【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】表示ムラが少なく、良好な色味の明るい表示の表示素子の実現。
【解決手段】透明基材11で形成された２枚の基板と、基板間に挟持され、電圧によって反射率、透過率または偏光状態が変化する光媒体3を有する光媒体層と、を有し、各基板は、光媒体層に面する側の表面上に形成された屈折率が１．８以上の透明平板電極12と、透明平板電極上に載置された直径が３００ｎｍ以下の複数のワイヤ状電極20と、を有する表示素子。 （もっと読む）

【課題】電子機器はそのボタンの大きさの制約が大きく、また、操作の柔軟性が損なわれている。よって視覚的にわかりやすく、操作性に優れる表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】画素は、第１乃至第６の薄膜トランジスタと、ＥＬ素子と、を有し、ＥＬ素子は、画素電極を有し、画素電極は、第１の薄膜トランジスタの第１端子と電気的に接続され、第２の薄膜トランジスタのゲートは、第３の薄膜トランジスタのゲートに接続され、第４の薄膜トランジスタのゲートは、第５の薄膜トランジスタのゲートに接続され、第３の薄膜トランジスタの第１の端子は、第１の薄膜トランジスタのゲートと電気的に接続され、第１乃至第６の薄膜トランジスタは、第１の絶縁膜に覆われている。 （もっと読む）

【課題】信号の遅延が抑制された表示装置を提供する。また、低消費電力駆動が可能な表示装置を提供する。
【解決手段】複数の画素に共通電位を与える共通配線と、画素を駆動する信号を入力するための信号線との間の寄生容量を無くせばよい。具体的には、外部から信号が入力される外部入力端子よりも外側に共通配線を引き回し、信号線と共通配線との交差部を無くすことにより、共通配線と信号線との間の寄生容量がなくなり、表示装置の高速駆動と低消費電力駆動が実現できる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、ＥＬ材料を成膜する前にＴＦＴ
基板の動作の確認をおこない、最終製品の良品率を向上させ、原価を低減すること。
【解決手段】各画素に、駆動用ＴＦＴのドレイン領域に電気的に接続し、さらにＥＬ素子
と電気的に並列接続している容量を設け、容量の充放電を確認することによって、駆動用
ＴＦＴが正常に動作するかどうかの判断をおこなう。こうして、不良品をＥＬ材料の成膜
前に除去可能であり、製造費用の削減がはかれる。 （もっと読む）

【課題】プラグ用の特殊な金属を用いなくても、電気光学装置に他の目的で形成されている膜を利用して、画素電極の導通部分を、大きな面積を占有せず、かつ、画素電極の表面に大きな凹凸を発生させずに形成することのできる電気光学装置、投射型表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、画素電極９ａの下層側に設けられた絶縁膜４４（第１絶縁膜）には柱状凸部４４０が形成されており、かかる柱状凸部４４０の先端面には、第２電極層７ａ（導電層）の導通部７ｔが重なっている。第２電極層７ａと画素電極９ａとの間には層間絶縁膜４５（第２絶縁膜）が設けられているが、かかる層間絶縁膜４５の表面４５０では導通部７ｔが露出している。このため、層間絶縁膜４５に画素電極９ａを積層すると、画素電極９ａは導通部７ｔと導通する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層として要求される耐圧や容量を確保しつつ、外光反射率によるコントラストの劣化を抑えやすくした表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板ＧＡと、透明基板ＧＡの上側に形成されるゲート電極ＧＴと、ゲート電極ＧＴの上側に形成される微結晶半導体層ＭＳと、ゲート電極ＧＴと微結晶半導体層ＭＳの間に形成されて、微結晶半導体層ＭＳの外方に延在するゲート絶縁層ＧＩと、ゲート絶縁層ＧＩの微結晶半導体層ＭＳの外方に延在する部分の上面に接して、窒化ケイ素で形成される第２の窒化ケイ素層ＮＩ２と、を有し、ゲート絶縁層ＧＩは、第１の窒化ケイ素層ＮＩ１と、第１の窒化ケイ素層ＮＩ１の上側に形成されて微結晶半導体層ＭＳに接する酸化ケイ素層ＯＩと、を含み、ゲート絶縁層ＧＩは、微結晶半導体層ＭＳの下側の部分よりも第２の窒化ケイ素層ＮＩ２の下面に接する部分で薄く形成される、ことを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】高速かつ精細に光が透過する開口を調節できる開口調節素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る開口調節素子は、流体が流動する空間を構成するチャンバと、当該チャンバ内に設けられるものであって、互いに混合されない性質を持ち、一つは透光性の、他の一つは遮光性または吸光性の物質で形成された第１流体及び第２流体と、チャンバの内側面に設けられるものであって、チャンバ内に電場を形成するために電圧が印加される一つ以上の電極がアレイされた第１電極部と、を備え、電場による第１流体と第２流体間の界面位置変化により光が透過される開口が調節される。 （もっと読む）

