【課題】高性能なフレキシブル半導体装置を提供すること。
【解決手段】金属箔から成る支持層、支持層の上に形成された半導体構造部、および半導体構造部の上に形成された樹脂フィルムを有して成るフレキシブル半導体装置。かかるフレキシブル半導体装置では、樹脂フィルムには開口部が形成されており、その開口部に半導体構造部の表面と接触する導電部材が形成されており、半導体構造部が半導体層および半導体層の表面に形成された絶縁層を有して成る。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いた、表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させることができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】明るい画像表示の可能な電子装置を提供する。また、信頼性の高い電子装置を提供することを課題とする。さらに、上記高輝度の画像表示が可能な電子装置の製造コストを低減するためのプロセスを提供することを課題とする。
【解決手段】スイッチング用ＴＦＴ及び電流制御用ＴＦＴを形成し、電流制御用ＴＦＴにＥＬ素子が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用ＴＦＴにゲート絶縁膜を挟んでゲート電極と重なるようにＬＤＤ領域を形成し、ゲート電極とＬＤＤ領域との間のゲート容量によりゲート電極にかかる電圧が保持される有効発光面積の大きい画素が得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属層とポリイミド層とが積層された可撓性を有する基板上にＴＦＴを作製した際に、金属箔表面の凹凸によるＴＦＴの電気的性能の劣化を抑制することができ、ＴＦＴの剥離やクラックを抑制することができるフレキシブルデバイス用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属箔と、上記金属箔上に形成され、ポリイミドを含む平坦化層と、上記平坦化層上に形成され、無機化合物を含む密着層とを有することを特徴とするフレキシブルデバイス用基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】効果的に不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜をキャパシタの電極として使用した有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の実施例による有機発光表示装置は、基板本体、前記基板本体上の同一層に形成された半導体層及び第１キャパシタ電極、前記半導体層及び前記第１キャパシタ電極上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜を間において前記半導体層上に形成されたゲート電極、そして前記ゲート絶縁膜を間において前記第１キャパシタ電極上に形成されて、前記ゲート電極と同一層に形成された第２キャパシタ電極を含む。そして、前記第１キャパシタ電極及び前記半導体層は、各々不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜を含み、前記第２キャパシタ電極は前記ゲート電極より相対的に厚さが薄い。 （もっと読む）

【課題】 ＣＦ_４、ＣＨＦ_３、Ｃ_２Ｆ_６等の地球温暖化の一因となるガスを用いずに、レジスト膜を良好にアッシングするレジスト膜の除去方法、およびそれを用いた表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ及び画素電極の上層側に成膜されたオーバーコート膜１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させる際のマスクとして前記オーバーコート層１２上にパターニングして形成されたレジスト膜２８を、前記オーバーコート層１２から前記画素電極の少なくとも一部を露出させた後にＣＯＦ_２またはＦ_２のいずれか一方と酸素ガスとを含む混合ガスを用いて除去する。 （もっと読む）

【課題】高分子ＥＬパネルを製造する際に、品質基準を満たさないものが発生した場合でも簡便な方法で基板を効率よく再生することができる薄膜トランジスタ基板の再生装置及び再生方法を提供すること。
【解決手段】薄膜トランジスタ基板上に少なくとも高分子ＥＬ層が形成された高分子ＥＬ層積層基板から前記高分子ＥＬ層を剥離して前記薄膜トランジスタ基板を再生する装置であって、少なくとも１つ以上の搬送ローラーと、前記搬送ローラーに対向して設置される少なくとも１つ以上の剥離ローラーと、を備え、前記高分子ＥＬ層積層基板は、回転する前記搬送ローラーと回転する前記剥離ローラーに挟まれ、前記搬送ローラーと前記剥離ローラーとの間を搬送され、前記剥離ローラー上に設けられた剥離手段によって前記高分子ＥＬ層が剥離されることを特徴とする薄膜トランジスタ基板の再生装置としたものである。 （もっと読む）

