【課題】更なる高記録密度化が可能な磁気記録媒体と、そのような磁気記録媒体を搭載した情報記憶装置とを得る。
【解決手段】ガラス製のディスク基板２０１と、軟磁性材料であるＣｏ合金で形成された非晶質の軟磁性層２０２と、Ｎｉ合金製の下地層２０３と、Ｒｕ製の中間層２０４と、非磁性材料のＣｏＣｒからなる複数の非磁性粒子の相互間をＣｒ_２Ｏ_３が隔ててグラニュラ構造を成した非磁性グラニュラ層２０５と、非磁性グラニュラ層２０５上に形成された、磁性材料のＣｏＣｒＰｔからなる複数の磁性粒子の相互間を非磁性材料のＴｉＯ_２が隔ててグラニュラ構造を成した記録層２０６と、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＣＬ）で形成された保護膜２０７とを備えた。 （もっと読む）

【課題】４００℃の熱処理プロセス後に、十分な反平行結合強度を有することで、高磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能な、強磁性体／非磁性体／強磁性体の反平行結合膜構造体、その反平行結合膜構造体を用いたトンネル磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。
【解決手段】強磁性体の一方は、CoFeB合金またはCoFe合金であり、他方はTa／Ru下地層上に成長した面心立方構造のCoFe合金またはNiFe合金であり、非磁性体がRuである。 （もっと読む）

【課題】 特に、基板上に高抵抗軟磁性膜（Ｆｅ−Ｍ−Ｏ）をスパッタ成膜して成るＲＦＩＤ用あるいは電磁波抑制用としての磁性シート及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ＲＦＩＤタグ２と、金属部材３との間に磁性シート４が挿入されている。前記磁性シート４には、樹脂シートに、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａのうち少なくともいずれか一種を表す）から成り、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成された高抵抗軟磁性膜がスパッタ成膜されている。これにより効果的にＲＦＩＤ特性の向上を図ることができるともに薄型化に貢献できる。またＦｅ−Ｍ−Ｏ膜に対して熱処理を施す必要がない。 （もっと読む）

【課題】良好な磁気記録特性、再生分解能を得る。
【解決手段】基板１０ａ上に積層された積層部１１０が、３層の磁気記録層（１０ｄ，１０ｆ，１０ｈ）と、３層の磁気記録層（１０ｄ，１０ｆ，１０ｈ）間の間隙それぞれに設けられた２層の交換結合力制御層（１０ｅ，１０ｇ）と、を有しているので、交換結合力制御層の数を増やすことにより、ある一定以下の保磁力や記録反転磁界を得るために必要な各交換結合力制御層の層厚を薄くすることができる。また、各交換力制御層（１０ｅ，１０ｇ）の層厚を薄くすることで、交換結合力制御層を介した磁性記録層の結合力を適度に制御することができるので、記録反転磁界のバラツキ（ΔＨｓ）を抑制することができる。これにより、良好なＳ／Ｎ特性を得ることができる。 （もっと読む）

本発明の３層磁気素子は、基板上に、水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第１の層Ｏを含み、その上に金属磁気層Ｍが設けられ、金属磁気層Ｍの上に水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第２の層Ｏ’、あるいは非強磁性体金属層Ｍ’が設けられる。層Ｍは連続しており、１〜５ｎｍの厚さを有し、その磁化は、層ＯおよびＯ’が無い状態で層面に平行である。室温以上のある温度範囲で、層Ｍの実際の消磁磁界を低減できる、あるいは層Ｍの磁化を層面に対しほぼ垂直に向けることができる、界面Ｏ／ＭおよびＭ／Ｏ’の層面に垂直な界面磁気等方性がある。
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【課題】信頼性及び歩留りの高い磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】下部磁気シールド層４、上部磁気シールド層２、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層の間に形成された磁気抵抗効果膜３、磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流す手段とを含む磁気ヘッドにおいて、磁気抵抗効果膜は、固定層５１、非磁性層５２、酸化物層からなる絶縁障壁層５３、自由層５４がこの順番で成膜され、酸化物層にチタンとニッケルの少なくとも一方を含有する。 （もっと読む）