【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、第１基板としての素子基板が、複数の画素電極を有し、第２基板としての対向基板２０が、第１透光性導電層２３ａと、第１透光性導電層２３ａの複数の画素電極と対向する第１領域Ｅ１に配置された第２透光性導電層２３ｃと、第１透光性導電層２３ａと第２透光性導電層２３ｃとの間に配置された第１絶縁膜２３ｂと、を有し、対向基板２０の第１領域Ｅ１を透過する光の分光分布が、可視光波長範囲でほぼフラットとなるように、第１透光性導電層２３ａ、第１絶縁膜２３ｂ、第２透光性導電層２３ｃの膜厚がそれぞれ設定されている。素子基板と対向基板２０とを接着するシール材４０が設けられる対向基板２０の第２領域Ｅ２には、第１透光性導電層２３ａが配置されている。 （もっと読む）

【課題】 波形なまりや画素の透過率の低下を抑制でき、かつ表示ムラを抑制できる表示装置を提供する。
【解決手段】 デルタ配置の画素を有する表示装置において、画素はソース電極１０４、ドレイン電極１０５及びゲート電極１０１を備えたＴＦＴと、コモン１０８と画素電極１１０とを備えた画素部とを含み、有機パッシベーション膜１２０は、ソース電極１０４のコンタクト部上方に、非対称な開口部を有し、互いに隣接する画素の有機パッシベーション膜１２０の非対称な開口部の向きが同じである。 （もっと読む）

【課題】光利用効率が高く生産性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、主基板と、光制御層と、を含む表示装置が提供される。光制御層は、主基板と積層される。主基板は、主基体上に設けられた波長選択透過層と、回路層と、を有する。波長選択透過層は、下側反射層と、下側反射層の上に設けられた上側反射層と、下側反射層と上側反射層との間に設けられた第１スペーサ層及び第２スペーサ層を含む。第２スペーサ層の厚さは第１スペーサ層とは異なる。回路層は、主基体の主面に対して垂直な第１方向に沿って見たときに第１、第２スペーサ層と重なる部分を有する第１、第２画素電極を含む。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタアレイ基板、有機発光表示装置、及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に配置され、活性層２１２、ゲート電極２１４、ソース電極２１８ａ、ドレイン電極２１８ｂ、活性層とゲート電極との間に配置された第１絶縁層１３、及びゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間に配置された第２絶縁層１５を含む薄膜トランジスタと、第１絶縁層及び第２絶縁層上に配置され、ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結される画素電極１１７と、ゲート電極と同一層で形成された下部電極３１４及び画素電極と同一材料を含む上部電極３１７を含むキャパシタと、第２絶縁層と画素電極との間及び下部電極と上部電極との間に直接配置された第３絶縁層１１６と、ソース電極、ドレイン電極及び上部電極を覆って画素電極を露出させる第４絶縁層１９と、を含む薄膜トランジスタアレイ基板。 （もっと読む）

【課題】情報を表示するための電圧が印加される電極を有する情報表示媒体において、大型化した場合でも、表示する情報に制約を生じさせることなく取り扱いを容易にする。
【解決手段】複数の単位電極１２がマトリックス状に配列された基板１１と、基板１１上に積層され、単位電極１２に印加される電圧に応じて情報を表示する情報表示層２０とを有し、基板１１が、単位電極１２の外形に沿った凹凸を境界として複数に分割されている。 （もっと読む）

【課題】画素を透過する光の透過率が高く、光源から発する光を有効に利用可能な電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板１０と、画素に配置された透光性の画素電極１５と、素子基板１０と画素電極１５との間に設けられ、誘電体層１６ｂを介して対向配置された一対の透光性電極を有する蓄積容量１６と、蓄積容量１６と画素電極１５との間に設けられた第３層間絶縁膜１４と、を備え、画素を透過する光の分光分布が、少なくとも赤、緑、青の各波長範囲に対応して透過率のピークを有するように、画素電極１５、一対の透光性電極としての第１電極１６ａおよび第２電極１６ｃ、ならびに第３層間絶縁膜１４のそれぞれの膜厚が設定されている。 （もっと読む）

