表示モジュール、当該表示モジュールを用いる電子デバイス、および、表示方法
【課題】 本発明は、表示モジュール、当該表示モジュールを用いる電子デバイス、表示方法を提供する。
【解決手段】 当該表示モジュールは、電子デバイスにおいて電子デバイスの電子素子の状態を表示するべく利用される。当該表示モジュールは、光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを備える。光誘導部は、光入射面および光射出面を有する。複数の発光部は、光入射面に隣接して配設されている。制御部は、複数の発光部に結合されており、且つ、複数の電流の組み合わせのうち１つを選択的に用いて複数の発光部を制御する。複数の発光部から照射された光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面を通過して、継続的に表示効果を実現する。
【解決手段】 当該表示モジュールは、電子デバイスにおいて電子デバイスの電子素子の状態を表示するべく利用される。当該表示モジュールは、光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを備える。光誘導部は、光入射面および光射出面を有する。複数の発光部は、光入射面に隣接して配設されている。制御部は、複数の発光部に結合されており、且つ、複数の電流の組み合わせのうち１つを選択的に用いて複数の発光部を制御する。複数の発光部から照射された光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面を通過して、継続的に表示効果を実現する。
【発明の詳細な説明】
【関連出願】
【０００１】
この非仮出願は、２００９年９月２９日に中華民国台湾で出願された特許出願第０９８１３２８７１号から米国特許法第１１９条（ａ）に基づき優先権を主張する。当該台湾特許出願の内容は全て参照により本願に組み込まれる。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、表示モジュール、当該表示モジュールを用いた電子デバイス、および表示方法に関する。特に、発光部を制御するための電流の組み合わせを生成して、電子デバイスの電子素子の状態に応じて継続的に表示効果を実現する表示モジュールに関する。
【背景技術】
【０００３】
今日において、普通のパーソナルコンピュータまたはノート型コンピュータ等、さまざまな新世代の電子デバイスにおいて、コンピュータソフトウェアによって電子デバイスの電子素子（例えば、ハードディスクまたはメモリ）の使用空間容量または残存空間容量を表示することが可能となっている。このような電子デバイスはさらに、ハードウェアによって現在の空間容量の状態を表示することもできる。例えば、電子デバイスの表示モジュールは、複数の発光ダイオードの発光状態を制御することによって、セクション化モードにおける電子素子の使用／残存空間容量を表示することができる。
【０００４】
図１Ａは、セクション化モードにおいて電子素子の現在の使用／残存空間容量を表示する従来の表示モジュールを示す概略図である。図１Ａにおいて、表示領域１０Ａから１０Ｃは明るく、表示領域１０Ｄおよび１０Ｅは明るくなっていない。このため、表示モジュールの表示状態によると、電子素子の使用空間容量は６０％に達しており、残存空間容量は約４０％であることが分かる。
【０００５】
図１Ｂは、図１Ａに示した表示領域に対応する発光ダイオードの発光状態を示す概略図である。図１Ｂを参照しつつ説明すると、発光ダイオード１２Ａから１２Ｅはそれぞれ、表示領域１０Ａから１０Ｅに対応する。電子素子の使用空間容量が６０％に達している場合、発光ダイオード１２Ａから１２Ｃが発光し、発光ダイオード１２Ｄおよび１２Ｅは発光しない。
【０００６】
上述した従来のセクション化方式の表示モードでは、電子素子の現在の使用／残存空間容量を大まかに表示することができる。しかし、多くの欠点がある。
【０００７】
第一に、従来の表示モジュールでは、複数の発光ダイオードがそれぞれ、複数の表示領域と一対一で対応するように配設されているので、表示モジュールが複数のセクションを正確に表示する必要がある場合には、同数の発光ダイオードが必要となる。しかし、このような構成とすると、表示モジュールの製造コストが大幅に増加してしまう。例えば、表示モジュールが１０個のセクションを用いて電子素子の残存／使用容量を表示する場合、つまり、表示モジュールの表示領域が１０個ある場合、セクション毎に表示するためには、表示モジュールに１０個の発光ダイオードを設ける必要がある。より詳細な表示が求められると、表示モジュールに設ける発光ダイオードの数も増やす必要がある。このため、製造コストが増加してしまう。
【０００８】
また、上述したような方法では、隣接した明るい表示領域同士の間に暗い領域が形成されることがある。例えば、図１Ａに示すように、明るい表示領域１０Ａと１０Ｂとの間に、暗い領域Ｄ１が形成されており、明るい表示領域１０Ｂと１０Ｃとの間に、暗い領域Ｄ２が形成されている。明るくなっている表示領域全体を見ると不連続に見えてしまう。これは、明るい領域と暗い領域との間の相違が非常に明確であるためであり、このためデザイン全体の美観およびユーザの使用感を損ねてしまう。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、先行技術と比較して改善された表示モジュール、当該表示モジュールを用いた電子デバイス、および表示方法を提供する。
【００１０】
本発明の一実施形態によると、表示モジュールが提供される。当該表示モジュールは、電子デバイスの電子素子の状態、例えば、電子素子の現在の残存容量または使用容量を表示するべく利用される。当該表示モジュールは、光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを備える。光誘導部は、光入射面および光射出面を有する。複数の発光部は、光誘導部の光入射面に隣接して配設されている。制御部は、複数の発光部に結合されており、且つ、複数の電流の組み合わせのうち１つを選択的に用いて複数の発光部を制御する。複数の発光部から照射された光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面を通過して、継続的に表示効果を実現する。
【００１１】
本発明の別の実施形態によると、電子素子および表示モジュールを備える電子デバイスが提供される。当該表示モジュールは、電子素子の状態を表示するために利用される。当該表示モジュールは、光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを備える。光誘導部は、光入射面および光射出面を有する。複数の発光部は、光誘導部の光入射面に隣接して配設されている。制御部は、複数の発光部に結合されており、且つ、複数の電流の組み合わせのうち１つを選択的に用いて複数の発光部を制御する。複数の発光部から照射された光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面を通過して、継続的に表示効果を実現する。
【００１２】
本発明の別の実施形態によると、電子デバイスの電子素子の状態を表示するための表示方法が提供される。当該表示方法は、以下の段階を備える。最初に、光誘導部、複数の発光部、および制御部を有する表示モジュールを用意する。そして、光学的シミュレーション結果を生成する。そして、制御部は、複数の電流の組み合わせのうち１つを用いて、光学的シミュレーション結果に応じて発光部を制御する。最後に、発光部から照射された光は、光誘導部に入射して、継続的に表示効果を実現する。
【００１３】
本発明は、電子デバイスの電子素子の状態に応じて複数の発光ダイオードを制御するための電流の組み合わせを生成して、継続的に表示効果を実現する表示モジュール、当該表示モジュールを用いた電子デバイス、および表示方法を提供する。当該表示モジュールは、光学的シミュレーションソフトウェアによって、電流の組み合わせと表示効果との間の対応関係をシミュレーションするので、さまざまな異なる電流量の組み合わせを用いて、電子素子の現在の使用／残存空間容量を表示する際に制御する発光ダイオードの数を減らすことができる。このため、表示モジュールの製造コストを大幅に削減することができ、表示モジュールの明るい表示領域が連続して見えないという先行技術における欠点を改善するという効果が得られる。
【００１４】
本発明の上記およびその他の特徴、側面、および利点は、以下に記載する説明、請求項、および添付図面を参照することによって理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】セクション化モードにおいて電子素子の現在の使用／残存空間容量を表示する従来の表示モジュールを示す概略図である。
【００１６】
【図１Ｂ】図１Ａに示した表示領域に対応する発光ダイオードの発光状態を示す概略図である。
【００１７】
【図２】本発明の第１の実施形態に係る表示モジュールを示す概略図である。
【００１８】
【図３】図２に示す表示モジュールが、電子素子から状態信号を受信して、各発光ダイオードに電流の組み合わせを出力する様子を示す概略図である。
【００１９】
