【課題】製造コストの削減が可能な薄膜トランジスタ回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 チャネル領域、前記チャネル領域を挟んだ両側にソース領域及びドレイン領域を有する酸化物半導体薄膜と、前記酸化物半導体薄膜と同一材料によって形成され、第１低抵抗部及び第２低抵抗部を有する第１容量形成部と、前記酸化物半導体薄膜の前記チャネル領域上及び前記第１容量形成部の前記第１低抵抗部上に形成されるとともに、前記酸化物半導体薄膜の前記ソース領域及び前記ドレイン領域及び前記第１容量形成部の前記第２低抵抗部を露出するゲート絶縁膜と、を備え、前記酸化物半導体薄膜のうち、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記チャネル領域の長さＬ１は、前記第１容量形成部のうち、前記ゲート絶縁膜が積層された端部から前記第２低抵抗部に至るまでの長さＬ２よりも短い。 （もっと読む）

【課題】高い画素開口率と、更に広いＴＦＴ製造プロセスマージン、小さな周辺回路レイアウト面積、長い寿命、のいずれかを実現するアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】基板上に、チャネル層と、ソース電極・ドレイン電極と、第１の絶縁層と、第１の電極と、を有し、第１の電極は第１の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられた画素薄膜トランジスタと、基板上に、チャネル層と、ソース電極・ドレイン電極と、第２の絶縁層と、第２の電極と、第３の絶縁層と、第３の電極と、を有し、第２の電極は第２の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられ、第３の電極は第３の絶縁層を介してチャネル層と対向して設けられた薄膜トランジスタと、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】従来のブラックマトリックス層等を用いないことで、残渣の問題を解消して、コントラストの低下をなくすことができる情報表示用パネルおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】情報表示画面領域が透明な観察側とする絶縁性基板と背面側とする絶縁性基板とを、基板間ギャップ確保用隔壁を介して対向させて形成した、基板間の情報表示画面領域内の空間に配置された表示媒体を、情報表示画面領域が透明な観察側とする絶縁性基板の内側面および背面側とする絶縁性基板の内側面にそれぞれ形成されている電極を用いて形成した電界で駆動させて情報を表示する情報表示用パネルであって、情報表示画面領域内に配置される基板間ギャプ確保用隔壁４は透明であり、情報表示画面領域内に配置される基板間ギャップ確保用隔壁と絶縁性基板とを接合する接着材９は透明であり、背面側とする絶縁性基板の内側面の少なくとも透明な基板間ギャップ確保用隔壁との間には絶縁性の有色層３１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】機種判別用の専用配線や専用端子を不要としつつ、液晶表示パネルの機種判別を容易にすることができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１ガラス基板２１および第２ガラス基板２２と、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式により第１ガラス基板２１上に実装されたＩＣ（ＣＯＧ−ＩＣ）２３と、を備える液晶表示パネル２０を備える。ＣＯＧ−ＩＣ２３に接続される電源配線２６とＧＮＤ配線２７との間に介在し、液晶表示パネル２０の機種に応じて異なる電気抵抗値を有する抵抗体として、機種判別用透明電極配線２８を備える。 （もっと読む）

【課題】エレクトロクロミック化合物の発色又は消色の高速応答性と画像ボケの低減を両立させたエレクトロクロミック表示素子の提供。
【解決手段】表示基板１０と、少なくとも一つの表示電極１１と、対向電極１４と、対向基板１５と、前記表示電極に接して設けられた少なくとも一つのエレクトロクロミック層１２と、前記エレクトロクロミック層と前記対向電極との間に設けられた電解質層１３と、を有するエレクトロクロミック表示素子１において、前記電解質層が、三次元架橋構造を形成したマトリックス樹脂１３２と、液晶化合物及び電解質の混合物を含み、前記液晶化合物及び電解質の混合物は、前記マトリックス樹脂中に連続相として分散しているエレクトロクロミック表示素子である。 （もっと読む）

【課題】ＦＦＳモードの液晶表示装置の電源オフ後の焼付きなどの表示不良を防止できる簡便な構造の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】この発明に係る液晶表示装置は、電極間に印加した電圧によりフリンジ電界を発生させて液晶を駆動するフリンジ・フィールド・スィッチングモードの液晶表示装置において、画素電極のそれぞれは隣り合う画素電極と所定の抵抗値を有する高抵抗部により互いに電気的に接続されたものである。 （もっと読む）

