電気光学装置および電子機器
【課題】電気光学物質層を駆動した際に出射される光を受光素子で検出する場合でも、受光素子が変調光の出射の妨げになることのない電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００および投射型表示装置において、液晶層５０（電気光学物質層）から反射性の画素電極９ａ（反射層）に向かった光は画素電極９ａで反射して出射される。その際、反射性の画素電極９ａといっても、一部の光は透過するので、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側に受光素子６００を設けた場合でも、液晶層５０から画素電極９ａに向かった光の一部は受光素子６００で検出される。このため、受光素子６００での受光結果に基づいて液晶層５０の性能や劣化度合いを監視することができる。
【解決手段】電気光学装置１００および投射型表示装置において、液晶層５０（電気光学物質層）から反射性の画素電極９ａ（反射層）に向かった光は画素電極９ａで反射して出射される。その際、反射性の画素電極９ａといっても、一部の光は透過するので、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側に受光素子６００を設けた場合でも、液晶層５０から画素電極９ａに向かった光の一部は受光素子６００で検出される。このため、受光素子６００での受光結果に基づいて液晶層５０の性能や劣化度合いを監視することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性基板の一方面側に電気光学物質層および反射層が設けられた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置では基板の一方面側に液晶層や発光層等の電気光学物質層が設けられている。また、反射型の液晶装置やトップエミッションタイプの有機エレクトロルミネッセンス装置等の反射型の電気光学装置では基板と電気光学物質層との間に反射層が設けられており、液晶層を透過してきた光や発光層から出射された光を反射層で反射して出射する。
【０００３】
かかる電気光学装置において、電気光学物質層や画素トランジスター等が劣化すると、表示特性が低下する。そこで、液晶装置において、反射層で反射して出射してきた光を受光素子で受光し、その受光強度に基づいて液晶層や画素トランジスター等の性能を監視する技術が提案されている（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３３１１５５号公報
【特許文献２】特開２００９−１９３０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
反射層で反射してきた光を受光素子で受光することにより、液晶層等の性能を監視するにあたっては、電気光学装置と重なる位置に受光素子を設けることが好ましいが、受光素子を電気光学装置と重なる位置に設けると、画像表示の妨げになってしまう。このため、特許文献１、２では、電気光学装置からの変調光の出射光路から外れた位置に受光素子を配置する等の工夫が行われているが、光学系のレイアウト等によっては、受光素子を配置するスペースを確保できないこともある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電気光学物質層を駆動した際に出射される光を受光素子で検出する場合でも、受光素子が変調光の出射の妨げになることのない電気光学装置および該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、基板と、該基板の第１面および第２面のうち、前記第１面側に設けられた電気光学物質層と、前記電気光学物質層と前記基板との間に設けられた反射層と、前記反射層より前記基板側で該基板に対する法線方向からみて前記反射層と重なるように設けられ、当該反射層を透過してきた光を受光する受光素子と、を有することを特徴とする。本発明における「電気光学装置」とは、電気信号によって光の透過状態や発光状態を切り替えることによって表示等を行う装置であって、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置等を例示することができる。また、電気光学物質層とは、液晶層や発光層等、電気信号によって光の透過性や発光特性等が切り換えられる物質の層を意味する。
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は反射型の電気光学装置であり、電気光学物質層から反射層に向かった光は反射層で反射して出射される。その際、反射層といっても、一部の光は透過するので、反射層に対して基板側に受光素子を設けた場合でも、電気光学物質層から反射層に向かった光の一部は受光素子で検出される。このため、受光素子での受光結果に基づいて電気光学物質層の性能や劣化度合いを監視することができる。また、受光素子は、変調光が出射される側とは反対側に設けられているので、変調光の出射を妨げることがない。
【０００９】
本発明において、前記反射層は、反射性の画素電極である構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極とは別に反射層を設ける必要がないという利点がある。
【００１０】
本発明において、前記基板は透光性基板であり、前記受光素子は、前記透光性基板の前記第２面側に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、受光素子を透光性基板に後付けすることができるので、受光素子を容易に設けることができる。
【００１１】
本発明において、電気光学装置を液晶装置として構成した場合、液晶装置は、前記基板の前記第１面側に対向配置された対向基板と、当該対向基板と前記基板との間に前記電気光学物質層として保持された液晶層と、を有している。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置は各種電子機器に用いることができる。この場合、電子機器は、前記電気光学物質層に電圧を印加した際の前記受光素子での検出結果に基づいて前記電気光学物質層に対する駆動条件を調整する駆動条件調整部を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、駆動条件調整部は、電気光学物質層等の劣化度合いに応じた状態に駆動条件を調整するので、電気光学物質層等が劣化した場合でも、品位の高い画像を表示することができる。
【００１３】
また、電気機器を投射型表示装置として構成した場合、投射型表示装置は、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、前記液晶層に電圧を印加するとともに前記光源部から出射された前記光を前記電気光学装置に前記対向基板側から入射させた際の前記受光素子での検出結果に基づいて前記液晶層に対する駆動条件を調整する駆動条件調整部を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、駆動条件調整部は、電気光学物質層等の劣化度合いに応じた状態に駆動条件を調整するので、電気光学物質層等が劣化した場合でも、品位の高い画像を表示することができる。
【００１４】
本発明において、前記駆動条件調整部は、前記電気光学物質層に印加する電圧と前記受光素子での受光量との関係に基づいて前記電気光学物質層に対する駆動条件を調整する構成を採用することができる。かかる構成によれば、駆動条件調整部は、電気光学物質層等の劣化度合いを確実に監視することができるので、電気光学物質層等が劣化した場合でも、駆動条件を適正に調整することができ、品位の高い画像を表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。
【図２】図１に示す投射型表示装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置の素子基板において隣り合う複数の画素の平面図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置の断面図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置において液晶層に印加した電圧と変調光の強度との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置に本発明を適用した例を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１７】
［電気機器の構成例］
（投射型表示装置の概略構成）
図１は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。図１において、投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【００１８】
かかる投射型表示装置１０００において、まず、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００１９】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。
【００２０】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。
