【課題】優れたオン電流特性と、優れたオフ電流特性を兼ね備え、かつ歩留まりの向上が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、下層半導体層１１と、上層半導体層１２の間には、ソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄに開口部を有する絶縁膜４が形成され、開口部Ｈ１，Ｈ２を介して、下層半導体層１１と上層半導体層１２が接続される。下層半導体層１１のうち、少なくともソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄの間に配置されるチャネル領域１０Ｃ、及び開口部Ｈ１，Ｈ２と対向する領域のうちの前記チャネル領域から延設される少なくとも一部の領域は、多結晶半導体層であり、上層半導体層は、非晶質半導体層である。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化による表示パネルの破損を容易に抑制する。
【解決手段】表示面Ｄが湾曲するように変形させたガラス基板を有する曲面状の表示パネル３０と、表示パネル３０の少なくとも湾曲した一対の端縁部に密着するパネル保持部材３５とを備えた表示装置５０であって、パネル保持部材３５の熱膨張係数は、１７×１０^−６／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】 高抵抗である透明電極から低抵抗配線にコンタクトする場合のコンタクトホールにおいて、電力損失を低減しつつ、狭額縁化を図ることを目的とする。
【解決手段】 表示装置において、基板上に少なくとも薄膜トランジスタ、平坦化膜及び複数の発光素子が形成されており、発光素子には、少なくとも発光層と、第１の電極及び第２の電極を有している。この第１の電極と、第１電極よりも抵抗値の低い配線（ＧＮＤ配線又は電源配線）とを接続させるために、表示領域よりも外側の平坦化膜には複数の第１のコンタクトホール及び複数の第２のコンタクトホールが設けられており、第２のコンタクトホールは、表示領域から第１のコンタクトホールまでの距離に比べて遠距離に配置され、かつ第１のコンタクトホールよりも開口面積が小さい。 （もっと読む）

【課題】遮光部材を薄膜トランジスタ表示板に形成する場合、必要に応じて臨時に遮光部材を透明にする。
【解決手段】本発明が一実施形態による可変透明度を有する遮光部材は、重合性化合物、バインダ、及び臨界温度以下ではブラックを現わし、前記臨界温度以上では透明である熱変色物質を含む。 （もっと読む）

【課題】 既存のＳｉＮｘパッシベーション膜／アクリル系感光性有機絶縁膜の二重構造を一つの層に形成することにより、工程を単純化し、生産費を節減することができ、感度、解像度、工程マージン、透明性、耐熱変色性などの性能が優れると共に、特に低誘電率絶縁膜を可能にすることによって消費電力を低くすることができ、残像及びクロストーク、及びしきい電圧のシフト現象を防止することができ、また、優れた耐熱性による低アウトガスを可能にすることによって優れたパネル信頼性を確保することができ、これによって多様なディスプレイにおいてパッシベーション絶縁膜、ゲート絶縁膜だけでなく、平坦化膜などとしても有用に適用することができるポジティブ型感光性有機・無機ハイブリッド絶縁膜組成物を提供する。
【解決手段】 本発明によるポジティブ型感光性有機・無機ハイブリッド絶縁膜組成物は、ｉ）下記の化学式１で示される１〜３個のフェニル基を含む反応性シラン、（ii）下記の化学式２で示される４官能反応性シランのシラン単量体を触媒の存在下で加水分解及び縮合重合して得られたポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜２０，０００であるシロキサンオリゴマー化合物；（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物；及び（ｃ）溶媒を含むことを特徴とする。
【化１】


（式中、Ｒ₁はフェニル基であり、Ｒ₂はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルコキシ基、フェノキシ基、またはアセトキシ基であり、ｎは１〜３の整数である。）
【化２】


（式中、Ｒ₃はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルコキシ基、フェノキシ基、またはアセトキシ基である。）。 （もっと読む）

【課題】表示速度が向上し、反射率の安定性の高い表示素子を提供すること。
【解決手段】表示電極と対向電極を有し、その電極間に電解液を有し、該電解液が酸化還元反応により溶解及び析出する金属塩化合物を含有する表示素子において、該対向電極が酸化物微粒子により形成された多孔質構造体を含有し、該酸化物微粒子の表面が少なくとも１種の表面修飾剤で表面修飾されていることを特徴とする表示素子。 （もっと読む）

