【課題】電界放出型バックライトユニット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部基板１１０と、下部基板１１０上に形成される複数のカソード電極１１２と、下部基板１１０及びカソード電極１１２上にライン形態に形成される複数の絶縁層１１４と、絶縁層１１４上に形成される複数のゲート電極１１６と、絶縁層１１４間のカソード電極１１２上に形成されるものであり、電子放出物質からなる少なくとも一つのエミッタ１３０と、を備える電界放出型バックライトユニット。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを利用した電界放出電極及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたＺｎＯ層と、ＺｎＯ層上に形成されたカーボンナノチューブとを具備するカーボンナノチューブを利用した電界放出電極である。これにより、ＺｎＯ層上に形成したシングルウォールカーボンナノチューブを有する電極を電界放出素子に適用し、駆動電圧を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブが均一に分散された高効率の電子放出材料及びその製造方法、電子放出材料が形成された基材、電子放出装置を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出材料の製造方法は、エラストマー３０に、単層カーボンナノチューブまたは２層カーボンナノチューブ４０を混合させ、かつ剪断力によって分散させて炭素繊維複合材料１を得る工程を含む。炭素繊維複合材料１は、単層カーボンナノチューブまたは２層カーボンナノチューブ４０を４〜１６体積％含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層カーボンナノチューブが均一に分散された高効率の電子放出材料及びその製造方法、電子放出材料が形成された基材、電子放出装置を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出材料の製造方法は、エラストマー３０に、多層カーボンナノチューブ４０を混合させ、かつ剪断力によって分散させて炭素繊維複合材料１を得る工程を含む。炭素繊維複合材料１は、多層カーボンナノチューブ４０を８〜１６体積％含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、電界放出素子の選択的位置制御を用いた電界放出ディスプレイの製造方法およびその電界放出ディスプレイに関する。さらに具体的には、本発明は、電極構造が形成される前に、電子放出源としての炭素ナノチューブの位置を決定して均一に成長させ、感光性レジストを用いて、選択的に均一に形成された前記炭素ナノチューブを画素単位に区分するスペーサを直接電極上に形成することにより、画素間の相互干渉現象である漏話を防止し且つ均一な電子放出によって画素の均一度を向上させることができる、電界放出素子の選択的位置制御を用いた電界放出ディスプレイの製造方法および電界放出ディスプレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】電子波の干渉を起こす電界放出冷陰極や電子源およびその作成方法を提供する。
【解決手段】電界電子放出冷陰極は、導電性の陰極基部と、前記陰極基部の上に形成され、細長い先端を備える導電体とを備える。前記導電体の先端が複数の突起部からなり、この複数の突起部は１０ｎｍ以下の間隔で配置されている。 （もっと読む）

【課題】第２電極開口部と絶縁層開口部を互いに位置を合わさせて、より精密に形成できる電子放出デバイスと、その製造方法及びこれを用いた電子放出ディスプレイを提供する。
【解決手段】第１基板２２上に順次形成される第１電極１２、絶縁層１４と、第１電極１２上に形成される電子放出部２０と、第１電極１２と対向し、電子放出部２０の開口部を有する第２電極１６と、を含む電子放出デバイスの製造方法において、第２電極１６上にマスク層を形成する段階と、第２電極１６を１次エッチングして第２電極開口部１６１を形成する段階と、絶縁層１４を湿式エッチングし、絶縁層１４上面に第２電極開口部１６１より大きい幅の絶縁層開口部１４１を形成する段階と、第２電極１６の中で露出した部位を２次エッチングして、第２電極開口部１６１を拡張する段階と、マスク層１８を除去する段階と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】カソード電極層とアノード電極層との間でのショートが防止され、電子放出効率が高く、かつ複数の画素の発光の均一性が高い電界電子放出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔６は、少なくとも絶縁層２を貫通する部分においてカソード電極層１１ｂに向かって除々に幅または径が大きくなっている。貫通孔６内においては、複数のカーボンナノチューブ７が触媒層５の内側面から貫通孔２の側面に沿って延びている。複数のカーボンナノチューブ７の先端がゲート電極層３ａの内側面の近傍の位置から下方または斜め下方に向かって延びるラインＬに沿って切り揃えられている。 （もっと読む）

