【課題】小さな電界で大きな放射電流を示す、冷陰極等に用いられる高性能の電極材料、及びその効率的な製造方法、並びに該電極材料を用いた安価で性能の良い電界放射装置を提供する。
【解決手段】炭素繊維のような導電性繊維の円周方向に放射状に酸化亜鉛系ウィスカーを成長させることによって電極材料を構成する。好ましい酸化亜鉛系ウィスカーとしては、アルミニウム添加酸化亜鉛ウィスカーが用いられる。また、大気圧開放型のＣＶＤ装置を使用し、導電性繊維に直接通電加熱することによって繊維表面にウィスカーを成長させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電子エミッタ作製プロセスが含むバッファ層を生成するプロセスを省略可能とすることである。
【解決手段】本電子エミッタ用基材１０は、素材例である導電性ワイヤ１１の表面に直流プラズマによる炭素膜成膜の条件に適合したバッファ層としての黒鉛含有膜１２が付着している。本電子エミッタ用基材１０の製造方法は、導電性基材１６の表面に黒鉛含有ペースト２０を付着させる工程を含む。本電子エミッタ製造方法は、真空成膜室３２内で上記電子エミッタ用基材１０の基材温度を７００℃以上に昇温し炭素含有ガスを直流プラズマで分解し該基材表面に電界電子放出性能を有する炭素膜４２を成膜して電子エミッタ４４を製造する。 （もっと読む）

【課題】 電子源の製造に従来利用されたことのない加工技術を適用することにより、新しい概念のナノサイズの収束を可能とした非金属系の電子源用チップを提供することを目的とする。
【解決手段】 電子源用チップは、導電性を有する非金属材料、例えばダイヤモンドなどからなる。電子源用チップの電子を放出する先端突起部２は、下部突起３と上部突起４とで構成されている。上部突起４を含む先端突起部２の少なくとも一部には、収束イオンビーム（ＦＩＢ）法により、球面や円錐などの曲面形状が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電界集中度を大きく劣化させることなく簡単な方法で形成できるとともに、先鋭かつ均一性が高く、しかも機械的強度の大きい電界放出型の電子放出素子、およびこれを備えた平面表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子２２は、基板１２と、基板上に設けられたカソード電極２４と、絶縁体あるいは半導体により基板上に形成されているとともに、基板の表面に対しある角度を持って起立した側壁３１を有する支持体３０と、支持体の側壁上に形成されたエミッタ３４と、エミッタエッジ部に電圧を印加するゲート電極２８と、を有している。エミッタは、カソード電極に電気的に接続された接続部と、基板と反対側に位置したエミッタエッジ部とを有している。 （もっと読む）

陰極構造（１２）、陰極構造（１２）から離間された陽極構造（１３）および制御格子（１５）を含み、陰極構造（１２）および陽極構造（１３）は個別に形成されると共にスペーサ（１４）を挿設して一緒に接合され、ならびに、制御格子（１５）が陽極構造（１２）に組み込まれている、高周波、冷陰極、三極管タイプ、フィールドエミッタ真空管が本明細書において開示されている。
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【課題】作製したＣＮＴを回収し、さまざまな基板材料上に低温で塗布または分配できるようにしたいという明らかな要求、電界放出特性を最適化することを目的として、ＣＮＴの密度を制御できるようにしたいという要求に対する解決手段の提供。
【解決手段】（１）ａ）基板、およびｂ）カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソードであって、１つの実施形態において、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、カソード。 （もっと読む）