【課題】 発光素子を複数積層した有機発光装置において、コンタクトホールの傾斜部における電極間でのショート発生を低減することを目的とする。
【解決手段】 第１電極、第２電極、第３電極と、第１電極と第２電極に挟まれた少なくとも発光層を含む第１有機化合物層、第２電極と第３電極に挟まれた少なくとも発光層を含む第２有機化合物層と、第１有機化合物層の一部を除去したコンタクトホールを有する有機発光装置において、コンタクトホールの底部における第２有機化合物層の発光層の膜厚をｄ_１（ｎｍ）とし、コンタクトホールにおける第１電極と第２電極との間のなす角をθとした時、θ≦ｃｏｓ^−１（１５／ｄ_１）を満たす。 （もっと読む）

【課題】多様なディスプレイ装置を連結して構成したマルチディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】第１ディスプレイ装置１１０、第２ディスプレイ装置２１０及び透明プレート２５０を含むマルチディスプレイ装置。第２ディスプレイ装置は、第１ディスプレイ装置と少なくとも一部重なるように構成される。透明プレートは、第１ディスプレイ装置と第２ディスプレイ装置のうち、少なくとも一部を覆う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを他の目的の一とする。
【解決手段】ＩｎＭＯ_３（ＺｎＯ）_ｎ（Ｍ＝Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｏ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素、ｎは１以上５０未満の非整数）でありさらに水素を含む。この場合において、Ｚｎの濃度がＩｎ及びＭ（Ｍ＝Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｉ及びＡｌから選ばれた一又は複数の元素）よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有している。ここでｎの値は、好ましくは１以上５０未満の非整数、より好ましくは１０未満の非整数とする。 （もっと読む）

【課題】 装置構成を複雑にせず、駆動時の温度分布によって生じる表示ムラを補償する。
【解決手段】 発光体を有する複数の発光素子と、負の抵抗温度特性を有する同一の材料で形成された複数の抵抗体とを備え、前複数の抵抗体の各々と複数の発光素子の各々とが直列に接続された発光装置において、駆動時における温度が高い抵抗体の方が、駆動時における温度が低い抵抗体よりも、同一温度下において高い抵抗値を有する。 （もっと読む）