【００２１】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００２２】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。かかる投射型表示装置１０００においては、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１０２７（光合成光学系）等によって光学ユニット２００が構成されている。
【００２３】
（投射型表示装置１０００の電気的構成）
図２は、図１に示す投射型表示装置１０００の電気的構成を示すブロック図である。図２に示すように、投射型表示装置１０００は、各色に対応する３つの電気光学装置１００に加えて、３つの電気光学装置１００の各々に対応して、タイミング制御回路９００、画像信号供給回路３００、および電源回路４００を備えている。また、投射型表示装置１０００は、光源部１０２１を駆動する光源駆動回路７００を有している。
【００２４】
ここで、タイミング制御回路９００は、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路９００の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが生成され、かかるドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。画像信号供給回路３００は、外部から入力される１系統の入力画像データＤＡＴＡを変換して、各画素の階調を規定する画像信号ＶＩＤを生成する。なお、画像信号供給回路３００は、１系統の入力画像データをシリアル−パラレル変換して、例えば６相、９相、１２相、２４相、４８相、９６相、・・・等ｎ相の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤｎを生成するようにしてもよい。電源回路４００は、各部で使用される各種の電源電位を生成して出力する電源回路であり、コモン電位Ｖｃｏｍ等を液晶パネル１００ｐに供給する。
【００２５】
このように構成した投射型表示装置１０００においては、詳しくは後述するように、３つの電気光学装置１００は各々、各色に対応する液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（液晶パネル１００ｐ）に加えて、受光素子６００を備えており、かかる受光素子６００は、各液晶パネル１００ｐの変調特性を検出するための光センサ（光検出器）である。また、投射型表示装置１０００には、変調特性検出部５００が設けられているとともに、画像信号供給回路３００にはルックアップテーブル３１０が設けられており、かかる画像信号供給回路３００と変調特性検出部５００とによって、駆動条件調整部８００が構成されている。
【００２６】
（電気光学装置１００の電気的構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００の電気的な構成を示すブロック図である。図３に示すように、電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、かかる液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。画像表示領域１０ａでは、複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａおよび複数の画素トランジスター３０が形成されている。
【００２７】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、およびサンプリング回路１０３が設けられている。データ線駆動回路１０１は、サンプリング回路１０３を介して各データ線６ａに電気的に接続している。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続している。
【００２８】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量を構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量で保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量と並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。
【００２９】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号を順次生成して走査線３ａに出力する。
【００３０】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号を順次生成してサンプリング回路１０３に出力する。
【００３１】
サンプリング回路１０３は、データ線６ａ毎に設けられた複数のサンプリングスイッチ１０３ａを備えている。各サンプリングスイッチ１０３ａには、画像信号線１０３ｂを介して画像信号ＶＩＤが供給され、データ線駆動回路１０１から出力されるサンプリング信号により各サンプリングスイッチ１０３ａは順次閉じられる。その結果、画像信号ＶＩＤは、データ線６ａ毎にサンプリング信号に応じてサンプリングされ、複数のデータ線６ａにデータ信号として供給される。
【００３２】
（電気光学装置１００の構成）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００３３】
図４に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって封止されている。
【００３４】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図３を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００３５】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３および複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００３６】
図５等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の第１面１０ｓおよび第２面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する第１面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図３を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００３７】
また、素子基板１０の第１面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００３８】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００３９】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００４０】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の第１面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線７ｒに導通しており、定電位配線７ｒは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００４１】
本形態において、電気光学装置１００は反射型の液晶装置であり、共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成されている。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、矢印Ｌで示すように、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が、矢印Ｌ１で示すように、素子基板１０の画素電極９ａで反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００４２】
ここで、電気光学装置１００では、素子基板１０の第２面１０ｔの側には放熱シート１０６が貼付されている。また、放熱シート１０６において、画像表示領域１０ａの略中央部分と重なる領域には開口部が形成されており、かかる開口部には、図１に示す受光素子６００が配置されている。かかる受光素子６００の目的等については後述する。
【００４３】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。本形態において、電気光学装置１００は、図１を参照して説明した投射型表示装置において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いられている。このため、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、各色の光が各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されていない。
【００４４】
以下、電気光学装置１００が、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を液晶層５０として用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００４５】
（画素１００ｐの具体的構成）
