【課題】上部遮光膜を備えなくともチャネル形成領域を遮光することができる表示層装置。
【解決手段】チャネル形成領域上にシリコンを含むゲート絶縁膜１０３を有し、ゲート絶縁膜を介して、チャネル形成領域上にゲート電極１０４と、容量配線とを有し、その上にシリコンを含む第２絶縁膜１０６を有し、第２絶縁膜上に、Ａｌを含む第２配線を有し、その上に酸化シリコンを有する第３絶縁膜を有し、第３絶縁膜上に、Ａｌを含む第３配線を有する表示装置であって、第２配線及び第３配線はチャネル形成領域を遮光することができる。 （もっと読む）

【課題】大面積化しても低消費電力を実現した半導体装置の構造およびその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素の薄膜トランジスタを作製する。その薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上に作製する。また、ソース配線と薄膜トランジスタをつなぐ配線と、画素電極と薄膜トランジスタをつなぐ配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】メモリー特性を改善し、信頼性に優れる反射型エレクトロクロミック表示素子を提供する。
【解決手段】透明支持基板(21)と、前記透明支持基板上に形成された透明導電層からなる表示電極(22)と、前記透明表示電極と対向して配置された支持基板(26)と、前記支持基板上に形成された導電層からなる対向電極(27)と、前記表示電極の対向電極側面に接して設けられたエレクトロクロミック層(25)と、前記表示電極と対向電極との間に収容された電解質層(28)とを備え、前記対向電極はその表面形状が、平均粒径15nm以上25nm以下の微粒子および該微粒子の凝集体組織構造により形成された凹凸形状を有する表示素子とする。 （もっと読む）

【課題】高精細な画素の配置を実現可能な電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置１００は、第１導電層としての第１容量電極１６ａおよび第２導電層としての画素電極１５と、第１容量電極１６ａと画素電極１５との間に設けられ、第１容量電極１６ａと画素電極１５とを電気的に接続させるコンタクトホールＣＮＴ４を有する絶縁膜と、を備え、コンタクトホールＣＮＴ４は、絶縁膜を貫通して形成され底部で第１容量電極１６ａと画素電極１５とが接する第１開口部としての開口部１４ａと、開口部１４ａに連続し且つ底部で第１容量電極１６ａが露出しないように開口部１４ａよりも浅く形成された第２開口部としての開口部１４ｂとを有し、平面視におけるコンタクトホールＣＮＴ４の周縁は、開口部１４ａの周縁の一部と開口部１４ｂの周縁の一部とを含む。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】配線層を低抵抗に保ち、かつ薄膜トランジスタにおける膜剥がれを防止した表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１上に薄膜トランジスタ１０および配線層２０を備える。薄膜トランジスタ１０は、基板１１側からゲート電極１２，ゲート絶縁膜１３および半導体層１４を有し、配線層２０は、配線層２０ａおよび配線層２０ｂにより構成されている。配線層２０ｂとゲート電極１２とは同一の膜厚および構成材料からなる。配線層２０とゲート電極１２との厚みは異なっている。具体的には、ゲート電極１２の厚みは配線層２０の厚みよりも薄く、ゲート電極１２の膜内応力が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】横電界方式で液晶層を駆動する液晶表示装置において、その画像表示性能を向上させる。
【解決手段】画素領域のそれぞれには、ドレイン信号線ＤＬに接続された薄膜トランジスタＴＦＴと、複数のスリットを有し且つ透明導電膜で形成される第１の電極と、前記薄膜トランジスタと前記第１の電極を接続する接続領域を有し、透明導電膜で形成される平面状の第２の電極を有し、前記第２の電極は、前記第１の電極と前記第１の基板間に形成され、且つ、前記第１の電極とゲート信号線ＧＬに重畳し、さらに、隣接する前記画素領域の第２の電極と接続されていることを特徴とする液晶表示装置である。 （もっと読む）

【課題】データ線１１４の電位変動に起因するノイズの影響を受けにくくして、発光素子１５０に流す電流を制御する。
【解決手段】互いに交差する走査線１１２およびデータ線１１４と、これらの交差に対応して設けられた画素回路１１０と、シールド配線８１ａ、８１ｂとを有する。画素回路１１０は、発光素子１５０と、発光素子１５０に流れる電流を制御するトランジスター１４０と、トランジスター１４０のゲートノードｇとデータ線１１４との間で、走査線１１２に供給される走査信号にしたがって導通状態が制御されるトランジスター１３０と、を備え、シールド配線８１ａ、８１ｂは、平面視したときにデータ線１１４とトランジスター１４０との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】
アルミニウム配線の上側に有機保護膜を配置した場合でも、当該配線の耐腐食性に優れた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】
基板（ＳＵＢ）上に画素部と外部接続端子部が設けられ、該画素部と該外部接続端子部とをアルミニウム配線（ＬＮ）で接続する画像表示装置において、該外部接続端子部のコンタクト孔（ＣＨ）及び画素部の一部を除いて、該アルミニウム配線を直接被覆する有機保護膜（ＯＰＡＳ）と、該外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線を覆うように、該有機保護膜の上側に設けられたＩＴＯ膜（ＩＴＯ）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡略化された構成を有するトランジスタアレイを、簡易的に製造することが可能なトランジスタアレイの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】金属基板を用い、上記金属基板上に、絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、ドレイン電極が上記絶縁層に形成された貫通孔を介して上記金属基板に接続されるように薄膜トランジスタを形成する、薄膜トランジスタ形成工程と、上記金属基板をパターニングすることにより、上記金属基板を画素電極とする画素電極形成工程と、を有することを特徴とする、トランジスタアレイの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置において、相展開数の増加による画像信号線の増加という条件下で、画像信号中の高周波のクロックノイズ等の発生を低減する。
【解決手段】液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層と、基板（１）にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。さらにデータ線駆動回路（１０１）にクロック信号を供給する配線（ＣＬＸ，ＣＬＸ’）と、データ線駆動回路（１０１）及び配線（ＣＬＸ，ＣＬＸ’）を囲むように配設されたシールド線（８０’）と、シールド線（８０’）の外側に配設された画像信号線（ＶＩＤ１〜ＶＩＤ１２）を備える。 （もっと読む）

