【課題】多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体基板の厚み方向に連なって形成され且つ半導体基板の面内において半導体微結晶が周期的に形成された周期的ナノ構造体を容易に製造することが可能な周期的ナノ構造体の製造方法、並びに、電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板（半導体基板）１に下部電極２を形成し、シリコン基板１の一表面に周期的に配列された複数の垂直孔３１を陽極酸化により形成してから、垂直孔３１の内周面に沿ってシリコン基板１の厚み方向に連なるシリコン微結晶（半導体微結晶）３３を陽極酸化により形成することで周期的ナノ構造体を得て、各シリコン微結晶３３それぞれの表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）３４を形成することで強電界ドリフト部３を形成し、強電界ドリフト部３上に表面電極４を形成することで電界放射型電子源１０を得る。 （もっと読む）

【課題】多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体材料層の厚み方向に連なって形成された複数のナノ構造部を有し且つ半導体材料層の面内においてナノ構造部が周期的に形成された周期的ナノ構造体を所望のナノ構造部の周期で容易に製造することが可能な周期的ナノ構造体の製造方法、電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板（半導体材料層）１に下部電極２を形成し、シリコン基板１の一表面に周期的に配列されたサイト３１を形成してから、シリコン基板１の厚み方向に連なるシリコン微結晶（半導体微結晶）３３を陽極酸化により形成することでナノ構造部３２が周期的に配列された周期的ナノ構造体１０を得て、各シリコン微結晶３３それぞれの表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）３４を形成することで強電界ドリフト部３を形成し、強電界ドリフト部３上に表面電極４を形成することで電界放射型電子源２０を得る。 （もっと読む）

本発明は、デバイス構造および厚膜ペーストに前から存在するスルーホールに堆積したフォトレジストを用いて電気および電子デバイスを製造する方法、ならびにかかる方法により作製されたデバイスに関する。この方法によって、ホールの隅部に厚膜ペーストが堆積する。本発明はまた、ホールの残渣フォトレジスト堆積物から作製された拡散層を用いてパターニングされた厚膜ペーストにより作製されたデバイスにも関する。
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電子電界エミッタの放出を改善する新しい光画像形成型組成物が開示される。この組成物は、カーボンナノチューブおよび金属レジネートを含む。
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【課題】より低い電界での電子放出を実現し、低電圧で高効率な電子放出が可能で、製造プロセスが容易な電界放出型の電子放出素子、電子源、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は、カソード電極１０２と、カソード電極１０２上に設けられた絶縁膜１０３と、絶縁膜１０３上に設けられたダイポール層１０４と、を有する電子放出素子であって、ダイポール層１０４は、前記絶縁膜をＮＨ基で終端することにより形成されることを特徴とする。また、本発明に係る電子源は、上記電子放出素子を複数有することを特徴とする。また、本発明に係る画像表示装置は、上記電子源と、電子の照射によって発光する発光体と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造歩留まりと電子放出寿命特性とを向上させること。
【解決手段】絶縁材を間に挟むように複数の電極を設けて一体化すると共に少なくとも１つの電極に炭素膜を設けた構成。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子放出が得られると共に、電子線の細径化を図ることができる電子放出素子、電子源、電子線装置、及びこのような電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
電子源１０では、導電型がｎ型のダイヤモンド半導体からなる突起部５６を電子放出部４８に設けていることから、電子放出部４８の電子親和力及び仕事関数を十分に低減させることができ、十分な量の電子放出が得られる。また、マイクロマニピュレーションによって搬送した微細な突起部５６を設けることで、突起部５６自体に複雑な加工を施すことなく電子放出部４８の細径化を実現できるため、電子放出部４８から放出される電子線の細径化が図られる。デポジション膜６０は、カーボンによって形成され、電子源１０の使用状態における電子放出部４８の昇温に対して十分に高い融点を有しているため、突起部５６と基部５２との強固な接合が保たれる。 （もっと読む）

