【課題】良好な透明性を有する電子放出用素子を含んでなる光発生装置、並びに、その製造方法を提供する。
【解決手段】透明な電子放出用素子を含んでなる光発生装置であって、前記透明な電子放出用素子が、透明基材、及び前記透明基材上に配置された突起、を備えること、前記突起が、可視光を散乱させない大きさを有すること、並びに前記透明基材と前記突起とからなる部材上の、少なくとも前記突起が配置されている領域の露出面である突起配置面が導電性を有すること、を特徴とする光発生装置。 （もっと読む）

【課題】閾値電界が従来よりも低減され、より優れた電界電子放出特性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カソード電極上にＢＣＮ薄膜１０，１５が形成される電子デバイスであって、ＢＣＮ薄膜の組成を膜内で変化させることにより、ＢＣＮ薄膜とカソード電極の界面でのポテンシャル障壁高さが低くされると共に、膜表面での電子親和力が小さくされる。ＢＣＮ薄膜中のＣの組成比が、表面側に比べてカソード電極側で大きいか、ＢＣＮ薄膜中のＮの組成比が、カソード電極側表面側に比べて表面側で大きい。この電子デバイスの製造方法であって、基板上に、化学気相合成法により、炭化水素および窒素を含むガスを用いてＢＣＮを薄膜状に堆積させる際、堆積の初期から終期に至る間で、原料ガス中の炭化水素の組成比や流量を減少させてＣの組成比を調整するか、原料ガス中の窒素の組成比や流量を増加させてＮの組成比を調整する。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊が発生し難いと共に、容易で安価に製造でき、安定かつ良好な量の電子放出が可能な電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に、絶縁体微粒子５を含み、かつ導電微粒子を含まない電子加速層４を有する。電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に電圧を印加すると、電子加速層４で電子を加速させて、薄膜電極３から電子を放出する。 （もっと読む）

【課題】触媒薄膜にダメージを与えることのない製造プロセスで容易に製造可能で、従来よりも径の細い炭素系微細繊維を備えた冷陰極素子を提供すること。
【解決手段】冷陰極素子１０は、ガラス基板１１と、ガラス基板１１上に形成されたカソード電極層１２と、カソード電極層１２上に順次形成されたグラニュラー触媒薄膜１３、第１保護層１４及び第２保護層１５と、カソード電極層１２上に形成された絶縁層１６と、絶縁層１６上に形成されたゲート電極層１７と、電界に応じて電子を放出する炭素系微細繊維１９とを備え、第１保護層１４をアルカリ性のエッチング液で溶解することができる材料で形成し、グラニュラー触媒薄膜１３にダメージを与えることのない製造プロセスで、従来よりも径の細い炭素系微細繊維１９を成長させる構成を有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出密度を比較的均一化させることが可能な電界放出型電極の製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出膜が形成された電界放出型電極に加湿処理を施した上で、電界放出型電極と対向する電極との間にパルス電圧を印加する。パルス電圧に対応して電子放出膜上に付着した水分子が吸着、離脱を繰り返す。これにより、電子の放出強度が弱い領域、電子が放出されない領域からも電子が放出されるようになり、電界放出型電極の電子放出密度のムラを比較的均一化させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子を安定的に電界放射することが可能で容易に製造可能な電界放射素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】絶縁基板１０の上面に一方向に延びる複数の壁部１１が所定間隔ごとに平行に形成されている。各壁部１１の一方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のカソード層２１が形成されている。各壁部１１の他方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のゲート層２２が形成されている。隣接する壁部１１に形成されたカソード層２１とゲート層２２との間は互いに分離され、電気的に絶縁されている。絶縁基板１０の上方に、所定間隔を隔てて透明基板５０が支持枠６０を介して配置されている。透明基板５０の下面には、壁部１１、カソード層２１およびゲート層２２に対向するように蛍光体層３０およびアノード層４０が絶縁基板１０側からこの順に設けられている。 （もっと読む）

【課題】電子放出材料自体の劣化の少ない構造・構成を有し、コンパクトで薄型かつ低コストな電子放出素子を提供する。
【解決手段】本発明の電子放出素子１０では、電子放出材料として窒化ホウ素材料１３を用い、該窒化ホウ素材料を形成する基板１１として、金属材料または半導体材料を用いた。これにより、基板上に良質の窒化ホウ素材料を得ることができる。また、同材料に電子を放出する際の電圧印加を行うことが可能となり、かつ、電子を供給することができる。また、窒化ホウ素材料１３としてＳｐ^３結合性窒化ホウ素を用い、さらには、Ｓｐ^３結合性窒化ホウ素として、Ｓｐ^３結合性５Ｈ−ＢＮ材料又はＳｐ^３結合性６Ｈ−ＢＮ材料を使用することにより、従来にない高効率の電子放出特性が得られる電界電子放出素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】従来より低い電圧で電子放出が可能な電子放出源が、より低コストで得られるようにする。
【解決手段】電子放出源１０は、鉄（Ｆｅ）を主成分とした合金材料から構成された基板１１と、基板１１に設けられた複数の貫通孔１２と、基板１１の表面に形成されたカーボンナノチューブからなる電子放出層１３とから構成されたものである。電子放出層１３は、基板１１に設けられた貫通孔１２の貫通孔壁１４にも形成されている。基板１１は、例えば、厚さ０．０５〜０．２０ｍｍに形成され、幅０．０５〜０．２ｍｍの方形の貫通孔１２がマトリクス状に設けられて格子状とされたものである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの電界放出に関する物性を改善した、カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】本願発明に係るカーボンナノチューブの製造方法は、ＺｎＯの突起物を有するカーボンナノチューブの製造方法であって、基板を形成する工程、上記基板の表面にカーボンナノチューブを成長させる工程、上記カーボンナノチューブにＺｎＯを絶縁保護コーティングする工程、ＺｎＯでコーティングされた上記カーボンナノチューブをアニールする工程、上記アニールによって、カーボンナノチューブの表面にＺｎＯの突起物を形成する工程を含む製造方法である。
【効果】ＺｎＯの突起物がカーボンナノチューブ上に形成されることによって、カーボンナノチューブの電界増幅係数を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜、その製造方法及びこれを用いた低電圧動作可能な冷陰極表面構造に利用できる安定で優れた電子放出特性を示すダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】
電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜であって、ダイヤモンド基板上に、マイクロ波CVD法によってメタンと水素のガス及びリン雰囲気中で，ダイヤモンド膜を成長させるに際して、リン添加源として、ターシャルブチルリンを用い、リンを濃度10¹⁵cm^-3以上含有し、抵抗率が10⁷Ωcm以下であり、電子放出開始電圧が30V以下であることを特徴とするリン添加ダイヤモンド膜の製造方法及びそれを用いたダイヤモンド電子源。
【採用図面】 図2 （もっと読む）

