電子放出器が、導電性の電極への付着層により付着した触媒クラスターの蒸気から、原位置での成長により形成される。このエミッターは、低い電界強度と高い電流密度で電子を放出する半球状体のナノファイバークラスターで構成され、離したギャップ全体に間隔をおいて配置された陽極上での電子と蛍光性や燐光性の薄膜との相互作用によって明るい光が生成される。ナノファイバーは、ナノファイバークラスターがもつれる形で成長することができ、個々のナノファイバーの動きが制限される。
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【課題】ゲート電極と電子放出源との距離が設計値に近い値に維持されるため均一な電子放出特性を得ることができ，過露光による電子放出源とゲート電極とのショート現象を防止できる電子放出源，その製造方法及びそれを採用した電子放出素子を提供する。
【解決手段】カーボン系物質及びＵＶ遮断性物質を含む電子放出源と，それを採用した電子放出素子。該電子放出源形成用の組成物はＵＶ遮断物質を含有していて，電子放出源チップの尖鋭度を制御しやすい。該電子放出源形成用の組成物を利用すれば電子放出源形成工程の余裕度が高くなり，該組成物から形成された電子放出源は，ゲート電極と電子放出源との間の距離が設計値ほど一定に維持されて均一な電子放出特性を表し，過露光によるゲート電極とのショート現象などの問題点を未然に予防できる。また，該電子放出源を利用すれば，信頼性が向上した電子放出素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】炭素利用型電子放出材について、低抵抗、高機械強度、高耐熱性および高熱伝導性を実現し、極めて良好な充分な電子放出能を長時間に渡って得ることにある。
【解決手段】 炭素利用型電子放出材としてのカーボンナノチューブ２と基板３との間に形成した炭化物であるＴｉＣ５により、カーボンナノチューブ２と基板３とを固溶接合したことを特徴とする、基板への炭素利用型電子放出材の接合構造である。 （もっと読む）

【課題】ゲート調節電子放出素子アレイパネル、これを備えるアクティブマトリックスディスプレイ及びこれの製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート調節電子放出素子アレイパネルは、第１の電極および第１の電極と絶縁されて互いに離隔されて配置され、第１の電極とオーバーラップされる電子放出領域を画定する一対の第２及び第３の電極を含む。これにより、電子放出領域を構成する電極の間の距離を数ｎｍスケールより長く形成できて製造が容易であり、製造コストを減少させることができ、大量生産が可能なものにできる。 （もっと読む）

本発明は、金属下層上にナノ構造体を成長させる方法およびそれを作る方法を提供する。請求の範囲の方法に基づいて成長されたナノ構造体は、電子線描画器および電界放出表示装置のような電子デバイスを作製するのに適している。 （もっと読む）

電解放出装置（1）は、例えば電解放出型ディスプレイ（FED）において電子放出の際に利用される。電解放出先端部（40）は、電解放出装置（1）の電子放出に用いられる。電解放出装置（1）の作動中、電解放出先端部（40）に電気的に接続された第1の電極（4）と、第2の電極（34）の間に電圧が印加されると、電解放出先端部（40）は、電子を放出する。電解放出先端部（40）を構成するため、第1の電極（4）が提供された基板（2）には、液体材料の層が設置される。液体材料の層は、パターン化されたスタンプによってエンボス加工された後に硬化処理され、電解放出先端構造部（20）が形成される。電解放出先端構造部（20）上には、導電性薄膜（38）が設置され、第1の電極（4）と電気的に接続された電解放出先端部（40）が形成される。
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本発明は、電界放出電極基板（１）と、電界放出電極基板上に配置された複数のエミッタ粒子（２）と、を有する電界放出電極を製造する方法であって、前記エミッタ粒子（２）をエアゾール化されたエミッタ粒子として搬送ガス流中に分散するステップと、エミッタ粒子（２）を電気的に荷電するステップと、電界放出電極基板（１）と蒸着電極（１０）との間の電界を少なくとも１つの出口（１４）近くに維持しながら、搬送ガス流中の荷電されたエミッタ粒子を、出口を介して、電界放出電極基板（１）の方向に向け、然る後、荷電されたエミッタ粒子（２）を電界放出電極基板（１）上に蒸着し且つ付着するステップとを含む。
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【課題】 ナノカーボン先端の電界強度を大きくすることができ、従ってナノカーボン特有の優れた高電流密度耐性や高電界耐性を生かすことができるナノカーボンエミッタと、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基体７と絶縁層８とゲート電極層９とが順次積層され、ゲート電極層９及び絶縁層８を設けた基体７に達する開口部５が設けられ、開口部５内の基体７を開口に向かってメサ形状に突出させたエミッタ下地層６を有し、エミッタ下地層６上にナノカーボン１０を有する。エミッタ下地層６の高さを高くすることによって、ナノカーボン１０先端の電界強度を大きくする。 （もっと読む）