【課題】ホール形成層のホールの底面の略全域に金属触媒層を形成することができる炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＥＤ（炭素繊維装置）１は、カソード基板２と、カソード基板２上に形成されたカソード電極３と、カソード電極３上に形成された金属触媒層４と、金属触媒層４の一部を覆うとともに、金属触媒層４を露出させるホール１７が形成され、絶縁層１６を含むホール形成層６と、ホール形成層６から露出した金属触媒層４から延びる炭素繊維５とを備えている。ＦＥＤ１の製造方法では、金属触媒層４を形成した後、ホール形成層６が形成される。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子の大型化を招くことなく大きな放出電流が得られ、且つ、容易に製造可能な電子放出素子、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子は、第１のカソード電極、第２のカソード電極、第３のカソード電極、絶縁層、ゲート電極、及び、電子放出材を備える。ゲート電極、絶縁層、及び、第２のカソード電極のそれぞれには、互いに連通する開口が設けられている。電子放出材は、第１のカソード電極上に設けられており、上記開口内に少なくとも一部が露出している。第３のカソード電極は、第２のカソード電極の開口内に、電子放出材の露出領域の輪郭の長さを増やすように設けられており、第１のカソード電極と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子及びこれを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板上で一方向に沿って相互離隔されて位置する第１電極と、一方向に沿って第１電極の間に位置する第２電極と、第１電極及び第２電極と電気的に絶縁されるように配され、一方向と交差する方向に延設される第３電極と、第１電極及び第２電極の側面にそれぞれ形成される第１電子放出部及び第２電子放出部と、を備える電子放出素子である。隣接する前記第１電子放出部と前記第２電子放出部との間には、ギャップが形成されている。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンド微粒子を用いた表面微細構造製造方法と、この微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン、ガリウム砒素、ダイヤモンドからなる試料Ｐ１の試料表面にナノダイヤモンド微粒子Ｐ２を種付けしてこれを微小ハードマスクとして使用し、ドライエッチングを行うことによりナノメートルオーダーの凹凸Ｐ３を製造することを特徴とする表面微細構造製造方法及びこの微細構造を利用したダイヤモンドナノ電極の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
耐久性，歩留まり，電子線放出性能の高い電界放出型電子源を提供する。また、それを用いた電子線応用装置を提供する。
【解決手段】
電極に接続する炭素からなるフィラメント部分と、該フィラメント部分の中心に一体形成された円錐状あるいは角錘状の炭素からなる中実の突起部分から構成される電子源において、少なくとも該突起先端部分の最表面をグラファイト層にすることにある。更には、本発明の電界放出型電子源を各種電子線応用装置に適用することである。少なくとも先端最表面がグラファイト層である中実の突起部分から構成される電子源であり、電界放出部位である前記突起部分の先端形状が制御され、グラファイト層の欠陥が少なく、耐久性，電子放出性能に優れる。 （もっと読む）

