【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状態）を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】外光があっても良好な表示を行ない得るタッチパネル付ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】ＥＬ素子を用いた表示装置であって、外側より順番に偏光板１１１、波長板１１２、１１３、タッチパネル１２０及びＥＬ表示部１３０を積層して配置したタッチパネル付ＥＬ表示装置とする。前記波長板１１２，１１３が１／２波長板１１２と１／４波長板１１３を積層したものである。前記タッチパネル１２０が空間部を介して対向している透明電極から形成されている。 （もっと読む）

【課題】発光輝度を高くするとともに発光寿命を長くすることができる発光表示素子を提供する。
【解決手段】本発明による発光表示素子１は、各々の互いに対向する面に電極３、４が形成された一対の基板２ａ、２ｂと、一対の基板２ａ、２ｂ間に挟持された発光層５とを備えている。このうち発光層５は、イオン液体１０と、このイオン液体１０中に溶解された発光物質１１と、イオン液体１０をゲル化するゲル化材料１２とを有している。ゲル化材料１２は、１以上の金属原子と２以上の酸素原子とから構成された酸化物微粒子からなっている。酸化物微粒子の平均一次粒子径は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素部に用いられる、高信頼性を有する、酸化物半導体膜を含むトランジスタを提供する。
【解決手段】第１のゲート電極と、第１のゲート電極の上に設けられた第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜の上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜の上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極、ドレイン電極及び酸化物半導体膜の上に設けられた第２のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜の上に設けられた第２のゲート電極と、第２のゲート絶縁膜の上に設けられた平坦性を有する有機樹脂膜と、平坦性を有する有機樹脂膜の上に設けられた画素電極と、を有し、酸化物半導体膜は二次イオン質量分析法で検出される水素原子の濃度が１×１０^１６ｃｍ^−３未満である表示装置である。 （もっと読む）

電気機械変調器及びそれを製造する方法が開示されている。一実施形態において、ディスプレイはボイドが形成されたメンブレン層を有する副画素を含む。ボイドは、メンブレン層の柔軟性が増加するように構成されることができる。副画素はさらに、観察者からボイドを隠すように構成された光学マスクを含むことができる。他の一実施形態において、ディスプレイは、少なくとも二つの可動反射体を含むことができ、それぞれの可動反射体は、異なる剛性を有するが、それぞれの可動反射体は、ほぼ同じ有効熱膨張係数を有する。
（もっと読む）

【課題】液滴が比較的炭素数の大きい飽和炭化水素である場合の表面電荷密度の減衰が長期にわたって抑制され、透明性にも優れたエレクトレットを備える液滴移動制御装置の提供。
【解決手段】共通電極３と、該共通電極上に設けられたエレクトレット４と、該エレクトレットに対向配置された複数の対向電極６ａ、６ｂと、前記エレクトレットと前記対向電極との間の静電エネルギーを制御する静電エネルギー制御手段と、前記エレクトレットと接する液滴７とを備え、前記エレクトレット上での液滴の移動を制御する装置であって、前記液滴が、温度２５℃、圧力１０^５Ｐａの条件下にて液体である炭素数１０〜１７の飽和炭化水素を含有し、前記エレクトレットが、前記共通電極側から、それぞれ特定の材料を含む層（Ａ）と層（Ｂ）とがこの順に積層された積層体に電荷を注入してなるものであることを特徴とする、液滴移動制御装置１。 （もっと読む）

【課題】本発明は、熱変色性素子及び熱変色性表示装置に関する。
【解決手段】本発明の熱変色性素子は、絶縁基板と、熱変色性構造体と、加熱構造体と、を備える。前記熱変色性構造体及び前記加熱構造体が前記絶縁基板に設置される。前記加熱構造体が、カーボンナノチューブ構造体を含み、該カーボンナノチューブ構造体が複数のカーボンナノチューブを含み、前記熱変色性構造体を加熱することに用いられる。前記熱変色性構造体が、４０℃以上の温度で非結晶状態及び結晶状態の変換できる変色材料であり、該変色材料の非結晶状態での光反射率と結晶状態での光反射率とが異なる。また、本発明は、熱変色性表示装置を提供する。該熱変色性表示装置が前記熱変色性素子を採用している。 （もっと読む）