【課題】 ＣＮＴが具備する電子放電特性を損なうことなく、ＣＮＴが基板から剥離しない電子放出用基板の簡易な改質方法を提供する。
【解決手段】 ＣＮＴ集合体を配置した基板に、エネルギー１０ｋｅＶ以上２０ｋｅＶ以下で単位面積当たりの全照射電荷量０．１ｍＣ／ｍｍ²以上５０ｍＣ／ｍｍ²以下の低エネルギー電子線を照射して、ＣＮＴ間及びＣＮＴと基板とを固着させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子放出素子及びその製造方法に関し、特にカーボンナノチューブを利用する電子放出素子及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は先端を有する導電基材と、第一端部及び第二端部を有するカーボンナノチューブと、金属膜と、を含む。前記カーボンナノチューブの第一端部は前記導電基材の前記先端に接続され、前記カーボンナノチューブの第二端部は前記導電基材の前記先端から延伸する。前記金属膜はカーボンナノチューブの表面及び、前記カーボンナノチューブに隣接する前記導電基材の前記先端の一部に形成される。 （もっと読む）

【課題】エミッタ層を損傷させることなく露出させることができる電界電子放出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】エミッタ層３上に所定のエッチング条件におけるエッチング速度が異なる２種類以上の物質の緩衝層４を形成する。次に、基板１の主表面、カソード電極層２、エミッタ層３、および緩衝層４を覆うように層間絶縁層５を形成する。その後、層間絶縁膜５を貫通する貫通孔１０２を形成した後、２種類以上の物質のうちの少なくとも１種の物質を含む残留物１０３が残存するように、緩衝層４をエッチングする。次に、エミッタ層３から残留物１０３を引き剥がす。 （もっと読む）

【課題】従来より低い電圧で電子放出が可能な電子放出源が、より低コストで得られるようにする。
【解決手段】電子放出源１０は、鉄（Ｆｅ）を主成分とした合金材料から構成された基板１１と、基板１１に設けられた複数の貫通孔１２と、基板１１の表面に形成されたカーボンナノチューブからなる電子放出層１３とから構成されたものである。電子放出層１３は、基板１１に設けられた貫通孔１２の貫通孔壁１４にも形成されている。基板１１は、例えば、厚さ０．０５〜０．２０ｍｍに形成され、幅０．０５〜０．２ｍｍの方形の貫通孔１２がマトリクス状に設けられて格子状とされたものである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブなどの炭素材料中に不純物として含まれるアモルファスカーボンや金属微粒子などをこの炭素材料に損傷を与えることなく選択的に除去して精製を行うことができる炭素材料の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブなどの炭素材料を水蒸気および／または塩化水素を含む雰囲気中に保持することにより精製を行う。水蒸気および／または塩化水素を含む雰囲気は例えば２５０℃以上６５０℃以下の温度に加熱し、あるいは紫外線などの電磁波を照射し、圧力は例えば０．１気圧以上１０気圧以下とする。保持時間は例えば１０分〜１０時間とする。炭素材料をＣＶＤ装置の反応室で成長させ、続いてこの反応室で炭素材料の精製を行うようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】従来のエッチング技術やリソグラフィー技術とは全く異なる新規な方法によって簡便かつ安価な電界放出素子を製造する方法と、従来にはない材質、形状を有する電界放出素子を提供する。
【解決手段】原子番号が２４〜４８である遷移金属、その酸化物及びその硫化物よりなる群から選ばれる金属からなり、ハニカム状に整列した孔及びピラー構造を有する金属製薄膜と、半導体層を有する平板または導電体層及び蛍光体層を有する平板とを有し、該金属製薄膜と該平板とが非接触的に平面方向に近接してなる電界放出素子。 本発明の電界放出素子は、従来とは異なる材質から形成され、優れた電圧−電流特性を有している。また、本発明の電界放出素子は、非水溶性ポリマーからなるハニカム状多孔質体を鋳型とした無電解鍍金によって形成される金属製薄膜を使用するものであり、従来法に比べて簡便かつ安価に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】電子放出源の形成用組成物、これを利用して製造された電子放出源、該電子放出源を含む電子放出素子、及び前記電子放出源の製造方法を提供する。
【解決手段】２０℃ないし２５℃の温度及び０．０１ｌ／ｓないし１００ｌ／ｓの測定条件下での揺変性値が１０，０００Ｐａ／ｓないし５０，０００Ｐａ／ｓであるか、または２０℃ないし２５℃の温度、１Ｐａないし１０Ｐａ及び０．０５Ｈｚないし１００Ｈｚの測定条件下での粘弾性（ｔａｎδ、粘度係数／保存係数）値が２ないし５である電子放出源の形成用組成物、これを利用して製造された電子放出源、電子放出源を含む電子放出素子、及び電子放出源の製造方法。これにより、電子放出源の形成用組成物は、印刷特性及びレベリング特性が優秀であるので、工程安定性が確保されて電子放出素子内の電子放出源の形成に効果的に使われうる。 （もっと読む）

