【課題】電子放出能及びその均一性、安定性に優れたナノカーボンエミッタと、簡便で制御性が高いプロセスで作製可能なナノカーボンエミッタの作製方法と、このナノカーボンエミッタを適用し、高輝度、高均一、高信頼性を有する面発光素子とを提供する。
【解決手段】基体２と、基体２上に設けた導電層３と、ダイヤモンド微粒子５に直接又は金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料６を形成してなるナノ炭素材料複合体４と、を含み、ナノ炭素材料複合体４を、１０μｍ以上１００μｍ以下の厚みで、導電層３を介して基体２上に設ける。 （もっと読む）

【課題】制御電極の構造を簡単化でき、簡単な構造で電界放出電流の制御が可能な電界放出発光素子を提供する。
【解決手段】基板１上に制御電極２を形成し、制御電極２の全体を絶縁層３で被覆する。また、絶縁層３上にカーボンナノチューブを含む電子放出層４を配置し、電子放出層４に対向して電子放出層４からの放出電子により発光する発光層５を配置する。即ち、電子放出層４の下方に絶縁層３を挟んで制御電極２を配置することで制御電極２を平坦な簡単な構造とする。またカーボンナノチューブを網目状の膜とし、カーボンナノチューブ膜の下地に対する被覆率を１パーセント以下とする。 （もっと読む）

【課題】電子加速層の劣化を抑制でき、真空中だけでなく大気圧中でも効率よく安定した電子放出を可能とし、さらに機械的強度を高めて形成される、電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１は、電極基板２と薄膜電極３との間に電子加速層４を備え、電子加速層４は、絶縁体微粒子５と導電微粒子６とが分散されたバインダー樹脂１５を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 電子放出効率が高く、占有面積を増加を抑制しながら十分な抵抗値を有する抵抗層を備えた信頼性の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 カソード電極と、該カソード電極に電気的に接続された電子放出体と、該カソード電極と該電子放出体との間に設けられた抵抗層と、を少なくとも有する電子放出素子であって、前記抵抗層は前記電子放出体と同じ材料で構成されており、前記抵抗層の膜密度が前記電子放出体の膜密度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等に用いられる、安定した電子放出特性が再現性良く得られる電子放出材料を提供する。
【解決手段】異方性の粒子形状をもつ酸化チタン等の金属酸化物を用いた電子放出材料であって、異方性金属酸化物の長軸径の頻度分布が、複数の極大値を持つものを用いる。具体的には、異方性金属酸化物の平均長軸径が異なる少なくとも二種の異方性金属酸化物を混合して用いる。 （もっと読む）

【課題】高輝度の電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等を製造するために、一定電圧の下で多くの電界放出電流が流れる冷陰極電子源を製造する方法を提供する。
【解決手段】導電性基板の上に酸化チタン等の金属酸化物からなる電子放出材料を有する冷陰極電子源を製造する方法において、電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する。具体的には、導電性基板の上に形成した金属酸化物からなる電子放出材料を活性化処理する工程と電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、十分な先端の尖鋭度を有するＺｎＯナノロッドを、導電膜、更には導電性を有する基板上に形成することにより、高性能な冷陰極表示素子を、簡便かつ低価格で提供できる電子放出素子の製造方法及び電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０を所定温度に制御し、該基板上に酸化亜鉛を成長させ、先端が上方を向いたナノロッド５０を形成する電子放出素子６０の製造方法であって、
融点が前記所定温度以上である前記基板を用意する工程と、
前記基板上に、融点が前記所定温度以上である導電性膜２０を形成する工程と、
該導電性膜上に、前記酸化亜鉛を前記所定温度よりも低い所定低温度で成長させ、第１の直径ｄ１を有する第１のロッド３０を形成する工程と、
前記所定温度で前記酸化亜鉛を成長させ、前記第１のロッド上に、前記第１の直径よりも細い第２の直径ｄ２を有する第２のロッド４０を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子及びその製造方法並びに面発光素子を提供することである。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基体と、前記基体上に突起形状を有する直径が１０ｎｍ以上であり、かつ、高さが１００ｎｍ以上１００μｍ以下であるファイバー状のナノ炭素材料と、を具備することを特徴とする電子放出素子。 （もっと読む）

