【課題】ＣＰＰ−ＧＭＲにおいて、適度な面積抵抗と高い磁気抵抗変化率を有し、かつ狭リードギャップの要請に対応した実用的な磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が一方向に固着された第１の強磁性体膜１１７を含む強磁性固定層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する第２の強磁性体膜１２３を含む強磁性自由層と、強磁性固定層と強磁性自由層との間に設けられた中間層１２１と、電流を絞り込むための電流狭窄層１２０を有し、強磁性固定層及び強磁性自由層の少なくとも一方は高分極率層を有する。 （もっと読む）

【課題】強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面がアモルファス状態である強磁性層を成膜した後、スパッタリング法を用いて、全層にわたって（００１）面が界面に平行に配向した単結晶構造の酸化マグネシウムのバリア層を成膜し、更にアニーリング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】従来の交換結合素子と比較してより大きな磁化の一方向異方性を備えた新規な構成の交換結合素子およびこの交換結合素子を用いた磁気抵抗効果素子、磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】規則型の反強磁性層１２と、前記反強磁性層１２と交換結合し、磁化が一方向異方性を有する磁化固定層１３とを有し、前記磁化固定層１３は、面心立方格子となる組成の第１の磁化固定層１３ａと、体心立方格子となる組成の第２の磁化固定層１３ｂとから構成されている。前記規則型の反強磁性層１２としては、L12型規則合金Mn3Irが使用でき、前記第１の磁化固定層１３ａとしては、Co_xFe_1-x(ｘ＝1〜0.7)、前記第２の磁化固定層１３ｂとしては体心立方格子となる組成のCoFeが用いられる。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗変化率（ＭＲ比）と低い層間結合磁界（Ｈｉｎ）を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に緩衝層、反強磁性層、磁化固定層、非磁性伝導層、磁化自由層、保護層が連続的に積層されたスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜において、所定の積層界面にプラズマ処理を施して磁化固定層と磁化自由層の間に作用する層間結合磁界を低減し、高ＭＲ比が得られるようにする。 （もっと読む）

【課題】媒体Ｓ／Ｎが高く、ヘッドの書き滲みを抑え、耐食性に優れた垂直磁気記録媒体を実現する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板１１の上部に軟磁性下地層１３を介して垂直記録層１６を有する。軟磁性下地層１３はＦｅを主成分とする第一の軟磁性層１３１及び第二の軟磁性層１３３と、第一の軟磁性層及び第二の軟磁性層の間に配置された反強磁性結合層１３２とを有し、反強磁性結合層１３２はＲｕ−Ｆｅ合金からなり、Ｆｅの含有率が４０ａｔ％〜９３ａｔ％である。特に、Ｆｅの含有率が８３ａｔ％〜９３ａｔ％であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化膜を磁気センサやメモリデバイスとして利用する場合、その磁化反転磁界を低減することが重要である。また、垂直磁化膜と関連して作製される均一な絶縁膜等を必要としない構成が重要である。
【解決手段】磁気センサやメモリデバイスに利用される電流磁気効果素子は、非導電性の基板１０と、膜面に垂直な方向に磁気異方性を有する第１磁性層１１と、第１磁性層１１の上に形成された強磁性体の第２磁性層１２を有する。第２磁性層上には、２点間で電流を流すために電流電極１４ａと１４ｂが配置され、電流を流す方向と直角方向の別な２点間でホール電圧を検出するために電圧電極１５ａと１５ｂが配置される。 （もっと読む）