図５は、本発明を適用した電気光学装置１００の素子基板１０において隣り合う複数の画素１００ａの平面図である。図６は、本発明を適用した電気光学装置１００の断面図であり、図５のＦ−Ｆ′線に沿って電気光学装置１００を切断した図である。なお、図５では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図５では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００４６】
図５および図６に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する第１面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００４７】
図６に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する第１面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００４８】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの第１面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００４９】
基板本体１０ｗの第１面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００５０】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００５１】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００５２】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００５３】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００５４】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００５５】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００５６】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜等の反射性金属膜を備えた画素電極９ａ（反射層）が形成されている。本形態において、画素電極９ａは、下層側のチタン窒化膜と、上層側のアルミニウム膜との２層構造になっており、その厚さは、例えば５０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００５７】
層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。
【００５８】
画素電極９ａの表面側にはポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００５９】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。
【００６０】
かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００６１】
（受光素子６００の構成）
図４および図５に示すように、本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａ（反射層）より基板本体１０ｗの側には、基板本体１０ｗに対する法線方向からみて画素電極９ａと重なる位置に受光素子６００が設けられている。本形態において、基板本体１０ｗは透光性基板であり、受光素子６００は、基板本体１０ｗの第２面１０ｔ側に後付けされている。受光素子６００は、基板本体１０ｗの側に受光面を向けたフォトダイオードやフォトトランジスター等からなる。かかる受光素子６００は、画素電極９ａ一つ分１の面積より大きいため、受光素子６００は、複数の画素電極９ａに重なるように配置されている。このため、受光素子６００は、画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｈにも重なっている。
【００６２】
また、本形態の電気光学装置１００では、図２を参照して説明したように、３つの電気光学装置１００の各々に対して、受光素子６００が設けられているとともに、受光素子６００での受光結果に基づいて、液晶パネル１００ｐの性能や劣化を検出する変調特性検出部５００が設けられている。また、画像信号供給回路３００には、階調補正データが記憶されたルックアップテーブル３１０が設けられており、画像信号供給回路３００は、各画素１００ａ毎の階調を規定する画像信号ＶＩＤを生成する際、変調特性検出部５００での検出結果に基づいて、画像信号ＶＩＤを補正する。このため、本形態では、ルックアップテーブル３１０を備えた画像信号供給回路３００と、変調特性検出部５００とによって、駆動条件調整部８００が構成されている。
【００６３】
そこで、本形態では、以下に説明するように、図１に示す光源部１０２１から出射された光を電気光学装置１００に対向基板２０側から入射させた際の受光素子６００での検出結果に基づいて液晶層５０に対する駆動条件を調整する。
【００６４】
（駆動条件の調整動作）
図７は、本発明を適用した電気光学装置１００において液晶層５０に印加した電圧と変調光の強度との関係を示すグラフであり、図７（ａ）、（ｂ）は、画素電極９ａで反射して対向基板２０の側から出射される反射光の強度を示すグラフ、および画素電極９ａを透過して受光素子６００で検出される透過光の強度を示すグラフである。なお、図７（ａ）、（ｂ）に示すグラフでは、縦軸（光強度）のスケールは相違しており、図７（ａ）に示す縦軸（光強度）のスケールは、図７（ｂ）に示す縦軸（光強度）のスケールより大である。
【００６５】
本形態の電気光学装置１００においては、図４（ｂ）および図６に矢印Ｌで示すように、対向基板２０の側から一定強度の照明光（図１に示す光源部１０２１から出射された光）を入射させた状態で、液晶層５０に印加する電圧（画素電極９ａと共通電極２１との間の電圧）を変化させると、画素電極９ａで反射して対向基板２０の側から出射される反射光（矢印Ｌ１参照）の強度は、図７（ａ）に実線Ｌ１１で示すカーブを示す。但し、液晶層５０に経時的な劣化が発生すると、図７（ａ）に点線Ｌ１２で示すように、画素電極９ａで反射して対向基板２０の側から出射される反射光の強度は、図７（ａ）に実線Ｌ１１で示すカーブよりも、同一の反射率を示す電圧が高電圧側にシフトする。従って、反射光の強度を受光素子で監視すれば、液晶層５０の劣化を監視できる。但し、反射光の出射側に受光素子を配置すると、画像の表示を妨げることになる。
【００６６】
そこで、本形態では、図４および図６に示すように、画素電極９ａ（反射層）より基板本体１０ｗの側に設けた受光素子６００によって液晶層５０の劣化を監視する。すなわち、対向基板２０の側から照明光を入射させた状態で、液晶層５０に電圧を印加すると、大部分の光は、画素電極９ａで反射して対向基板２０の側から出射されるが、一部の光は、画素電極９ａを透過して素子基板１０の第２面１０ｔに透過してくる。従って、素子基板１０の第２面１０ｔに受光素子６００を設けても、液晶層５０で変調された光の強度を監視することができる。
【００６７】
より具体的には、図４（ｂ）および図６に矢印Ｌで示すように、対向基板２０の側から一定強度の照明光（図１に示す光源部１０２１から出射された光）を入射させた状態で、液晶層５０に印加する電圧（画素電極９ａと共通電極２１との間の電圧）を変化させると、画素電極９ａを透過して受光素子６００で受光される透過光（矢印Ｌ２参照）の強度は、図７（ｂ）に実線Ｌ２１で示すカーブを示す。また、液晶層５０に経時的な劣化が発生すると、図７（ｂ）に点線Ｌ２２で示すように、画素電極９ａを透過して受光素子６００で受光される透過光の強度は、図７（ｂ）に実線Ｌ２１で示すカーブよりも、同一の透過率を示す電圧が高電圧側にシフトする。従って、透過光の強度を受光素子６００で監視すれば、液晶層５０の劣化を監視することができる。ここで、液晶層５０の特性をより正確に監視するには、受光素子６００と画素電極９ａとの間、より具体的には、基板本体１０ｗと受光素子６００との間に偏光板、さらには位相差板を配置することが好ましい。
【００６８】
このように構成した本形態の電気光学装置１００および投射型表示装置１０００では、３つの電気光学装置１００の各々において、対向基板２０の側から一定強度の照明光（図１に示す光源部１０２１から出射された光）を入射させるとともに、液晶層５０に１つのレベルあるいは複数のレベルの電圧を印加し、画素電極９ａを透過してくる光を受光素子６００で受光する。
【００６９】
そして、図２を参照して説明した変調特性検出部５００は、受光素子６００での受光結果に基づいて、図７（ｂ）に示すカーブのシフト量ΔＬを求め、その結果を画像信号供給回路３００に供給する。そして、画像信号供給回路３００は、各画素１００ａ毎の階調を規定する画像信号ＶＩＤを生成する際、変調特性検出部５００での検出結果、およびルックアップテーブル３１０に記憶されている補正データに基づいて、画像信号ＶＩＤを補正する。従って、駆動条件調整部８００による補正が行われた以降、表示された画像のコントラスト等は、液晶層５０が劣化する前と同等である。それ故、投射型表示装置１０００は、長期間にわたって品位の高い画像を表示することができる。