【図４Ａ】図３に示す制御部を示す機能ブロック図である。
【００２０】
【図４Ｂ】図４Ａに示すルックアップテーブルを示す図である。
【００２１】
【図４Ｃ】図４Ａに示す、パルス幅が異なるパルス幅変調信号を示す図である。
【００２２】
【図５Ａ】本発明の別の実施形態に係る、図３に示す制御部を示す機能ブロック図である。
【００２３】
【図５Ｂ】図５Ａに示す論理回路を示す機能ブロック図である。
【００２４】
【図６】本発明の第３の実施形態に係る表示方法を示すフローチャートである。
【００２５】
【図７】本発明の第４の実施形態に係る表示方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の第１の実施形態によると、表示モジュールが提供される。当該表示モジュールは、実際には、電子デバイス（例えば、パーソナルコンピュータまたは産業用コンピュータ）において、電子デバイスの電子素子（例えば、ハードディスクまたは電源デバイス）の状態を表示するべく利用される。例えば、電子素子の現在の残存容量または使用容量を表示するべく利用される。しかし、本発明はこれに限定されない。また、当該表示モジュールは、電子デバイスに配設されて電子素子と結合されるとしてもよいし、または、電子デバイスの電子素子に外部から結合されるとしてもよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００２７】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る表示モジュールを示す概略図である。図２に示すように、表示モジュール２は、光誘導部２１と、筐体２２とを備える。光誘導部２１は、光入射面２１４と、光射出面２１１と、表面処理層２１０とを有しており、表面処理層２１０は、光射出面２１１を覆っている。実際に応用する場合には、表面処理層２１０は、光射出面２１１を覆う構成に限定されず、霧化処理またはテクスチャ処理等のさまざまな表面処理方法によって、光射出面２１１上に形成されるとしてもよい。また、表面処理層２１０は、光入射面２１４を覆うように構成されるか、または、さまざまな表面処理方法によって光入射面２１４上に形成されるとしてもよい。表面処理層２１０は、光誘導部２１の材料から形成されるとしてもよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００２８】
発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄは、筐体２２に配設されており、光誘導部２１の光入射面２１４に隣接している。このため、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄから照射される光は、光誘導部２１の光入射面２１４へと向かい、光入射面２１４から光誘導部２１へと入射する。制御部２２２は、筐体２２内に配設されており、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄと結合されて、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを発光させるか否か、および、光の強度または明度を制御する。また、光誘導部２１にはさらに、孔２１２Ａから２１２Ｃが設けられており、孔２１２Ａから２１２Ｃの位置はそれぞれ、２つの隣接する発光ダイオードの間の位置に対応する。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００２９】
表示モジュール２に設けられる発光ダイオードおよび孔の数および位置は、実際には、必要に応じて決めることができる。しかし、本発明はこれに限定されない。また、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄは、表面実装型デバイス（ＳＭＤ）の発光ダイオード、デュアル・イン・ライン・パッケージ（ＤＩＰ）発光ダイオード、またはその他の種類の発光ダイオードであってよい。光誘導部２１は、光パイプ、または、光誘導機能を持つその他の光学素子であってよく、光誘導部２１は、透明であって、プラスチックから形成されているとしてよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００３０】
図３は、図２に示す表示モジュール２が、電子デバイス３の電子素子３０の状態を検出して、電子素子３０から状態信号Ｓを受信して、状態信号Ｓに応じて対応する電流の組み合わせＩＡからＩＤを発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄに出力する様子を示す概略図である。図３に示すように、表示モジュール２の制御部２２２は、電子デバイス３の電子素子３０に結合されている。制御部２２２は、電子素子３０から状態信号Ｓを受信した後、状態信号Ｓに応じて、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄのそれぞれに対応する電流の組み合わせＩＡからＩＤを生成することができる。そして、制御部２２２は、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄのそれぞれに対して電流の組み合わせＩＡからＩＤを出力して、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを制御する。発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄから照射される光は、光誘導部２１に入射して、継続して表示効果を実現する。つまり、光誘導部２１の光入射面２１４、光射出面２１１、および表面処理層２１０を通過した光によって実現される表示領域は連続しているので、先行技術に係る課題が効果的に解決される。
【００３１】
実際に実現される表示効果は、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄから照射されて、且つ、光射出面２１１および表面処理層２１０を通過する光の表示領域のサイズに対応する。表示効果はさらに、光の表示明度の強度に対応し、表示明度の強度は、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを制御する電流の組み合わせに対応する。このため、本発明によると、表示明度の強度および明度は、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄに対する電流の組み合わせを調整することによって制御することができる。また、状態信号Ｓは、電子素子３０の状態情報、例えば、電子素子３０の現在の残存容量情報または使用容量情報等を含み得る。電子素子３０は、ハードディスク、メモリ、または充電器等の電子デバイスであってよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００３２】
本明細書の以下の部分では、状態信号Ｓに応じて表示モジュール２の制御部２２２が発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを制御する電流の組み合わせＩＡからＩＤを生成するさまざまなモードを説明する。
【００３３】
図４Ａは、制御部２２２を示す機能ブロック図である。図４Ａに示すように、制御部２２２は、制御素子２２２０、および、積分回路２２２２Ａから２２２２Ｄを有する。制御素子２２２０には、ルックアップテーブル２２２００が含まれており、ルックアップテーブル２２２００は光学的シミュレーション結果を格納している。積分回路２２２２Ａから２２２２Ｄは、積分機能を持つ回路であって、種類は限定されない。
【００３４】
光学的シミュレーション結果は、光学的シミュレーションソフトウェアによるシミュレーションによって得られるものであり、電子素子３０の状態と、発光ダイオードを制御する電流の組み合わせと、表示効果との対応関係を表す。光学的シミュレーションソフトウェアは、Ｌｉｇｈｔｔｏｏｌｓ、ＴｒａｃｅＰｒｏ、または光学的シミュレーション機能を持つその他のソフトウェアであってよい。しかし、本発明はこれに限定されない。光学的シミュレーション結果に影響を及ぼす要因は多数存在する。光学的シミュレーション結果は、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄおよび光誘導部２１の数および位置に加えて、孔２１２Ａから２１２Ｃの数および位置、または、表面処理層２１０が光入射面２１４または光射出面２１１のいずれを被覆しているか等のその他の要因にも影響される。
【００３５】
制御素子２２２０は、電子素子３０から状態信号Ｓを受信すると、ルックアップテーブル２２２００を参照して、電子素子３０の現在の状態に対応する電流の組み合わせＩＡからＩＤを検索することができる。
【００３６】
一例を挙げると、図４Ｂは、光学的シミュレーションによって得られた電流の組み合わせＩＡからＩＤと電子素子３０の使用空間容量との対応関係を示すルックアップテーブルを示す図である。制御素子２２２０は、状態信号Ｓに応じて電子素子３０の使用空間容量が４０％であると検出した場合、ルックアップテーブル２２２００を参照して、対応する電流の組み合わせＩＡからＩＤはそれぞれ、３ｍＡ、５ｍＡ、３ｍＡ、および、０であるとする。
