【課題】容易に微細パターンを形成することができるパターン状電子源の製造方法、パターン状電子源を提供する。
【解決手段】表面が導電性を有する第１の基板２上に第１のパターン５を形成し、当該第１のパターン５に沿って１または２以上の第１のエミッタ１０を設けて第１のフィールドエミッション部１を形成するステップと、前記第１のエミッタ１０から電子線を照射して表面が導電性を有する第２の基板１６上に第２のパターン１８を形成し、当該第２のパターン１８に沿って１または２以上の第２のエミッタを設けて第２のフィールドエミッション部１５を形成するステップとを備え、前記第２のフィールドエミッション部１５を複数形成してパターン状電子源２５を製造する。 （もっと読む）

【課題】電子源を駆動するための電圧を印加するゲート−カソード間のリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】表面に凹部を有する絶縁部材と、絶縁部材の表面に、凹部に対向させて配置されたゲート電極と、凹部の縁に配置され、ゲート電極に向けて突起する突起部分を有するカソードと、を含む電子放出素子の製造方法であって、凹部を設ける工程と、凹部の縁にゲート電極に向けて突起する凸部を設けた後にカソードを設ける工程と、をこの順で実施することを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】長期にわたって連続して駆動できる電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、開口部を有する絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記開口部を挟んで第１電極と対向するとともに、その一部が前記絶縁層と重なるように配置された第２電極と、第１及び第２電極と前記絶縁層との間に配置され、絶縁性微粒子及び導電性微粒子で構成された微粒子層と、を備え、第１電極と第２電極との間に電圧を印加し、第１電極から放出される電子を前記微粒子層で加速させて第２電極を透過するように構成したことを特徴とする電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 放電破壊耐圧が向上し、放出電流性能に優れた電子放出源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出源は、基板２と、基板２上に配置されたカソード電極３と、カソード電極３上に配置され、カソード電極３を露出させるように複数のエミッタホール７が配置された絶縁層４と、絶縁層４を介して配置され、エミッタホール７と連通した開口部８が形成されたひさし部９を有するゲート電極５と、カソード電極３上のエミッタホール７領域に配置された電子放出部６とを備える。露出したカソード電極３表面は凹部３３を有する。 （もっと読む）

【課題】 動作電圧を低減し、安定した放出電流が得られる電子放出素子を得る。
【解決手段】 基板上に、第１絶縁層と、第１絶縁層とは異なる材料からなる第２絶縁層と、電極とを、この順で積層する工程と、第２絶縁層の側面をエッチングして、第１絶縁層の側面に連続した第１絶縁層の上面を露出させる工程と、硼化ランタンの多結晶膜を、第１絶縁層の上面と側面とに渡って形成する工程と、を有し、多結晶膜を構成する結晶子のサイズを２．５ｎｍ以上とし、かつ、多結晶膜の膜厚を１００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】触媒薄膜にダメージを与えることのない製造プロセスで容易に製造可能で、従来よりも径の細い炭素系微細繊維を備えた冷陰極素子を提供すること。
【解決手段】冷陰極素子１０は、ガラス基板１１と、ガラス基板１１上に形成されたカソード電極層１２と、カソード電極層１２上に順次形成されたグラニュラー触媒薄膜１３、第１保護層１４及び第２保護層１５と、カソード電極層１２上に形成された絶縁層１６と、絶縁層１６上に形成されたゲート電極層１７と、電界に応じて電子を放出する炭素系微細繊維１９とを備え、第１保護層１４をアルカリ性のエッチング液で溶解することができる材料で形成し、グラニュラー触媒薄膜１３にダメージを与えることのない製造プロセスで、従来よりも径の細い炭素系微細繊維１９を成長させる構成を有する。 （もっと読む）

【課題】効率的に電界を集中させて電子を放出し、低い駆動電圧で高いエミッション電流密度を実現するフィールドエミッション装置等を提供する。
【解決手段】フィールドエミッション装置１０１は、導電体からなるカソード層１０２と、カソード層上に配置される絶縁層１０３と、絶縁層１０３上に配置され、スリット１０６を設けた導電体からなるゲート層１０４と、エミッタ１０５と、を備え、絶縁層１０３は、当該スリット１０６から、カソード層１０２において当該スリット１０６に対向する対向領域１０８に至る空隙が設けられ、エミッタ１０５は、当該対向領域１０８上に配置された複数の、典型的には単層乃至３層の細いカーボンナノチューブが絡み合った棘状の突端を有する構造体からなる。 （もっと読む）