イオン交換性でありかつ少なくとも１つの粗面化表面を有するガラス物品。粗面化表面は、２０°の入射角で測定したときに９０未満の反射画像鮮明度ＤＯＩを有する。そのようなガラス物品を含むピクセル型ディスプレイシステムも提供する。 （もっと読む）

【課題】１つの画素セルサイズの１辺が０．１ｍｍを下回るリブ隔壁を備えるフラットパネルディスプレイ用の背面ガラス基板を精度良く製造する方法を提供する。
【解決手段】フリットガラスをリブ付背面ガラス基板のリブ隔壁パターン形状を転写した形状を備える金属型枠を用いて成形し、成型フリットガラスを常圧焼成／減圧焼成／常圧焼成の順番で少なくとも１回の減圧焼成を実施してリブ付背面ガラス基板形状物とし、リブ付背面ガラス基板形状物を常圧下で調質処理してリブ付背面ガラス基板を製造する方法を採用する。焼成と調質処理とは、非酸化性ガス置換雰囲気であれば、金属型枠にフリットガラスを充填したまま実施することもできる。 （もっと読む）

【課題】配線としての積層膜の電気抵抗を低減し消費電力も低減することができるようにする。
【解決手段】本発明は、絶縁性透明基板２上に回路配線を備えた電子装置用配線基板１において、回路配線は、銅と微量の添加元素とからなる配線本体５と、配線本体５の外周側に形成された、絶縁性透明基板に接している第１の被膜層６１と、絶縁性透明基板に接していない第２の被膜層６２とを有し、第１および第２の被膜層６１，６２は、膜厚みが異なるとともに、厚み大である被膜層６１は、透明な酸化物導電膜を形成しうる無機元素の酸化物と、添加元素の酸化物とを含む複合酸化物であり、第１および第２の被膜層６１，６２中の添加元素の濃度は、配線本体５中の添加元素の濃度よりも高い、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 広範囲にわたって全導電性領域に、断切れ及び上層配線層との間のリーク電流の発生のない、均一な膜厚の銅配線層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ガラス基板上に薄膜トランジスタ及び配線を有する半導体装置を製造する方法において、ガラス基板上に下地絶縁層を形成する工程と、前記下地絶縁層上に下地バリア層を形成する工程と、前記下地バリア層上にシード層を形成する工程と、前記シード層を前記配線に対応する形状にパターニングしてシード層パターンを形成する工程と、前記シード層パターンの表面に銅配線層を無電解めっき法で形成する工程と、前記銅配線層マスクとして前記下地バリア層をパターニングする工程と、前記銅配線層を被覆するように絶縁層を形成する工程とを備えたことを特徴する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 不良の発生が抑制されるフレキシブル表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態によるフレキシブル表示装置は、プラスチック物質で形成されたフレキシブル基板、前記フレキシブル基板の一方の面上に形成された表示素子、及び前記フレキシブル基板の他方の面の少なくとも一部の領域に結合された金属物質及び金属酸化物質のうちの一つ以上の物質を含む表面残留膜を含む。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、半導体層と例えばソース電極やドレイン電極を構成するＡｌ系膜とを安定して直接接続させることが可能であるとともに、ウェットプロセスで用いる電解質液中で、半導体層とＡｌ系膜との間でガルバニック腐食が生じにくく、Ａｌ系膜の剥離を抑制することのできる配線構造を提供する。
【解決手段】基板１の上に、基板１側から順に、薄膜トランジスタの半導体層４と、半導体層４と直接接続するＡｌ合金膜６と、を備えた配線構造であって、半導体層４は酸化物半導体からなり、Ａｌ合金膜６は、Ｎｉおよび／またはＣｏを含む。 （もっと読む）

【課題】透明基板との高い密着性、および低い電気抵抗率を有する、Ｃｕ合金膜を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】透明基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、前記合金膜は、Ｚｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｗ，ＮｂおよびＭｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を合計で２〜２０原子％含むＣｕ合金からなる第一層（Ｙ）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層（Ｙ）よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる第二層（Ｘ）と、を含む積層構造を有し、前記第一層（Ｙ）が前記透明基板と接触している表示装置である。 （もっと読む）