【００７０】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００および投射型表示装置１０００において、電気光学装置１００は反射型の液晶装置であり、液晶層５０（電気光学物質層）から反射性の画素電極９ａ（反射層）に向かった光は画素電極９ａで反射して出射される。その際、反射性の画素電極９ａといっても、一部の光は透過するので、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側に受光素子６００を設けた場合でも、液晶層５０から画素電極９ａに向かった光の一部は受光素子６００で検出される。このため、受光素子６００での受光結果に基づいて液晶層５０の性能や劣化度合いを監視することができる。また、受光素子６００は、変調光が出射される側とは反対側に設けられているので、変調光の出射を妨げることがない。
【００７１】
また、反射型の電気光学装置１００を構成する場合、画素電極を透光性膜により構成し、画素電極９ａとは別に反射層を設けた構成を採用することもできるが、本形態においては、画素電極９ａを反射性金属膜により構成することにより、画素電極９ａ自身を反射層として利用している。このため、画素電極９ａとは別に反射層を設ける必要がないという利点がある。
【００７２】
さらに、本形態において、素子基板１０の基板本体１０ｗが透光性基板であることから、受光素子６００を透光性の基板本体１０ｗの第２面１０ｔ側に設けてある。このため、受光素子６００を透光性の基板本体１０ｗに後付けすることができるので、受光素子６００を容易に設けることができる。
【００７３】
また、本形態の投射型表示装置１０００（電子機器）には、受光素子６００での受光結果に基づいて液晶層５０に対する駆動条件を調整する駆動条件調整部８００が設けられており、駆動条件調整部８００は、液晶層５０に印加する電圧と受光素子６００での受光量との関係に基づいて液晶層５０に対する駆動条件を調整する。このため、液晶層５０の劣化度合いに応じた状態に駆動条件を調整することができるので、液晶層５０が劣化した場合でも、品位の高い画像を表示することができる。
【００７４】
［他の液晶装置の構成例］
上記実施の形態では、複数の反射性の画素電極９ａと重なる位置に受光素子６００を設けたため、受光素子６００は、画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆとも重なっていたが、画素電極９ａのみに受光素子６００の受光面が重なるように構成してもよい。
【００７５】
上記実施の形態では、１つの電気光学装置１００に受光素子６００を１つ設けたが、１つの電気光学装置１００に複数の受光素子６００を設けてもよい。
【００７６】
上記実施の形態では、反射層（画素電極９ａ）より基板本体１０ｗに受光素子６００を設けるにあたって、基板本体１０ｗの第２面１０ｔ側に受光素子６００を設けたが、基板本体１０ｗの第１面１０ｓ側の画素電極９ａ（反射層）と重なる領域に受光素子６００を設けてもよい。例えば、画素トランジスター３０と同一の層間や、基板本体１０ｗと絶縁膜１２との層間に受光素子６００を設けてもよい。かかる構成によれば、基板本体１０ｗが透光性基板であるか、シリコン単結晶基板等の遮光性基板であるかにかかわらず、受光素子６００を設けることができる。
【００７７】
上記実施の形態では、画素電極９ａにより反射層を構成したが、画素電極を透光性導電膜により構成し、かかる透光性の画素電極に対して基板本体側にアルミニウム膜等の反射層を設けた反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。
【００７８】
上記実施の形態では、対向基板２０側から光が入射して対向基板２０側から変調光が出射されることから、素子基板１０側に受光素子６００を設けたが、素子基板１０側から光が入射して素子基板１０側から変調光が出射される構成の電気光学装置１００の場合には、対向基板２０側に反射層が設けられる。従って、かかる構成の場合、対向基板２０側に受光素子６００を設けることになる。
【００７９】
［他の電気光学装置の構成例］
上記実施の形態では、電気光学装置１００として反射型の液晶装置を例示したが、基板の第１面側に電気光学物質および反射層が設けられる構成の電気光学装置であれば、液晶装置以外にも、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機エレクトロルミネッセンス装置、電気泳動装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００８０】
［他の電子機器］
投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００８１】
また、電気光学装置１００は、上記の電子機器（投射型表示装置）の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよく、かかる電子機器に用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００８２】
９ａ・・画素電極（反射層）、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、２０・・対向基板、２１・・共通電極、５０・・液晶層（電気光学物質層）、１００・・電気光学装置、６００・・受光素子、８００・・駆動条件調整部、１０００・・投射型表示装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性基板の一方面側に電気光学物質層および反射層が設けられた電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置や有機エレクトロルミネッセンス装置等の電気光学装置では基板の一方面側に液晶層や発光層等の電気光学物質層が設けられている。また、反射型の液晶装置やトップエミッションタイプの有機エレクトロルミネッセンス装置等の反射型の電気光学装置では基板と電気光学物質層との間に反射層が設けられており、液晶層を透過してきた光や発光層から出射された光を反射層で反射して出射する。
【０００３】
かかる電気光学装置において、電気光学物質層や画素トランジスター等が劣化すると、表示特性が低下する。そこで、液晶装置において、反射層で反射して出射してきた光を受光素子で受光し、その受光強度に基づいて液晶層や画素トランジスター等の性能を監視する技術が提案されている（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３３１１５５号公報
【特許文献２】特開２００９−１９３０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
反射層で反射してきた光を受光素子で受光することにより、液晶層等の性能を監視するにあたっては、電気光学装置と重なる位置に受光素子を設けることが好ましいが、受光素子を電気光学装置と重なる位置に設けると、画像表示の妨げになってしまう。このため、特許文献１、２では、電気光学装置からの変調光の出射光路から外れた位置に受光素子を配置する等の工夫が行われているが、光学系のレイアウト等によっては、受光素子を配置するスペースを確保できないこともある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電気光学物質層を駆動した際に出射される光を受光素子で検出する場合でも、受光素子が変調光の出射の妨げになることのない電気光学装置および該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、基板と、該基板の第１面および第２面のうち、前記第１面側に設けられた電気光学物質層と、前記電気光学物質層と前記基板との間に設けられた反射層と、前記反射層より前記基板側で該基板に対する法線方向からみて前記反射層と重なるように設けられ、当該反射層を透過してきた光を受光する受光素子と、を有することを特徴とする。本発明における「電気光学装置」とは、電気信号によって光の透過状態や発光状態を切り替えることによって表示等を行う装置であって、液晶装置、有機エレクトロルミネッセンス装置等を例示することができる。また、電気光学物質層とは、液晶層や発光層等、電気信号によって光の透過性や発光特性等が切り換えられる物質の層を意味する。
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は反射型の電気光学装置であり、電気光学物質層から反射層に向かった光は反射層で反射して出射される。その際、反射層といっても、一部の光は透過するので、反射層に対して基板側に受光素子を設けた場合でも、電気光学物質層から反射層に向かった光の一部は受光素子で検出される。このため、受光素子での受光結果に基づいて電気光学物質層の性能や劣化度合いを監視することができる。また、受光素子は、変調光が出射される側とは反対側に設けられているので、変調光の出射を妨げることがない。
【０００９】
本発明において、前記反射層は、反射性の画素電極である構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極とは別に反射層を設ける必要がないという利点がある。
【００１０】
本発明において、前記基板は透光性基板であり、前記受光素子は、前記透光性基板の前記第２面側に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、受光素子を透光性基板に後付けすることができるので、受光素子を容易に設けることができる。
【００１１】