【００３７】
図４Ａに戻って説明を続けると、制御素子２２２０は、ルックアップテーブルを参照して電流の組み合わせＩＡからＩＤの値を取得すると、積分回路２２２２Ａから２２２２Ｄに対して、電流の組み合わせＩＡからＩＤに対応するパルス幅変調信号ＰＷＭＡからＰＷＭＤを出力することができる。そして、積分回路２２２２Ａから２２２２Ｄによる積分によって、電流の組み合わせＩＡからＩＤを生成して、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを制御する。
【００３８】
制御素子２２２０から出力されるパルス幅変調信号ＰＷＭＡからＰＷＭＤのパルス幅ＷＡからＷＤが大きくなるほど、対応する等価電圧ＶＡからＶＤも大きくなる。等価抵抗を一定とすると、電流の組み合わせＩＡからＩＤは大きくなる。このため、パルス幅ＷＡからＷＤと、電流の組み合わせＩＡからＩＤとの対応関係もさらにルックアップテーブルに記録して、制御部２２２が読み出して利用できるようにすることも可能である。図４Ｃでは、電流の組み合わせＩＡからＩＤの関係がＩＡ＜ＩＢ＜ＩＣ＜ＩＤの場合、制御素子２２２０から出力されたパルス幅変調信号ＰＷＭＡからＰＷＭＤのパルス幅ＷＡからＷＤの関係は、ＷＡ＜ＷＢ＜ＷＣ＜ＷＤとなる。このため、制御素子２２２０は、パルス幅が異なるパルス幅変調信号を出力することによって発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄの制御電流を調節して、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄの明度（例えば、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを発光させるか否か、または、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄの強度および明度）を変更させて、さまざまな表示効果を継続して実現することができる。
【００３９】
電流の組み合わせＩＡからＩＤを生成するモードは上述のモード以外にもあり、図５Ａは、本発明の別の実施形態に係る図３の制御部２２２を示す、つまり、電流の組み合わせＩＡからＩＤを生成する別のモードを示す機能ブロック図である。図５Ａに示すように、制御部２２２は、制御素子２２２０と、論理回路２２２４Ａから２２２４Ｄとを有する。制御素子２２２０は、電子素子３０から状態信号Ｓを受信すると、状態信号Ｓに含まれている電子素子３０の現在状態情報に応じて、ルックアップテーブル２２２００から、電子素子３０の現在の状態に対応する電流の組み合わせＩＡからＩＤの値を検索することができる。
【００４０】
制御素子２２２０は、電流の組み合わせＩＡからＩＤに応じて、論理回路２２２４Ａから２２２４Ｄに対して、汎用入出力信号ＧＰＩＯＡからＧＰＩＯＤを出力する。そして、論理回路２２２４Ａから２２２４Ｄは、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄに対して電流の組み合わせＩＡからＩＤを出力して、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを制御する。
【００４１】
論理回路の詳細な回路構成は、図５Ｂに示す。図５Ｂは、図５Ａに示す論理回路を示す機能ブロック図、つまり、本発明の一実施形態に係る論理回路２２２４Ａを示す回路図である。図５Ｂに示すように、論理回路２２２４Ａは、スイッチ素子ＳＷ１からＳＷ３、および、抵抗器Ｒ１からＲ３から構成されている。実際には、論理回路２２２４Ａを構成するスイッチ素子および抵抗器の種類および数は、必要に応じて決めることができる。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００４２】
本実施形態によると、制御素子２２２０から論理回路２２２４Ａに対して出力される汎用入出力信号ＧＰＩＯＡは、スイッチ素子ＳＷ１からＳＷ３をオンまたはオフに制御して、特定の動作電圧Ｖの場合の等価抵抗を変更して、論理回路２２２４Ａから最終的に出力される制御電流ＩＡを調整することができる。
【００４３】
一例を挙げると、論理回路２２２４Ａにおいて、汎用入出力信号ＧＰＩＯＡに応じてスイッチ素子ＳＷ１およびＳＷ３をオンに、且つ、スイッチ素子ＳＷ２をオフにすると、抵抗器Ｒ２のみがノードＮと接続され、抵抗器Ｒ１およびＲ３はノードＮに接続されていない。このため、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄが接地されていて、スイッチ素子ＳＷ２の抵抗が無視される場合には、論理回路２２２４Ａから最終的に出力される制御電流ＩＡは、（Ｖ／Ｒ２）となる。
【００４４】
一方、論理回路２２２４Ａにおいて、汎用入出力信号ＧＰＩＯＡに応じて全てのスイッチ素子ＳＷ１からＳＷ３がオフに制御されていると、抵抗器Ｒ１からＲ３がノードＮに接続される。このため、論理回路２２２４Ａから最終的に出力される制御電流ＩＡは、（Ｖ／Ｒ１）＋（Ｖ／Ｒ２）＋（Ｖ／Ｒ３）となる。この場合、論理回路２２２４Ａから出力される制御電流（Ｖ／Ｒ１）＋（Ｖ／Ｒ２）＋（Ｖ／Ｒ３）は、制御電流（Ｖ／Ｒ２）よりも大きい。このため、この場合、発光ダイオード２２０Ａの明度はより高くなる。したがって、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄの明度を変えて、表面処理層２１０における明度を変化させつつ継続して表示効果を実現することができる。
【００４５】
本発明の第２の実施形態によると、電子デバイスが提供される。当該実施形態に係る電子デバイスは、電子素子および表示モジュールを備える。表示モジュールは、電子素子の状態、例えば、電子素子（例えば、メモリまたは電池）の残存容量または使用容量を表示するべく、電子素子に結合されている。しかし、本発明はこれに限定されない。表示モジュールは、光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを有する。光誘導部には、光入射面および光射出面が設けられている。発光部は、光誘導部の光入射面に隣接して配設されている。制御部は、複数の電流の組み合わせのうち１つを選択的に利用して、発光部を制御する。発光部から照射される光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面を通過して、継続的に表示効果を実現する。本実施形態に係る電子デバイスおよび表示モジュールの動作の詳細は、第１の実施形態と同じである。このため、明細書を簡潔に記載するべく、詳細な説明は省略する。
【００４６】
本発明の第３の実施形態によると、表示方法が提供される。実際に応用する場合には、当該表示方法は、電子デバイスの電子素子の状態、例えば、電子素子の残存容量または使用容量を表示する際に利用される。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００４７】
図６は、表示方法を示すフローチャートである。図６に示すように、最初にステップＳ１２が実行される。光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを備える表示モジュールが用意される。
【００４８】
その後、ステップＳ１４が実行される。光学的シミュレーション結果に応じて、パルス幅が異なる複数のパルス幅変調信号を出力する。光学的シミュレーション結果は、電子素子の状態と、電流の組み合わせと、表示効果との対応関係を含み得る。光学的シミュレーション結果は、光学的シミュレーションソフトウェアによるシミュレーションによって得ることができる。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００４９】
ステップＳ１６において、パルス幅変調信号はそれぞれ、積分回路の積分によって電流の組み合わせを生成する。ステップＳ１４およびステップＳ１６の動作の詳細は、図４Ａから図４Ｃおよびその説明を参照されたい。このため、明細書を簡潔に記載するべく、詳細な説明は省略する。
【００５０】
この後、ステップＳ１８が実行される。電流の組み合わせを出力して、発光部を制御して発光させる。ステップＳ１９において、発光部から照射された光は、光誘導部に入射して、継続して表示効果を実現する。実際には、光誘導部は、光入射面と、光射出面と、表面処理層とを有する。発光部から照射された光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面および表面処理層を通過して、継続して表示効果を実現する。また、表示効果は、光の表示領域のサイズおよび表示明度の強度に関連するとしてよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００５１】