反応炉の上流部に位置させたハロゲン化コバルトを含む第１先駆物質、反応炉の下流部に位置させたゲルマニウムを含む第２先駆物質、反応炉の下流部に位置させた基板を不活性ガス雰囲気で熱処理して、基板上にｘが０．０１以上０．９９未満の値を有する単結晶体のＣｏ_ｘＧｅ_１−ｘナノワイヤが形成される。また、基板としてグラフェンまたは高配向熱分解性黒鉛基板を用い、基板上に対して垂直配向性を有し、均一なサイズの高密度ゲルマニウムコバルトナノワイヤ構造体を提供することにより、ゲルマニウムコバルトナノワイヤを電界放出エミッタとして、ゲルマニウムコバルトナノワイヤが形成された基板を電界放出ディスプレイの陰極パネルの透明電極として使用できる。 （もっと読む）

【課題】取付易く、耐用寿命が長い電子ビーム源を提案する。
【解決手段】ビーム電子源は、ベースと、ベースに固定され、ベースから離れて延在するチップし、第１材料からなる表面および第２材料からなる被覆層を塗布されたコアを備え、第２材料がチップの表面を提供するチップと、被覆層に電気的に接続された第１電気端子と、チップに向かい合う間隙を有する抽出電極と、抽出電極に電気的に接続された第２電気端子とを備える。第１材料の電気伝導率が、１０^５Ｓ／ｍ、１０^３Ｓ／ｍ、１０Ｓ／ｍ、１０^−１Ｓ／ｍ、１０^−３Ｓ／ｍ、１０^−５Ｓ／ｍまたは１０^−７Ｓ／ｍよりも低いか、第２材料の電気伝導率が、１０^−７Ｓ／ｍ、１０^−５Ｓ／ｍ、１０^−３Ｓ／ｍ、１０^−１Ｓ／ｍ、１０^２Ｓ／ｍ、１０^４Ｓ／ｍまたは１０^６Ｓ／ｍよりも高いか、第２材料と第１材料の電気伝導率との比率が、１０：１、１００：１、１０^４、１０^６または１０^８よりも大きいかの少なくとも１つの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】より低電圧で電子放出が可能であり、駆動コストの低減と長寿命化を図ることができるフィールドエミッションランプを提供する。
【解決手段】カソード電極と、ゲート電極と、アノード電極とが真空容器中に配置されたフィールドエミッションランプにおいて、前記カソード電極は、突起部または溝部が形成された基板と、前記基板の突起部または溝部の表面に形成されたナノ炭素材料とを含むナノ炭素材料複合基板で形成されていることを特徴とするフィールドエミッションランプ。 （もっと読む）

【課題】後処理工程を必要としない、電子放出能に優れる電子放出源、その製造方法、およびこれを用いた電界放出素子、並びに当該電子放出源を形成するための組成物を提供する。
【解決手段】有機残留物と、少なくとも一部の領域に形成された亀裂部と、前記亀裂部内に露出しているナノサイズの針状物質と、を含む電子放出源が開示される。前記針状物質は、前記亀裂部の内壁間に露出していることが好ましい。また、当該電子放出源を有する電界放出素子、および電子放出源形成用組成物もまた、開示される。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維を電子放出源として使用した照明装置を提供する。
【解決手段】炭素繊維１００が成長した触媒を配置した成長領域、及び触媒を配置していない非成長領域を含む電子放出面２００を有するカソード電極１０と、電子放出面２００に対向して配置された透明のアノード電極３０と、アノード電極３０の電子放出面２００に対向する主面３１０に配置され、炭素繊維１００から放出された電子により励起発光する蛍光体膜４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】炭素繊維を電子放出源として使用した照明装置を提供する。
【解決手段】カソード電極１０と、カソード電極１０の電子放出面１０ａ上に配置された炭素繊維１００と、電子放出面１０ａに対向して配置されたアノード電極２０と、カソード電極１０とアノード電極２０間に配置され、カソード電極１０及びアノード電極２０とともになす励起空間２００にキセノンを含む不活性ガスが充填された管状の照明カバー３０と、励起空間２００内で不活性ガスに含まれるキセノンが炭素繊維１００から放出された電子により励起されて発生する紫外線を入射して発光する蛍光体膜４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】現実的に作製可能な構造原理をもってエミッタから放出される電子ビームを十分に集束する機能を呈することができる集束電極一体型電界放出素子提案する。
【解決手段】基板10上に、先端11tpが先鋭な電子放出端となっているエミッタ11と、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する絶縁膜12と、この絶縁膜12上に形成され、エミッタ先端11tpを露呈する開口を有する引き出しゲート電極13を形成し、引き出しゲート電極13上には集束電極積層構造20を形成する。集束電極積層構造20は、一層の絶縁膜25，26，27，28と、その上に形成された一層の集束電極21，22，23，24とを単位積層段として、この単位積層段を基板10の鉛直方向に沿って少なくとも四段積層して構成される。最下段に位置する単位積層段の絶縁膜25は引き出しゲート電極13の上に形成されていると共に、全ての単位積層段の絶縁膜25，26，27，28及び集束電極21，22，23，24には、エミッタ先端11tpを露呈する開口を開ける。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をＦＥＤの電界エミッタとして用いるには、電界の集中するカソード頂点周囲にＣＮＴを形成して、電界エミッタを電気的に信頼性のあるものとする必要がある。そのための触媒粒子をカソードの頂点周囲に形成する方法を提供する。
【解決手段】外部電源３０１は電解質溶液２０３に電圧を印加する。電解質溶液に印加された電圧は、静電力を生成する。生成された静電力によって、金属触媒イオン２０４が、電解質溶液の表面に集まる。このとき閾値電圧を超える電圧が印加されると、金属触媒イオンは、電解質溶液の表面張力を超えて、電解質溶液の表面から放出される。電界は金属先端２０１の頂点２０２に集中し、電解質溶液から放出された金属触媒イオンは金属先端に向かい、頂点に付着する。付着した金属触媒イオンは金属先端で金属触媒原子になる。 （もっと読む）