本発明において、電気光学装置を液晶装置として構成した場合、液晶装置は、前記基板の前記第１面側に対向配置された対向基板と、当該対向基板と前記基板との間に前記電気光学物質層として保持された液晶層と、を有している。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置は各種電子機器に用いることができる。この場合、電子機器は、前記電気光学物質層に電圧を印加した際の前記受光素子での検出結果に基づいて前記電気光学物質層に対する駆動条件を調整する駆動条件調整部を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、駆動条件調整部は、電気光学物質層等の劣化度合いに応じた状態に駆動条件を調整するので、電気光学物質層等が劣化した場合でも、品位の高い画像を表示することができる。
【００１３】
また、電気機器を投射型表示装置として構成した場合、投射型表示装置は、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、前記液晶層に電圧を印加するとともに前記光源部から出射された前記光を前記電気光学装置に前記対向基板側から入射させた際の前記受光素子での検出結果に基づいて前記液晶層に対する駆動条件を調整する駆動条件調整部を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、駆動条件調整部は、電気光学物質層等の劣化度合いに応じた状態に駆動条件を調整するので、電気光学物質層等が劣化した場合でも、品位の高い画像を表示することができる。
【００１４】
本発明において、前記駆動条件調整部は、前記電気光学物質層に印加する電圧と前記受光素子での受光量との関係に基づいて前記電気光学物質層に対する駆動条件を調整する構成を採用することができる。かかる構成によれば、駆動条件調整部は、電気光学物質層等の劣化度合いを確実に監視することができるので、電気光学物質層等が劣化した場合でも、駆動条件を適正に調整することができ、品位の高い画像を表示することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。
【図２】図１に示す投射型表示装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】本発明を適用した電気光学装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】本発明を適用した電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図５】本発明を適用した電気光学装置の素子基板において隣り合う複数の画素の平面図である。
【図６】本発明を適用した電気光学装置の断面図である。
【図７】本発明を適用した電気光学装置において液晶層に印加した電圧と変調光の強度との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施の形態として、各種の電気光学装置のうち、アクティブマトリクス型の液晶装置に本発明を適用した例を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１７】
［電気機器の構成例］
（投射型表示装置の概略構成）
図１は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。図１において、投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【００１８】
かかる投射型表示装置１０００において、まず、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の電気光学装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００１９】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）に入射する。
【００２０】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）に入射する。
【００２１】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、電気光学装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００２２】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置１００において変調される。その際、電気光学装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）に投射する。かかる投射型表示装置１０００においては、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１０２７（光合成光学系）等によって光学ユニット２００が構成されている。
【００２３】
（投射型表示装置１０００の電気的構成）
図２は、図１に示す投射型表示装置１０００の電気的構成を示すブロック図である。図２に示すように、投射型表示装置１０００は、各色に対応する３つの電気光学装置１００に加えて、３つの電気光学装置１００の各々に対応して、タイミング制御回路９００、画像信号供給回路３００、および電源回路４００を備えている。また、投射型表示装置１０００は、光源部１０２１を駆動する光源駆動回路７００を有している。
【００２４】
ここで、タイミング制御回路９００は、各部で使用される各種タイミング信号を出力するように構成されている。タイミング制御回路９００の一部であるタイミング信号出力手段により、最小単位のクロックであり各画素を走査するためのドットクロックが生成され、かかるドットクロックに基づいて、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、ＹスタートパルスＤＹ及びＸスタートパルスＤＸが生成される。画像信号供給回路３００は、外部から入力される１系統の入力画像データＤＡＴＡを変換して、各画素の階調を規定する画像信号ＶＩＤを生成する。なお、画像信号供給回路３００は、１系統の入力画像データをシリアル−パラレル変換して、例えば６相、９相、１２相、２４相、４８相、９６相、・・・等ｎ相の画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤｎを生成するようにしてもよい。電源回路４００は、各部で使用される各種の電源電位を生成して出力する電源回路であり、コモン電位Ｖｃｏｍ等を液晶パネル１００ｐに供給する。
【００２５】
このように構成した投射型表示装置１０００においては、詳しくは後述するように、３つの電気光学装置１００は各々、各色に対応する液晶パネル１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（液晶パネル１００ｐ）に加えて、受光素子６００を備えており、かかる受光素子６００は、各液晶パネル１００ｐの変調特性を検出するための光センサ（光検出器）である。また、投射型表示装置１０００には、変調特性検出部５００が設けられているとともに、画像信号供給回路３００にはルックアップテーブル３１０が設けられており、かかる画像信号供給回路３００と変調特性検出部５００とによって、駆動条件調整部８００が構成されている。
【００２６】
（電気光学装置１００の電気的構成）
図３は、本発明を適用した電気光学装置１００の電気的な構成を示すブロック図である。図３に示すように、電気光学装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、かかる液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。画像表示領域１０ａでは、複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。このようにして、電気光学装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａおよび複数の画素トランジスター３０が形成されている。
【００２７】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、およびサンプリング回路１０３が設けられている。データ線駆動回路１０１は、サンプリング回路１０３を介して各データ線６ａに電気的に接続している。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続している。
【００２８】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量を構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量で保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量と並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。
【００２９】
走査線駆動回路１０４には、Ｙクロック信号ＣＬＹ、反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ及びＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで、走査信号を順次生成して走査線３ａに出力する。
【００３０】
データ線駆動回路１０１には、Ｘクロック信号ＣＬＸ、反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ、及びＸスタートパルスＤＸが供給される。データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号を順次生成してサンプリング回路１０３に出力する。
