【課題】電子放出量の低減を抑制し、且つ、静電容量が低減された電子放出素子、該電子放出素子を有する電子線装置及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子は、上面、側面、及び、上面と側面との間に形成された窪み部を有する絶縁部材と、側面上に配置され、且つ、側面と窪み部の境界部分に位置する電子放出部を有するカソード電極と、上面上に配置され、且つ、端部が電子放出部と対向するゲート電極と、を有する電子放出素子であって、電子放出部が位置する境界部分は、上面と平行な方向の凹凸を有する。 （もっと読む）

【課題】熱的励起によらずに電子を電子放出材料から放出させる冷陰極構造を具備し、上記の高速正イオンによる電子放出材料の損傷を防止し、電子放出特性の劣化を防ぐことのできる電子放出装置及び、かかる電子放出装置を用いて長寿命化を実現できる電子放出型電子機器を提供することである。
【解決手段】カソード電極１の表面に対向して距離Ｌ１を隔てて、電子引出し電極２が配置されている。カソード電極１及び電子引出し電極２には夫々、カソード貫通孔６、貫通孔７が穿設されている。ＣＮＴ含有炭素系粉材料からなる電子放出材料４がアノード電極３から見たときのカソード電極１の裏側の面にカソード貫通孔６に近接又は突き出て堆積形成されている。電子引出し電極２とカソード電極１により生じた電界によって電子放出材料４から電子をアノード電極３に向けて放出させる。 （もっと読む）

反応炉の上流部に位置させたハロゲン化コバルトを含む第１先駆物質、反応炉の下流部に位置させたゲルマニウムを含む第２先駆物質、反応炉の下流部に位置させた基板を不活性ガス雰囲気で熱処理して、基板上にｘが０．０１以上０．９９未満の値を有する単結晶体のＣｏ_ｘＧｅ_１−ｘナノワイヤが形成される。また、基板としてグラフェンまたは高配向熱分解性黒鉛基板を用い、基板上に対して垂直配向性を有し、均一なサイズの高密度ゲルマニウムコバルトナノワイヤ構造体を提供することにより、ゲルマニウムコバルトナノワイヤを電界放出エミッタとして、ゲルマニウムコバルトナノワイヤが形成された基板を電界放出ディスプレイの陰極パネルの透明電極として使用できる。 （もっと読む）