本発明の第４の実施形態によっても、表示方法が提供される。実際に応用する場合には、当該表示方法は、電子デバイスの電子素子の状態、例えば、電子素子の残存容量または使用容量を表示する際に利用される。しかし、本発明はこれに限定されない。図７は、当該表示方法を示すフローチャートである。図７に示すように、最初に、ステップＳ２２が実行される。光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを備える表示モジュールが用意される。
【００５２】
その後、ステップＳ２４が実行される。光学的シミュレーション結果に応じて、複数のスイッチ素子をオンまたはオフに制御するべく、複数の汎用入出力信号が出力される。光学的シミュレーション結果は、電子素子の状態と、電流の組み合わせと、表示効果との対応関係を含み得る。光学的シミュレーション結果は、光学的シミュレーションソフトウェアによるシミュレーションによって得ることができる。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００５３】
そして、ステップＳ２６において、特定の動作電圧において、スイッチ素子がオン状態にあるか、または、オフ状態にあるかに応じて抵抗を変化させて、電流の組み合わせを生成する。ステップＳ２４およびステップＳ２６の詳細な内容は、図５Ａから図５Ｂおよび関連する説明を参照されたい。このため、明細書を簡潔に記載するべく、詳細な説明は省略する。
【００５４】
この後、ステップＳ２８が実行される。電流の組み合わせを出力して、発光部を制御して発光させる。ステップＳ２９において、発光部から照射された光は、光誘導部に入射して、継続して表示効果を実現する。実際には、光誘導部は、光入射面と、光射出面と、表面処理層とを有する。発光部から照射された光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面および表面処理層を通過して、継続して表示効果を実現する。また、表示効果は、表示モジュールの発光部から照射された光の表示領域のサイズおよび表示明度の強度に関連するとしてよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００５５】
先行技術と比較すると、本発明は、電子デバイスの電子素子の状態に応じて、発光ダイオードの強度または明度を制御するべく、または、発光ダイオードを制御して発光させるべく、電流の組み合わせを生成することができ、したがって、継続して表示効果を実現することができる表示モジュールを開示する。さらに、電流の組み合わせと、表示効果との間の対応関係は、光学的シミュレーションモードにおいてシミュレーションされており、必要な発光ダイオードの数が少なくなる。一方、当該表示モジュールは、電子素子の現在の使用／残存空間容量を表示する際に、単に電流の組み合わせを変えることによって、より少数の発光ダイオードを制御することができる。本発明に係る表示モジュールの製造コストは大幅に削減され、明るい表示領域が不連続になってしまうという先行技術における問題も効率的に改善される。したがって、全体的なデザインの美観が改善され、ユーザの使用感も改善する。
【００５６】
特定の好ましい実施形態を参照しつつ非常に詳細に本発明を説明してきたが、本開示内容は本発明の範囲を限定するものではない。当業者であれば、本発明の範囲および精神から逸脱することなく、さまざまな点で変形および変更を行い得る。このため、請求項の範囲は、上述した好ましい実施形態の説明に限定されるべきではない。
【関連出願】
【０００１】
この非仮出願は、２００９年９月２９日に中華民国台湾で出願された特許出願第０９８１３２８７１号から米国特許法第１１９条（ａ）に基づき優先権を主張する。当該台湾特許出願の内容は全て参照により本願に組み込まれる。
【技術分野】
【０００２】
本発明は、表示モジュール、当該表示モジュールを用いた電子デバイス、および表示方法に関する。特に、発光部を制御するための電流の組み合わせを生成して、電子デバイスの電子素子の状態に応じて継続的に表示効果を実現する表示モジュールに関する。
【背景技術】
【０００３】
今日において、普通のパーソナルコンピュータまたはノート型コンピュータ等、さまざまな新世代の電子デバイスにおいて、コンピュータソフトウェアによって電子デバイスの電子素子（例えば、ハードディスクまたはメモリ）の使用空間容量または残存空間容量を表示することが可能となっている。このような電子デバイスはさらに、ハードウェアによって現在の空間容量の状態を表示することもできる。例えば、電子デバイスの表示モジュールは、複数の発光ダイオードの発光状態を制御することによって、セクション化モードにおける電子素子の使用／残存空間容量を表示することができる。
【０００４】
図１Ａは、セクション化モードにおいて電子素子の現在の使用／残存空間容量を表示する従来の表示モジュールを示す概略図である。図１Ａにおいて、表示領域１０Ａから１０Ｃは明るく、表示領域１０Ｄおよび１０Ｅは明るくなっていない。このため、表示モジュールの表示状態によると、電子素子の使用空間容量は６０％に達しており、残存空間容量は約４０％であることが分かる。
【０００５】
図１Ｂは、図１Ａに示した表示領域に対応する発光ダイオードの発光状態を示す概略図である。図１Ｂを参照しつつ説明すると、発光ダイオード１２Ａから１２Ｅはそれぞれ、表示領域１０Ａから１０Ｅに対応する。電子素子の使用空間容量が６０％に達している場合、発光ダイオード１２Ａから１２Ｃが発光し、発光ダイオード１２Ｄおよび１２Ｅは発光しない。
【０００６】
上述した従来のセクション化方式の表示モードでは、電子素子の現在の使用／残存空間容量を大まかに表示することができる。しかし、多くの欠点がある。
【０００７】
第一に、従来の表示モジュールでは、複数の発光ダイオードがそれぞれ、複数の表示領域と一対一で対応するように配設されているので、表示モジュールが複数のセクションを正確に表示する必要がある場合には、同数の発光ダイオードが必要となる。しかし、このような構成とすると、表示モジュールの製造コストが大幅に増加してしまう。例えば、表示モジュールが１０個のセクションを用いて電子素子の残存／使用容量を表示する場合、つまり、表示モジュールの表示領域が１０個ある場合、セクション毎に表示するためには、表示モジュールに１０個の発光ダイオードを設ける必要がある。より詳細な表示が求められると、表示モジュールに設ける発光ダイオードの数も増やす必要がある。このため、製造コストが増加してしまう。
【０００８】
また、上述したような方法では、隣接した明るい表示領域同士の間に暗い領域が形成されることがある。例えば、図１Ａに示すように、明るい表示領域１０Ａと１０Ｂとの間に、暗い領域Ｄ１が形成されており、明るい表示領域１０Ｂと１０Ｃとの間に、暗い領域Ｄ２が形成されている。明るくなっている表示領域全体を見ると不連続に見えてしまう。これは、明るい領域と暗い領域との間の相違が非常に明確であるためであり、このためデザイン全体の美観およびユーザの使用感を損ねてしまう。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、先行技術と比較して改善された表示モジュール、当該表示モジュールを用いた電子デバイス、および表示方法を提供する。
【００１０】
本発明の一実施形態によると、表示モジュールが提供される。当該表示モジュールは、電子デバイスの電子素子の状態、例えば、電子素子の現在の残存容量または使用容量を表示するべく利用される。当該表示モジュールは、光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを備える。光誘導部は、光入射面および光射出面を有する。複数の発光部は、光誘導部の光入射面に隣接して配設されている。制御部は、複数の発光部に結合されており、且つ、複数の電流の組み合わせのうち１つを選択的に用いて複数の発光部を制御する。複数の発光部から照射された光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面を通過して、継続的に表示効果を実現する。
【００１１】
本発明の別の実施形態によると、電子素子および表示モジュールを備える電子デバイスが提供される。当該表示モジュールは、電子素子の状態を表示するために利用される。当該表示モジュールは、光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを備える。光誘導部は、光入射面および光射出面を有する。複数の発光部は、光誘導部の光入射面に隣接して配設されている。制御部は、複数の発光部に結合されており、且つ、複数の電流の組み合わせのうち１つを選択的に用いて複数の発光部を制御する。複数の発光部から照射された光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面を通過して、継続的に表示効果を実現する。
【００１２】
本発明の別の実施形態によると、電子デバイスの電子素子の状態を表示するための表示方法が提供される。当該表示方法は、以下の段階を備える。最初に、光誘導部、複数の発光部、および制御部を有する表示モジュールを用意する。そして、光学的シミュレーション結果を生成する。そして、制御部は、複数の電流の組み合わせのうち１つを用いて、光学的シミュレーション結果に応じて発光部を制御する。最後に、発光部から照射された光は、光誘導部に入射して、継続的に表示効果を実現する。
【００１３】
