ディスプレイデバイスにおけるカソードとしての使用のためのナノ粒子エミッターをパターン化するための工業的スケールの方法が開示される。低温の方法が、得られるディスプレイデバイスの良好な均一性とともに高容量適用で実施され得る。この方法のステップは、予備製作されたコンポジット構造の全面の上にＣＮＴエミッター材料の堆積、および物理的方法を用いる表面の所望されない部分からのＣＮＴエミッター材料の引き続く除去を含む。
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【課題】本発明の目的は、炭素同素体を主材料とする膜を効率良く形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された膜、この膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基材５上に、炭素を含有し、かつ不飽和結合を有する化合物８１を用いて、化学的気相成膜法により炭素同素体８２を主材料とする膜８を形成する成膜方法であり、化合物８１を含有する液状材料８０を収納した収納部７と、基材５とを空間を介して対向させた状態で、液状材料８０をミスト状として基材５に向かって供給し、前記空間において、液状材料８０を加熱することにより、前記空間および／または基材５上で化合物８１を炭素同素体８２に変化させて、膜８を形成させるものである。 （もっと読む）

本発明はカソード（１００）と、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）（１０５）および粒子（１０４）を含むカソード材料（１０６）とを目的とする。本発明はまた、本発明のカソード（１００）を含む電界放出装置、ならびにこれらのカソード（１００）を製造する方法も目的とする。いくつかの実施態様では、本発明のカソード（１００）は電界放出ディスプレイ（２００）中に用いられる。本発明はまた、基板（２０４）上にＣＮＴ（１０５）と粒子（１０４）との層を堆積させて本発明のカソード（１００）を作製する方法、ならびにその結果得られる層の電界放出特性を電界放出ディスプレイ用途に最適化することを目的として、この混合層中に用いられるＣＮＴ（１０５）の密度を制御する方法を含む。
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【課題】 表面伝導型の電子放出素子を用いてなる電子源において、高抵抗膜を用いて素子部の帯電防止を図ると同時に、該高抵抗膜の存在により発生するリーク電流を防止する。
【解決手段】 導電性膜４を形成後、該導電性膜４とその周囲を除く領域に高抵抗膜７を形成し、フォーミング処理を施して導電性膜４に亀裂５を形成した後、炭素化合物含有雰囲気下において素子電極２，３間に電圧を印加することにより、亀裂５内及び亀裂５の端部から高抵抗膜７に渡るカーボン膜６を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの経路上に集束電極を配置する時に、集束電極の構造を改善して電子ビームの集束効果を高めて、製造工程を容易にすることができる、電子放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出素子は、基板上に形成された電子放出部と、電子放出部の電子放出を制御する複数の駆動電極と、駆動電極のうちのいずれか一つの駆動電極と同一平面上でこの駆動電極と所定の距離をおいて配置された、少なくとも一部がこの駆動電極より大きな厚さを有する集束電極とを含む。この時、同一平面上に配置された集束電極及び駆動電極は、各々互いに平行に形成されたライン部と、ライン部から互いに向かって延長された複数の延長部とからなり、基板の一方向に沿って集束電極の延長部及び駆動電極の延長部が交互に繰り返し配置されている。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブを用いた電子放出能の高い電子放出素子、特に低電界値であっても電子放出特性が得られる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 上記課題は電極基材に取付けられたカーボンナノチューブの起毛部が複数の凸状に形成されていることを特徴とする電子放出素子によって解決される。
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【課題】 瞬時に駆動電極に過電流が流れる時に発生する可能性のある駆動電極の破壊現象を防止するための電子放出素子及びこれを用いた電子放出表示装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電子放出素子は、基板上に所定の形状で形成される第１駆動電極と、前記第１駆動電極と絶縁されて位置する第２駆動電極と、前記第１駆動電極に接続され、前記第１及び第２駆動電極に印加される電圧差により電子を放出する電子放出部とを含み、前記第２駆動電極と前記電子放出部との間に過電流が印加される時、前記第２駆動電極の少なくとも一部が前記電子放出部から島形状で孤立されるように、前記少なくとも一部は、第２駆動電極の他の部位と所定の幅を有する少なくとも１つのバンドで連結される構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 容易に製造することができ、かつ解像度の高い冷陰極電子源およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の冷陰極電子源３０は、導電膜５および導電膜６に印加された電圧によってＣＮＴ膜４から電子を放出する冷陰極電子源であって、絶縁膜２と、絶縁膜２上に形成された導電膜５と、導電膜５上に形成された導電膜６と、導電膜５と導電膜６との間に形成された絶縁膜７とを備えている。絶縁膜２および導電膜５の各々には孔２ａ，５ａの各々が開口しており、導電膜６には孔２ａ，５ａに繋がる孔１２が開口している。さらに、孔２ａ，５ａの底部に形成されたＣＮＴ膜４を備えている。絶縁膜７から離れるに従って孔１２の口径が減少している。 （もっと読む）

