【課題】絶縁層上の有機半導体層をレーザ光を用いてパターニングしたときであっても、有機半導体層に損傷が生じ難い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、（Ａ）基体１０上にゲート電極１２を形成した後、（Ｂ）基体１０及びゲート電極１２上にゲート絶縁層１３を形成し、次いで、（Ｃ）基体１０に到達する分離溝１６をゲート絶縁層１３に形成した後、（Ｄ）ゲート絶縁層１３上及び分離溝１６の底部に露出した基体１０上に有機半導体層１４を形成し、次に、（Ｅ）少なくとも分離溝１６の底部に露出した基体１０上に形成された有機半導体層１４の部分にレーザ光を照射して分離溝１６の底部の少なくとも一部を露出させる一方、有機半導体層１４の上に一対のソース／ドレイン電極１５を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１巻き、好ましくは２巻き又はより多い巻きに巻き取れる程度の可撓性を有する薄く軽量な表示装置またはこのような表示装置用の基板を提供すること。
【解決手段】 厚さを有する可撓性薄膜と、この可撓性薄膜における微構造アレイとを含むフレキシブル表示装置用の基板である。前記可撓性薄膜は、第１の表面及び第２の表面を備え、当該第２の表面と第１の表面とはこの薄膜の厚さで間隔する。各微構造は、それぞれこの第１の表面からこの可撓性薄膜に貫き込んで形成されたチャンバーを有し、このチャンバーがこの第２の表面に近いところに凹部を有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ膜、陰極の断線を防止する技術を提供することを課題とする。陰極と陽極に
挟まれた部分で、ＥＬ膜の膜厚が局所的に薄くなることを抑えることができ、ＥＬ膜に局
所的に電界が集中することを防ぐことができる。
【解決手段】陽極１００上に絶縁膜１０１を形成し、絶縁膜１０１上にＥＬ膜１０２、陰
極１０３を形成したＥＬ素子において、絶縁膜１０１の下端部、上端部を曲面形状とする
。また、絶縁膜１０１の中央部のテーパー角を３５°以上７０°以下とする。 （もっと読む）

【課題】解像度を高め、色特性を改善して、高効率、高純度の色を実現することができるエレクトロクロミック素子及びピクセル構造体並びに電子素子を提供する。
【解決手段】本発明のエレクトロミック素子は、電圧によって透明及び少なくとも二つの色から選択されるそれぞれの色を表示する第１エレクトロクロミック物質を含む第１エレクトロクロミック層及び第１エレクトロクロミック層に接触する第１電解質を含む第１サブピクセルと、電圧によって透明、黒色（ｂｌａｃｋ）、及び黒色以外の少なくとも一つの色から選択されるそれぞれの色を表示する第２エレクトロクロミック物質を含む第２エレクトロクロミック層及び第２エレクトロクロミック層に接触する第２電解質を含む第２サブピクセルとを有する。 （もっと読む）

【課題】外光反射を抑え、かつ発光層から出射された光の取り出し効率の低下を抑えることの可能な表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】発光層と、前記発光層側から入射した光を表示面側に反射する反射部と、
前記表示面に設けられた吸収型偏光板と、前記発光層と前記吸収型偏光板との間の位相差板と、前記位相差板と前記吸収型偏光板との間に設けられ、前記位相差板の透過光のうち、所定の光軸方向の光を反射する反射型偏光板と、前記発光層と前記反射型偏光板との間に設けられると共に、外光の一部を吸収する外光反射抑制層とを備えた表示装置。 （もっと読む）

【課題】新規な偏光子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基材上２に、配向層３、偏光層４及び保護層７がこの順で設けられた偏光子１であり、偏光層４が、重合性液晶化合物、二色性色素、重合開始剤及び溶剤を含む組成物から膜を形成する工程と、膜から溶剤を除去する工程と、溶剤を除去した膜に含まれる重合性液晶化合物をスメクチック液晶状態とする工程と、重合性液晶化合物がスメクチック液晶状態を保持したまま、重合性液晶化合物を重合させる工程とを有する製造方法により製造されたものである。 （もっと読む）

【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、１または複数の第１開口部を有する基板と、この基板の一主面側に設けられると共に、各第１開口部と対向して１または複数の第２開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第１開口部および第２開口部を順に通過することにより、第２開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第２開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 （もっと読む）

【課題】コンパクトでありながら、より安定した動作を行う薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタは、ゲート電極と、絶縁膜を介してゲート電極と対向して配置された有機半導体層と、この有機半導体層の上に設けられた絶縁性構造体と、互いに離間して配置され、かつ、有機半導体層の上面の一部とそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、絶縁性構造体を覆い、ソース電極と接続されると共にドレイン電極と分離された導電性材料層とを有する。 （もっと読む）

【課題】高い表示性能を実現しつつ、簡便に作製可能な表示装置を提供する。
【解決手段】この表示装置は、基板上に、第１電極層、発光層を含む有機層、および第２電極層が各々順に積層されてなる複数の発光素子と、有機層を、発光素子ごとに分離する黒色絶縁層とを備える。黒色絶縁層において外光が吸収される。また、対向基板にブラックマトリクス層を設ける必要がない構造であることから、対向基板を貼り合わせる際にアライメントが不要である。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体素子およびその製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体素子は、有機半導体層と、この有機半導体層と接するように配設された電極と、この電極とは別体として形成され、かつ電極と電気的に接続された配線層とを備えている。半導体素子の製造方法は、基板上に、有機半導体層およびこの有機半導体層と接する電極を形成する工程と、この電極と電気的に接続された配線層を形成する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１基板部と、第２基板部と、表示層と、シール部と、を備えた表示装置が提供される。第１基板部は、第１基板と、表示電極と、端子部と、第１絶縁層と、を含む。第１基板は、表示領域と、表示領域の外側の周辺領域と、を有する第１主面を有する。表示電極は、表示領域に設けられる。端子部は、周辺領域に設けられ、表示電極と接続される。第１絶縁層は、端子部の少なくとも一部を露出しつつ表示電極を覆い、表示領域及び周辺領域の上に設けられ、ポリシロキサンを含む。第２基板部は、第１主面と対向する、表示層は、表示電極と第２基板部との間に設けられる。シール部は、第１基板部と第２基板部との間に設けられ、表示層を囲み、第１絶縁層と接する。シール部の外縁は、第１絶縁層の外縁よりも内側である。 （もっと読む）