【課題】駆動回路等を制御するための駆動制御信号の信号線を基板の所定部位に配設することで、基板面の有効利用と、駆動制御信号への外的影響を防止ないし抑制することが可能な表示装置、及びそれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】基板２０上に、バンク層２２１と該バンク層２２１により区画形成された凹状区画領域２２３とを所定のマトリクスパターンで配列するとともに、表示部たる画素部１１０に、表示に寄与する実画素部１１１と、表示に寄与しないダミー画素部１１２とを構成する。さらに基板２０上には、走査線を導通する走査信号の出力制御を行う走査線駆動回路８０と、該走査線駆動回路８０を駆動させるための駆動制御信号が導通する駆動制御信号導通部３２０とが設けられ、基板２０を平面視した場合に、駆動制御信号導通部３２０が、少なくともダミー画素部１１２のバンク層２２１と重畳配置する部分を含むように配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置及びその不良画素の修復方法を提供する。
【解決手段】第１絶縁基板と、第１絶縁基板上に実質的に第１方向に互いに平行に配置されたゲート配線及びストレージ配線と、ゲート及びストレージ配線と絶縁されて交差し、実質的に第２方向に配置されたデータ配線と、ゲートとデータ配線とによって定義された画素領域上に形成された第１画素電極と、第１画素電極に隣接する第２画素電極と、を含み、ストレージ配線は、実質的に第１方向に配置された水平部と、水平部から実質的に第２方向に分枝し、データ配線とオーバーラップする垂直部と、を含み、垂直部は、第１画素電極及び第２画素電極とオーバーラップし、第１画素電極と垂直部がオーバーラップする幅は、第２画素電極及び垂直部の間のオーバーラップする幅と実質的に同一であることを特徴とする液晶表示装置。 （もっと読む）

【課題】単純化された有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板本体上にゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上に透明導電層及びゲート金属層を順次に形成する段階と、透明導電層及びゲート金属層を共にパターニングして透明導電層部及びゲート金属層部を含む複層構造を有する画素電極中間体、及び、ゲート電極を形成する段階と、画素電極中間体及びゲート電極上に層間絶縁膜を形成する段階と、層間絶縁膜に画素電極中間体の一部を露出する開口部を形成する段階と、層間絶縁膜上にデータ金属層を形成する段階と、データ金属層をパターニングしてソース電極及びドレイン電極を形成し、層間絶縁膜の開口部を通して露出された画素電極中間体のゲート金属層部を除去して画素電極を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】黒レベルを表示するときの液晶表示装置のディスクリネーション及び光漏れとい
った液晶の配向不良を低減でき、コントラストが高く、視認性の良い液晶表示装置を提供
することを課題とする。
【解決手段】画素電極２０３ａ〜２０３ｂの一部を凸部２０４に重なり合うように形成す
る。凸部の高さが高すぎると、液晶が基板面に対し斜めに配向することによるため、光漏
れが増える（図１（ｃ））。凸部の高さが低いと、ディスクリネーションを減らす効果が
低い。そこで最適な凸部の高さを決定する。 （もっと読む）

【課題】電気光学物質層を駆動した際に出射される光を受光素子で検出する場合でも、受光素子が変調光の出射の妨げになることのない電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００および投射型表示装置において、液晶層５０（電気光学物質層）から反射性の画素電極９ａ（反射層）に向かった光は画素電極９ａで反射して出射される。その際、反射性の画素電極９ａといっても、一部の光は透過するので、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側に受光素子６００を設けた場合でも、液晶層５０から画素電極９ａに向かった光の一部は受光素子６００で検出される。このため、受光素子６００での受光結果に基づいて液晶層５０の性能や劣化度合いを監視することができる。 （もっと読む）

【課題】保護回路を設けて表示装置の信頼性を高める。
【解決手段】画素部が有するトランジスタは、チャネル形成領域を有する第１酸化物半導体層を有し、走査線と電気的に接続する第１ゲート電極を有し、信号線と電気的に接続する第１配線層を有し、画素電極と電気的に接続する第２配線層を有し、画素部の外側領域に、保護回路を有し、保護回路が有する非線形素子３０、３１は、走査線１３又は信号線と電気的に接続される第２ゲート電極を有し、第２ゲート電極を被覆するゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上に第２酸化物半導体層を有し、第２ゲート電極の電位が、非線形素子の第３配線層又は第４配線層へ印加されるように、第２ゲート電極と第３配線層又は第４配線層とは第５配線層によって電気的に接続されている。第５の配線層は、画素電極と同じ材料を有することができる。 （もっと読む）