本発明は、電子デバイスの電子素子の状態に応じて複数の発光ダイオードを制御するための電流の組み合わせを生成して、継続的に表示効果を実現する表示モジュール、当該表示モジュールを用いた電子デバイス、および表示方法を提供する。当該表示モジュールは、光学的シミュレーションソフトウェアによって、電流の組み合わせと表示効果との間の対応関係をシミュレーションするので、さまざまな異なる電流量の組み合わせを用いて、電子素子の現在の使用／残存空間容量を表示する際に制御する発光ダイオードの数を減らすことができる。このため、表示モジュールの製造コストを大幅に削減することができ、表示モジュールの明るい表示領域が連続して見えないという先行技術における欠点を改善するという効果が得られる。
【００１４】
本発明の上記およびその他の特徴、側面、および利点は、以下に記載する説明、請求項、および添付図面を参照することによって理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１Ａ】セクション化モードにおいて電子素子の現在の使用／残存空間容量を表示する従来の表示モジュールを示す概略図である。
【００１６】
【図１Ｂ】図１Ａに示した表示領域に対応する発光ダイオードの発光状態を示す概略図である。
【００１７】
【図２】本発明の第１の実施形態に係る表示モジュールを示す概略図である。
【００１８】
【図３】図２に示す表示モジュールが、電子素子から状態信号を受信して、各発光ダイオードに電流の組み合わせを出力する様子を示す概略図である。
【００１９】
【図４Ａ】図３に示す制御部を示す機能ブロック図である。
【００２０】
【図４Ｂ】図４Ａに示すルックアップテーブルを示す図である。
【００２１】
【図４Ｃ】図４Ａに示す、パルス幅が異なるパルス幅変調信号を示す図である。
【００２２】
【図５Ａ】本発明の別の実施形態に係る、図３に示す制御部を示す機能ブロック図である。
【００２３】
【図５Ｂ】図５Ａに示す論理回路を示す機能ブロック図である。
【００２４】
【図６】本発明の第３の実施形態に係る表示方法を示すフローチャートである。
【００２５】
【図７】本発明の第４の実施形態に係る表示方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の第１の実施形態によると、表示モジュールが提供される。当該表示モジュールは、実際には、電子デバイス（例えば、パーソナルコンピュータまたは産業用コンピュータ）において、電子デバイスの電子素子（例えば、ハードディスクまたは電源デバイス）の状態を表示するべく利用される。例えば、電子素子の現在の残存容量または使用容量を表示するべく利用される。しかし、本発明はこれに限定されない。また、当該表示モジュールは、電子デバイスに配設されて電子素子と結合されるとしてもよいし、または、電子デバイスの電子素子に外部から結合されるとしてもよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００２７】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る表示モジュールを示す概略図である。図２に示すように、表示モジュール２は、光誘導部２１と、筐体２２とを備える。光誘導部２１は、光入射面２１４と、光射出面２１１と、表面処理層２１０とを有しており、表面処理層２１０は、光射出面２１１を覆っている。実際に応用する場合には、表面処理層２１０は、光射出面２１１を覆う構成に限定されず、霧化処理またはテクスチャ処理等のさまざまな表面処理方法によって、光射出面２１１上に形成されるとしてもよい。また、表面処理層２１０は、光入射面２１４を覆うように構成されるか、または、さまざまな表面処理方法によって光入射面２１４上に形成されるとしてもよい。表面処理層２１０は、光誘導部２１の材料から形成されるとしてもよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００２８】
発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄは、筐体２２に配設されており、光誘導部２１の光入射面２１４に隣接している。このため、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄから照射される光は、光誘導部２１の光入射面２１４へと向かい、光入射面２１４から光誘導部２１へと入射する。制御部２２２は、筐体２２内に配設されており、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄと結合されて、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを発光させるか否か、および、光の強度または明度を制御する。また、光誘導部２１にはさらに、孔２１２Ａから２１２Ｃが設けられており、孔２１２Ａから２１２Ｃの位置はそれぞれ、２つの隣接する発光ダイオードの間の位置に対応する。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００２９】
表示モジュール２に設けられる発光ダイオードおよび孔の数および位置は、実際には、必要に応じて決めることができる。しかし、本発明はこれに限定されない。また、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄは、表面実装型デバイス（ＳＭＤ）の発光ダイオード、デュアル・イン・ライン・パッケージ（ＤＩＰ）発光ダイオード、またはその他の種類の発光ダイオードであってよい。光誘導部２１は、光パイプ、または、光誘導機能を持つその他の光学素子であってよく、光誘導部２１は、透明であって、プラスチックから形成されているとしてよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００３０】
図３は、図２に示す表示モジュール２が、電子デバイス３の電子素子３０の状態を検出して、電子素子３０から状態信号Ｓを受信して、状態信号Ｓに応じて対応する電流の組み合わせＩＡからＩＤを発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄに出力する様子を示す概略図である。図３に示すように、表示モジュール２の制御部２２２は、電子デバイス３の電子素子３０に結合されている。制御部２２２は、電子素子３０から状態信号Ｓを受信した後、状態信号Ｓに応じて、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄのそれぞれに対応する電流の組み合わせＩＡからＩＤを生成することができる。そして、制御部２２２は、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄのそれぞれに対して電流の組み合わせＩＡからＩＤを出力して、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを制御する。発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄから照射される光は、光誘導部２１に入射して、継続して表示効果を実現する。つまり、光誘導部２１の光入射面２１４、光射出面２１１、および表面処理層２１０を通過した光によって実現される表示領域は連続しているので、先行技術に係る課題が効果的に解決される。
【００３１】
実際に実現される表示効果は、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄから照射されて、且つ、光射出面２１１および表面処理層２１０を通過する光の表示領域のサイズに対応する。表示効果はさらに、光の表示明度の強度に対応し、表示明度の強度は、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを制御する電流の組み合わせに対応する。このため、本発明によると、表示明度の強度および明度は、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄに対する電流の組み合わせを調整することによって制御することができる。また、状態信号Ｓは、電子素子３０の状態情報、例えば、電子素子３０の現在の残存容量情報または使用容量情報等を含み得る。電子素子３０は、ハードディスク、メモリ、または充電器等の電子デバイスであってよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００３２】
本明細書の以下の部分では、状態信号Ｓに応じて表示モジュール２の制御部２２２が発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを制御する電流の組み合わせＩＡからＩＤを生成するさまざまなモードを説明する。
【００３３】
図４Ａは、制御部２２２を示す機能ブロック図である。図４Ａに示すように、制御部２２２は、制御素子２２２０、および、積分回路２２２２Ａから２２２２Ｄを有する。制御素子２２２０には、ルックアップテーブル２２２００が含まれており、ルックアップテーブル２２２００は光学的シミュレーション結果を格納している。積分回路２２２２Ａから２２２２Ｄは、積分機能を持つ回路であって、種類は限定されない。