【課題】基板に成膜した封止用の膜によって、反射部を構成するための溝の開口部を確実に塞ぐことができるとともに、溝の側面が封止用の膜で覆われることを最小限に抑えることのできる電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００において、溝２６０を中空に封止するにあたって、第１封止膜２７を形成する前、溝２６０内に犠牲膜２４を形成しておき、第１封止膜２７を形成した後、第１封止膜２７の貫通部２７５を介して犠牲膜を除去する。そして、第１封止膜２７上に第２封止膜２８を形成し、第１封止膜２７の貫通部２７５を第２封止膜２８で塞ぐ。このため、第１封止膜２７を溝２６０の開口部２６５を塞ぐように形成することができるとともに、第１封止膜２７が溝２６０の奥まで形成されることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタアレイ基板、有機発光表示装置、及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に配置され、活性層２１２、ゲート電極２１４、ソース電極２１８ａ、ドレイン電極２１８ｂ、活性層とゲート電極との間に配置された第１絶縁層１３、及びゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間に配置された第２絶縁層１５を含む薄膜トランジスタと、第１絶縁層及び第２絶縁層上に配置され、ソース電極及びドレイン電極のうち一つと連結される画素電極１１７と、ゲート電極と同一層で形成された下部電極３１４及び画素電極と同一材料を含む上部電極３１７を含むキャパシタと、第２絶縁層と画素電極との間及び下部電極と上部電極との間に直接配置された第３絶縁層１１６と、ソース電極、ドレイン電極及び上部電極を覆って画素電極を露出させる第４絶縁層１９と、を含む薄膜トランジスタアレイ基板。 （もっと読む）

【課題】 波形なまりや画素の透過率の低下を抑制でき、かつ表示ムラを抑制できる表示装置を提供する。
【解決手段】 デルタ配置の画素を有する表示装置において、画素はソース電極１０４、ドレイン電極１０５及びゲート電極１０１を備えたＴＦＴと、コモン１０８と画素電極１１０とを備えた画素部とを含み、有機パッシベーション膜１２０は、ソース電極１０４のコンタクト部上方に、非対称な開口部を有し、互いに隣接する画素の有機パッシベーション膜１２０の非対称な開口部の向きが同じである。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を用いた発光装置及び表示装置において、導波光の金属膜での吸収による減衰を抑制することで、光取り出し効率を向上させる。
【解決手段】有機ＥＬ素子５の光取り出し側とは反対側の電極４を有機化合物層３よりも屈折率の高い透明電極とし、電極４に接して、有機化合物層３よりも屈折率が低く、厚さが発光ピーク波長以上である低屈折率層６と、金属反射膜７を設けることにより、有機ＥＬ素子５内を伝播する導波光を電極４と低屈折率層６との間で全反射させることにより、金属膜への導波光の吸収を低減する。 （もっと読む）

【課題】 高温高湿下で電圧を印加した際、電極を構成する成分が感光性樹脂組成物中に拡散し電極が溶解するのを低下させることが可能な感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、画像表示装置の隔壁の形成方法及び画像表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 画像表示装置において、画素を分離する隔壁を形成するための感光性樹脂組成物であって、上記感光性樹脂組成物が、（Ａ）成分：分子内にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有するバインダーポリマー、（Ｂ）成分：光重合性化合物、（Ｃ）成分：光重合開始剤、（Ｄ）成分：カルボン酸と反応する官能基を有する化合物、（Ｅ）成分：メルカプト基を含まない複素環状化合物、（Ｆ）成分：無機系黒色顔料を含む感光性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】封止性能を低減させることなく狭額縁化を実現することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置１Ａは、駆動側基板１０および対向基板１８間に設けられると共に、複数の画素を有する画素部１０Ａと、駆動側基板１０上において、画素部１０Ａの周辺の額縁領域１０Ｂに配設されたトランジスタＴＦＴ１１と、額縁領域１０Ｂにおいて、トランジスタＴＦＴ１１を被覆して設けられた平坦化膜１３（絶縁膜）と、画素部１０Ａを封止すると共に平坦化膜１３の端縁部１３ｅを覆って設けられたシール層１９とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、抵抗値が低く、電流の均一性に優れ、かつ長期保存での導電性の劣化がなく、安定性の高い透明導電性基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、金属を含有する細線電極３と導電性ポリマー含有層４とが形成され、該細線電極３が金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成され、該導電性インクを基板２上に付与した後、該導電性インクの焼成温度Ｔ_０（℃）より低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度Ｓ_Ｔ（℃）よりも高い温度Ｔ_１（℃）でＳ_１（分）加熱された後に、焼成温度Ｔ_０（℃）でＳ_２（分）加熱され、かつ該焼成温度Ｔ_０（℃）と該溶剤の揮発温度よりも高い温度Ｔ_１（℃）との差が、２００℃＞Ｔ_０−Ｔ_１＞５０℃の関係を満たす透明導電性基板１を形成する。 （もっと読む）