【課題】放出される電子量を均一にすることが可能な電子放出素子、電子放出素子の製造方法及び電子放出素子を有する表示装置を提供する。
【解決手段】画像表示装置１は、電子放出素子１０とこの電子放出素子から放出された電子により発光する表示部３０とを備えている。電子放出素子１０は、カソード基板１１と、該カソード基板１１上に形成された導電層１２〜１４と、これら導電層１２〜１４上に形成された絶縁層１５と、絶縁層１５上に形成されたゲート電極１６〜１８とを備えている。絶縁層１５及びゲート電極１６〜１８にはエミッタ孔１９が形成され、エミッタ孔１９における導電層１２〜１４上にはカーボン層２０が一様に形成されている。カーボン層２０は、表示部３０に向かってＹ方向に起立してブラシ状に成長した多数のＣＮＴ２１で構成されている。 （もっと読む）

【課題】平形カソードの製造に利用される、特定の物理的特性を示す電界放出膜を提供すること。
【解決手段】電界放出カソードとして用いられる炭素膜（７０３）は、基板（８０３）上の薄い炭素膜の層である。炭素膜は、２５〜１６５ｃｍ^-1の半値全幅値（ＦＷＨＭ）を有する、１５７８ｃｍ^-1〜１６２０ｃｍ^-1の範囲のＵＶラマンバンドを有する。炭素膜は、３００ナノメートルより薄くてもよい。膜が堆積される基板は、導電性、非導電性のどちらでもよい。非導電基板の場合、基板は、連続的な導電層または導電性材料の緻密な網構造のいずれかでコーティングされ得る。 （もっと読む）

【課題】励起エネルギーが小さい場合においても高い電子放出効率を実現することが可能な電子放出装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１１上に形成され、ＳｉＣ基板１１表面に対して垂直方向に配向化された複数のカーボンナノチューブから構成されたカーボンナノチューブ層１２と、カーボンナノチューブ層１２上に形成され、カーボンナノチューブ層１２と接触するＭｇＯ層１３と、カーボンナノチューブ層１２と接続されたオーミック電極１７と、ＭｇＯ層１３との間に空隙１４を挟んでＭｇＯ層１３に対向するように配置された電極１５と、オーミック電極１７と電極１５との間に電圧を印加する電圧源１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクパターニング工程数を減らし、電界放出素子の製造歩留まりを高めることのできる電界放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板10上にカソード層12、第１絶縁層14ゲート電極層16、保護層18を形成する段階、保護層及びゲート電極層の所定領域をエッチングし、複数の第１開口ホールを形成、第１絶縁層の一部領域を露出させる段階、開口ホールと保護層を埋め込む第２絶縁層24を形成する段階、この上にフォーカス電極層26を形成する段階、フォトレジスト層を形成、パターニング、エッチンして第１開口ホールの各列に対応するサイズに第２開口ホールを形成し、第２絶縁層の一部領域を露出させる段階、この露出面から第１絶縁層の底面までエッチングし、カソード層の一部領域を露出させるエミッタホールを形成する段階、フォトレジストを除去、カソード層の露出面上に電子放出エミッタを形成する段階を含む電界放出素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を含むペーストと基材との濡れ性を改善することができ、このペーストを用いて形成された塗膜に塗布斑が生じる虞がなく、均質な塗膜を得ることができ、さらには、エミッタのエミッション特性に優れた電界電子放出素子を得ることができるＣＮＴ含有ペーストとＣＮＴ膜の製造方法及びＣＮＴ膜並びに電界電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明のＣＮＴ含有ペーストは、ＣＮＴと、有機溶媒と、二価アルコールおよび／または三価アルコール等の界面活性剤と、エチルセルロース等の有機高分子とを含有してなることを特徴とする。 （もっと読む）