【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、酸化物半導体層を高純度化することで、トランジスタの室温におけるオフ電流値を１０ａＡ／μｍ以下且つ８５℃におけるオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上述したようにトランジスタは、８５℃という高温においてもオフ電流値を１００ａＡ／μｍ以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置の表示の劣化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】発光装置における歩留まりの向上および故障率の低減を図る。
【解決手段】発光ダイオード素子１２とヒューズ１３が直列に接続された複数のヒューズ付き発光ダイオード素子１４を、並列に接続して並列構成単位１５を形成する。そして、１つの並列構成単位１５で、あるいは、複数の並列構成単位１５を直列に接続して、発光ダイオード素子回路１６を形成する。そのため、発光ダイオード素子１２の何れかが短絡不良を起こしても、短絡不良を起こした発光ダイオード素子１２に接続されたヒューズ１３が断線して過電流を遮断することができる。その結果、短絡不良を起こした発光ダイオード素子１２以外の発光ダイオード素子１２は引続き発光することができ、発光装置１１は引続き動作することができる。したがって、発光装置１１の歩留りの向上および故障率の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】不良の発生が抑制され高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子基板上に設けられた、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０に対応して設けられた画素電極１５と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に設けられたデータ線６ａと、データ線６ａと画素電極１５との間に設けられた第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと画素電極１５との間に設けられ、第１容量電極１６ａの一部に誘電体層を介して対向配置されると共に、電気的にＴＦＴ３０と画素電極１５とに接続された第２容量電極１６ｂと、を備え、第２容量電極１６ｂは、アモルファスタングステンシリサイド膜からなる。 （もっと読む）

【課題】色再現率が高くて輝度が高い２次元及び３次元映像を具現し、特に３次元映像具現の時にクロストーク欠陥が減少した表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１絶縁基板、複数の画素、第２絶縁基板、カラーフィルター層、及びパターンリターダを備える。第１絶縁基板は、行列形態に配列され、列方向より行方向に長い複数の画素領域を有し、列方向より行方向に長い。画素は、各画素領域に提供され、印加された映像信号に従って２次元又は３次元映像を表示する。ここで、１つの色情報を示す単位画素は列方向に連続する第１〜第４画素に定義され、第４画素にホワイト色画素が対応する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、の組をマトリクス状に複数有する半導体装置であって、高精細化可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、を有し、発光素子を有する表示素子に電気的に接続される電源線と、フォトセンサに電気的に接続される電源線とを共有する半導体装置である。こうして、電源線の幅を狭くすることなく、高精細の半導体装置が得られる。そのため、電源線の電位の安定性を確保しつつ、半導体装置を高精細化することができるため、高精細な半導体装置においても、発光素子を有する表示素子の駆動電圧を安定とし、且つフォトセンサの駆動電圧も安定とすることができる。こうして、高精細化可能であり、且つ、表示品質が高く、被検出物の撮像精度や検出精度の高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】データ線１１４の電位変動の影響を受けにくくし、表示品位の低下を防止する。
【解決手段】走査線１１２およびデータ線１１４の交差に対応して画素回路１１０が設けられる。画素回路１１０には、発光素子１５０に流れる電流を制御するトランジスター１４０のソースに接続される中継電極４３を、データ線１１４からシールドするための配線を設ける。この配線は、データ線１１４と同層の中継電極８１ａと、中継電極４３と同層の中継電極４４ａと、データ線１１４と中継電極４３ａとの間にある導電層の電極部分１１７ａとを、コンタクトホール５３ａ、７３ａとで互いに電気的に接続した構造体とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、抵抗値が低く、電流の均一性に優れ、かつ長期保存での導電性の劣化がなく、安定性の高い透明導電性基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、金属を含有する細線電極３と導電性ポリマー含有層４とが形成され、該細線電極３が金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成され、該導電性インクを基板２上に付与した後、該導電性インクの焼成温度Ｔ_０（℃）より低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度Ｓ_Ｔ（℃）よりも高い温度Ｔ_１（℃）でＳ_１（分）加熱された後に、焼成温度Ｔ_０（℃）でＳ_２（分）加熱され、かつ該焼成温度Ｔ_０（℃）と該溶剤の揮発温度よりも高い温度Ｔ_１（℃）との差が、２００℃＞Ｔ_０−Ｔ_１＞５０℃の関係を満たす透明導電性基板１を形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上
を図ることのできる発光表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ、及び発光素子を有する複数の画素を有し、画素は、走査
線として機能する第１の配線に電気的に接続されており、薄膜トランジスタは、第１の配
線上にゲート絶縁膜を介して設けられた酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層は、第１
の配線が設けられた領域をはみ出て設けられており、発光素子と、酸化物半導体層とが重
畳して設けられる。 （もっと読む）