【００３４】
光学的シミュレーション結果は、光学的シミュレーションソフトウェアによるシミュレーションによって得られるものであり、電子素子３０の状態と、発光ダイオードを制御する電流の組み合わせと、表示効果との対応関係を表す。光学的シミュレーションソフトウェアは、Ｌｉｇｈｔｔｏｏｌｓ、ＴｒａｃｅＰｒｏ、または光学的シミュレーション機能を持つその他のソフトウェアであってよい。しかし、本発明はこれに限定されない。光学的シミュレーション結果に影響を及ぼす要因は多数存在する。光学的シミュレーション結果は、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄおよび光誘導部２１の数および位置に加えて、孔２１２Ａから２１２Ｃの数および位置、または、表面処理層２１０が光入射面２１４または光射出面２１１のいずれを被覆しているか等のその他の要因にも影響される。
【００３５】
制御素子２２２０は、電子素子３０から状態信号Ｓを受信すると、ルックアップテーブル２２２００を参照して、電子素子３０の現在の状態に対応する電流の組み合わせＩＡからＩＤを検索することができる。
【００３６】
一例を挙げると、図４Ｂは、光学的シミュレーションによって得られた電流の組み合わせＩＡからＩＤと電子素子３０の使用空間容量との対応関係を示すルックアップテーブルを示す図である。制御素子２２２０は、状態信号Ｓに応じて電子素子３０の使用空間容量が４０％であると検出した場合、ルックアップテーブル２２２００を参照して、対応する電流の組み合わせＩＡからＩＤはそれぞれ、３ｍＡ、５ｍＡ、３ｍＡ、および、０であるとする。
【００３７】
図４Ａに戻って説明を続けると、制御素子２２２０は、ルックアップテーブルを参照して電流の組み合わせＩＡからＩＤの値を取得すると、積分回路２２２２Ａから２２２２Ｄに対して、電流の組み合わせＩＡからＩＤに対応するパルス幅変調信号ＰＷＭＡからＰＷＭＤを出力することができる。そして、積分回路２２２２Ａから２２２２Ｄによる積分によって、電流の組み合わせＩＡからＩＤを生成して、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを制御する。
【００３８】
制御素子２２２０から出力されるパルス幅変調信号ＰＷＭＡからＰＷＭＤのパルス幅ＷＡからＷＤが大きくなるほど、対応する等価電圧ＶＡからＶＤも大きくなる。等価抵抗を一定とすると、電流の組み合わせＩＡからＩＤは大きくなる。このため、パルス幅ＷＡからＷＤと、電流の組み合わせＩＡからＩＤとの対応関係もさらにルックアップテーブルに記録して、制御部２２２が読み出して利用できるようにすることも可能である。図４Ｃでは、電流の組み合わせＩＡからＩＤの関係がＩＡ＜ＩＢ＜ＩＣ＜ＩＤの場合、制御素子２２２０から出力されたパルス幅変調信号ＰＷＭＡからＰＷＭＤのパルス幅ＷＡからＷＤの関係は、ＷＡ＜ＷＢ＜ＷＣ＜ＷＤとなる。このため、制御素子２２２０は、パルス幅が異なるパルス幅変調信号を出力することによって発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄの制御電流を調節して、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄの明度（例えば、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを発光させるか否か、または、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄの強度および明度）を変更させて、さまざまな表示効果を継続して実現することができる。
【００３９】
電流の組み合わせＩＡからＩＤを生成するモードは上述のモード以外にもあり、図５Ａは、本発明の別の実施形態に係る図３の制御部２２２を示す、つまり、電流の組み合わせＩＡからＩＤを生成する別のモードを示す機能ブロック図である。図５Ａに示すように、制御部２２２は、制御素子２２２０と、論理回路２２２４Ａから２２２４Ｄとを有する。制御素子２２２０は、電子素子３０から状態信号Ｓを受信すると、状態信号Ｓに含まれている電子素子３０の現在状態情報に応じて、ルックアップテーブル２２２００から、電子素子３０の現在の状態に対応する電流の組み合わせＩＡからＩＤの値を検索することができる。
【００４０】
制御素子２２２０は、電流の組み合わせＩＡからＩＤに応じて、論理回路２２２４Ａから２２２４Ｄに対して、汎用入出力信号ＧＰＩＯＡからＧＰＩＯＤを出力する。そして、論理回路２２２４Ａから２２２４Ｄは、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄに対して電流の組み合わせＩＡからＩＤを出力して、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄを制御する。
【００４１】
論理回路の詳細な回路構成は、図５Ｂに示す。図５Ｂは、図５Ａに示す論理回路を示す機能ブロック図、つまり、本発明の一実施形態に係る論理回路２２２４Ａを示す回路図である。図５Ｂに示すように、論理回路２２２４Ａは、スイッチ素子ＳＷ１からＳＷ３、および、抵抗器Ｒ１からＲ３から構成されている。実際には、論理回路２２２４Ａを構成するスイッチ素子および抵抗器の種類および数は、必要に応じて決めることができる。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００４２】
本実施形態によると、制御素子２２２０から論理回路２２２４Ａに対して出力される汎用入出力信号ＧＰＩＯＡは、スイッチ素子ＳＷ１からＳＷ３をオンまたはオフに制御して、特定の動作電圧Ｖの場合の等価抵抗を変更して、論理回路２２２４Ａから最終的に出力される制御電流ＩＡを調整することができる。
【００４３】
一例を挙げると、論理回路２２２４Ａにおいて、汎用入出力信号ＧＰＩＯＡに応じてスイッチ素子ＳＷ１およびＳＷ３をオンに、且つ、スイッチ素子ＳＷ２をオフにすると、抵抗器Ｒ２のみがノードＮと接続され、抵抗器Ｒ１およびＲ３はノードＮに接続されていない。このため、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄが接地されていて、スイッチ素子ＳＷ２の抵抗が無視される場合には、論理回路２２２４Ａから最終的に出力される制御電流ＩＡは、（Ｖ／Ｒ２）となる。
【００４４】
一方、論理回路２２２４Ａにおいて、汎用入出力信号ＧＰＩＯＡに応じて全てのスイッチ素子ＳＷ１からＳＷ３がオフに制御されていると、抵抗器Ｒ１からＲ３がノードＮに接続される。このため、論理回路２２２４Ａから最終的に出力される制御電流ＩＡは、（Ｖ／Ｒ１）＋（Ｖ／Ｒ２）＋（Ｖ／Ｒ３）となる。この場合、論理回路２２２４Ａから出力される制御電流（Ｖ／Ｒ１）＋（Ｖ／Ｒ２）＋（Ｖ／Ｒ３）は、制御電流（Ｖ／Ｒ２）よりも大きい。このため、この場合、発光ダイオード２２０Ａの明度はより高くなる。したがって、発光ダイオード２２０Ａから２２０Ｄの明度を変えて、表面処理層２１０における明度を変化させつつ継続して表示効果を実現することができる。
【００４５】
本発明の第２の実施形態によると、電子デバイスが提供される。当該実施形態に係る電子デバイスは、電子素子および表示モジュールを備える。表示モジュールは、電子素子の状態、例えば、電子素子（例えば、メモリまたは電池）の残存容量または使用容量を表示するべく、電子素子に結合されている。しかし、本発明はこれに限定されない。表示モジュールは、光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを有する。光誘導部には、光入射面および光射出面が設けられている。発光部は、光誘導部の光入射面に隣接して配設されている。制御部は、複数の電流の組み合わせのうち１つを選択的に利用して、発光部を制御する。発光部から照射される光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面を通過して、継続的に表示効果を実現する。本実施形態に係る電子デバイスおよび表示モジュールの動作の詳細は、第１の実施形態と同じである。このため、明細書を簡潔に記載するべく、詳細な説明は省略する。
【００４６】
本発明の第３の実施形態によると、表示方法が提供される。実際に応用する場合には、当該表示方法は、電子デバイスの電子素子の状態、例えば、電子素子の残存容量または使用容量を表示する際に利用される。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００４７】
図６は、表示方法を示すフローチャートである。図６に示すように、最初にステップＳ１２が実行される。光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを備える表示モジュールが用意される。
【００４８】
その後、ステップＳ１４が実行される。光学的シミュレーション結果に応じて、パルス幅が異なる複数のパルス幅変調信号を出力する。光学的シミュレーション結果は、電子素子の状態と、電流の組み合わせと、表示効果との対応関係を含み得る。光学的シミュレーション結果は、光学的シミュレーションソフトウェアによるシミュレーションによって得ることができる。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００４９】
