【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が困難な酸化物半導体を活性層に用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】一対の第１の領域、一対の第２の領域及び第３の領域を有する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して設けられる一対の電極と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介し、一対の電極の間に設けられたゲート電極と、を有し、一対の第１の領域は一対の電極と重畳し、第３の領域はゲート電極と重畳し、一対の第２の領域は一対の第１の領域及び第３の領域の間に形成され、一対の第２の領域及び第３の領域には窒素、リン、または砒素のいずれかの元素が含まれており、該元素の濃度は、第３の領域より一対の第２の領域のほうが高い構成とする。 （もっと読む）

【課題】熱収縮率のばらつきの小さい無アルカリガラス基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】常温から１０℃／分の速度で昇温し、保持温度４５０℃で１０時間保持し、１０℃／分の速度で降温（図１に示す温度スケジュールで熱処理）したときの熱収縮率の絶対値が５０ｐｐｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＺＯ系酸化物半導体薄膜において、低温アニールによる低抵抗化が起こらず、成膜時の抵抗値と低温アニール後の抵抗値が同等となる組成を明らかとし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した製造方法を提供する。
【解決手段】構成元素の組成比をＳｎ:Ｇａ:Ｚｎ＝ａ:ｂ:ｃとした場合、組成比が、ａ＋ｂ＝２、且つ１≦ａ≦２、且つ１≦ｃ≦１１／２、且つｃ≧−７ｂ／４＋１１／４を満たす酸化物半導体薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程後、酸化性雰囲気中で１００℃以上３００℃未満の熱処理を施す熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な金属配線用膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてＸ群元素（Ｘは、希土類元素、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を３〜５０原子％、および／または酸素を０．２〜３．０質量％含有し、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなるＴｉ合金層（第１層）と、Ａｌ系膜からなる第２層とを含む積層構造を有することに要旨を有する配線用膜。 （もっと読む）

【課題】可撓性表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性表示装置の製造方法は、キャリア基板上に抵抗を有する導電物質を含む発熱部を形成する段階と、発熱部上に可撓性基板を形成する段階と、可撓性基板上に薄膜トランジスタを含む駆動回路部を形成する段階と、駆動回路部上に発光素子および封止部材を形成する段階と、発熱部に電圧を印加してジュール熱を発生させることによって可撓性基板に直接熱を加えて発熱部から可撓性基板を分離する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】曲げることが可能であり、しかも曲げによる基板間の剥れが生じにくく、実用上においてもロールツウロール法への適用など生産工程においても光学素子に対する曲げ、捩じりによる素子の破壊が生じにくい光学素子を提供する。
【解決手段】一対の可撓性を有する基板３，４間に光学効果を有する物質を狭持した曲げ可能な光学素子１０であり、一対の基板３，４間に光学効果を有する物質をシールする弾性率の異なるシール材を設け、光学素子の曲げ方向に沿って、弾性率の異なるシール材のうち、弾性率のより低いシール材を配置した。弾性率の異なるシール材のうち、少なくとも１つは硬化後の室温における弾性率が１ＧＰａ〜２０００ＧＰａの範囲である。また、弾性率のより低いシール材は硬化後の室温における弾性率が１ＭＰａ〜１０００ＭＰａの範囲である。 （もっと読む）

【課題】視認性の向上した有機発光ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】第１基板と；第１基板と対向するように配置された第２基板と；第１基板と第２基板との間に配置されて有機発光素子を含むディスプレイ部と；第１基板と第２基板との間にディスプレイ部を取り囲むように配置され、第１基板と第２基板とを接合させる密封材と；ディスプレイ部を覆うように密封材の内側に配置され、光変色性材料を含む充填材と；を備え、光変色性材料は、４７０ｎｍ〜４９０ｎｍ波長の光を吸収する第１光変色性材料、及び５５０ｎｍ〜５８０ｎｍ波長の光を吸収する第２光変色性材料を含む有機発光ディスプレイ装置。 （もっと読む）