【課題】より低温環境で、所望の構造を有する電子放出部を確実に構成可能な電子放出物質の製造方法および表示装置を提供する。
【解決手段】 導電性を有する触媒導電層１２上に、カーボン材料を含み繊維状または管状を成すとともに側部にグラフェンシート２２の端面２２ａが露出しているグラファイトナノチューブ２１を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法であって、前記導電触媒層１２を加熱し、減圧雰囲気下において、導電触媒層１２の周囲に混合ガスを導入し、プラズマを発生させてＣＶＤを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面伝導型電子放出素子及び該電子放出素子を利用する電子源に関し、特にカーボンナノチューブを含む表面伝導型電子放出素子及び該電子放出素子を利用する電子源に関する。
【解決手段】本発明の表面伝導型電子放出素子は、基板及び基板に平行して設置された複数の電極を含む。前記表面伝導型電子放出素子は、それぞれ前記複数の電極に嵌入された複数のカーボンナノチューブ素子を含む。前記カーボンナノチューブ素子の一部は前記電極に固定され、対向する端部は、近接する電極の方向に延伸する。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性やこのバラツキなどを抑制した状態で、より微細な電子放出素子が製造できるようにする。
【解決手段】不純物の濃度が低いなどの非導電形の半導体からなる半導体基板１０１と、半導体基板１０１の主表面の所定領域（素子領域）に形成されたｎ型領域１０２と、ｎ型領域１０２に隣接する半導体基板１０１の上に絶縁層１０３を介して形成された電子放出層１０４と、半導体基板１０１のｎ型領域１０２に接して形成された電極層１０５とから構成する。例えば、半導体基板１０１は、単結晶シリコンから構成され、ｎ型領域１０２は、イオン注入によりリンが導入されたｎ型不純物導入領域から構成され、絶縁層１０３は酸化シリコンから構成され、電子放出層１０４は、高濃度に不純物が導入されたポリシリコンから構成され、電極層１０５は、アルミニウムから構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子を安定的に電界放射することが可能で容易に製造可能な電界放射素子およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】絶縁基板１０の上面に一方向に延びる複数の壁部１１が所定間隔ごとに平行に形成されている。各壁部１１の一方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のカソード層２１が形成されている。各壁部１１の他方の側面から絶縁基板１０の上面の一部に断面Ｌ字状のゲート層２２が形成されている。隣接する壁部１１に形成されたカソード層２１とゲート層２２との間は互いに分離され、電気的に絶縁されている。絶縁基板１０の上方に、所定間隔を隔てて透明基板５０が支持枠６０を介して配置されている。透明基板５０の下面には、壁部１１、カソード層２１およびゲート層２２に対向するように蛍光体層３０およびアノード層４０が絶縁基板１０側からこの順に設けられている。 （もっと読む）

【課題】カーバイド誘導炭素、冷陰極用電子放出源及び電子放出素子を提供する。
【解決手段】カーバイド化合物をハロゲン族元素含有気体と熱化学反応させ、カーバイド化合物内の炭素を除いた残りの元素を抽出することによって製造されたカーバイド誘導炭素であって、ラマンピークによる分析の結果、１３５０ｃｍ^−１での無秩序に誘導されたＤバンドに対する１５９０ｃｍ^−１でのグラファイトＧバンドの強度比率が０.３〜５の範囲にあるカーバイド誘導炭素、ＢＥＴが１０００ｍ^２／ｇ以上であるカーバイド誘導炭素、Ｘ線回折の分析結果、２θ＝２５°でグラファイト（００２）面の弱ピークまたは広いシングルピークが表れるカーバイド誘導炭素、または電子顕微鏡の分析結果、電子回折パターンが非晶質炭素のハロ−パターンを表すカーバイド誘導炭素である。これにより、均一性に優れ、長寿命を有する電子放出源を提供でき、低コストで電子放出源を製造できる。 （もっと読む）