【課題】記録密度の増加に伴い、技術的困難に直面している磁気記録装置において、従来と同等以上の記録再生特性を確保しつつ、記録密度を大幅に増加させた磁気記録媒体を効率よく生産する技術を提供すること。
【解決手段】非磁性基板の少なくとも一方の表面に、磁気的に分離した磁気記録パターンを有する磁気記録媒体の製造方法である。この製造方法は、磁気記録パターンの形成を、磁性層とオゾンとの反応により磁性層の磁気特性を部分的に非磁性化等により磁気特性を低下させ、その低下させた領域により磁性層を分離する方法である。
磁性層としてはグラニュラ構造の磁性層の上に非グラニュラ構造の磁性層を形成した2層構造とすることもできる。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて当該基板８の回転と一体に回転させながら、グネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク装置の更なる高記録密度化に伴い、記録媒体が更に狭トラック化し高保磁力化しても十分な書き込み能力を有する記録ヘッドを提供する。
【解決手段】少なくとも主磁極、ヨーク、リターンポールを含む記録ヘッドを有する薄膜磁気ヘッドであって、主磁極、ヨーク、リターンポールの少なくとも一部の磁性膜が、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅのうち２種類以上の元素を含有し、さらにＳを０.５ｗｔ％−１.０ｗｔ％の組成比で含有する磁性膜であり、結晶粒の膜面に平行な面の格子定数ａと膜面に垂直な面の格子定数ｂの比（ａ／ｂ）が０．９９５以下である、薄膜磁気ヘッドを提供する。本発明の薄膜磁気ヘッドを用いると、薄膜磁気ヘッドの主磁極に使用される磁性膜が薄膜化しても、高Ｂｓを得ることができる。また、記録周波数が高周波数化しても、高μを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】従来の巨大磁気抵抗効果とは異なる非可逆性をもつ磁気抵抗特性を利用して従来の半導体および磁気デバイスに代わって利用可能な材料を作製することを目的とする。
【解決手段】
非可逆性をもつ磁気抵抗特性を利用するため、Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｂＴｉ／Ｃｕ磁性多層膜を作成し、この多層膜に外部磁界を印加する。これによってシリコン基盤と酸化膜を使用せず図７のような非可逆的な磁気抵抗特性を得ることが出来るため、０と１に依らないビットの検出が可能になる。 （もっと読む）

【課題】磁気薄膜構造体、磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に遷移金属窒化物で下地層を形成し、下地層上に磁気異方性エネルギーが１０^６ないし１０^８ｅｒｇ／ｃｃである磁性物質からなり、単位記録領域である複数の磁性ドットを備える磁気記録媒体及びその製造方法である。ドットをなす磁性物質は、Ｌ１_０構造を有する。下地層は、磁気記録層と対向する結晶面が（００１）面である。下地層は、磁気記録層と５ないし１５％の格子不整合を有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、チャンバ１７Ｂ内において、ＮｉＦｅ膜及びＰｔＭｎ膜を有する多層金属膜を設ける工程、前記ＮｉＦｅ膜及びＰｔＭｎ膜を有する多層金属膜を設けた後の基板の上に、前記チャンバ１７Ｂとは異なるチャンバ１８内において、金属酸化物膜を設ける工程、並びに、前記金属酸化物膜を設けた後の基板の上に、前記チャンバ１７Ｂ，１８とは異なるチャンバ１７Ｃ内において、ＣｏＦｅ膜及びＮｉＦｅ膜を有する多層金属膜を設ける工程を有する磁気抵抗デバイスの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】面内におけるいかなる方向の外部磁場に対しても応答を示し、かつ外部磁場の方向を検出可能で、スイッチ素子として利用可能な薄膜磁気抵抗素子を提供すること、及びこれを用いた実用的な薄膜磁気センサを提供すること。
【解決手段】薄膜磁気抵抗素子については、絶縁基板１上に形成された内側軟磁性膜２、外側軟磁性膜３、薄膜磁気抵抗素子４及び必要な配線５を有し、内側軟磁性膜２の外縁部と外側軟磁性膜３の内縁部との間の間隙６内に磁気抵抗効果膜４が形成され、外側軟磁性膜３は、互いに直交する方向に形成された切欠部７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄにより、４個の扇状外側軟磁性膜３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄに分割されているという構成にする。薄膜磁気センサについては、この薄膜磁気抵抗素子を可変抵抗部とするブリッジ回路を組むという構成にする。 （もっと読む）

【課題】これまで以上に磁気情報を正確に読み出すことができるＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性の自由磁性層５８および導電性の固定磁性層５６の間には導電性の非磁性中間層５７が挟み込まれる。自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかは、窒化された磁性金属合金から構成される。本発明者らの検証によれば、自由磁性層５８および固定磁性層５６の少なくともいずれかで単位面積あたりの磁気抵抗変化量（ΔＲＡ）が増大することが確認された。その結果、ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の出力は向上する。しかも、窒化された磁性金属合金では飽和磁束密度（Ｂｓ）が減少する。その結果、磁性層では磁化は容易に反転する。ＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子の読み出し感度はこれまで以上に向上する。こうしたＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子はこれまで以上に正確に磁気情報を読み出すことができる。 （もっと読む）