緊密に封止されたガラスパッケージを製造するためのフリットに使用するのに適した、アンチモンを含まないガラスについて記載される。ＯＬＥＤディスプレイ装置などの緊密に封止されたガラスパッケージは、第１のガラス基板プレートおよび第２のガラス基板プレートを提供し、アンチモンを含まないフリットを前記第１の基板プレート上に積層することによって製造される。ＯＬＥＤは、前記第２のガラス基板プレート上に積層されうる。次に、照射源（例えば、レーザー、赤外線）を用いて、第１のガラス基板プレートを第２のガラス基板プレートに接続し、ＯＬＥＤを保護するための緊密封止を溶融および形成するフリットを加熱する。アンチモンを含まないガラスは、優れた耐水性、良好な流れ、低いガラス転移温度および低い熱膨張率を有する。
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本発明は、透明導電性酸化物ディスプレイコーティング（ＴＣＯディスプレイ層）、詳細にはフラットパネルディスプレイ及び同様のものにおける透明コンタクトとして透明導電性酸化物ディスプレイコーティングを生成する方法に関する。ＴＣＯディスプレイ層は、水素含有プロセス雰囲気を用いて、亜鉛酸化物と付加的にアルミニウム、インジウム、ホウ素、窒素、リン、塩素、フッ素、又はアンチモン、又はこれらの組み合わせとを堆積することによって生成される。これらのＴＣＯ層は、ＩＴＯと比べて特に簡単でコスト効率のよい方法で実現できる。本発明のＴＣＯ層の特性は、高透過率及び低抵抗に関して、ＩＴＯとほぼ同程度に良好である。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層上に、ドレイン電極層またはソース電極層を形成した後、低抵抗な酸化物半導体層をソース領域またはドレイン領域として形成し、その上に半導体層として酸化物半導体膜を形成することを要旨とする。好ましくは、半導体層として酸素過剰酸化物半導体層を用い、ソース領域及びドレイン領域として酸素欠乏酸化物半導体層を用いる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させ、低消費電力化及び高輝度化が可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】自発光素子４０を備えたアレイ基板１００を備え、自発光素子４０は、第１電極６０と、第１電極６０より封止基板２００側に配置された第２電極６４と、第１電極６０と第２電極６４との間に保持された有機活性層６２と、を備え、有機活性層６２は、金属塩または有機塩を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタにおいて、水分などの不純物を混入させずに良好な界面特性を提供することを課題の一つとする。電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】ゲート絶縁層表面に酸素ラジカル処理を行うことを要旨とする。よってゲート絶縁層と半導体層との界面に酸素濃度のピークを有し、かつゲート絶縁層の酸素濃度は濃度勾配を有し、その酸素濃度はゲート絶縁層と半導体層との界面に近づくにつれて増加する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ系薄膜と導電膜が直接接続する構造を備えたものであって、該Ａｌ系薄膜と導電膜の接触抵抗の安定的低減が可能な表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にて、純ＡｌまたはＡｌ合金からなる薄膜（以下「Ａｌ系薄膜」という）と導電膜が直接接続する構造を有する表示装置の製造方法であって、前記Ａｌ系薄膜を形成する工程、該Ａｌ系薄膜上に絶縁膜を形成する工程、該絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程、および前記導電膜を形成する工程を含み、前記コンタクトホールを形成する工程の後であって前記導電膜を形成する工程の前に、または、前記導電膜を形成する工程において、前記Ａｌ系薄膜の急速加熱および／または急冷を行って該Ａｌ系薄膜上の自然酸化膜に亀裂を生じさせる工程を含むようにする。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられた順スタガ型（トップゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、半導体層よりもキャリア濃度の高いバッファ層を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】改良された特性を有する高温基体。
【解決手段】基体１０５は、120℃を越えるガラス転移点を有するポリマー基体であり、ポリマー基体に隣接する第１バリアスタック１１５を有する。バリアスタックは、少なくとも１の第１バリア層１０２と少なくとも１の第１ポリマー層１２５とを含む。第１のバリア層はスパッタリングや蒸着により積層され、第１バリアスタックの酸素透過速度は２３℃、相対湿度０％で、０．００５cc/m2/dayよりも低い。 （もっと読む）

【課題】バッファー膜、光熱変換膜を形成および除去する工程を経ることなく、ガラス基板上に形成した非晶質シリコン膜の所望の領域に直接、連続発振レーザ光を照射して微結晶シリコン膜に変換することにより、特性バラツキが小さく、特性の方向依存性のないトランジスタで構成された平面表示装置を製造する。
【解決手段】透明基板３１上に成膜した非晶質シリコン薄膜３３の所望の領域に、連続発振レーザ光を矩形状で均一なパワー密度分布を有するビームに整形し、連続発振レーザ光の照射時間（任意の点の通過時間）が０．５ミリ秒以上となる条件で定速走査しながらレーザ光３６を照射し、微結晶シリコン薄膜３４に変換する。このとき、照射するレーザ光の波長として、非晶質シリコンに対する浸透深さ（吸収係数の逆数）が非晶質シリコン膜の膜厚より大きく、かつ非晶質シリコンに対する吸収係数が結晶シリコンに対する吸収係数より大きい波長を選択する。 （もっと読む）

【課題】高温度域での温度膨張係数及び熱収縮率の双方が小さく、優れた耐熱寸法安定性を有するとともにフィルム表面平坦性に優れた耐熱性複合フィルムを提供する。
【解決手段】耐熱絶縁紙の両面に接着層を介して二軸配向ポリエステルフィルムが積層された少なくとも５層の層構成を有する複合フィルムであって、該複合フィルムの最外層は二軸配向ポリエステルフィルムであり、かつ（１）１００〜１８０℃における温度膨張係数（αｔ）がフィルムの長手方向および幅方向のいずれも−５ｐｐｍ／℃〜１５ｐｐｍ／℃の範囲であり、（２）２００℃×１０分における熱収縮率がフィルムの長手方向および幅方向のいずれも−０．２％以上０．２％以下で表される（１）及び（２）の特性を同時に満たす耐熱性複合フィルム。 （もっと読む）