【課題】 有機発光ダイオードの色毎に異なる発光効率や電圧-電流特性を補正することができ、有機発光ダイオードの陽極の電位変化に伴う駆動トランジスタのゲート電極−ソース電極間の電圧の変化のばらつきを低減することができるアクティブマトリクス型有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】 アクティブマトリクス型有機発光表示装置は、複数色の何れか１色を発光可能な複数の画素ＰＸＲ、ＰＸＧ、ＰＸＢを備える。駆動トランジスタＤＲは、発光色毎にチャネル幅Ｗとチャネル長Ｌとの比が異なる。駆動トランジスタＤＲは、発光色毎にそれぞれ、１つのトランジスタ、又は直列に接続された２つ以上のトランジスタで形成される。駆動トランジスタＤＲ内の有機発光ダイオードの陽極側のトランジスタのチャネル幅及びチャネル長は、全ての発光色の画素で等しい。 （もっと読む）

【課題】ドライバから出力される駆動信号によるトランジスタの駆動を、制御線の伸長方向における位置に関係なく一定に行うことが可能な表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】ドライバから出力される駆動信号を伝送する制御線と、制御線の伸長方向に沿って配置され、当該制御線を通して供給される駆動信号をゲート入力とする複数のトランジスタとを備えた表示装置において、制御線の伸長方向におけるドライバからの距離に応じて、複数のトランジスタのゲート−ソース間の寄生容量を異ならせることで、制御線の伸長方向におけるドライバからの距離に関係なく、カップリング量をほぼ等しくする。 （もっと読む）

【課題】印刷により、ストライプ状の従来より幅の広いライン電極を形状精度及び寸法精度良く形成することができるオフセット印刷による電極形成方法を提供する。
【解決手段】版に導電性インクを充填後、ドクターナイフによって余剰な導電性インクを掻き取るドクタリング工程を含むオフセット印刷により、印刷用基材上にストライプ状のライン電極を形成する電極形成方法において、オフセット印刷に用いる版として、形成するライン電極に対応し、版の導電性インクを充填する凹形状のパターン内に、各々が凹形状の複数の彫刻部１１を有し、形成するライン電極の面積に対する彫刻部の合計面積の比率ＴＳ（％）が、７０％≦ＴＳ＜１００％で、かつ、個々の彫刻部の面積Ｓ（μｍ^２）が、０＜Ｓ≦８００００μｍ^２を満足する版、を用いる。 （もっと読む）

【課題】画素がデルタ配列している表示装置において、映像信号線が走査線と同じ方向に延在する部分が存在することによる配線間容量の増加に伴う表示むらを解消する。
【解決手段】第１の行において画素が所定のピッチｐで横方向に配列しており、第２の行において画素が所定のピッチｐで横方向に配列しており、第１の行の画素の中心と第２の行の画素の中心が所定の距離ｄだけずれている。ｄはｐ／２よりも小さい。映像信号線が走査線と重畳する部分はｄなので、従来のデルタ配置の場合よりも映像信号線と走査線との線間容量を小さくすることが出来る。これによって線間容量に起因する表示むらを軽減することが出来る。 （もっと読む）

【課題】温度応動駆動機構に必要とされる変位量、駆動エネルギーを大きくすることなく、温度に応じて表示される情報の種類を増やして有用性を高めることができる温度応動表示装置を提供すること。
【解決手段】温度上昇によって第１の温度に達した場合に表示される第１の表示面１１、温度下降によって第１の温度よりも低温の第２の温度に達した場合に表示される第２の表示面１２および温度上昇によって第１の温度よりも高温の第３の温度に達した場合に表示される第３の表示面１３を有する回動表示手段１０と、第１の表示面１１／第２の表示面１２の切替表示に関与する第１の形状記憶合金３５，３６および第１の表示面１１／第３の表示面１３の切替表示に関与する第２の形状記憶合金１３５，１３６を有する温度応動駆動機構とを備えたこと。 （もっと読む）