本発明は、電気および／または電子部品（１０６ａ、１０６ｂ）と、デバイスの前面および背面を形成する２つの材料層（１０２、１０４）であって、部品は、それらの間にカプセル化され、さらに両方の材料層に面して置かれる少なくとも２つの対向面（１０８ａ、１０８ｂ、１１０ａ、１１０ｂ）を含む、２つの材料層（１０２、１０４）と、電気および／または電子部品の表面の１つに接して置かれる電気接触要素（１１２ａ、１１２ｂ、１１４ａ、１１４ｂ）と、弾性材料で作られかつ２つの材料層の１つと電気接触要素との間に置かれ、それ故に２つの材料層の前記１つを覆う弾性材料の第１の層を形成する要素（３０２）と、第１の層の弾性材料の剛性より小さい剛性を有する弾性材料で作られる第２の層（３０４）であって、さらに、弾性材料の第１の層に接して置かれる、第２の層（３０４）とを含む、電気および／または電子デバイス（３００）に関する。
（もっと読む）

【課題】ＵＶ吸収保護層を有する電子光学ディスプレイのシーリング材を硬化すること。
【解決手段】バックプレーン（１０２）と、電子光学材料の層（１１２）と、紫外放射線を吸収することができ、電子光学材料の層（１１２）の、前記バックプレーン（１０２）とは反対側に配置される保護層（１２８）とを備える電子光学ディスプレイ（１００）がエッジシール（１３０）とともに提供される。保護層（１２８）は電子光学材料の層（１１２）の範囲を超えて伸びており、したがって保護層（１２８）と前記バックプレーン（１０２）の間には周囲の隙間が残る。エッジシール（１３０）を形成するために、保護層（１２８）により伝わる放射線により硬化する未硬化のエッジシーリング材が隙間に配置され、保護層（１２８）から伝わる放射線により硬化する。 （もっと読む）