【００３１】
サンプリング回路１０３は、データ線６ａ毎に設けられた複数のサンプリングスイッチ１０３ａを備えている。各サンプリングスイッチ１０３ａには、画像信号線１０３ｂを介して画像信号ＶＩＤが供給され、データ線駆動回路１０１から出力されるサンプリング信号により各サンプリングスイッチ１０３ａは順次閉じられる。その結果、画像信号ＶＩＤは、データ線６ａ毎にサンプリング信号に応じてサンプリングされ、複数のデータ線６ａにデータ信号として供給される。
【００３２】
（電気光学装置１００の構成）
図４は、本発明を適用した電気光学装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００３３】
図４に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって封止されている。
【００３４】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図３を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００３５】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３および複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００３６】
図５等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の第１面１０ｓおよび第２面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する第１面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図３を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００３７】
また、素子基板１０の第１面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００３８】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００３９】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、本形態において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００４０】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の第１面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線７ｒに導通しており、定電位配線７ｒは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９および基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００４１】
本形態において、電気光学装置１００は反射型の液晶装置であり、共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成されている。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、矢印Ｌで示すように、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が、矢印Ｌ１で示すように、素子基板１０の画素電極９ａで反射して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００４２】
ここで、電気光学装置１００では、素子基板１０の第２面１０ｔの側には放熱シート１０６が貼付されている。また、放熱シート１０６において、画像表示領域１０ａの略中央部分と重なる領域には開口部が形成されており、かかる開口部には、図１に示す受光素子６００が配置されている。かかる受光素子６００の目的等については後述する。
【００４３】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。本形態において、電気光学装置１００は、図１を参照して説明した投射型表示装置において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いられている。このため、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、各色の光が各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されていない。
【００４４】
以下、電気光学装置１００が、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を液晶層５０として用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００４５】
（画素１００ｐの具体的構成）
図５は、本発明を適用した電気光学装置１００の素子基板１０において隣り合う複数の画素１００ａの平面図である。図６は、本発明を適用した電気光学装置１００の断面図であり、図５のＦ−Ｆ′線に沿って電気光学装置１００を切断した図である。なお、図５では、各層を以下の線
下層側の遮光層８ａ＝細くて長い破線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
走査線３ａ＝太い実線
ドレイン電極４ａ＝細い実線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝細い一点鎖線
容量線５ｂ＝太い一点鎖線
上層側の遮光層７ａおよび中継電極７ｂ＝細い二点鎖線
画素電極９ａ＝太い破線
で示してある。また、図５では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
【００４６】
図５および図６に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する第１面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａおよびデータ線６ａに重なるように延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａは、データ線６ａに重なるように延在している。画素トランジスター３０の下層側には遮光層８ａが形成されており、かかる遮光層８ａは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００４７】
図６に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する第１面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００４８】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの第１面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層８ａが形成されている。本形態において、遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。なお、遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００４９】
基板本体１０ｗの第１面１０ｓ側において、遮光層８ａの上層側には、透光性の絶縁膜１２が形成されており、かかる絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本形態において、絶縁膜１２は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ （ボロンリンシリケートガラス）等のシリコン酸化膜（シリケートガラスも含む。）や、シリコン窒化膜からなる。かかる絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００５０】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００５１】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｃおよび走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。
【００５２】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、ドレイン電極４ａが形成されている。本形態において、層間絶縁膜４１は、シリコン酸化膜からなる。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ドレイン電極４ａはチタン窒化膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００５３】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線５ｂは、チタン窒化膜、アルミニウム膜、およびチタン窒化膜との３層構造を有している。ここで、容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、蓄積容量５５を構成している。
【００５４】