【課題】画素内に作り込む容量素子をメタル層−メタル層間以外に形成することで、画素の断面構造の自由度を上げることを可能にした表示装置及び当該表示装置を有する電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学素子及びトランジスタを含む画素が配置されて成る表示装置において、トランジスタのゲート電極と同じ層のメタル層と、トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する半導体層との間に、メタル層に電圧を印加することによって、画素内に作り込む容量素子を形成するようにする。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】電極からの反射がなく、表示画像が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基板１１０側と反対側に反射防止層１３０が形成された反射防止層１３０が形成された電極（図１４のＡに相当するソースドレイン電極層）と、基板１１０側と反対側に反射防止膜が形成されていない反射防止膜除去電極（図１４のＢに相当するソースドレイン電極層）と、基板１１０上に設けられた親液性領域Ｒと、反射防止膜除去電極とに接するように形成された半導体層１５０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】電源用配線のためのプロセス・材料・線幅・膜厚の変更などによる抵抗低減に限度がある場合でも、輝度ムラの少ない有機ＥＬディスプレイ等の面発光表示装置を安価に提供する。
【解決手段】複数の画素回路のそれぞれに接続している複数の電源線と、複数の電源線のそれぞれの端部が所定の間隔で接続されており、電源端子（２３）を有する電源バス（２２）と、を備えており、電源バス（２２）は、その長さ方向に沿って電源端子（２３）から前記端部の方向へと延びる複数のスリット（６１）を有しており、前記複数のスリット（６１）の全部又は一部は、電源バス（２２）内でその周囲が閉じられた形状である、面発光表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子ペーパーに用いた際に、配線電極の断線が発生し難く、かつ表示ムラを生じにくく、良好な情報表示特性を得ることが可能な電子ペーパー用背面電極基材、およびこれを用いた電子ペーパーを提供する。
【解決手段】表示電極用絶縁層１α、および表示電極用絶縁層１α上に形成された表示電極１βを備え、表示情報に応じたパターン形状を有する表示電極層１と、表示電極層１の表示電極１β上に配置された配線電極用絶縁層２α、および配線電極用絶縁層２α上に形成された配線電極２βを備え、表示電極１βに電荷を付与することが可能なパターン形状を有する配線電極層２と、配線電極層２の配線電極２β上に形成された保護フィルム３とを有し、表示電極層１の表示電極１βと表示電極１β直上に配置された配線電極層２の配線電極２βとが、導電性ペーストを含む導電接続層４を用いて接続されている電子ペーパー用背面電極部材。 （もっと読む）

【課題】高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置、電気光学装置用基板及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板上に設けられたデータ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と、データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４に含まれる、または接続されたトランジスターと、トランジスターに接続され、同じ配線層において隣り合って設けられたＶＤＤ電源配線７１、ＶＳＳＸ電源配線７２、及びＶＳＳＹ電源配線７３を備え、ＶＤＤ電源配線７１の平面積と、ＶＳＳＸ電源配線７２又はＶＳＳＹ電源配線７３の平面積との比率が１．５倍以内である。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルター層に対する保護膜として無機保護膜を用いた場合でも、無機保護膜の剥離を防止することのできるカラーフィルター基板、電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板１０には、複数列の無機遮光層７ａとカラーフィルター層１５とが設けられ、かかる無機遮光層７ａおよびカラーフィルター層１５は無機保護膜４５で覆われている。ここで、カラーフィルター層１５は、無機遮光層７ａの表面７ｅに重ならずに設けられている。このため、カラーフィルター層１５の両側では、無機遮光層７ａと無機保護膜４５とが接し、かつ、無機遮光層７ａと無機保護膜４５との接触面積が広い。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能なデバイスの製造方法および表示装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】基板１１上にデバイス（ＴＦＴ層１２）を形成する工程は、薄膜を形成する工程（工程Ｓ１１）と、薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程（工程Ｓ１２）と、露光マスクＭ１を用いてフォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程（工程Ｓ１３）と、露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程（工程Ｓ１５）とを含んでいる。露光工程では、フォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行う（工程Ｓ１３１，Ｓ１３２）。これにより、製造工程の増加を抑えつつ、異物の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】画素が高精細になっても所望の電気容量を有する保持容量を実現可能な電気光学装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置は、データ線６ａ及び走査線３ａと、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して設けられたトランジスター３０と、トランジスター３０に電気的に接続され、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｂとが誘電体層を介して対向配置される保持容量と、を備え、第１容量電極１６ａは、第１導電膜と第１導電膜の上面及び側面を覆う第２導電膜とを有し、第２容量電極１６ｂは、第１容量電極１６ａの上面及び側面において誘電体層を介して第１容量電極１６ａと対向して保持容量を形成している。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極からのオーミックコンタクト膜の延在部分の表面を介したリーク電流、およびオーミックコンタクト膜と半導体能動膜との接合側面部での欠陥を介したリーク電流を増大させないことが可能な薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】オーソミックコンタクト層８の一方は、電極９，１０の一方に接触して覆われた接触部分８１と、接触部分８１よりも厚さ方向Ｄ２において薄く、厚さ方向Ｄ２から見て電極９，１０の一方からはみ出して電極９，１０の他方へと延在して半導体能動膜７の少なくとも一部７１を避けて覆う延在部分８２とを有する。 （もっと読む）