【課題】水素原子や炭素原子等の不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、該不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜方法を提供することを課題の一とする。また、該不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする
【解決手段】Ｈ_２Ｏに代表される水素原子を含む化合物や炭素原子を含む化合物、もしくは水素原子や炭素原子等の不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜装置を提供できる。また、該不純物の含有量が少ない薄膜を成膜する成膜方法を提供できる。また、該不純物の含有量が少ない酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】レーザのビームサイズ（幅）の限界によるレーザビームの幅間に発生するステッチングむらを防止することができる有機膜のパターニング方法を提供する。
【解決手段】転写層が形成された基板を提供する段階と、基材フィルム及び上記基材フィルム上に光熱変換層を含むドナー基板を提供する段階と、上記基板と上記ドナー基板をアラインメントする段階と、上記ドナー基板の基材層面にレーザを照射する段階とを含み、上記基材層面にレーザを照射する段階は、上記基板上に形成しようとするパターンに対応する領域を除いた領域の基材層面にレーザを照射することを特徴とするレーザ熱転写方法、それを用いた有機膜パターニング方法及び有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】銅を含む層とチタニウムを含む層とをエッチングする時に、非過水系のエッチング液を使用して工程の安定性を向上させる。
【解決手段】本発明は、薄膜トランジスタ表示板に対する発明であって、より詳細には、銅（Ｃｕ）とチタニウム（Ｔｉ）とをそれぞれ含む二重層配線に形成される薄膜トランジスタ表示板に関し、構造的にはチタニウムを含む層が銅を含む層より幅が広くて、チタニウムと銅とを共にエッチングする段階と、別にエッチングする段階とを含めて製造することを特徴とする。また、ゲート絶縁膜に段差が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低消費電力にする。
【解決手段】駆動トランジスタＴ１は、電源ＶＤＤから有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流を供給する。駆動トランジスタＴ１のソース端が前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの一端に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの他端は電源電位Ｖｓｓに接続され、かつ、前記駆動トランジスタの前記有機ＥＬ素子の表示単位面積当たりの相互コンダクタンスが１×１０^−１１（Ａ／Ｖ^２／ｍ^２）以上である。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置であって、上記腐食防止用塗料の塗布や剥離といった更なる工程を設けることなく、ピンホール腐食を防止することのできる表示装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタにおいて透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接続する構造を備えた表示装置であって、前記Ａｌ合金膜が、Ｎｉおよび／またはＣｏを０．１５原子％以下（０原子％を含まない）、Ｇｅを０．２原子％以上２．０原子％以下、およびＬａ、Ｇｄ、ＮｄおよびＹよりなる群から選択される１種以上の元素を０．０５原子％以上１．０原子％以下含有し、かつ、前記Ａｌ合金膜の表面において観察される腐食孔のアスペクト比（腐食深さ／腐食直径）が０．１２以下であることを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】遷移金属の酸化物からなる正孔注入層上に、アルカリ溶液を用いるフォトリソグラフィ法にてバンクを形成したときに、正孔注入層の溶解などによるダメージを抑制することを目的とする。それにより、高品質な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】遷移金属の酸化物からなる薄膜上に配置された感光性樹脂膜８２を、フォトリソグラフィプロセスにてパターニングして、有機樹脂層を形成する工程を含む、電子デバイスの製造方法であって、前記フォトリソグラフィプロセスにおいて用いる現像液は、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドと、強酸の塩とを含む水溶液であり、かつｐＨが１０．５〜１１．５である、電子デバイスの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性を有する酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】フッ素や塩素に代表されるハロゲン元素により、酸化物半導体層に含まれる水素や水分（水素原子や、Ｈ_２Ｏなど水素原子を含む化合物）などの不純物を、酸化物半導体層より排除し、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減する。ハロゲン元素は酸化物半導体層と接して設けられるゲート絶縁層及び／又は絶縁層に含ませて形成することができ、またハロゲン元素を含むガス雰囲気下でのプラズマ処理によって酸化物半導体層に付着させてもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ハンドリング性および屈曲性にも優れ、表示素子全体の厚み方向の位相差を制御することができ、液晶表示装置の薄型化が可能となる表示素子用基板を提供することである。
【解決手段】無機ガラスと、該無機ガラスの片側に形成された屈折率楕円体がｎｚ＞ｎｘ＝ｎｙの関係を有する第１の熱可塑性樹脂層および、該無機ガラスの他方の側に形成された屈折率楕円体がｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚの関係を有する第２の熱可塑性樹脂層とを有することにより、表示素子用基板の位相差を制御することができ、液晶表示装置に用いる場合には、積層する位相差板の数を低減することができる。さらに、無機ガラスの両側に熱可塑性樹脂層が形成されるので、ハンドリング性および屈曲性にも優れた表示素子用基板が得られる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた、表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板あるいは樹脂層上に無機膜を形成する場合において、前記無機膜にクラックあるいはしわの発生を回避させ、これによりＴＦＴ回路層を信頼性よく形成できる画像表示装置の製造方法の提供。
【解決手段】樹脂基板あるいは樹脂層の上面にＴＦＴ回路層が形成されている画像表示装置の製造方法にあって、
前記樹脂基板あるいは前記樹脂層の前記ＴＦＴ回路層が形成される面に無機膜を形成する工程を備え、
前記無機膜は、室温から前記樹脂基板あるいは樹脂層のガラス転移点（Ｔｇ）以下の温度で形成し、
前記ＴＦＴ回路層は、前記樹脂基板のガラス転移点（Ｔｇ）以上の温度で形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体層と電極の接続部に生じる寄生抵抗を抑制し、配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号書き込み不良や階調不良などを防止し、より表示品質の良い表示装置を代表とする半導体装置を提供することを課題の一つとする
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は酸素親和性の強い金属を含むソース電極、及びドレイン電極と、不純物濃度を抑制した酸化物半導体層とを接続した薄膜トランジスタと、低抵抗な配線を接続して半導体装置を構成すればよい。また、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを絶縁膜で囲んで封止すればよい。 （もっと読む）