容量線５ｂの上層側には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００５５】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されており、かかる層間絶縁膜４４の上層側には、遮光層７ａおよび中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、遮光層７ａおよび中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、チタン窒化膜とアルミニウム膜との２層乃至４層の積層膜からなる。中継電極７ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。遮光層７ａは、データ線６ａと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、遮光層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００５６】
遮光層７ａおよび中継電極７ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されており、かかる層間絶縁膜４５の上層側には、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜等の反射性金属膜を備えた画素電極９ａ（反射層）が形成されている。本形態において、画素電極９ａは、下層側のチタン窒化膜と、上層側のアルミニウム膜との２層構造になっており、その厚さは、例えば５０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００５７】
層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂおよびドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。
【００５８】
画素電極９ａの表面側にはポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００５９】
（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。
【００６０】
かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００６１】
（受光素子６００の構成）
図４および図５に示すように、本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａ（反射層）より基板本体１０ｗの側には、基板本体１０ｗに対する法線方向からみて画素電極９ａと重なる位置に受光素子６００が設けられている。本形態において、基板本体１０ｗは透光性基板であり、受光素子６００は、基板本体１０ｗの第２面１０ｔ側に後付けされている。受光素子６００は、基板本体１０ｗの側に受光面を向けたフォトダイオードやフォトトランジスター等からなる。かかる受光素子６００は、画素電極９ａ一つ分１の面積より大きいため、受光素子６００は、複数の画素電極９ａに重なるように配置されている。このため、受光素子６００は、画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｈにも重なっている。
【００６２】
また、本形態の電気光学装置１００では、図２を参照して説明したように、３つの電気光学装置１００の各々に対して、受光素子６００が設けられているとともに、受光素子６００での受光結果に基づいて、液晶パネル１００ｐの性能や劣化を検出する変調特性検出部５００が設けられている。また、画像信号供給回路３００には、階調補正データが記憶されたルックアップテーブル３１０が設けられており、画像信号供給回路３００は、各画素１００ａ毎の階調を規定する画像信号ＶＩＤを生成する際、変調特性検出部５００での検出結果に基づいて、画像信号ＶＩＤを補正する。このため、本形態では、ルックアップテーブル３１０を備えた画像信号供給回路３００と、変調特性検出部５００とによって、駆動条件調整部８００が構成されている。
【００６３】
そこで、本形態では、以下に説明するように、図１に示す光源部１０２１から出射された光を電気光学装置１００に対向基板２０側から入射させた際の受光素子６００での検出結果に基づいて液晶層５０に対する駆動条件を調整する。
【００６４】
（駆動条件の調整動作）
図７は、本発明を適用した電気光学装置１００において液晶層５０に印加した電圧と変調光の強度との関係を示すグラフであり、図７（ａ）、（ｂ）は、画素電極９ａで反射して対向基板２０の側から出射される反射光の強度を示すグラフ、および画素電極９ａを透過して受光素子６００で検出される透過光の強度を示すグラフである。なお、図７（ａ）、（ｂ）に示すグラフでは、縦軸（光強度）のスケールは相違しており、図７（ａ）に示す縦軸（光強度）のスケールは、図７（ｂ）に示す縦軸（光強度）のスケールより大である。
【００６５】
本形態の電気光学装置１００においては、図４（ｂ）および図６に矢印Ｌで示すように、対向基板２０の側から一定強度の照明光（図１に示す光源部１０２１から出射された光）を入射させた状態で、液晶層５０に印加する電圧（画素電極９ａと共通電極２１との間の電圧）を変化させると、画素電極９ａで反射して対向基板２０の側から出射される反射光（矢印Ｌ１参照）の強度は、図７（ａ）に実線Ｌ１１で示すカーブを示す。但し、液晶層５０に経時的な劣化が発生すると、図７（ａ）に点線Ｌ１２で示すように、画素電極９ａで反射して対向基板２０の側から出射される反射光の強度は、図７（ａ）に実線Ｌ１１で示すカーブよりも、同一の反射率を示す電圧が高電圧側にシフトする。従って、反射光の強度を受光素子で監視すれば、液晶層５０の劣化を監視できる。但し、反射光の出射側に受光素子を配置すると、画像の表示を妨げることになる。
【００６６】
そこで、本形態では、図４および図６に示すように、画素電極９ａ（反射層）より基板本体１０ｗの側に設けた受光素子６００によって液晶層５０の劣化を監視する。すなわち、対向基板２０の側から照明光を入射させた状態で、液晶層５０に電圧を印加すると、大部分の光は、画素電極９ａで反射して対向基板２０の側から出射されるが、一部の光は、画素電極９ａを透過して素子基板１０の第２面１０ｔに透過してくる。従って、素子基板１０の第２面１０ｔに受光素子６００を設けても、液晶層５０で変調された光の強度を監視することができる。
【００６７】
より具体的には、図４（ｂ）および図６に矢印Ｌで示すように、対向基板２０の側から一定強度の照明光（図１に示す光源部１０２１から出射された光）を入射させた状態で、液晶層５０に印加する電圧（画素電極９ａと共通電極２１との間の電圧）を変化させると、画素電極９ａを透過して受光素子６００で受光される透過光（矢印Ｌ２参照）の強度は、図７（ｂ）に実線Ｌ２１で示すカーブを示す。また、液晶層５０に経時的な劣化が発生すると、図７（ｂ）に点線Ｌ２２で示すように、画素電極９ａを透過して受光素子６００で受光される透過光の強度は、図７（ｂ）に実線Ｌ２１で示すカーブよりも、同一の透過率を示す電圧が高電圧側にシフトする。従って、透過光の強度を受光素子６００で監視すれば、液晶層５０の劣化を監視することができる。ここで、液晶層５０の特性をより正確に監視するには、受光素子６００と画素電極９ａとの間、より具体的には、基板本体１０ｗと受光素子６００との間に偏光板、さらには位相差板を配置することが好ましい。
【００６８】
このように構成した本形態の電気光学装置１００および投射型表示装置１０００では、３つの電気光学装置１００の各々において、対向基板２０の側から一定強度の照明光（図１に示す光源部１０２１から出射された光）を入射させるとともに、液晶層５０に１つのレベルあるいは複数のレベルの電圧を印加し、画素電極９ａを透過してくる光を受光素子６００で受光する。
【００６９】
そして、図２を参照して説明した変調特性検出部５００は、受光素子６００での受光結果に基づいて、図７（ｂ）に示すカーブのシフト量ΔＬを求め、その結果を画像信号供給回路３００に供給する。そして、画像信号供給回路３００は、各画素１００ａ毎の階調を規定する画像信号ＶＩＤを生成する際、変調特性検出部５００での検出結果、およびルックアップテーブル３１０に記憶されている補正データに基づいて、画像信号ＶＩＤを補正する。従って、駆動条件調整部８００による補正が行われた以降、表示された画像のコントラスト等は、液晶層５０が劣化する前と同等である。それ故、投射型表示装置１０００は、長期間にわたって品位の高い画像を表示することができる。
【００７０】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００および投射型表示装置１０００において、電気光学装置１００は反射型の液晶装置であり、液晶層５０（電気光学物質層）から反射性の画素電極９ａ（反射層）に向かった光は画素電極９ａで反射して出射される。その際、反射性の画素電極９ａといっても、一部の光は透過するので、画素電極９ａに対して基板本体１０ｗ側に受光素子６００を設けた場合でも、液晶層５０から画素電極９ａに向かった光の一部は受光素子６００で検出される。このため、受光素子６００での受光結果に基づいて液晶層５０の性能や劣化度合いを監視することができる。また、受光素子６００は、変調光が出射される側とは反対側に設けられているので、変調光の出射を妨げることがない。
【００７１】