【課題】ガラスフィルムの表面品位が良好であるにもかかわらず、ガラスフィルムを順次引き出す際に、剥離による帯電が生じ難いガラスロールを創案することにより、可撓性デバイスの表示特性や生産性等を高めること。
【解決手段】本発明のガラスロールは、フィルム厚２００μｍ以下のガラスフィルムをロール状に巻き取ったガラスロールであって、ガラスフィルムの誘電率が７以下であり、且つ平均表面粗さＲａが１０Å以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

ピクセル情報を搬送する光を移送するための光導波路１１を画定するディスプレイ基板と、ディスプレイ基板上に配置されるチップレットであって、ディスプレイ基板とは別個のチップレット２２基板、選択された制御波長における光導波路からの光に応答してピクセル情報を与える光センサー１９２、ピクセル情報に応答して制御信号を与える選択回路１６及び制御信号に応答する駆動回路１７を有し移送される光を受信するように構成される、チップレットと、コントローラーからのピクセル情報を、選択された制御波長における光として光導波路の中に送信する光送信機と、表示エリア内、又は表示エリア上に位置し、駆動回路に応答して光を与える表示光学素子１８とを有する、ディスプレイデバイス。
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【課題】ガラスフリットを使用することなく、薄肉でガスバリア性に優れ、ガラスフリットの焼結工程を省略することができ、有機ＥＬ素子の発光特性が損なわれるのを防止し、１回のみの加熱工程で封止可能な素子封止体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板ガラス３と、該基板ガラス上に載置された素子４と、該素子４を封止する保護ガラス２とを含む素子封止体１であって、前記基板ガラス３と前記保護ガラス２とが、加熱により直接接着していることを特徴とする素子封止体とする。好ましくは、前記保護ガラス２及び前記基板ガラス３の夫々の接触面側の表面粗さＲａは２．０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】側面からの水分の浸入を効果的に遮断し、マイクロカプセル表示層への水分の浸入によるマイクロカプセル表示層の特性の劣化を効果的に防止する。
【解決手段】基板６上に第１の接着層４を介して配置されたマイクロカプセル表示層３、マイクロカプセル表示層側に透明樹脂膜２上に第２の接着層７を介して被着され、透明樹脂膜の側面から側方に突出して、透明樹脂膜及びマイクロカプセル表示層の側面において基板との間に空隙を形成する透明樹脂膜よりも大きなサイズを有する透明樹脂保護膜８、透明樹脂保護膜上に形成された機能層１１、及び空隙に充填された、幅１〜１．５ｍｍの水蒸気遮断性樹脂層９を具備し、透明樹脂保護膜は、１００μｍを超え、２５０μｍ以下の厚さを有し、かつガスバリア物質を含み、水蒸気遮断性樹脂層は、熱又は紫外線の照射により硬化したアクリル系樹脂、メタクリル系樹脂又はエポキシ樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】高い反射率および低い接触抵抗を有しており、しかも、ヒロックなどの欠陥を生じることのない耐熱性にも優れた反射電極を提供する。
【解決手段】基板１上に形成される表示デバイス用の反射電極２であって、前記反射電極は、０．０５〜２原子％のＮｉ及び／又はＣｏ、並びに０．１〜２原子％のＮｄを含有する第１のＡｌ−（Ｎｉ／Ｃｏ）−Ｎｄ合金層２ａとＡｌとＯ（酸素）を含有する第２のＡｌ酸化物層２ｂと、を有している。上記Ａｌ酸化物層は透明画素電極３と直接接続しており、前記Ａｌ酸化物層中のＯ原子数とＡｌ原子数との比である［Ｏ］／［Ａｌ］が、０．３０以下であり、前記Ａｌ酸化物層の最も薄い部分の厚みが、１０ｎｍ以下である。上記反射電極は、前記Ａｌ酸化物層と前記透明画素電極とが直接接続する領域において、前記透明画素電極と前記基板との間に形成されている。 （もっと読む）