【課題】電子放出の指向性が優れ、ゲート電位による制御性の良好なカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法を提供する。
【解決手段】基板１８上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２上に配置されたゲート電極１４と、ゲート電極１４上に配置された第２絶縁膜２０と、第２絶縁膜２０およびゲート電極１４の開口部に、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達して形成されたホール１１と、ホール１１の底面およびゲート電極１４の側面に形成された触媒微結晶核２９と、カソード電極１０上の触媒微結晶核２９上に形成されたエミッタカーボンファイバー４と、ゲート電極の側面上の触媒微結晶核２９上に形成されたゲートカーボンファイバー３とを備えるカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法。 （もっと読む）

【課題】カーボンを主体とする電子放出部形成膜に均一に且つ低電力で間隙を形成することで、優れた電子放出特性を有する電子放出素子を均一に且つ低い製造コストで提供する。
【解決手段】基板１上に、一対の電極３ａ，３ｂと、該電極間に挟持された電子放出部形成膜４とを有する電極部２を形成し、該電極間に通電処理を施すことにより、上記電子放出部形成膜４に間隙５を形成した電子放出素子であって、該電子放出部形成膜４が、カーボン中に第１の金属微粒子を分散させた第１の薄膜４ａと、該第１の金属よりも低融点である、或いは、１０００℃における蒸気圧が１．３３×１０^-3Ｐａ以上である該第２の金属を含む第２の薄膜４ｂとの積層膜とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンを主体とする電子放出部形成膜に均一に且つ低電力で間隙を形成することで、優れた電子放出特性を有する電子放出素子を提供する。
【解決手段】基板１上に、一対の電極３ａ，３ｂと、該電極間に挟持された電子放出部形成膜４とを有する電極部２を形成し、該電極間に通電処理を施すことにより、上記電子放出部形成膜４に間隙５を形成した電子放出素子であって、該電子放出部形成膜４が、金属及びカーボンからなり、該金属の含有量が１乃至２０ａｔｏｍ％であり、且つ該金属が直径１乃至５ｎｍの微粒子形態である混合膜であって、該混合膜のバルクに対する密度比が０．７以上１．０以下である。 （もっと読む）

本発明による炭素微細構造物を有する電界放出アレイの製造方法は、透明基板の表面にパターン溝を有するフォトマスクを付着するフォトマスク付着段階と、フォトマスクの表面にネガティブ・フォトレジストを付着するフォトレジスト付着段階と、透明基板のフォトマスクが付着された部分の反対側から光を照射してパターン溝を通じてネガティブ・フォトレジストに照射される光によってネガティブ・フォトレジストの一部を硬化させる露光段階と、ネガティブ・フォトレジストの露光されていない部分を除去して、ネガティブ・フォトレジストが硬化されてなる微細構造物を形成する現像段階と、微細構造物を加熱して炭化させる熱分解段階と、微細構造物が形成された透明基板の表面に電圧を供給するためのカソードを付着するカソード付着段階とを包含してなることを特徴とする。本発明によると、電子放出素子として使用される炭素微細構造物を簡単でかつ低コストで製造することができる。 （もっと読む）