ステップＳ１６において、パルス幅変調信号はそれぞれ、積分回路の積分によって電流の組み合わせを生成する。ステップＳ１４およびステップＳ１６の動作の詳細は、図４Ａから図４Ｃおよびその説明を参照されたい。このため、明細書を簡潔に記載するべく、詳細な説明は省略する。
【００５０】
この後、ステップＳ１８が実行される。電流の組み合わせを出力して、発光部を制御して発光させる。ステップＳ１９において、発光部から照射された光は、光誘導部に入射して、継続して表示効果を実現する。実際には、光誘導部は、光入射面と、光射出面と、表面処理層とを有する。発光部から照射された光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面および表面処理層を通過して、継続して表示効果を実現する。また、表示効果は、光の表示領域のサイズおよび表示明度の強度に関連するとしてよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００５１】
本発明の第４の実施形態によっても、表示方法が提供される。実際に応用する場合には、当該表示方法は、電子デバイスの電子素子の状態、例えば、電子素子の残存容量または使用容量を表示する際に利用される。しかし、本発明はこれに限定されない。図７は、当該表示方法を示すフローチャートである。図７に示すように、最初に、ステップＳ２２が実行される。光誘導部と、複数の発光部と、制御部とを備える表示モジュールが用意される。
【００５２】
その後、ステップＳ２４が実行される。光学的シミュレーション結果に応じて、複数のスイッチ素子をオンまたはオフに制御するべく、複数の汎用入出力信号が出力される。光学的シミュレーション結果は、電子素子の状態と、電流の組み合わせと、表示効果との対応関係を含み得る。光学的シミュレーション結果は、光学的シミュレーションソフトウェアによるシミュレーションによって得ることができる。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００５３】
そして、ステップＳ２６において、特定の動作電圧において、スイッチ素子がオン状態にあるか、または、オフ状態にあるかに応じて抵抗を変化させて、電流の組み合わせを生成する。ステップＳ２４およびステップＳ２６の詳細な内容は、図５Ａから図５Ｂおよび関連する説明を参照されたい。このため、明細書を簡潔に記載するべく、詳細な説明は省略する。
【００５４】
この後、ステップＳ２８が実行される。電流の組み合わせを出力して、発光部を制御して発光させる。ステップＳ２９において、発光部から照射された光は、光誘導部に入射して、継続して表示効果を実現する。実際には、光誘導部は、光入射面と、光射出面と、表面処理層とを有する。発光部から照射された光は、光入射面から光誘導部に入射して、光射出面および表面処理層を通過して、継続して表示効果を実現する。また、表示効果は、表示モジュールの発光部から照射された光の表示領域のサイズおよび表示明度の強度に関連するとしてよい。しかし、本発明はこれに限定されない。
【００５５】
先行技術と比較すると、本発明は、電子デバイスの電子素子の状態に応じて、発光ダイオードの強度または明度を制御するべく、または、発光ダイオードを制御して発光させるべく、電流の組み合わせを生成することができ、したがって、継続して表示効果を実現することができる表示モジュールを開示する。さらに、電流の組み合わせと、表示効果との間の対応関係は、光学的シミュレーションモードにおいてシミュレーションされており、必要な発光ダイオードの数が少なくなる。一方、当該表示モジュールは、電子素子の現在の使用／残存空間容量を表示する際に、単に電流の組み合わせを変えることによって、より少数の発光ダイオードを制御することができる。本発明に係る表示モジュールの製造コストは大幅に削減され、明るい表示領域が不連続になってしまうという先行技術における問題も効率的に改善される。したがって、全体的なデザインの美観が改善され、ユーザの使用感も改善する。
【００５６】
特定の好ましい実施形態を参照しつつ非常に詳細に本発明を説明してきたが、本開示内容は本発明の範囲を限定するものではない。当業者であれば、本発明の範囲および精神から逸脱することなく、さまざまな点で変形および変更を行い得る。このため、請求項の範囲は、上述した好ましい実施形態の説明に限定されるべきではない。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスにおいて前記電子デバイスの電子素子の状態を表示するべく利用される表示モジュールであって、
光入射面および光射出面を有する光誘導部と、
前記光誘導部の前記光入射面に隣接して配設されている複数の発光部と、
前記複数の発光部に結合されており、且つ、複数の電流の組み合わせのうち１つを選択的に用いて前記複数の発光部を制御する制御部と
を備え、
前記複数の発光部から照射された光は、前記光入射面から前記光誘導部に入射して、前記光射出面を通過して、継続的に表示効果を実現する表示モジュール。
【請求項２】
前記制御部は、前記電子素子と結合されており、前記状態を検出して前記状態に応じて前記複数の発光部を制御する請求項１に記載の表示モジュール。
【請求項３】
前記制御部は、前記複数の電流の組み合わせのうち１つを用いて、前記電子素子の前記状態と、前記複数の電流の組み合わせと、前記表示効果との間の対応関係を含む光学的シミュレーション結果に応じて前記複数の発光部を制御する請求項１または２に記載の表示モジュール。
【請求項４】
前記状態は、前記電子素子の残存容量または使用容量に対応する請求項１から３の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項５】
前記表示効果は、前記複数の発光部から照射され、且つ、前記光射出面を通過する前記光の表示領域のサイズに対応する請求項１から４の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項６】
前記表示効果は、前記複数の発光部から照射され、且つ、前記光射出面を通過する前記光の表示明度の強度に対応し、前記表示明度の前記強度は、前記複数の電流の組み合わせのうち１つに対応する請求項１から５の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項７】
前記制御部は、パルス幅が異なる複数のパルス幅変調信号を出力し、積分回路の積分によって前記複数の電流の組み合わせを生成する請求項１から６の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項８】
前記制御部は、複数のスイッチを有しており、前記制御部は、前記複数のスイッチをオンまたはオフに制御して、特定の動作電圧において抵抗を調節して、前記複数の電流の組み合わせを生成する請求項１から７の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項９】
前記複数の発光部は、表面実装型デバイス（ＳＭＤ）の発光ダイオード、または、デュアル・イン・ライン・パッケージ（ＤＩＰ）の発光ダイオードである請求項１から８の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項１０】
前記光誘導部はさらに、前記光射出面または前記光入射面に形成されている表面処理層を有する請求項１から９の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項１１】
前記表面処理層は、霧化処理層またはテクスチャ処理層である請求項１０に記載の表示モジュール。
【請求項１２】
前記光誘導部は、光パイプである請求項１から１１の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項１３】
前記光誘導部は、透明であり、プラスチックから形成されている請求項１から１２の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項１４】
前記光誘導部は、前記複数の発光部に対応する少なくとも１つの孔を有する請求項１から１３の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項１５】
電子素子と、
前記電子素子に結合されており、前記電子素子の状態を表示する請求項１から１４の何れか１項に記載の表示モジュールと
を備える電子デバイス。
【請求項１６】
前記電子素子は、格納部または電源部である請求項１５に記載の電子デバイス。
【請求項１７】
電子デバイスの電子素子の状態を表示するための表示方法であって、
光誘導部、複数の発光部、および制御部を有する表示モジュールを用意する段階と、
前記制御部によって、複数の電流の組み合わせのうち１つを用いて、光学的シミュレーション結果に応じて前記複数の発光部を制御する段階と、
前記複数の発光部から照射されて、前記光誘導部に入射する光によって継続的に表示効果を実現する段階と
を備える表示方法。