【課題】電流制御機能を搭載することで動作電圧を上昇させずに局所的な大電流を抑え、電流変動を最小限に低減し且つ低コスト化及び大面積化を容易とし、スイッチング用電極をゲート電極とは別に設けて駆動電圧の低下と回路コスト低減を図り、電流制御機能のない従来素子と同様に容易に作製できるようにする。
【解決手段】絶縁性基板１の同一平面上に第１の導電層２と第２の導電層３が半導体薄膜層４により形成されたＴＦＴチャンネルＡを介して互いに直接接触しないように設けられ、該半導体薄膜層上には絶縁層５が設けられ、第２の導電層上には半導体薄膜層と絶縁層のないゲート孔Ｂが設けられ、該絶縁層上のゲート孔周囲にゲート電極層７、チャンネルＡの上側相当部に第３の導電層６が設けられ前記絶縁層５をゲート絶縁層として機能させる。 （もっと読む）

【解決手段】 先端部が先鋭化され、かつ上記先端部表面が金属状態をなすニオブ金属又はタンタル金属からなる針状基体の上記先端部に耐酸化性金属からなる金属層が積層された針状部が形成されてなることを特徴とする金属針構造体。
【効果】 本発明によれば、電子光学装置用電子ビーム源などにおいて要求される清浄な金属表面を有するニオブ金属又はタンタル金属からなる金属針を与える金属針構造体を、簡便な操作により製造することができると共に、この金属針構造体から、従来の酸化物の除去に必要とされていた温度に比べて低温の加熱により、従来にない極めて清浄なニオブ金属又はタンタル金属の表面を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電子放出デバイス，電子放出表示デバイス，および電子放出デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態による電子放出デバイスは，基板２と，基板２上に形成される主電極６ａと補助電極６ｂとを含むカソード電極６と，補助電極６ｂ上に形成される抵抗層１４と，抵抗層１４と連結する電子放出部１２と，電子放出部１２を露出させる第１開口部８ａを備え，基板２上に形成される絶縁層８と，第１開口部８ａに対応する第２開口部１０ａを備え，絶縁層８上に形成されるゲート電極１０とを含み，抵抗層１４はその厚さ方向に沿って変化する比抵抗値を有する。抵抗層１４は，補助電極６ｂの構成物質の一部を拡散させて形成される。これにより，別途の追加工程なしに容易に抵抗層１４を形成でき，高価な抵抗層材料を使う必要がなく，通常の抵抗層とは違って耐酸性が強くエッチング工程時にエッチング液によって損傷しないという効果がある。 （もっと読む）

【課題】従来の電子エミッタを用いたことによる諸課題を解決し、かつ、従来の電子エミッタと比較して高い発光効率等に優れた電子エミッタを提供すること。
【解決手段】本電子エミッタは、基板２上にほぼ均等な粒径を有するカーボン膜成長用の金属触媒微粒子４が多数配置され、多数の金属触媒微粒子４上に電子放出用カーボン膜６が金属触媒微粒子２の粒子形状を反映した形状に成長していることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 高真空装置を必要とすることなく、工程数を増やすことなく、炭素系材料の成長用触媒を高精度に形成できるようにする。
【解決手段】 親水化処理した基板３を、触媒のコロイド溶液１４に浸漬し、基板３のカソード電極と電極１５との間で電圧を印加して電気泳動によって基板３のカソード電極上に、触媒のコロイド粒子を選択的に付着固定することにより、基板３のカソード電極上に触媒を成膜し、ＣＶＤなどによってカーボンナノチューブなどの炭素系材料を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 電子線励起ディスプレイなど次世代の電子装置に広く応用される高効率、低電圧で動作し、容易に集積化できる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 表面が窒素原子面のＣ面を有するｎ型ＧａＮ層上へ原子層オーダーのＡｌＮ層／ＧａＮ層／ＡｌＮ層３層構造を成長させることにより、この量子構造に生じる自発分極やピエゾ分極による巨大な内部電界を利用し、電子の仕事関数を大幅に低減した電界放出電子放出素子を実現する。 （もっと読む）