【課題】電子機器への搭載が可能な薄型で、高周波帯での透磁率実部が大きい高周波磁性体を提供する。
【解決手段】絶縁層１０と、この絶縁層１０上に設けられる磁性層２０を備える高周波磁性体であって、磁性層２０は、長さｈの短辺、長さｗの長辺、厚さｔの厚みを有する棒状の磁性部材２２を、長辺方向を揃えて複数個配列させることにより形成され、５≦ｗ／ｈ≦３０であることを特徴とする高周波磁性体。さらに、この高周波磁性体において、磁性部材２２の磁化困難軸と、磁性部材２２の長辺方向が略一致することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＲ読み取りセンサーのピンニング層材料としては、高い耐ブロック温度と低いアニーリング温度を有することが望ましくまた、種層材料としては、ピンニング層材料とともに用いられる場合には、高いピンニング強度を与えることが望ましい。
【解決手段】磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック（１０）は、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）と、強磁性体自由層（１４）と、非磁性体スペーサー層（１６）と強磁性体ピン化層（１８）と、ＸをＣｒあるいはＰｄとしたＰｔＭｎＸピンニング層（２０）とを含んでいる。強磁性体自由層（１４）は、回転可能な磁気モーメントを有し、ＮｉＦｅＣｒ種層（１２）に隣接して設けられている。強磁性体ピン化層（１８）は固定した磁気モーメントを有し、ＰｔＭｎＸピンニング層（２０）に隣接して設けられている。非磁性体スペーサー層（１６）は、自由層（１４）とピン化層（１８）との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を維持しつつ、より低抵抗であるグラニュラ膜を提供すること。
【解決手段】ＭｇＯターゲット３及び強磁性体ターゲット４を備え、基板８に対してＭｇＯ及び強磁性体をスパッタリングするスパッタリング装置において、プラズマ干渉状態を最適化した状態で、前記基板８上に（１１１）配向を有するＭｇＯバリア層と、前記ＭｇＯバリア層中に分散された強磁性体微粒子と、を含む低抵抗グラニュラ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜においてリファレンス層と他の層との間の交換結合を維持しつつリファレンス層中のＧｅ等の元素の拡散を防止し得る構成を提供することを目的とする。
【解決手段】ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ層に含まれるリファレンス層の下部及び上部のうちの少なくとも一方にＡｌの薄膜よりなる拡散防止層を形成する。 （もっと読む）

【課題】角型性にすぐれ、ノイズの改善が図られ、安定した磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】少なくとも１対の強磁性層の間にトンネルバリア層を挟んだ強磁性トンネル接合を用いた磁気抵抗効果素子であって、強磁性層の一方により構成される磁化自由層が、非晶質もしくは微結晶構造を有する材料の単層、あるいは主な部分が非晶質もしくは微結晶構造を有する材料層からなり、磁化自由層がＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉの強磁性元素のうち少なくとも１種もしく２種以上の成分と、含有量が１０原子％〜３０原子％のＢ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｇａ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉのいずれか１種もしくは２種以上とを含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】一対の強磁性層及び該一対の強磁性層の間に位置する中間層を有する磁気抵抗効果素子において、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の強磁性層は、マグネトロンＤＣスパッタにより成膜したアモルファス状態の強磁性体とし、前記中間層は、マグネトロンＲＦスパッタにより成膜した、膜厚方向において単結晶構造を有する酸化マグネシウムとする。 （もっと読む）

【課題】高密度磁気記録に対応可能な磁気センサを提供する。
【解決手段】ＴＭＲセンサ１は、シード層１４、ＡＦＭ層１５、ピンド層１６、スペーサ層１７、フリー層１８およびキャップ層１９が順に積層されたものである。ピンド層１６は、ＡＦＭ層１５の側から、ＡＰ２層１６３と結合層１６２とＡＰ１層１６１とが順に積層されたシンセティック反強磁性ピンド構造を有する。スペーサ層１７は、例えば金属層と、低バンドギャップ絶縁層もしくは半導体層とが交互に形成された多層構造を有する。金属層は例えば銅層であり、低バンドギャップ絶縁層はＭｇＯ層である。 （もっと読む）

【課題】高分解能および高信号対雑音比を実現可能な磁気再生ヘッドを提供する
【解決手段】再生ヘッド１は、下部シールド層２と上部シールド層１８の間にＭＴＪ素子１６を配置したＴＭＲセンサである。ＭＴＪ素子１６は、下部シールド層２の上に複合シード層１５を介して設けられている。複合シード層１５は、軟磁性層３と、アモルファス層４と、軟磁性層５と、バッファ層６とが下部シールド層２の側から順に積層されたものである。これにより、ＭＴＪ素子１６の結晶構造が、平滑性や均質性に優れたものとなる。複合シード層１５のうち、軟磁性層３、アモルファス層４および軟磁性層５は、下部シールド層２と共に実効シールド構造１４を形成している。これにより、実効シールド間距離がより低減される。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性に優れたＳＴＴ−ＲＡＭに好適なＭＴＪ素子を提供する。
【解決手段】ＭＴＪ素子１１は、下部電極１０の側から、下部積層体１１１と上部積層体１１２とを順に備える。下部積層体１１１は、シード層５１、リファレンス層３３、トンネルバリア層３４を順に含むものである。上部積層体１１２は、積層面に沿った占有面積が下部積層体１１１よりも小さく、フリー層４０、キャップ層３８、ハードマスク３９を順に含むものである。リファレンス層３３は、非磁性金属からなる挿入層３３Ｃと、磁性層３３Ａとから構成される２層構造を有する。磁性層３３Ａは、積層面内における磁化容易軸（Ｘ軸方向）に沿って固定された磁化方向を有する自己ピンド層である。フリー層４０は、下部強磁性層３５と、ＮＣＣ層３６と、上部強磁性層３７とが順に積層された複合体である。 （もっと読む）