【課題】白色の基板であって、高い光反射性と可撓性とを有し、更に耐熱性及び寸法安定性に優れた白色基板、並びに該白色基板を用いた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る白色基板は、白色の基板であって、透明樹脂の硬化物と、ガラス繊維と、光散乱性フィラーとを含有する。本発明に係る白色基板の波長５５０ｎｍにおける光反射率は７０％以上である。本発明に係る表示装置は、表示素子と、上記白色基板とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタ
を有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成す
る。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、
プラズマ（少なくとも酸素プラズマを含む）の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化
物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】画像表示装置の配線等として用いられる銅導電膜を形成する際に、生産性を大きく低下させることなく、段差構造体の最大線幅が最小線幅に対して４倍以上である場合においても均一なめっき高さでめっきを行ない、段差構造体間での抵抗ばらつきの小さい銅配線パターンを容易に形成できるようにする。
【解決手段】基材上に並列配置され、かつ最大線幅が最小線幅の４倍以上である複数の段差構造体を横断被覆する銅導電膜４の形成において、電解めっき液の液導電率を６０Ｓ／ｍ以上とし、かつ銅導電膜４の膜厚を段差構造体の最大高さに対して２倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】オフ電流の極めて小さい酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを適用することで、消費電力の極めて小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に加熱処理により酸素を放出する下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、基板を加熱処理する。次に、第１の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、該導電膜を加工してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に、第１の酸化物半導体膜を加工して第２の酸化物半導体膜を形成した直後にソース電極、ドレイン電極および第２の酸化物半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】
製造プロセスのステップ数を少なくでき、素子の構造が簡単でコストを抑制することが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ１００は、主面を有する基材１１０と、前記基材１１０の前記主面に対する積層方向に配設される遮光層１１１と、前記積層方向からみて、前記遮光層１１１に含まれるように設けられる有機半導体層１５０と、前記有機半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記積層方向からみて、前記有機半導体層１５０の外周において前記ソース電極１２０と前記ドレイン電極１３０と重畳しない溝部１６５が設けられたゲート絶縁層１６０と、前記積層方向からみて前記有機半導体層１５０を含むように、前記ゲート絶縁層１６０上及び前記溝部１６５に設けられるゲート電極１４０と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】作製工程を削減し、低コストで生産性の良い表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】トランジスタの、ゲート電極となる導電層、ゲート絶縁層となる絶縁層、半導体層、およびチャネル保護層となる絶縁層を連続して形成する。ゲート電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）と島状半導体層の形成を、一回のフォトリソグラフィ工程で行う。該フォトリソグラフィ工程と、コンタクトホールを形成するフォトリソグラフィ工程と、ソース電極及びドレイン電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程と、画素電極（同一層で形成される他の電極または配線を含む）を形成するフォトリソグラフィ工程の、４つのフォトリソグラフィ工程で表示装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】任意のアドレス行で切断することで、任意のサイズの表示装置を簡便に実現する。
【解決手段】少なくとも第２の配線５を駆動する第２の駆動回路７と画素ＰＸ（１，１），ＰＸ（１，２），…、ＰＸ（ｎ，ｍ）とを同一の基板１上に有した表示装置であって、第２の駆動回路７は検出線７３と判定回路７２と出力回路７４とを有した複数の単位回路７０から成り、出力回路７４は判定回路７２からの信号に従って出力信号を変えることを特徴とする表示装置。 （もっと読む）

【課題】液晶装置における表示領域の外側の遮光性を向上させる。
【解決手段】遮光膜５４は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、画像表示領域１０ａの外側に延びる周辺領域のうち額縁遮光膜５３が形成された額縁領域の外側に形成されている。データ線駆動回路１０１及び引き回し配線９０は、遮光膜５４に覆われている。引回配線９０は、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、及び上下導通端子１０６等とを電気的に接続している。遮光膜５４は、額縁遮光膜５３によって遮光しきれなかった入射光、及び当該遮光膜５３及び額縁遮光膜５４によってＴＦＴアレイ基板１側に反射された反射光を額縁領域の外側で遮光できる。 （もっと読む）

【課題】粒子充填部材の構成する弾性シート部材として厚さが２ｍｍ以下の弾性シート部材を用いた場合であっても、弾性シート部材とマスク表面との平行度調整を精確に行うことができ、粒子充填不良による不良パネルの発生のない情報表示用パネル製造時の粒子配置方法を提供する。
【解決手段】情報表示用パネル製造時の粒子配置方法であって、粒子群配置ステップを実行するに先立ち、粒子充填手段２３に固定された弾性シート部材２１とマスク表面との平行度調整を行うに際し、弾性シート部材の長さ方向の少なくとも２箇所について、弾性シート部材下端部の位置をレーザー装置３４、３５で求め、得られた位置情報に基づき、前記弾性シート部材下端部と前記マスク表面との平行度を調整する。 （もっと読む）

【課題】切断した際に発生する基板の変形を抑制し、張り合わせ時のパターンズレを防止するディスプレイ用ガラス基板を提供する。
【解決手段】短辺が３００ｍｍ以上、長辺が３０００ｍｍ以下の略矩形の面形状であり、かつ板厚が０．３ｍｍ以上、６ｍｍ以下のガラス基板であって、ガラス基板内の残留歪による、板厚方向で測定したときの基板面内の偏差応力が、基板内のすべての位置で０．３ＭＰａ以下であり、光弾性定数が２０〜４０（ｎｍ／ｃｍ）／（ＭＰａ）であり、１枚の基板中に複数面のパターンが形成され、半分に切断された後の最大変形が、応力方向が周囲圧縮である場合には２．６μｍ以下、応力方向が周囲引張である場合には１．９μｍ以下である高精細の用途のディスプレイ用ガラス基板である。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を低コストかつ高効率で作製することができ、基板の大面積化への対応も容易な透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の形成方法は、酸化インジウム錫化合物からなるＩＴＯ粒子を含有する導電性インク（Ｉｎｋ）を、その表面に所定のパターンのインク保持部が形成されたフレキソ印刷版１１に保持させる工程と、このフレキソ印刷版１１に、絶縁透光性基板１０を密着させ、上記インク保持部に保持された導電性インクを基板１０の所定位置に転写する工程と、この転写後に上記転写された導電性インクを加熱して、絶縁透光性基板１０上に、所定パターンの透明導電膜を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】開口率、発光効率及び寿命を向上させた発光装置を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上にある複数の多面構造体１１と、基板１０上にある複数の画素２０と、から構成され、画素２０が、互いに発光色が異なる複数の発光素子部（２１ｒ、２１ｇ、２１ｂ）を有し、前記発光素子部が、第一電極と、第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置される発光層と、を有し、前記発光素子部が、多面構造体１１の傾斜面上にあり、画素２０が、デルタ配列で配列されていることを特徴とする、発光装置。 （もっと読む）