【課題】機械的な接触を発生させずにシャッターを駆動し、透過する光の量を制御するＭＥＭＳ表示装置を提供する。
【解決手段】データドライバにより電位が供給される複数のデータ線とゲートドライバにより電位が供給される複数のゲート線との交点のそれぞれに対応する画素素子を基板に有する表示部を備える表示装置であって、前記画素素子は、前記基板に形成された基板接続部と、前記基板の上に形成されたシャッターと、前記基板接続部と前記遮光部の側面とを接続するビームと、前記シャッターの前記側面の反対側に形成された外縁と離れて前記基板に形成された電極とを備えていることを特徴とする表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】画素の開口率を低下させることなく、画素電極のコンタクトホールが配置された電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置は、画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられた薄膜トランジスター（ＴＦＴ）３０と、ＴＦＴ３０と画素電極１５との間に、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａを覆うように設けられた遮光性の第１容量配線としての第２容量電極１６ｂと、第２容量配線７１と画素電極１５との間に、画素電極１５とコンタクトホールＣＮＴ８を介して電気的に接続された中継電極９と、を備え、第１容量配線としての第２容量電極１６ｂは、画素電極１５に対する画素の開口隅部に張り出した張り出し部１６ｂａを有し、コンタクトホールＣＮＴ８は、上記張り出し部１６ｂａと重なるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】画素電極とソース配線、さらには画素電極とＴＦＴとの電気的な干渉を抑制する
構造を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの活性層、ゲイト絶縁膜、及び
ゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前
記活性層に接続されたソース配線及びドレイン電極と、前記ソース配線及び前記ドレイン
電極上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜上に形成された電磁シー
ルド用の導電膜と、前記導電膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、前記第３の層間絶縁
膜上に形成され、前記ドレイン電極に接続された画素電極とを有し、前記導電膜は前記ソ
ース配線と前記画素電極との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制しつつ、広い視野角特性を有しつつ透過率を向上し、表示品位の良好な画像を表示することができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 各画素ＰＸに対応して配置された画素電極ＥＰを備えたアレイ基板ＡＲと、このアレイ基板ＡＲに対向配置され複数の画素ＰＸに共通の対向電極ＥＴを備えた対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備え、画素電極ＥＰは、帯状の第１主電極部ＥＰａを有し、対向電極ＥＴは、第１主電極部ＥＰａとの間に横電界を形成するように第１主電極部ＥＰａと交互に平行に配置された帯状の第２主電極部ＥＴａを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置において、保護膜形成時のプラズマ処理におけるＣｕ配線の酸化を有効に防止し得る技術を提供する。
【解決手段】基板１の上に、基板側から順に、薄膜トランジスタの半導体層４と、電極に用いられるＣｕ合金膜５と、保護膜６と、を備えており、半導体層は酸化物半導体からなる。Ｃｕ合金膜５は、基板側から順に、第一層（Ｘ）５ａと第二層（Ｚ）５ｂを含む積層構造を有し、第一層（Ｘ）は、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって第二層（Ｚ）よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなり、第二層（Ｚ）は、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｗ、Ｎｂ、希土類元素、Ｇｅ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２〜２０原子％含むＣｕ−Ｚ合金からなり、第二層（Ｚ）の少なくとも一部は、前記保護膜と直接接続されている。 （もっと読む）