【課題】工程数の増加を最小限に抑えつつ、電子放出素子の高精細化が可能な電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上にカソード電極２０を形成する工程と、（ｂ）前記カソード電極上に、カソード電極の一部が露出するようパターニングされた犠牲層５２を形成する工程と、（ｃ）前記パターニングされた犠牲層および露出したカソード電極の上に電子放出物質層を形成する工程と、（ｄ）前記犠牲層と前記犠牲層上の電子放出層を除去する工程を含む電子放出素子の製造方法であって、前記犠牲層が画像反転レジストによって形成されることを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】材料にガラスを用いた基体上にＴａＮ（６方晶）、αＴａ、銅がこの順形成された溝配線構造の場合、配線と基体との間で十分な密着強度が得られない場合があった。
【解決手段】本発明は、ガラスからなる基体上に銅配線が形成された、配線基板であって、銅配線が、Ｔａ₂Ｎ膜、αＴａ膜、および、銅あるいは銅を主成分とする合金からなる膜がこの順に形成された積層構造であることを特徴とする配線基板である。 （もっと読む）

【課題】 放出電子の集束性が向上し、製造プロセスの簡易化が可能となる電子放出装置及び電子放出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出装置は、基板２と、基板２上に配置された第１電極３と、第１電極３上に第１絶縁層４を介して配置され、第１電極３を選択的に覆うとともに、第１電極３を露出させるように複数の第１開口部１３が配置された第２電極６と、第２電極６上に配置された保護層７と、保護層７上に第２絶縁層８を介して配置され、第１開口部１３と連通するように第２開口部１４が配置された第３電極９と、第１電極３上の第１開口部１３領域に配置された電子放出部５とを備える。 （もっと読む）

本明細書では、特に高周波応用のための三極管型電界放出デバイス（１１）が開示される。このデバイスは、陰極電極（１２）、陰極電極（１２）から間隔を空けられた陽極電極（１４）、陽極電極（１４）と陰極電極（１２）との間に配列された制御ゲート電極（１３）、および少なくとも電界放出先端部（１９）を有する。陰極電極（１２）、制御ゲート電極（１３）、および陽極電極（１４）は、電界放出先端部（１９）の三極管区域（１１ａ）においてオーバーラップし、電界放出先端部と連携して三極管区域において電子ビームを生成するように動作可能である。陰極電極（１２）、制御ゲート電極（１３）、および陽極電極（１４）は、三極管区域（１１ａ）の外側でオーバーラップせず、それぞれの線（ｘ，ｙ，ｚ）に沿った主となる長手方向を有する。これらのそれぞれの線（ｘ，ｙ，ｚ）の各々は、相互に関して非ゼロの角度で傾斜している。
（もっと読む）

【課題】輝点の強度や形状変化を生じ難い電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１上に電極２，３を形成し、該電極２，３間を連絡する導電性膜を形成し、該導電性膜に電圧を印加して間隙６を形成した後、絶縁性基板１にＸ線、紫外線、電子線の少なくともいずれかを照射して該基板表面を正電位に帯電させ、次いで、炭素を含む雰囲気下で導電性膜４，５間に電圧を印加して上記間隙６及びその周囲の是つん正基板１表面に炭素膜７を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】導電性膜の間隙長が長く、十分な量の電子放出が得られ、特性バラツキの少ない電子放出素子を製造する。
【解決手段】導電性膜２を屈曲部７を有するＶ字形状とし、間隙５を形成する工程においてＶ字の内側の点Ｂに電流を集中させてより低消費電力で、該点Ｂを基点に間隙５を形成する。 （もっと読む）

