む）

【課題】充電容量の増大したキャパシタを備えた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極層２１，２２および第２電極層２６と、当該第１電極層と第２電極層との間に単一層として介された第１絶縁層２５とを含むキャパシタを有する。 （もっと読む）

【課題】マスクの枚数を増やすことなく、ストレージキャパシタの電極間から半導体パターンを除去して高画質化を実現させる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるＴＦＴパネルの製造では、半導体パターンとＴＦＴのドレイン電極とを、同じマスクを利用したエッチングで同時にパターニングする。一方、画素電極の直下に形成される絶縁膜のパターニングには別のマスクを利用する。ドレイン電極を覆う絶縁膜の領域では、中央部の全体を感光させ、周辺部を半分の厚みまで感光させる。ストレージ電極の上方を覆う絶縁膜の領域は薄い一部を残して感光させる。ドレイン電極を覆う誘電膜をエッチングしてドレイン電極を露出させるとき、絶縁膜のその薄い一部がその下地の誘電膜を保護する。その後、絶縁膜のその薄い一部を画素電極の一部に置換し、保護された誘電膜を隔ててストレージ電極と対向させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過型液晶表示装置、ボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置などの、ＴＦＴ基板側が受光面または発光面となるフレキシブルディスプレイに用いることができるＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、光透過性および絶縁性を有し、樹脂を含有する平坦化層と、上記平坦化層の一方の面にパターン状に形成され、フレキシブル性を有する金属層と、上記平坦化層の上記金属層側とは反対側の面に形成されたＴＦＴ素子および画素電極とを有し、上記画素電極が形成されている画素電極形成領域の少なくとも一部と、上記金属層が形成されていない金属層非形成領域の少なくとも一部とが重なるように配置されていることを特徴とするＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】発光装置外部へ発光を取り出す課程で生じる発光の反射を低減すると共に、基板からトランジスタへの不純物拡散も十分に阻止できるようなアクティブマトリクス型の発光装置を提供すること。
【解決手段】本発明の発光装置は、基板と、前記基板上に設けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられたトランジスタと、前記トランジスタを覆うと共に前記基板が露出するように設けられた第１の開口部を有する第２の絶縁層とを有し、前記第１の開口部の内側に発光素子が設けられていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】画素領域のそれぞれには、ドレイン信号線ＤＬに接続された薄膜トランジスタＴＦＴと、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成される第１の電極と、前記薄膜トランジスタと前記第１の電極を接続する接続領域を有し、透明導電膜で形成される平面状の第２の電極を有し、前記第２の電極は、前記第１の電極と前記第１の基板間に形成され、且つ、前記第１の電極とゲート信号線ＧＬに重畳し、さらに、隣接する前記画素領域の第２の電極と接続されていることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】データ線１１４の電位変動に起因するノイズの影響を受けにくくして、発光素子１５０に流す電流を制御する。
【解決手段】互いに交差する走査線１１２およびデータ線１１４と、これらの交差に対応して設けられた画素回路１１０と、シールド配線８１ａ、８１ｂとを有する。画素回路１１０は、発光素子１５０と、発光素子１５０に流れる電流を制御するトランジスター１４０と、トランジスター１４０のゲートノードｇとデータ線１１４との間で、走査線１１２に供給される走査信号にしたがって導通状態が制御されるトランジスター１３０と、を備え、シールド配線８１ａ、８１ｂは、平面視したときにデータ線１１４とトランジスター１４０との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡略化された構成を有するトランジスタアレイを、簡易的に製造することが可能なトランジスタアレイの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】金属基板を用い、上記金属基板上に、絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、ドレイン電極が上記絶縁層に形成された貫通孔を介して上記金属基板に接続されるように薄膜トランジスタを形成する、薄膜トランジスタ形成工程と、上記金属基板をパターニングすることにより、上記金属基板を画素電極とする画素電極形成工程と、を有することを特徴とする、トランジスタアレイの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】好適な電気光学表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学表示装置の製造に有益な前面ラミネート６００であって、順に、光透過型導電層１４、導電層と電気的に接続している電気光学媒体層１６、接着層２６および剥離シート２８を備える。この前面ラミネート６００は、連続するウェブとして用意でき、ある大きさに切断して、剥離シート２８を除去して、ラミネート６００をバックプレーンに積層して、表示装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に第１の絶縁膜を有し、第１の絶縁膜上に第１及び第２の配線を有し、第１及び第２の配線上に第２の絶縁膜を有し、第２の絶縁膜上に電極を有し、電極上に第３の絶縁膜を有し、第３の絶縁膜上に画素電極を有し、画素電極は、電極と重なる第１の領域と、電極と重ならない第２の領域と、を有し、画素電極は、第１の配線に電気的に接続されており、第１の配線は、トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されており、電極は、画素部の外側において前記第２の配線と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ膜、陰極の断線を防止する技術を提供することを課題とする。陰極と陽極に
挟まれた部分で、ＥＬ膜の膜厚が局所的に薄くなることを抑えることができ、ＥＬ膜に局
所的に電界が集中することを防ぐことができる。
【解決手段】陽極１００上に絶縁膜１０１を形成し、絶縁膜１０１上にＥＬ膜１０２、陰
極１０３を形成したＥＬ素子において、絶縁膜１０１の下端部、上端部を曲面形状とする
。また、絶縁膜１０１の中央部のテーパー角を３５°以上７０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】フルカラーまたはそれに準じる表示が可能であって高コントラストの画像表示が可能な電気泳動表示装置およびその駆動方法、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電気泳動表示装置は、互いに対向配置された第１および第２基板と、第１基板および第２基板の間に配置され、第１色に着色された複数の第１帯電粒子および第２色に着色された第２帯電粒子と、これら第１および第２帯電粒子を保持する分散媒とを有する電気泳動層と、第１基板の電気泳動層側に配置され互いに独立駆動される第１画素電極および第２画素電極と、第２基板の電気泳動層側に配置される対向電極と、電気泳動層より第１基板側の位置に設けられる反射電極と、を備え、第１帯電粒子が、第１波長領域で透過性を有するとともにそれ以外の波長領域で吸収性を有し、第２帯電粒子が、第２波長領域で反射性を有するとともにそれ以外の波長領域で吸収性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の作製工程においてマスク枚数を追加することなく、反射電極の散
乱構造を作製する。
【解決手段】層間膜に感光性樹脂膜を用いる。フォトマスク１００の第１の透光部１０１
を通して露光してパターニングしてコンタクトホール１０３〜１０６を得る。フォトマス
ク１００の第２の透光部１０２を通して露光すると、感光性樹脂膜が解像不能となり、感
光性樹脂膜の表面に凹凸ができる。これにより一枚のフォトマスクでコンタクトホール形
成と層間膜表面に凹凸を有する散乱構造とができる。 （もっと読む）