【課題】電子ペーパーに用いた際に、表示ムラを生じにくく、良好な情報表示特性を得ることが可能な電子ペーパー用背面電極基材、およびこれを用いた電子ペーパーを提供する。
【解決手段】表示電極用絶縁層１α、および上記表示電極用絶縁層上に表示電極１βを備え表示情報に対応するパターン形状を有する表示電極層１と、上記表示電極層の上記表示電極上に配置された配線電極用絶縁層２α、および上記配線電極用絶縁層上に形成された配線電極２βを備え、上記表示電極に電荷を付与することが可能なパターン形状を有する配線電極層２と、上記表示電極層の上記表示電極上の、上記配線電極層が配置されている配線電極層配置領域以外の領域に上記配線電極層の厚みと同等の厚みを有する平坦化層３と、上記配線電極層の上記配線電極および平坦化層上に配置された保護フィルム４とを有する電子ペーパ用背面電極基材１０からなる。 （もっと読む）

【課題】バリアーパターンを利用して立体映像を具現でき、バリアーパターン及び電極パターンを利用して外部のタッチ情報を認識できる表示装置が提供される。
【解決手段】第１基板、第１基板と対向して具備された第２基板、及び複数の画素を含む表示パネルと、第２基板に具備され、第１方向へ延長された複数の電極パターンと、第２基板に具備され、電極パターンと絶縁されるように第１方向と異なる第２方向へ延長された複数のバリアーパターンと、を含み、各画素は、第１方向へ延長されたゲートラインと、第２方向へ延長されたデータラインと、ゲートライン及びデータラインに電気的に連結され、電極パターンの中で対応する電極パターンと電界を形成して階調を表示する画素電極と、を含む。 （もっと読む）

【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置を提供すること
を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜中の水分または水素などの不純物を低減するために、酸化物
半導体膜を形成した後、酸化物半導体膜が露出した状態で第１の加熱処理を行う。次いで
、酸化物半導体膜中の水分、または水素などの不純物をさらに低減するために、イオン注
入法またはイオンドーピング法などを用いて、酸化物半導体膜に酸素を添加した後、再び
、酸化物半導体膜が露出した状態で第２の加熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】画素がデルタ配列している表示装置において、映像信号線が走査線と同じ方向に延在する部分が存在することによる配線間容量の増加に伴う表示むらを解消する。
【解決手段】第１の行において画素が所定のピッチｐで横方向に配列しており、第２の行において画素が所定のピッチｐで横方向に配列しており、第１の行の画素の中心と第２の行の画素の中心が所定の距離ｄだけずれている。ｄはｐ／２よりも小さい。映像信号線が走査線と重畳する部分はｄなので、従来のデルタ配置の場合よりも映像信号線と走査線との線間容量を小さくすることが出来る。これによって線間容量に起因する表示むらを軽減することが出来る。 （もっと読む）

【課題】一定方向に湾曲することが出来るフレキシブル表示装置を実現する。
【解決手段】Ｒ、Ｇ、Ｂの画素がモザイク状に配列している。該ディスプレイはＡ方向には湾曲することが出来、Ｂ方向には湾曲することを想定していない。データ線１１はＡ方向に延在し、セレクト線１３はＢ方向に延在する。ディスプレイがＡ方向に湾曲した場合、データ線１１に歪が蓄積してデータ線１１が断線しないように、データ線１１をクランク状に屈曲させる。これによって、ディスプレイを湾曲した場合でもデータ線１１への歪の蓄積はｈの長さ分だけになるので、歪を小さく抑えることが出来る。これによってフレキシブルディスプレイにおける断線を防止することが出来る。 （もっと読む）

【課題】画素内に作り込む容量素子をメタル層−メタル層間以外に形成することで、画素の断面構造の自由度を上げることを可能にした表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学素子及びトランジスタを含む画素が配置されて成る表示装置において、トランジスタのゲート電極と同じ層のメタル層と、トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する半導体層との間に、メタル層に電圧を印加することによって、画素内に作り込む容量素子を形成するようにする。 （もっと読む）