【課題】層数を低減し、製造コストを抑え、かつ点灯異常を抑制して製造歩留まりの向上を図ることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素部（ａ）と周辺部（ｃ）とを有する基板を用いた液晶表示装置の製造方法において、ゲート絶縁膜３上に半導体層４と画素電極５を形成した後、基板上に導電膜を平面ベタに形成し、ホトレジストパターンをマスクとして、画素部（ａ）の半導体層４と画素電極５とを電気的に接続するドレイン電極を形成すると共に、画素部（ａ）と周辺部（ｃ）における半導体層４を露出させ、周辺部の半導体層４をエッチング量の指標として用いて画素領域（ａ）の半導体層４をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】高いコストパフォーマンスを有する電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】Ｎｃｈトランジスター８２と、外部接続用端子２３（２３ｂ）に接続されたＶＳＳ電源配線７５と、ＶＳＳ電源配線７５と異なる配線層に設けられた第１中継配線８５ｂと、を備え、Ｎｃｈトランジスター８２のソース８８ｄが第１中継配線８５ｂを介してＶＳＳ電源配線７５と接続されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、ゲート電極を形成後、インライン装置にて、酸化アルミニウム膜と酸化シリコン膜と酸化物半導体膜を大気暴露することなく連続的に形成し、さらに同インライン装置にて加熱および酸素添加処理を行い、他の酸化アルミニウム膜でトランジスタを覆った後、熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、且つ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性基板上の接続端子に駆動ＩＣを直接実装する表示装置において、生産コストアップを生じることなく、金属配線の露出による絶縁性低下、腐食を発生させることもなく、高い接続信頼性を得る。
【解決手段】 絶縁性基板１上に形成された金属配線と、金属配線上に形成された無機絶縁膜１２と、無機絶縁膜上に形成された有機樹脂膜１３と、金属配線上の無機絶縁膜１２および有機樹脂膜１３を除去した部分に形成された透明導電膜１０と、絶縁性基板１上の表示領域外の駆動ＩＣ４実装領域に形成された接続端子７と、表示領域に信号を供給するために、異方性導電膜５によって接続端子７と接続される駆動ＩＣ４のバンプ９とを備えた表示装置であって、駆動ＩＣ４実装領域において、金属配線上以外の領域の無機絶縁膜１２と有機樹脂膜１３とを除去したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蓄積容量の形成領域を広げても、表示光の出射光量の低下や画素電極の端部付近での電位分布の乱れが発生しにくい電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において各画素では、透光の誘電体層４０に対して基板本体１０ｗが位置する側に第１電極層７が設けられ、誘電体層４０に対して画素電極９ａが位置する側に透光性の第２電極層８ａが設けられている。このため、透光性の第１電極層７、透光性の誘電体層４０、および透光性の第２電極層８ａによって蓄積容量５５が構成されている。また、蓄積容量５５と画素電極９ａとの間に透光性の層間絶縁膜４４が設けられている。このため、画素電極９ａを研磨により平坦化した平坦面上に形成することができるとともに、共通電位が印加された第１電極層７と画素電極９ａの端部との間に余計な電界が発生しない。 （もっと読む）