ＵＶ遮蔽絶縁誘電体層を有する電界放出カソード組立体。
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【課題】簡単な原理、構造によって電子デバイスあるいは電子回路を製造するための新規な製造方法を提案すること。
【解決手段】電子デバイスあるいは電子回路の構成上、先に形成したパターンよりそのパターンの上に後から形成するパターンが大きい場合の、先と後のパターン形成に使用する液体を噴射する噴射ヘッドの単位時間あたりの液体の噴射量を、後のパターン形成に使用する方が大となるようにして噴射する。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの集束性に優れ、リーク電流を抑制し、変形の起こりにくい構成を有する電子放出素子、ならびに、当該電子放出素子を利用した電子源、及び、該電子源を利用した、画質が良好で高精細な画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子は、カソード電極２、ゲート電極４、絶縁部材６、及び、電子放出材５を備え、前記絶縁部材６は、前記ゲート電極に接し、かつ、前記ゲート電極の開口と略同じ大きさの開口を有する第１の絶縁層６ａと、前記第１の絶縁層よりも前記カソード電極側に位置し、かつ、前記ゲート電極の開口より大きい開口を有する第２の絶縁層６ｂと、を含む３つ以上の絶縁層が積層されたものである。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性が良好で、電子放出点密度が大きく、かつ、電子放出量のゆらぎの小さい電子放出可能な電子放出素子、電子源、画像表示装置、及び、それらの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、導電層上に電子放出材料を含む膜を形成する工程と、前記電子放出材料を含む膜が形成された導電層を水素および炭化水素のラジカルを含む雰囲気中で加熱する工程と、を有する電子放出素子の製造方法であって、前記雰囲気における前記水素および炭化水素のラジカルの総分圧が２×１０^−１１Ｐａ以上、８×１０^−４Ｐａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低電界でビーム収束した電子放出を実現し、低電圧で高効率な電子放出が可能で、製造プロセスが容易な電界放出型の電子放出素子、電子源、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子の製造方法は、絶縁性または半導電性の層を備えた基体を予め用意する工程と、水素を含む中性ラジカルを含む雰囲気に前記層を曝す工程とを有し、当該絶縁性または半導電性の層が金属粒子を含有していること、当該絶縁性または半導電性の層が炭素を主成分とすること、当該水素を含む中性ラジカルが、Ｈ・、ＣＨ_３・、Ｃ_２Ｈ_５・、Ｃ_２Ｈ・、または、それらの混合気体であること、当該水素を含む中性ラジカルの濃度が、当該雰囲気中の荷電粒子の濃度と比較して１０００倍以上であること、及び、当該雰囲気に当該絶縁性または半導電性の層を曝す工程は、バイアスグリッドを設けたプラズマ装置を用いて、水素終端を施す工程であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極への電圧の印加時間及び形態に対応するようにアノード電極にAC電圧を印加することにより、ゲート電極に電圧が印加されない遊休時間の間にアノード電極に不要な電圧が印加されるのを防止して駆動電力を減少させるとともに、アノード電極に印加される不要な高電圧により電子が放出されるのを防止して発光効率を増大させ、かつアノード電極に不要な高電圧が印加される時間を短縮させて寿命を延ばす。
【解決手段】 本発明は、所定間隔だけ離隔して対向するように配置された前面基板及び背面基板と、前記背面基板上に形成された少なくとも一つのカソード電極と、前記カソード電極から離隔した位置で、絶縁体により前記背面基板から絶縁されるように形成された少なくとも一つのゲート電極と、前記カソード電極の上面に形成されたエミッタと、前記背面基板に面するように前記前面基板上に形成されたアノード電極と、前記アノード電極上に塗布された蛍光体層と、前記アノード電極にAC電圧を印加する第１電圧印加手段と、前記ゲート電極にAC電圧を印加する第２電圧印加手段とを有し、前記アノード電極と前記ゲート電極に印加されるAC電圧は同期化されている。
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【課題】チャージアップ防止、電子放出層への電流制限、電極マイグレーション抑制、電極等の保護を図る抵抗膜の形成工程の工程数を削減し製造コストダウンを可能とすること。
【解決手段】電子放出層６を備えたカソード電極と、ゲート電極とを絶縁部分露出領域を介在させて離隔配置した冷陰極電子源において、両電極で覆われないで露出している絶縁部分露出領域と、上記カソード電極と電子放出層との境界領域と、電極表面露出領域と、電子放出層上面露出領域との４つの領域のうち、少なくとも２つの領域に単一の連続する高抵抗膜を設けた構成。 （もっと読む）

【課題】エミッタの低閾値電界化、高電流密度化、大面積化、安定化、長寿命化、および、低価格化を実現可能とする素材を提供すること。
【解決手段】 ナノスケールのシリコン微細針状突起群が形成された基板であって、当該シリコン微細針状突起の先端には略球状の炭素系微粒子が形成されている電界電子放出用素材である。ここで、炭素系微粒子がダイヤモンドを主成分とする微粒子であることが好ましく、これは、メタンガスプラズマＣＶＤにより形成できる。 （もっと読む）