【課題】より良い特性を与える配向制御層を提供し、長手磁気記録媒体の信号雑音比を向上させる。
【解決手段】基板上に、非晶質合金からなる下地層と、体心立方構造を有するＣｒ−Ｍｎ−Ｆｅ合金からなる配向制御層と、体心立方構造を有する合金層と、六方最密構造を有する合金層と、磁性層とをこの順に有し、前記Ｃｒ−Ｍｎ−Ｆｅ合金配向制御層の（１１０）面が基板に垂直方向に配向しており、かつ、前記Ｃｒ−Ｍｎ−Ｆｅ合金配向制御層のＭｎ濃度が５ａｔ％以上１０ａｔ％以下であることを特徴とする長手磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】良好な界面特性をもつ強磁性薄膜、絶縁性薄膜、及び化合物半導体からなる強磁性積層構造を得る。
【解決手段】この磁性体積層構造１０においては、化合物半導体１上に絶縁性薄膜２及び強磁性薄膜３が順次形成されている。絶縁性薄膜２は、蛍石型構造をもつフッ化化合物からなる。強磁性薄膜３は、Ｆｅ又はＦｅＣｏ合金からなる強磁性体である。この強磁性積層構造１０は、強磁性薄膜３から絶縁性薄膜２を通して化合物半導体１にスピン偏極電子が注入されて使用される。例えば、この強磁性積層構造１０をスピンＬＥＤに用い、化合物半導体１を発光層としても用いることができる。この場合には、この構造における各界面の結晶欠陥が少ないために、スピン偏極電子の発光層への高い注入効率が得られるため、高効率のスピンＬＥＤを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明はイオン注入により磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関し、少ないイオン注入量で磁気記録領域と分離領域とを形成することを課題とする。
【解決手段】ガラス基板２上に形成された磁性層６に、磁気記録領域９Ａと分離領域１０とを有する磁気記録媒体であって、分離領域１０は、前記磁気記録領域９Ａと分離領域１０との境界位置に形成され、磁気記録不能な特性を有する第１の分離領域部１０Ａと、この第１の分離領域部１０Ａに囲繞された磁性層６の表面に形成された第２の分離領域部１０Ｂと、前記第１及び第２の分離領域部１０Ａ，１０Ｂの内部に位置し磁性層６と同一磁気特性を有する内部領域１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】高周波域において、透磁率実部μ’と透磁率虚部μ”の比（μ”／μ’）が小さな、優れた高周波用磁性材料、高周波用磁性材料の製造方法、アンテナ、および携帯電話を提供する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２上の複数の平板体を形成する磁性相１４と、磁性相の間隙を充填する絶縁体相１６とから成る複合磁性膜１８とを備え、磁性相１４が非晶質であり、基板１２の表面に平行な面内における、絶縁体相１６の伸長方向の平均をＸ軸方向、同面内においてＸ軸と直交する方向をＹ軸方向、基板１２の法線方向をＺ軸方向とする直交座標系の、Ｙ−Ｚ平面において、平板体の長手方向がＺ軸方向から傾斜し、Ｘ−Ｙ平面において、面内一軸異方性を有することを特徴とする高周波用磁性材料１０、この高周波用磁性材料１０の製造方法、この高周波用磁性材料１０を用いたアンテナ装置および携帯電話。 （もっと読む）

【課題】 高ＴＭＲ比及び低電流でのスピン注入磁化反転を可能とする。
【解決手段】 本発明の例に係る磁気抵抗効果素子は、下地層１１／第１の磁性層１２／トンネルバリア層１３／第２の磁性層１４のスタック構造を有する。第１及び第２の磁性層１２，１４の残留磁化は、それらの膜面に垂直な方向を向き、第１及び第２の磁性層１２，１４のうちの一方は、磁化方向が不変で、その他方は、磁化方向が可変であり、第１の磁性層１２は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉの第１のグループから選ばれる１つ以上の元素と、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓの第２のグループから選ばれる１つ以上の元素とから構成される強磁性体金属であり、下地層１１は、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖの第３のグループから選ばれる１つの元素を含む金属、又は、前記第３のグループから選ばれる２つ以上の元素を含む金属である。 （もっと読む）