【課題】狭額縁化を実現可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置１００は、素子基板１０上に対向配置された一対の電極としての画素電極２１と陰極２７と、一対の電極間に配置された発光層２３を含む機能層２５とを有する発光素子３０と、複数の発光素子３０が配置された画素領域１０７と、素子基板１０上において画素領域１０７の外側に配置され、一対の電極のうちの一方の電極としての陰極２７に電気的に接続される接続配線１０６と、接続配線１０６に重なると共に接続配線１０６より画素領域１０７側に延在して配置された接続部１０５と、を備え、陰極２７は、画素領域１０７に亘って設けられると共に、画素領域１０７の外側にて接続部１０５の画素領域１０７に近い側の一方の端部１０５ａに重なって設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数のスイッチング素子が配置された領域の周辺部の切断を行う必要がないと共に、周辺部に保護素子を設ける必要がない静電対策手段を備える電子装置を提供する。
【解決手段】複数の走査線１４と、複数の走査線１４と交差する複数の信号線１２と、複数の走査線１４と複数の信号線１２の交差点１６に対応してそれぞれ設けられた複数のスイッチング素子４０と、複数のスイッチング素子４０が配置されたスイッチング素子配置領域２０の外側で、複数の走査線１４と複数の信号線１２とに接続された共通接続部材１０であって、固有抵抗値が可変な材料から成る共通接続部材１０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】セルフアライン構造の薄膜トランジスタの特性を安定させることが可能な薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜２０のチャネル領域２０Ａ上にゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０をこの順に同一形状で形成する。酸化物半導体膜２０，ゲート絶縁膜３０およびゲート電極４０の上に金属膜を形成し、この金属膜に対して熱処理を行うことにより、金属膜を酸化させて高抵抗膜５０を形成すると共に、ソース領域２０Ｓおよびドレイン領域２０Ｄの上面から深さ方向における少なくとも一部に低抵抗領域２１を形成する。低抵抗領域２１は、アルミニウム（Ａｌ）等をドーパントとして含むか、またはチャネル領域２０Ａよりも酸素濃度が低いことにより低抵抗化されている。変動要素の多いプラズマ処理を用いずに高抵抗領域２１を形成可能となり、安定した特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】受光部を有する表示装置において、発光効率の低下および部品点数を増加することなく表示画質を向上させることが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネル１０は、赤色発光素子１１１Ｒ，緑色発光素子１１１Ｇ，青色発光素子１１１Ｂを含む発光部１１１と、受光素子としての受光用トランジスタＴｒ２１を含む受光部１１２とからなる複数の画素１１を有している。画素１１はＲ，Ｇ，Ｂに対応するサブ画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂを含む。受光部１１２はカラーフィルタ８３６を有し、カラーフィルタ８３６を透過した光を受光用トランジスタＴｒ２１で受光し、得られた受光信号に基づいて発光素子１１１Ｒ，１１０Ｇ，１１０Ｂの発光制御を行う。これにより各色の輝度が調整され、表示画質が向上される。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供すること。
【解決手段】ガラス基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された画素電極と、これら薄膜トランジスタと画素電極を電気的に接続するアルミニウム合金膜によって形成された接続配線部を主たる構成要素として備えた表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】受光部を有する表示装置において、素子数を増加させずに受光性能を向上させることが可能な表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネル１０は、各々が発光素子としての有機ＥＬ素子１２を含む複数の画素１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ（発光部１１１）と、各々が、受光素子としての受光用トランジスタＴｒ２１および保持容量素子Ｃ１を含む複数の受光部１１２とを有している。受光用トランジスタＴｒ２１は、ゲート電極８１１およびソース電極８１５Ｓが重複しないように形成されている。ゲート電極Ｖｇ２２の減少が回避され、特に専用の素子を設けることなく、受光用トランジスタＴｒ２１の寄生容量増加に起因して有効に光検出を行えない期間（無効期間）の発生が、減少もしくは回避される。 （もっと読む）