【課題】放熱性を十分に確保しつつ、電子親和力が低いことにより、高輝度を達成するとともに加熱温度を抑えてエネルギー幅を抑制することが可能な電子放射陰極、当該電子放射陰極を備えた電子顕微鏡および電子ビーム露光機を提供する。
【解決手段】引出電極との間に電圧が印加されることにより、電子を放出する電子放射陰極９１は、本体部９６と、本体部９６から突出する先細形状の先鋭部９７とを備えている。本体部９６および先鋭部９７はダイヤモンド単結晶からなっている。そして、先鋭部９７の表面上には、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で表され、ドナー不純物を含むｎ型ＡｌＧａＮ層９８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄いエミッタ材層の一部を起立させてエミッタを作製する際に、基板上に段差を発生させることがなく、もって信頼性の高い電界放出素子を提供できる電界放出素子用エミッタの作製方法を提案する。
【解決手段】基板10上の局所的な部位に、少なくとも周側面の一部が斜面21になった犠牲層丘20を形成する。基板10上及び犠牲層丘20上にエミッタ材層30を形成する。エミッタ材層30のパターニングにより、犠牲層丘20の斜面21に乗っている部分に、先端に電子放出端31を有するエミッタ構成用パタン32を形成する。犠牲層丘20を除去し、エミッタ構成用パタン32の電子放出端31が基板10から浮いた片持ち梁構造を作る。片持ち梁構造を基板に垂直な方向に向けて起立させてエミッタとする。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコン粒子を核に持ち、高耐性で表面積が広く、プロセス適性に優れたナノ炭素材料複合体とその製造方法並びにそれを用いた電子放出素子と面発光素子等の電子デバイスを提供する。
【解決手段】ナノ炭素材料複合体１は、酸化シリコン粒子２と酸化シリコン粒子２の表面に直接或いは金属又は金属化合物を介して形成したナノ炭素繊維３とからなる。ナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子は、基体上に設けた導電層と、酸化シリコン粒子に直接又は金属若しくは金属化合物を介してらせん構造を有するナノ炭素材料およびファイバー状ナノ炭素材料を形成してなるナノ炭素材料複合体とを含み、ナノ炭素材料複合体が導電層上に設けられ、強電界により電子を放出する。この電子放出素子を用いて面発光素子を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】電子放出源形成用水系組成物及びこれを利用した電子放出源を提供する。
【解決手段】カーボン系化合物、ケイ酸化合物及び水を含む電子放出源形成用水系組成物である。これにより、電子放出源形成用水系組成物で所望のパターンを鮮明に形成させ、該組成物で製造した電子放出源は、残留炭素がほとんどないので、エミッションの性能及び寿命が向上する。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子放出を安定して得られる電子放出素子、電子源、及び電子線装置を提供する。
【解決手段】電子顕微鏡２０に用いられている電子源１０Ａでは、仕事関数が３．０ｅｖ以下であるダイヤモンドを陰極部４２に用いることで、陰極部４２から真空中に電子が容易に電界放出可能となる。また、電子放出部４８の先端５２が、炭化チタンからなる導電層４４により覆われているので、電子放出部４８の先端５２における電圧降下が抑制され、電位が一定に保たれる。したがって、電子源１０Ａでは、十分な量の電子放出を安定して得ることができる。導電層４４は、厚さ２０ｎｍ以下に抑えられており、導電層４４自体に起因する陰極部４２の仕事関数の増加は回避されている。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンド微粒子を用いた表面微細構造製造方法と、この微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料Ｐ１の試料表面にナノダイヤモンド微粒子Ｐ２を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸Ｐ３を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低電界でビーム収束した電子放出を実現し、低電圧で高効率な電子放出が可能で、製造プロセスが容易な電界放出型の電子放出素子、電子源、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子の製造方法は、絶縁性または半導電性の層を備えた基体を予め用意する工程と、水素を含む中性ラジカルを含む雰囲気に前記層を曝す工程とを有し、当該絶縁性または半導電性の層が金属粒子を含有していること、当該絶縁性または半導電性の層が炭素を主成分とすること、当該水素を含む中性ラジカルが、Ｈ・、ＣＨ_３・、Ｃ_２Ｈ_５・、Ｃ_２Ｈ・、または、それらの混合気体であること、当該水素を含む中性ラジカルの濃度が、当該雰囲気中の荷電粒子の濃度と比較して１０００倍以上であること、及び、当該雰囲気に当該絶縁性または半導電性の層を曝す工程は、バイアスグリッドを設けたプラズマ装置を用いて、水素終端を施す工程であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ディスプレイ及び高効率ランプ分野に適用可能な電界放出素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明は、基板とアノードが具備され、ディスプレイ分野と高効率ランプに使用する電界放出素子の製造方法において、基板の上部に金属触媒をコーティングする段階と；前記金属触媒をシリコンと反応させて金属シリサイド層を形成する段階と；前記金属シリサイド層の上に金属拡散でシリサイドナノワイヤーを成長させる段階；とを含んでなる。本発明は、ドーピング過程と尖った形状を作るための過程を省略して、生産工程の短縮で生産費を節減することができ、少ない電圧で放出電流を増大させることができて性能の向上を図り、物理的蒸着と化学的蒸着方法すべてを適用してシリサイドナノワイヤーを成長させることができるので、適用範囲を拡張させることができる。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の製造方法、電子放出素子及び電子放出素子を備えた発光装置を提供する。
【解決手段】基板上で一方向に沿って互いに距離をおいて離隔配置された複数の第１電極と、前記一方向に沿って前記第１電極の間に配置される複数の第２電極を平行に交互に形成し、隣接する前記第１電極と前記第２電極の間で電子放出層を形成し、前記電子放出層の一部を除去して電子放出層間にピッチを形成する電子放出素子の製造方法及び当該製造方法で製造された電子放出素子である。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＤなどの用途への使用が期待できる新規なマイクロ・ナノ構造体、及び自己組織化を利用したマイクロ・ナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】銅酸化物からなり、外径に対する長さの比であるアスペクト比が１．５以上で、半導体特性を有し、内部が中空なナノチューブであることを特徴とするマイクロ・ナノ構造体。及び、低真空中で金属銅の表面に高エネルギービームを照射して、励起した銅原子と低真空中に残留する酸素原子とを結合させつつ、自己組織化によって、内部が中空なナノチューブを製造することを特徴とするマイクロ・ナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子放出源、電子放出源形成用組成物、前記電子放出源の製造方法、および前記電子放出源を備えた電子放出素子を提供する。
【解決手段】炭素系物質と、下記化学式（１）等で表されるシリコン系物質からなる群より選択される少なくとも１種のシリコン系物質を、硬化および熱処理した後の結果物と、を含む電子放出源、電子放出源形成用組成物、前記電子放出源の製造方法、および該電子放出源を備えた電子放出素子を提供する。
（もっと読む）