また、反射型の電気光学装置１００を構成する場合、画素電極を透光性膜により構成し、画素電極９ａとは別に反射層を設けた構成を採用することもできるが、本形態においては、画素電極９ａを反射性金属膜により構成することにより、画素電極９ａ自身を反射層として利用している。このため、画素電極９ａとは別に反射層を設ける必要がないという利点がある。
【００７２】
さらに、本形態において、素子基板１０の基板本体１０ｗが透光性基板であることから、受光素子６００を透光性の基板本体１０ｗの第２面１０ｔ側に設けてある。このため、受光素子６００を透光性の基板本体１０ｗに後付けすることができるので、受光素子６００を容易に設けることができる。
【００７３】
また、本形態の投射型表示装置１０００（電子機器）には、受光素子６００での受光結果に基づいて液晶層５０に対する駆動条件を調整する駆動条件調整部８００が設けられており、駆動条件調整部８００は、液晶層５０に印加する電圧と受光素子６００での受光量との関係に基づいて液晶層５０に対する駆動条件を調整する。このため、液晶層５０の劣化度合いに応じた状態に駆動条件を調整することができるので、液晶層５０が劣化した場合でも、品位の高い画像を表示することができる。
【００７４】
［他の液晶装置の構成例］
上記実施の形態では、複数の反射性の画素電極９ａと重なる位置に受光素子６００を設けたため、受光素子６００は、画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆとも重なっていたが、画素電極９ａのみに受光素子６００の受光面が重なるように構成してもよい。
【００７５】
上記実施の形態では、１つの電気光学装置１００に受光素子６００を１つ設けたが、１つの電気光学装置１００に複数の受光素子６００を設けてもよい。
【００７６】
上記実施の形態では、反射層（画素電極９ａ）より基板本体１０ｗに受光素子６００を設けるにあたって、基板本体１０ｗの第２面１０ｔ側に受光素子６００を設けたが、基板本体１０ｗの第１面１０ｓ側の画素電極９ａ（反射層）と重なる領域に受光素子６００を設けてもよい。例えば、画素トランジスター３０と同一の層間や、基板本体１０ｗと絶縁膜１２との層間に受光素子６００を設けてもよい。かかる構成によれば、基板本体１０ｗが透光性基板であるか、シリコン単結晶基板等の遮光性基板であるかにかかわらず、受光素子６００を設けることができる。
【００７７】
上記実施の形態では、画素電極９ａにより反射層を構成したが、画素電極を透光性導電膜により構成し、かかる透光性の画素電極に対して基板本体側にアルミニウム膜等の反射層を設けた反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。
【００７８】
上記実施の形態では、対向基板２０側から光が入射して対向基板２０側から変調光が出射されることから、素子基板１０側に受光素子６００を設けたが、素子基板１０側から光が入射して素子基板１０側から変調光が出射される構成の電気光学装置１００の場合には、対向基板２０側に反射層が設けられる。従って、かかる構成の場合、対向基板２０側に受光素子６００を設けることになる。
【００７９】
［他の電気光学装置の構成例］
上記実施の形態では、電気光学装置１００として反射型の液晶装置を例示したが、基板の第１面側に電気光学物質および反射層が設けられる構成の電気光学装置であれば、液晶装置以外にも、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機エレクトロルミネッセンス装置、電気泳動装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【００８０】
［他の電子機器］
投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００８１】
また、電気光学装置１００は、上記の電子機器（投射型表示装置）の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよく、かかる電子機器に用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００８２】
９ａ・・画素電極（反射層）、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、２０・・対向基板、２１・・共通電極、５０・・液晶層（電気光学物質層）、１００・・電気光学装置、６００・・受光素子、８００・・駆動条件調整部、１０００・・投射型表示装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の第１面および第２面のうち、前記第１面側に設けられた電気光学物質層と、
前記電気光学物質層と前記基板との間に設けられた反射層と、
前記反射層より前記基板側で該基板に対する法線方向からみて前記反射層と重なるように設けられ、当該反射層を透過してきた光を受光する受光素子と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記反射層は、反射性の画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記基板は透光性基板であり、
前記受光素子は、前記透光性基板の前記第２面側に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記基板の前記第１面側に対向配置された対向基板と、
当該対向基板と前記基板との間に前記電気光学物質層として保持された液晶層と、
を有していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
前記電気光学物質層に電圧を印加した際の前記受光素子での検出結果に基づいて前記電気光学物質層に対する駆動条件を調整する駆動条件調整部を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項４に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
前記液晶層に電圧を印加するとともに前記光源部から出射された前記光を前記電気光学装置に前記対向基板側から入射させた際の前記受光素子での検出結果に基づいて前記液晶層に対する駆動条件を調整する駆動条件調整部を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
前記駆動条件調整部は、前記電気光学物質層に印加する電圧と前記受光素子での受光量との関係に基づいて前記液晶層に対する駆動条件を調整することを特徴とする請求項５または６に記載の電子機器。
【請求項１】
基板と、
該基板の第１面および第２面のうち、前記第１面側に設けられた電気光学物質層と、
前記電気光学物質層と前記基板との間に設けられた反射層と、
前記反射層より前記基板側で該基板に対する法線方向からみて前記反射層と重なるように設けられ、当該反射層を透過してきた光を受光する受光素子と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記反射層は、反射性の画素電極であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記基板は透光性基板であり、
前記受光素子は、前記透光性基板の前記第２面側に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記基板の前記第１面側に対向配置された対向基板と、
当該対向基板と前記基板との間に前記電気光学物質層として保持された液晶層と、
を有していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
前記電気光学物質層に電圧を印加した際の前記受光素子での検出結果に基づいて前記電気光学物質層に対する駆動条件を調整する駆動条件調整部を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項４に記載の電気光学装置を備えた電子機器であって、
前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、
前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
前記液晶層に電圧を印加するとともに前記光源部から出射された前記光を前記電気光学装置に前記対向基板側から入射させた際の前記受光素子での検出結果に基づいて前記液晶層に対する駆動条件を調整する駆動条件調整部を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
前記駆動条件調整部は、前記電気光学物質層に印加する電圧と前記受光素子での受光量との関係に基づいて前記液晶層に対する駆動条件を調整することを特徴とする請求項５または６に記載の電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−７８９９（Ｐ２０１３−７８９９Ａ）
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１４０６２０（Ｐ２０１１−１４０６２０）
【出願日】平成２３年６月２４日（２０１１．６．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月１０日（２０１３．１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月２４日（２０１１．６．２４）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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