【課題】電界放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁層及びゲート電極を囲繞するように保護層を蒸着した後、絶縁層及びゲート電極の上部にのみ保護層が残存するようにパターニングする第１段階と、ウェル及び開口部を充填して保護層状に積層されるように炭素ナノチューブペーストを塗布する第２段階と、基板の背面から光を照射して炭素ナノチューブペースト及び保護層を露光させた後、現像して露光されていない炭素ナノチューブペースト及び保護層をリフトオフして炭素ナノチューブカラムを形成する第３段階と、炭素ナノチューブカラムを焼結して高さを低めた後、表面処理して炭素ナノチューブカラムの表面に炭素ナノチューブチップが整列される電界放出源を形成する第４段階と、を含むことを特徴とする三極構造を有する炭素ナノチューブを備えた電界放出素子の製造方法である。 （もっと読む）

陰極構造（１２）、陰極構造（１２）から離間された陽極構造（１３）および制御格子（１５）を含み、陰極構造（１２）および陽極構造（１３）は個別に形成されると共にスペーサ（１４）を挿設して一緒に接合され、ならびに、制御格子（１５）が陽極構造（１２）に組み込まれている、高周波、冷陰極、三極管タイプ、フィールドエミッタ真空管が本明細書において開示されている。
（もっと読む）

【課題】十分な量の電子を安定的に電界放射することが可能で容易に製造可能な電界放射素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】絶縁基板１０の上面に一方向に延びる複数の壁部１１が所定間隔ごとに平行に形成されている。各壁部１１の一方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のカソード層２１が形成されている。各壁部１１の他方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のゲート層２２が形成されている。隣接する壁部１１に形成されたカソード層２１とゲート層２２との間は互いに分離され、電気的に絶縁されている。絶縁基板１０の上方に、所定間隔を隔てて透明基板５０が支持枠６０を介して配置されている。透明基板５０の下面には、壁部１１、カソード層２１およびゲート層２２に対向するように蛍光体層３０およびアノード層４０が絶縁基板１０側からこの順に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板上に、一対の電極を有する電子放出素子を複数個と、該電子放出素子を駆動するためのマトリクス配線とを備えた電子源の製造方法において、放電が生じた場合の、周囲の電子放出素子への影響を抑制する。
【解決手段】一対の電極の一方４と第１配線１０とを接続する接続電極７が表面に露出しないように、第１配線１０と第２配線６とを絶縁する層間絶縁層８と、該層間絶縁層８上に積層される第１配線１０によって該接続配線７を覆う。 （もっと読む）

【課題】従来のものよりも簡便に制御性よく信頼性及び電子放出特性を改善することができる冷陰極素子の製造方法及びこれを用いた冷陰極素子を提供すること。
【解決手段】冷陰極素子１０は、基板１１と、基板１１上に形成されたカソード電極１２と、カソード電極１２上に形成された絶縁層１３と、絶縁層１３上に形成された電子引出電極１４と、電子を放出する炭素系微細繊維１５とを備え、炭素系微細繊維１５は、酸素活性種によってトリミング処理が施された後、水素ガス中において活性化処理が施される構成とした。 （もっと読む）

【課題】 カーボン系エミッタ作製による電極間に堆積した導電性物質の除去。
【解決手段】基板Ｓ上に、カソード電極１１、絶縁層１２及びゲート電極１３を順次積層し、次いで、このゲート電極１３にゲートホール１３ｂを形成した後に、このゲートホール１３ｂを介して絶縁層１２にホールを形成し、その後、このホール底部に触媒層１５を形成し、この触媒層１５に炭素原子含有ガスを接触させてカーボン系エミッタ１６を成長させてなるカソード基板の作製方法において、基板表面に紫外線照射して、カーボン系エミッタ成長時に基板表面の触媒層以外の場所（例えばゲート電極間）に生成された導電性物質１７を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子収束に優れたゲート電極と収束電極とが同一平面に形成されたカソード基板及びその作製方法、並びに表示素子及びその作製方法の提供。
【解決手段】 本発明のカソード基板は、基板上に形成されたカソード電極と、絶縁層と、エミッタと、２以上のゲートホールが形成されたゲート電極と、該ゲート電極と同一平面に形成された収束電極とを備えたカソード基板において、各ゲート電極は、他の２つのゲート電極とそれぞれの端部で接続され、収束電極は、該端部以外の各ゲート電極の周囲を包囲するように形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）