【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】基板８の外側周囲を回転する磁界発生手段７を備えたマグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させ、前記磁界発生手段７を前記基板８の外周の周りにおいて回転させながら、マグネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＳＮＲ（ＳＮ比）を向上させた垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板と、前記非磁性基板上に形成された第一下地層と、前記第一下地層上に形成された第二下地層と、前記第二下地層上に形成された磁性層と、前記磁性層上に形成された保護層を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁性層がＣｏを主成分とする合金からなり、前記第一下地層がＲｕと体心立方構造を形成する金属を主成分とし、Ｒｕを６０ａｔ．％以上含む合金または化合物からなり、前記第二下地層がＲｕであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】リード素子が小型化した場合でもリードヘッドの特性を劣化させることなく、磁気記憶媒体の記録密度の増大に好適に対応することができるリードヘッド、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】フリー層を備えるリード素子１０と、前記フリー層を磁区制御する磁区制御層２０ａ、２０ｂとを備え、前記磁区制御層２０ａ、２０ｂは、Ｆｅ、Co、Niの少なくとも一種を含む軟磁性材からなり、該磁区制御層２０ａ、２０ｂのコア幅方向の長さａ、ハイト方向の長さｂの比ａ／ｂが５以上、磁区制御層２０ａ、２０ｂのハイト方向の長さｂが１００nm以下に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の下に中間層やシード層を形成することにより、磁気記録層の結晶粒径を微細化できるものの十分な結晶粒界幅を形成することができないため、磁化反転単位の低減効果が小さい。
【解決手段】垂直磁気記録媒体１０は、基板１１の上部に、シード層と中間層と磁気記録層と保護層が積層されて構成される。磁気記録層はCoCrPt合金からなる多数の柱状粒子と酸化物を含む粒界層によって構成されたグラニュラ構造を有する。シード層は、第１のシード層１４ａ、第２のシード層１４ｂ、第３のシード層１４ｃが積層されて構成され、第１のシード層１４ａは六方最密充填構造を有するTiまたはTi合金からなり、第２のシード層１４ｂはが面心立方構造を有するCu，Ag又はAl、あるいはこれらのうちの１種以上の元素を含む合金からなり、第３のシード層１４ｃは面心立方構造を有するNi合金からなる。 （もっと読む）

【課題】小さい保磁力およびＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】ＭｇＯｘからなるトンネルバリア層１７の上に、ＣｏＢ_X からなる低磁歪（λ＝−５×１０^-6〜０）のフリー層１８を形成する。フリー層１８は、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＢ_X （Ｙは０〜１００原子％）という２層構造、あるいは、ＦｅＣｏ_Y ／Ｃｏ_U Ｆｅ_W Ｂ_Z ／ＣｏＢ_X 、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＢ_X ／Ｃｏ_U Ｆｅ_W Ｂ_Z 、ＦｅＣｏ_Y ／ＣｏＦｅ_W ／ＣｏＢ_X 、またはＦｅＣｏ_Y ／ＦｅＢ_V ／ＣｏＢ_X という３層構造として形成してもよい。ここで、ＣｏＢ_X を、ＣｏＮｉＦｅＢまたはＣｏＮｉＦｅＢＭに置き換えてもよい。但し、ＭはＶ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ，ＴａおよびＭｏのうちのいずれかである。小さい保
磁力およびＲＡ値を確保しつつ、従来のＣｏＦｅ／ＮｉＦｅ構造のフリー層の場合に比べてＴＭＲ比が１５〜３０％程度向上する。 （もっと読む）

【課題】良好な熱安定性と記録再生特性をともに有し、高記録密度が可能な垂直磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも裏打ち層と下地層と磁気記録層を有する磁気記録媒体である。この垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層は少なくともＣｏとＰｔを含むグラニュラ構造を有する垂直磁気記録層と、その上に少なくとも２層以上の面内磁気記録層が反強磁性結合している磁気記録層が積層された構造をしている。 （もっと読む）