【課題】可撓性表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性表示装置の製造方法は、キャリア基板上に抵抗を有する導電物質を含む発熱部を形成する段階と、発熱部上に可撓性基板を形成する段階と、可撓性基板上に薄膜トランジスタを含む駆動回路部を形成する段階と、駆動回路部上に発光素子および封止部材を形成する段階と、発熱部に電圧を印加してジュール熱を発生させることによって可撓性基板に直接熱を加えて発熱部から可撓性基板を分離する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な金属配線用膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてＸ群元素（Ｘは、希土類元素、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を３〜５０原子％、および／または酸素を０．２〜３．０質量％含有し、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなるＴｉ合金層（第１層）と、Ａｌ系膜からなる第２層とを含む積層構造を有することに要旨を有する配線用膜。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗を低減した有機電子素子用電極、及びこれを利用した有機トランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】カーボンナノホーンを含んで構成された有機電子素子用電極、及び当該電極を、ソース電極１８、及びドレイン電極２０として適用した有機トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を極力抑えるための構造を提供すると共に、各画素に必要とされる容量素子（コンデンサ）を十分に確保するための構造を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に、第１パッシベーション膜１１８、第２の金属層１２０、平坦化膜１２１、バリア膜１２２及び第３の金属層１２４の順に積層され、平坦化膜１２１に設けられた第１開口部の側面がバリア膜１２２に覆われ、第１開口部の内側に第２開口部を有し、かつ、第３の金属層１２４は前記第１開口部及び第２開口部を介して前記半導体に接続され、トランジスタの半導体１１９、ゲート絶縁膜１１３、ゲート電極１１４、第１パッシベーション膜１１８及び前記第２の金属層１２０で積層形成された容量素子Ｃｓ２４を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガスリーク（ｌｅａｋ）の発生が少なく、また抵抗上昇が抑制され、且つ表面クラック又は損傷の発生が少ないアドレス電極を提供する。
【解決手段】アルミニウム含有層及び銀含有層が積層された二重層を含む、アドレス電極。 （もっと読む）

【課題】対向基板側の構造を変更することにより、横ストロークの発生を防止することのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、対向基板２０には、共通電極２１より下層側に導電性の遮光層２９が設けられ、かかる遮光層２９は絶縁層２７のコンタクトホール２７ａ、２７ｂ、第１導通部２５ａおよび第２導通部２５ｂにおいて共通電極２１と導通している。このため、共通電極２１のシート抵抗を低減したのと実質的に同様な効果を得ることができる。従って、共通電極２１の電位が画像信号の電位変化に伴って変動しても、共通電極２１の電位は、短い時間で共通電位に復帰するので、横ストロークの発生を防止することができる。また、遮光層２９の上層には絶縁層２７が形成されているため、遮光層２９に起因する段差が緩和されている。従って、共通電極２１に段差切れが発生しない。 （もっと読む）

【課題】フルカラーまたはそれに準じる表示が可能であって高コントラストの画像表示が可能な電気泳動表示装置およびその駆動方法、電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の電気泳動表示装置は、互いに対向配置された第１および第２基板と、第１基板および第２基板の間に配置され、第１色に着色された複数の第１帯電粒子および第２色に着色された第２帯電粒子と、これら第１および第２帯電粒子を保持する分散媒とを有する電気泳動層と、第１基板の電気泳動層側に配置され互いに独立駆動される第１画素電極および第２画素電極と、第２基板の電気泳動層側に配置される対向電極と、電気泳動層より第１基板側の位置に設けられる反射電極と、を備え、第１帯電粒子が、第１波長領域で透過性を有するとともにそれ以外の波長領域で吸収性を有し、第２帯電粒子が、第２波長領域で反射性を有するとともにそれ以外の波長領域で吸収性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の表示装置の作製工程又は完成品における静電気による不良の発生を抑制する。
【解決手段】本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の角の部分に隣接して、前記アクティブマトリクス回路に接続されていない格子状の放電パターンが形成されていることを特徴とする。また、本発明に係る表示装置は、アクティブマトリクス回路の周辺に、前記アクティブマトリクス回路を構成するゲイト線又はソース線と交わる放電パターンが形成され、前記放電パターンの長さは、前記アクティブマトリクス回路の画素ピッチよりも長いことを特徴とする。これらにより、各種静電破壊によるアクティブマト
クス型表示装置の不良の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電気泳動表示装置で光が混色されるのを防止して、色特性を向上させる。
【解決手段】
本発明の一実施形態に係る電気泳動表示装置は、下部基板、上部基板、下部基板の上に形成される薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタに接続される画素電極、下部基板と上部基板との間に位置する電子インク層、上部基板に形成される複数個の隔壁、隔壁の上に形成される反射層、及び隔壁の間に形成されるカラーフィルタを含む。 （もっと読む）