【課題】 配向性カーボンナノチューブ膜の表面に垂直方向に微小口を有する構造体を積層することにより、低電圧で均一な電子放出を可能とする、電界放出型冷陰極の製造方法を提供する。
【解決手段】 配向性カーボンナノチューブ膜を保持基板から電極基板に転写する工程と、導電層および絶縁層から成る二層構造体に垂直方向の開口を施す工程と、該配向性カーボンナノチューブ膜の表面に該二層構造体の該導電層側を設置する工程を含む、電界放出型冷陰極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性のバラツキが少なく、電子放出量の「ゆらぎ」が抑制された電子放出素子を提供する。
【解決手段】 酸化シリコンを含む第１部分と第１部分に並設された高い熱伝導率を有する第２部分とを備えた基体上に、間隙を備える導電性膜を配置し、第１および第２部分が導電性膜に比して高抵抗とし、間隙を第１部分の上に配置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板材料の選択範囲が広く、フィールドエミッタの均一性が良好で、炭素ナノチューブの利用効率が高い炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタは、基板と、該基板に成長された複数の炭素ナノチューブのマトリックスのシートと、を含む。前記炭素ナノチューブのマトリックスのシートは、第一端部及び該第一端部に対向する第二端部を有する。前記第一端部は炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタの電子放出端部として、前記基板から離れるように設置される。前記第二端部は、前記基板に電気的に接続される。本発明は、炭素ナノチューブのマトリックスを利用するフィールドエミッタの製造方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】大電流を得ることのできる電子放出源、及びそれを陰極部に用いたマグネトロンを提供すること。
【解決手段】熱ＣＶＤ装置内に一酸化炭素及び水素ガスの混合ガスを導入し、ガス雰囲気中にてステンレスの平均結晶粒径が４０μｍ以下である陰極基板１０を４５０〜６００℃に加熱し、陰極基板１０の表面にガスを反応させることで、陰極基板１０の表面に存在するＮｉあるいはＦｅなどを核として陰極基板１０の表面にグラファイトナノファイバーを成長させグラファイトナノファイバー薄膜１１を形成し電界電子放出源を構成した。 （もっと読む）

【課題】高密度化および小型化が可能な電子源装置を提供する。
【解決手段】電子源装置１０は、Ｓｉ基板１上にマトリックス状に配置された複数の電子放出部４と、この電子放出部４を制御するための、互いに直交する複数のエミッタライン３および複数のゲートライン８とを有している。また、複数のエミッタライン３の各々を囲うように素子分離領域２が設置され、複数のエミッタライン３の各々にはコンタクトホール３ａが形成され、素子分離領域２によって囲まれた領域外には、複数のエミッタライン３の各々に対応する複数のエミッタライン用実装電極７が設置され、複数のエミッタライン用実装電極７の各々に接続された配線６は、コンタクトホール３ａを介して、複数のエミッタライン用実装電極７の各々に対応する複数のエミッタライン３と接続されている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤー形態の金属シリサイドを備えるＳｉベースの物質層及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のグレインを備え、グレイン境界に金属シリサイドが形成されたＳｉベースの物質層である。また、Ｓｉベースの基板に所定厚さの非晶質層を形成する工程と、非晶質層に所定の金属イオンをドーピングする工程と、金属イオンがドーピングされた非晶質層をアニーリングする工程とを含むＳｉベースの物質層の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 電子放出素子のリーク電流を低減し、また、電子放出素子を連続して駆動した時のリーク電流の増加を抑制する。更に、消費電力の低減および駆動回路のコストを低減する。
【解決手段】 絶縁体１の表面上において互いに対向するように配置された、一対の導電性膜を有する電子放出素子であって、前記絶縁体１が、ハロゲンを含む酸化シリコンであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】細長いカーバイドナノ構造を製造する方法において、基材に複数の空間的に離隔した触媒粒子を施工する。
【解決手段】空間的に離隔した触媒粒子及び基材の少なくとも一部を、予め選択された温度で、基材と触媒粒子の少なくとも１個との間に無機ナノ構造を形成させるのに十分な時間にわたって、含金属蒸気に曝露する。無機ナノ構造を、予め選択された温度で、無機ナノ構造を炭化するのに十分な時間にわたって、含炭素蒸気源に曝露する。 （もっと読む）