【請求項１８】
前記光学的シミュレーション結果は、光学的シミュレーションソフトウェアを実行することによって得られる請求項１７に記載の表示方法。
【請求項１９】
前記光学的シミュレーション結果は、前記電子素子の前記状態と、前記複数の電流の組み合わせと、前記表示効果との間の対応関係を含む請求項１７または１８に記載の表示方法。
【請求項２０】
前記状態は、前記電子素子の残存容量または使用容量に対応する請求項１７から１９の何れか１項に記載の表示方法。
【請求項２１】
前記光誘導部は、光入射面および光射出面を含んでおり、前記複数の発光部から照射された前記光は、前記光入射面から前記光誘導部へと入射し、前記光射出面を通過して、前記表示効果を実現する請求項１７から２０の何れか１項に記載の表示方法。
【請求項２２】
前記表示効果は、前記複数の発光部から照射され、且つ、前記光射出面を通過する前記光の表示領域のサイズに対応する請求項２１に記載の表示方法。
【請求項２３】
前記表示効果は、前記複数の発光部から照射され、且つ、前記光射出面を通過する前記光の表示明度の強度に対応し、前記表示明度の前記強度は、前記複数の電流の組み合わせのうち１つに対応する請求項２１に記載の表示方法。
【請求項２４】
前記光誘導部はさらに、前記光射出面または前記光入射面に形成されている表面処理層を含む請求項２１に記載の表示方法。
【請求項２５】
前記制御部は、パルス幅が異なる複数のパルス幅変調信号を出力し、積分回路の積分によって前記複数の電流の組み合わせを生成する請求項１７から２４の何れか１項に記載の表示方法。
【請求項２６】
前記制御部は、複数のスイッチ素子を含んでおり、前記制御部は、前記複数のスイッチ素子をオンまたはオフに制御して、特定の動作電圧において抵抗を調節して、前記複数の電流の組み合わせを生成する請求項１７から２５の何れか１項に記載の表示方法。
【請求項１】
電子デバイスにおいて前記電子デバイスの電子素子の状態を表示するべく利用される表示モジュールであって、
光入射面および光射出面を有する光誘導部と、
前記光誘導部の前記光入射面に隣接して配設されている複数の発光部と、
前記複数の発光部に結合されており、且つ、複数の電流の組み合わせのうち１つを選択的に用いて前記複数の発光部を制御する制御部と
を備え、
前記複数の発光部から照射された光は、前記光入射面から前記光誘導部に入射して、前記光射出面を通過して、継続的に表示効果を実現する表示モジュール。
【請求項２】
前記制御部は、前記電子素子と結合されており、前記状態を検出して前記状態に応じて前記複数の発光部を制御する請求項１に記載の表示モジュール。
【請求項３】
前記制御部は、前記複数の電流の組み合わせのうち１つを用いて、前記電子素子の前記状態と、前記複数の電流の組み合わせと、前記表示効果との間の対応関係を含む光学的シミュレーション結果に応じて前記複数の発光部を制御する請求項１または２に記載の表示モジュール。
【請求項４】
前記状態は、前記電子素子の残存容量または使用容量に対応する請求項１から３の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項５】
前記表示効果は、前記複数の発光部から照射され、且つ、前記光射出面を通過する前記光の表示領域のサイズに対応する請求項１から４の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項６】
前記表示効果は、前記複数の発光部から照射され、且つ、前記光射出面を通過する前記光の表示明度の強度に対応し、前記表示明度の前記強度は、前記複数の電流の組み合わせのうち１つに対応する請求項１から５の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項７】
前記制御部は、パルス幅が異なる複数のパルス幅変調信号を出力し、積分回路の積分によって前記複数の電流の組み合わせを生成する請求項１から６の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項８】
前記制御部は、複数のスイッチを有しており、前記制御部は、前記複数のスイッチをオンまたはオフに制御して、特定の動作電圧において抵抗を調節して、前記複数の電流の組み合わせを生成する請求項１から７の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項９】
前記複数の発光部は、表面実装型デバイス（ＳＭＤ）の発光ダイオード、または、デュアル・イン・ライン・パッケージ（ＤＩＰ）の発光ダイオードである請求項１から８の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項１０】
前記光誘導部はさらに、前記光射出面または前記光入射面に形成されている表面処理層を有する請求項１から９の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項１１】
前記表面処理層は、霧化処理層またはテクスチャ処理層である請求項１０に記載の表示モジュール。
【請求項１２】
前記光誘導部は、光パイプである請求項１から１１の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項１３】
前記光誘導部は、透明であり、プラスチックから形成されている請求項１から１２の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項１４】
前記光誘導部は、前記複数の発光部に対応する少なくとも１つの孔を有する請求項１から１３の何れか１項に記載の表示モジュール。
【請求項１５】
電子素子と、
前記電子素子に結合されており、前記電子素子の状態を表示する請求項１から１４の何れか１項に記載の表示モジュールと
を備える電子デバイス。
【請求項１６】
前記電子素子は、格納部または電源部である請求項１５に記載の電子デバイス。
【請求項１７】
電子デバイスの電子素子の状態を表示するための表示方法であって、
光誘導部、複数の発光部、および制御部を有する表示モジュールを用意する段階と、
前記制御部によって、複数の電流の組み合わせのうち１つを用いて、光学的シミュレーション結果に応じて前記複数の発光部を制御する段階と、
前記複数の発光部から照射されて、前記光誘導部に入射する光によって継続的に表示効果を実現する段階と
を備える表示方法。
【請求項１８】
前記光学的シミュレーション結果は、光学的シミュレーションソフトウェアを実行することによって得られる請求項１７に記載の表示方法。
【請求項１９】
前記光学的シミュレーション結果は、前記電子素子の前記状態と、前記複数の電流の組み合わせと、前記表示効果との間の対応関係を含む請求項１７または１８に記載の表示方法。
【請求項２０】
前記状態は、前記電子素子の残存容量または使用容量に対応する請求項１７から１９の何れか１項に記載の表示方法。
【請求項２１】
前記光誘導部は、光入射面および光射出面を含んでおり、前記複数の発光部から照射された前記光は、前記光入射面から前記光誘導部へと入射し、前記光射出面を通過して、前記表示効果を実現する請求項１７から２０の何れか１項に記載の表示方法。
【請求項２２】
前記表示効果は、前記複数の発光部から照射され、且つ、前記光射出面を通過する前記光の表示領域のサイズに対応する請求項２１に記載の表示方法。
【請求項２３】
前記表示効果は、前記複数の発光部から照射され、且つ、前記光射出面を通過する前記光の表示明度の強度に対応し、前記表示明度の前記強度は、前記複数の電流の組み合わせのうち１つに対応する請求項２１に記載の表示方法。
【請求項２４】
前記光誘導部はさらに、前記光射出面または前記光入射面に形成されている表面処理層を含む請求項２１に記載の表示方法。
【請求項２５】
前記制御部は、パルス幅が異なる複数のパルス幅変調信号を出力し、積分回路の積分によって前記複数の電流の組み合わせを生成する請求項１７から２４の何れか１項に記載の表示方法。
【請求項２６】
前記制御部は、複数のスイッチ素子を含んでおり、前記制御部は、前記複数のスイッチ素子をオンまたはオフに制御して、特定の動作電圧において抵抗を調節して、前記複数の電流の組み合わせを生成する請求項１７から２５の何れか１項に記載の表示方法。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７】
【図１Ｂ】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−７６０９０（Ｐ２０１１−７６０９０Ａ）
【公開日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１９５７５（Ｐ２０１０−２１９５７５）
【出願日】平成２２年９月２９日（２０１０．９．２９）
【出願人】（５０８２２６６８７）和碩聯合科技股▲ふん▼有限公司 (29)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２９日（２０１０．９．２９）
【出願人】（５０８２２６６８７）和碩聯合科技股▲ふん▼有限公司 (29)
【Ｆターム（参考）】
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