【課題】別途修理装置を必要とせず、静電気保護素子を高効率かつ正確に修理することが可能な表示パネル用マトリクス回路基板及び表示パネルの構造ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、当該基板上に配置された複数のゲート配線１３及び複数のソース配線１４を含む回路表示部と、ゲート配線１３またはソース配線１４と接続されたＥＳＤ保護素子と、ＥＳＤ保護素子と接続され表示回路部の短絡先となるショートリング１２と、ＥＳＤ保護素子とショートリング１２との間、若しくは、ＥＳＤ保護素子と表示回路部との間に直列挿入された、電流を流すことにより切断可能なヒューズと、当該ヒューズを切断する際に当該ヒューズを加熱するヒーターとを具備する表示パネル１。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の製造工程における電極の電蝕の発生を抑制する。
【解決手段】電気光学装置用基板は、基板（１０）上に、複数の画素部と、複数の画素部が配列された画素領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に設けられ、第１導電性材料を含んでなる複数の第１電極（１０６）と、周辺領域に設けられ、第１導電性材料とは異なる第２導電性材料を含んでなる複数の第２電極（２１０）と、周辺領域に形成され、第１導電性材料を含んでなり、複数の第１電極のうち相隣接する第１電極同士を電気的に接続する複数の第１配線（２２０）と、周辺領域に形成され、複数の第１電極のうち少なくとも一つの第１電極及び複数の第２電極のうち少なくとも一つの第２電極間を電気的に接続する第２配線（２３１）とを備える。ここで、第２配線の電気抵抗は、複数の第１配線の電気抵抗よりも高い。 （もっと読む）

【課題】各表示部の発光輝度のムラを抑制し、表示品位を向上させることが可能な有機ＥＬパネルを提供する。
【解決手段】透光性の支持基板と、前記支持基板上に透光性の第一電極と有機発光層と第二電極とを積層形成してなる複数の発光部Ｓ１〜Ｓ８と、前記支持基板上に形成され各発光部Ｓ１〜Ｓ８に個別に電流を供給する複数の配線部Ｌ１〜Ｌ８と、を備える有機ＥＬパネルである。各配線部Ｌ１〜Ｌ８の少なくとも１つと接続され、発光部Ｓ１〜Ｓ８に供給される電流を分流する分流部Ｒ１を前記支持基板上に形成してなる。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する表示装置において、湾曲時の湾曲量に応じた表示制御を行うことで湾曲時の表示信頼性を確保することが可能な、新規かつ改良された表示装置及び表示装置の制御方法を提供する。
【解決手段】可撓性を有する基板と、前記基板に配列された複数の発光素子を有し、映像信号に応じた画像を表示する表示部と、前記基板の表面又は裏面の少なくともいずれかに設けられ、前記基板の湾曲状態を検知する変位センサと、前記変位センサにより前記基板の湾曲が検知された場合に、前記表示部へ画像を分割して表示する制御を実行する制御部と、を備える、表示装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 装置の大型化や、消費電力の増加をさせることなく、表示むらが抑制されたフルカラー表示装置を提供する。
【解決手段】 白色表示において、同一画素内に含まれる有機ＥＬ素子それぞれに流れる電流の比が、電源線で生じる電圧降下の大きさにかかわらず一定となるように、駆動する有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性に応じて画素回路のインピーダンスを調整する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、表示モジュール、当該表示モジュールを用いる電子デバイス、表示方法を提供する。
【解決手段】 当該表示モジュールは、電子デバイスにおいて電子デバイスの電子素子の状態を表示するべく利用される。当該表示モジュールは、光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを備える。光誘導部は、光入射面および光射出面を有する。複数の発光部は、光入射面に隣接して配設されている。制御部は、複数の発光部に結合されており、且つ、複数の電流の組み合わせのうち１つを選択的に用いて複数の発光部を制御する。複数の発光部から照射された光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面を通過して、継続的に表示効果を実現する。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】 広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタ及び配線を有する半導体装置を製造する方法において、ガラス基板上に下地絶縁層を形成する工程と、前記下地絶縁層上に下地バリア層を形成する工程と、前記下地バリア層上にシード層を形成する工程と、前記シード層を前記配線に対応する形状にパターニングしてシード層パターンを形成する工程と、前記シード層パターンの表面に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程と、前記銅配線層マスクとして前記下地バリア層をパターニングする工程と、前記銅配線層を被覆するように絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）