【課題】応答速度が高速であり、及び／または生産コストが低い電子エミッタが提供される。
【解決手段】ナノワイヤ電子エミッタを用いた電界効果型の電子放出装置であって、ナノワイヤ電子エミッタを絶縁層の細孔内で成長させ、及び／またはナノワイヤ電子エミッタの少なくとも一部を細孔から露出させた電子放出装置が開示される。電界効果型の電子放出装置の製造方法もまた開示される。電界効果型の電子放出装置は表示装置の中で使用することができる。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＤなどの用途への使用が期待できる新規なマイクロ・ナノ構造体、及び自己組織化を利用したマイクロ・ナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】銅酸化物からなり、外径に対する長さの比であるアスペクト比が１．５以上で、半導体特性を有し、内部が中空なナノチューブであることを特徴とするマイクロ・ナノ構造体。及び、低真空中で金属銅の表面に高エネルギービームを照射して、励起した銅原子と低真空中に残留する酸素原子とを結合させつつ、自己組織化によって、内部が中空なナノチューブを製造することを特徴とするマイクロ・ナノ構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】突起状エミッタの作製を容易にするとともに、エミッタ先端を先鋭化して電界強度を高めた電界放出素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上にエミッタ用金属層２を積層し、さらに環状の開口部３ａを有するレジスト３をエミッタ用金属層２上に形成する。次に、異方性のドライエッチングにより、レジスト３の開口部３ａからエミッタ用金属層２の途中まで削り、凹部を形成する。その後、等方性のウエットエッチングを用いて、エミッタ用金属層２の突起状部分を作製し、レジスト３を剥離する。エミッタ用金属層２の一部が突起状のエミッタ２ａとして形成される。エミッタ２ａは、角錐形状を有しており、錐体面（側面）が、直線状でなく、内側に湾曲した形状となっている （もっと読む）

【課題】優れた電子放出性能を有し、電子伝導性が高く、特に二次電池に使用した場合優れた特性を発揮し、二次電池以外の様々なデバイスにも好適に適用できる炭素粒子を提供する。
【課題を解決するための手段】複数のナノカーボンが集合して形成された１辺０.１μｍ〜１００μｍで厚み１０ｎｍ〜１μｍの六角形状の薄片であることを特徴とする炭素粒子。 （もっと読む）

【課題】製造工程中における電子源の特性劣化を防止する。
【解決手段】映像信号配線８と同層で形成した下地電極１３と、映像信号配線８の突起部８１に端部が重畳された電子源１０と、この電子源１０を取り囲み前記下地電極１３と接続された補助電極１８と、走査信号配線９の下層にエッチング選択性の異なる材料からなる第１及び第２絶縁層１４，１５を備え、上層の第２絶縁層１５の端部に形成される凹部１６により上部電極１１を分断し素子分離する。 （もっと読む）

【課題】電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いナノカーボンエミッタを面電子源として用いた、簡便なダイオード構造の面発光素子を提供すること。
【解決手段】基体上にナノカーボン材料を成膜してなるナノカーボンエミッタと、このナノカーボンエミッタに対向して配置された、透明基体上に電極を介して蛍光体層を形成してなるアノードとを具備し、前記ナノカーボンエミッタとアノード間が真空に保持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低真空状態であっても、電子放出部の周りに存在する残留ガス等の物質による電子放出部への影響を低減することを可能とする。
【解決手段】画像表示装置１は、電子放出素子１０と、この電子放出素子１０から放出される電子により発光する表示部３０とを備えている。電子放出素子１０は、カソード基板１１と、このカソード基板１１上に在る導電層１２と、この導電層１２上に在り、電子放出部２１ａを有するカーボン層２０と、を備えている。電子放出部の外表面は被覆膜２２によって覆われている。被覆膜２２は電子放出部２１ａよりも酸化しにくい材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れ、かつ大電流の電界電子放出が可能な電子エミッタ材料、およびこのような電子エミッタ材料を用いた電子放出応用装置を提供することを目的とする。
【解決手段】炭素発泡体の表面にダイヤモンド粉末を吸着させた後、化学気相蒸着（ＣＶＤ）処理により前記炭素発泡体上にダイヤモンドを成長させた電子エミッタ材料。また、前記ダイヤモンド粉末が、ナノダイヤ粉末である電子エミッタ材料。そして、前記電子エミッタ材料の前面に、電子引き出し用グリッド電極を設置した電子放出応用装置。 （もっと読む）

【課題】従来のものよりも簡便に制御性よく信頼性及び電子放出特性を改善することができる冷陰極素子の製造方法及びこれを用いた冷陰極素子を提供すること。
【解決手段】冷陰極素子１０は、基板１１と、基板１１上に形成されたカソード電極１２と、カソード電極１２上に形成された絶縁層１３と、絶縁層１３上に形成された電子引出電極１４と、電子を放出する炭素系微細繊維１５とを備え、炭素系微細繊維１５は、酸素活性種によってトリミング処理が施された後、水素ガス中において活性化処理が施される構成とした。 （もっと読む）