【課題】空乏層を備えないため、高性能であり、設計の自由度が高い電子源装置およびそれを備えた撮像装置を提供する。
【解決手段】電子源装置１０は、第１絶縁体７と、第１絶縁体７上に形成された、互いに平行な複数のエミッタライン２と、エミッタライン２上に絶縁層３を介して形成されている、エミッタライン２と直交する互いに平行な複数のゲート電極４と、エミッタライン２どうしの間に配置され、第１絶縁体７と絶縁層３と接している第２絶縁体６と、エミッタライン２とゲート電極４とが交差する箇所に配置されたセグメント８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出現象を利用しつつ簡便なプロセスで作製できるモジュールを提供し、発光デバイスとしてディスプレイのみならず広範囲な分野において活用を図ることを目的とするものである。特に、高効率電子放出特性を有し、長寿命を持つエミッタ材料を提供し、また、低温で再現性に優れたエミッタ加工プロセスも提供する。
【解決手段】透明導電ガラス及び有機蛍光体薄膜からなるアノード基板と、半導体基板及び電界電子放出材料薄膜からなるカソード基板と、アノード基板とカソード基板とを対向して配設させ、基板間の空隙を高真空雰囲気に保持させるスペーサと、アノード基板とカソード基板と間に電界を印加させる電圧印加回路とを有し、基板間の空隙を真空チャネル領域として、基板間に電界を印加することにより電界電子放出材料薄膜からの電子を有機蛍光体薄膜に注入させて発光させることを特徴とする電界放出発光デバイス。 （もっと読む）

【課題】 相分離した膜であって、少なくとも膜の表面において、一方の物質が面内方向に規則的に並ぶナノシリンダー構造を有する薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１上に、少なくとも表面に規則的なラメラ構造を有する層を形成する工程と、表面上にシリンダー構造体を形成する工程と、を備える。さらに、規則的なラメラ構造を有する層を形成する工程の際に、基板１を薄膜形成面と垂直な方向を回転軸として、略９０°回転させる。 （もっと読む）

【課題】電界放出ナノ構造（１８）がマイクロ放電装置の動作を支援するようにしたマイクロ放電装置を提供する。
【解決手段】上記電界放出ナノ構造は、上記マイクロ放電装置の中に組み込まれ、又は上記マイクロ放電装置の電極（１４，１６，３６，３８）の近くに配置される。上記電界放出ナノ構造は、上記電界放出ナノ構造を欠く以外は全く同一な装置に比べ、動作電圧及び点火電圧を低減し、同時にまた上記マイクロ放電装置の放射出力を増加させる。 （もっと読む）

本発明は、金属下層上にナノ構造体を成長させる方法およびそれを作る方法を提供する。請求の範囲の方法に基づいて成長されたナノ構造体は、電子線描画器および電界放出表示装置のような電子デバイスを作製するのに適している。 （もっと読む）

【課題】 2種の材料間で化合物を形成し得る場合において相分離構造をもつナノメートルサイズのラメラ構造と呼ばれる膜状構造体を提供する。
【解決手段】 Si及びGeの双方を除く元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)との間の化合物を含む第一の部材１００と、元素ＡとSi_nGe_1-n(ここで0≦n≦1)のいずれか一方を含む第二の部材１０１とで構成される構造体。第一及び第二の部材１００，１０１はいずれも基体１０４上に形成された柱状部材である。第一及び第二の部材１００，１０１の一方の横断面形状の長軸方向の平均直径Dlと短軸方向の平均直径Dsとの比Dl/Dsが５以上である。 （もっと読む）