【課題】所望とする位置及び密度にカーボンナノチューブが形成され状態を、高い精度でより容易に得られるようにする。
【解決手段】結晶シリコンからなる基板１０１の上に、シリコン酸化膜１０２を備え、シリコン酸化膜１０２には、所定の間隔で配列された貫通孔１０４を備えている。貫通孔１０４の部分においては、基板１０１の表面が露出し、シリコン酸化膜１０２が存在していない。また、シリコン酸化膜１０２の上には、触媒金属層１０３が形成されている。このように構成されたカーボンナノチューブ成長用基板によれば、よく知られた触媒金属法によるカーボンナノチューブの成長において、基板温度を上昇させる段階で、シリコン酸化膜１０２の上の触媒金属層１０３は、拡散して消滅する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブと導電性基材とのオーミックコンタクトが確保でき、十分な接合強度を有するとともに、ビーム軸調整が容易な高信頼性電子源とそれを用いることにより、従来機種と比べ、高分解能化，高輝度化，低加速電圧化による試料ダメージの低減化，低コスト化，小型化を実現する電子顕微鏡および高精細化，高効率化，低コスト化，小型化を実現する電子線描画装置を提供する。
【解決手段】導電性基材の先端中央部に、導電性接合材料を介するか、あるいは有機材料を介してカーボンナノチューブを取付けた後、熱処理により該有機材料を炭化処理するか、または拡散接合によりカーボンナノチューブをオーミックコンタクト接合した電子源を電子顕微鏡，電子線描画装置に適用する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出素子の製造を容易に行うことができる電子放出素子および電子放出素子の製造方法、並びに表示装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】 導電性膜８５を形成する材料を含む機能液８０を、吐出ヘッド１５から液滴６３として前記素子電極８１，８２の間に吐出する液滴吐出工程と、液滴を乾燥する乾燥工程と、一対の素子電極８１，８２の間に通電処理して電子放出部８７を形成する電子放出部形成工程とを有し、液滴吐出工程において液滴６３によって形成された液膜８３は、電子放出部形成工程においてジュール熱の発生により電子放出部８７が形成されやすいようにくびれ部８４を有する形状に形成される。 （もっと読む）

【課題】安定して均一な電界放出を行う冷陰極電子源、その製造方法、ならびに冷陰極電子源を用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】本冷陰極電子源は、低電界で電子放出が可能な電子源であって、電極２０上にファイバ３０が、その長手方向を電極の面に対して水平な方向に向けて配置されている構成を有する。ペースト状のファイバーを電極上に配置し、表面張力もしくは外部磁場を印加することにより、上記ファイバーを水平な方向に向けて配置する。 （もっと読む）

【課題】基板を高温に加熱せず、非耐熱ガラス基板を用いることを可能し、微細なエミッタパターンの形成を可能にすること。
【解決手段】基板２上に電極４を形成する工程、電極４上に電子放出材料８が分散したフォトレジスト６を塗布する工程、フォトレジスト６をパターニングする工程、エッチングにより、パターニングしたフォトレジスト６とその下の電極４とを残す工程、フォトレジスト６を、フォトレジスト６の熱分解温度以下で分解除去し、電子放出材料８を電極４上に残渣として残す工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの受けるダメージが小さく、電子放出特性の良い画像表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１の陰極電極２上にカーボンナノチューブ３と樹脂４と炭素成分５とを有する印刷膜６を形成し、この印刷膜６に紫外領域の短パルス・高出力レーザを照射することにより、樹脂４が加熱分解により蒸発し、このときの衝撃によって印刷膜６の表面近傍のカーボンナノチューブ３同士の結び付きが破壊されるとともに、カーボンナノチューブ３が印刷膜６の表面に起毛した状態となる。 （もっと読む）