電界放射デバイスの形成方法、及び得られた、ファイバーセグメントによって形成されたエミッタを有するデバイス。相当小さな半径を有するチップは、チップを反応液にある期間さらすことによってファイバーセグメント上に形成される。チップは、低い仕事関数を有する伝導性材料でコーティングされてエミッタを形成する。
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電子エミッタを備える装置を形成する装置及び方法。本方法は、束ねられたファイバーセグメントのシートの第１の面を反応液にさらし、前記ファイバーセグメントの第１の端部を前記反応液と反応させて、該第１の端部から物質を除去するステップを含む。コーティング物質は、前記物質が除去された前記第１の面上に堆積される。本方法はまた、束ねられたファイバーセグメントの前記シートの第２の面を反応液にさらし、前記ファイバーセグメントの第２の端部を前記反応液と反応させて、該第２の端部から物質を除去して前記コーティング物質を露出させるステップを含む。
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電子放出特性に優れる電子放出材料とその製造方法、ならびに、電子放出素子を提供する。高分子膜を焼成して得た炭素材料を含む電子放出材料の製造方法であって、金属酸化物および金属炭酸化物から選ばれる少なくとも１種の金属化合物が分散したポリアミド酸溶液を調製し、調製したポリアミド酸溶液を成膜およびイミド化して、金属化合物を含むポリイミド膜を形成し、形成したポリイミド膜を焼成して炭素材料を形成する製造方法とすればよい。また、炭素材料を含み、表面に窪みを有する隆起が炭素材料の表面に形成されており、この隆起が金属元素を含む電子放出材料とすればよい。
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本発明は、
カソード（２２，３０）と、
孔が電子エミッタ（２９）を含むようにした多孔性の絶縁層（２６，３６）と、
ゲート層と呼ばれる導電層（２８，３８，４８）と、
を有することを特徴とする電界放出デバイスに関する。
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ナノ構造炭素材料を容易にかつ様々な基材上に形成し得る製造方法を提供する。前記製造方法として、導電層が形成された基材上にリソグラフィによりナノ構造炭素材料をパターニングするパターニング工程を有する電子放出源の製造方法であって、前記パターニング工程は前記導電層上にナノ構造炭素材料を形成するナノ構造炭素材料形成工程を含み、このナノ構造炭素材料形成工程が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で高周波電圧を対向する電極間に印加して放電プラズマを発生させる大気圧プラズマ法により行われることを特徴とする電子放出源の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンドを用いた改良された電子放出構造と画素化された配列と共に、冷陰極の放出領域をより簡単に製造する方法を提供する。
【解決手段】高い仕事関数を有する金属１８であって、金属−ドープされたダイヤモンドナノ結晶粒子層１４を低い仕事関数を有する金属陰極１２の平坦面と接触させて包むカプセルである金属１８を備えた電子放出素子と、その形成方法である。その方法は、伝導性を有するナノダイヤモンド粉末を金属性の溶液と調合すること、仕事関数が高い金属を含むこと、及び、それを金属陰極１２の上に配置して低い電子親和力を示す表面領域を有する合成の物質層を構成することを含んでいてもよい。得られる冷陰極構造は、効率的な電子放出のために必要な抽出電界が低く、単位面積あたりの放出電流を制限する手段を有し、そして、吸着/脱着に対する電子放出感度が低減されている。 （もっと読む）

本発明は、電子構造のビアを厚膜ペーストで充填するための方法に関する。ビアは、厚膜材料を含んでなる基板に予め存在していてもよいし、基板をオーバコーティングするフォトレジスト層に製造してもよい。本発明は、ビアが微細寸法（直径が＜１００μｍ）であり、かつカーボンナノチューブを含有してもよい電子エミッタ厚膜ペーストが、高い価値がある電子電界放出三極管アレイの製造に特に有用である。

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基板上にナノ構造材料のパターニングされたコーティングを成膜する方法は、（１）前記ナノ構造材料を含む溶液又は懸濁液を形成する工程；（２）前記基板の少なくとも１つの表面の一部にマスクを形成する工程；（３）前記溶液中に電極を浸す工程であって、その上に前記電極の１つとして機能する前記ナノ構造材料が成膜されるか又は少なくとも前記電極の１つに電気的に接続される工程；（４）前記２つの電極の間に所定の期間の間、直流電流電界及び／又は交流電流電界を印加し、それによって前記溶液中のナノ構造材料を前記基板電極に向けて移動させて付着させる工程；（５）その後の随意的な処理を行う工程、を含む。
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